中音压缩式驱动装置的制作方法

本发明涉及音响设备技术领域，尤其涉及一种中音压缩式驱动装置。

背景技术：

随着科学研究技术的不断发展，对扬声器的性能提出了更高的要求，其要求具有高的音质、语言清晰度、高的可靠性等特性。而扬声器的上述特性与散热性能、振膜及音圈有关。然而，现有的音圈与磁路系统配合安装，在长时使用后，音圈发热的同时会提高磁路系统的温度，音圈与磁路系统密封于高音缸体内，因而不能快速散热，从而会影响到音质。

此外，现有振膜一般采用圆顶形的振膜，圆顶形的振膜必须具有高的物理刚性，这种物理刚性的取得一是靠选择高的弹性模量材料，二是靠增加膜的厚度得以实现。然而，上述方法相应地也增加了膜片的重量，需要更高的功率来驱动膜片，从而降低了扬声器的效率。而若是减轻振膜的重量，则需减少振膜的厚度，或者采用较轻的材料，而薄的振膜厚度或采用较轻的材料则容易产生分割振动，导致失真的发生。

技术实现要素：

为此，本发明的目的在于提供一种中音压缩式驱动装置，以解决目前驱动装置散热性能差、容易产生分割振动导致失真等问题。

为实现上述目的，本发明主要采用以下技术方案为：

一种中音压缩式驱动装置，包括由下至上依次设置的高音缸体、磁路系统、振膜组件、压缩型等化器、扩散型等化器及衬盖，所述高音缸体上表面设有环形凹槽，环形凹槽的外侧壁上分布有若干散热筋柱；所述磁路系统包括磁杯、容置于磁杯中的磁铁、以及设置于磁铁上且容置于磁杯中的华司，磁铁、华司与磁杯之间形成一磁间隙，所述磁杯容置于环形凹槽中，并位于散热筋柱与环形凹槽内侧壁间，所述散热筋柱对磁杯进行抵顶限位；所述振膜组件设置于高音缸体上端的开口处，振膜组件包括振膜、音圈及若干保持片，所述保持片设置于振膜上下两侧，所述音圈上端固定至振膜上，下端穿设于磁间隙内，所述压缩型等化器设于振膜组件上方并与之相连，所述扩散型等化器设置于衬盖下表面上，该扩散型等化器依次穿过压缩型等化器、振膜组件、磁路系统并伸入到高音缸体底部；所述音圈包括音圈骨架及绕于音圈骨架内外两侧的音圈线，所述音圈线的表面涂有黑度值为0.85～1的耐高温绝缘漆。

进一步地，所述振膜呈环形设置，振膜的单侧横截面呈V形设置，所述音圈固定于振膜的V形顶点位置，振膜于音圈内外两侧均形成有振动区域。

进一步地，所述高音缸体的材质为压铸铝材料，高音缸体的中部设有一上下贯穿高音缸体的腔体，所述腔体形成一号角。

进一步地，所述高音缸体的腔体内部设有用于消减驻波的吸音材料，所述吸音材料为吸音棉。

进一步地，所述的磁杯、磁铁、华司均为一环状结构，所述的磁铁、华司的直径相等，且均小于磁杯的直径，所述的华司、磁铁与磁杯之间形成磁间隙。

进一步地，若干所述散热筋柱的贴近磁杯的侧面围合成一与所述磁杯外表面相匹配的形状结构，所述环形凹槽的内环与磁杯的内环形状相匹配。

进一步地，所述压缩型等化器中部设有一圆孔，围绕所述圆孔设有多个气室通道，气室通道包括朝向振膜的声波入口，所述声波入口呈螺旋线分布，各声波入口与圆孔中心的距离不等。

进一步地，所述压缩型等化器由第一主体和第二主体组合而成，所述声波入口设于第一主体上，所述气室通道还包括一声波出口，所述声波出口朝向所述扩散型等化器设置。

进一步地，每一所述气室通道的声波出口处均设有延伸部，所述延伸部朝所述扩散型等化器方向延伸；且所述延伸部呈自外向内逐渐变小的尖状设置。

进一步地，所述的磁铁的材质为N38H型号的钕铁硼强磁铁。

综上所述，本发明的压缩式驱动装置中音圈穿至磁间隙内、及磁性系统装设于散热筋柱及环形凸槽内侧壁间的设计，进一步提高了音圈的散热能力，从而避免了音圈发热造成扬声器损坏或失效，同时可降低工作后磁铁升高的温度，有利于气流的流动散热。此外，所述V形振膜的设计，使得音圈的内侧及外侧区域均设置有振动区域，从而减少了分割振动，提高在大声压级状态下的语言保真度，避免语言失真的问题。

附图说明

图1为本发明中音压缩式驱动装置的结构示意图。

图2为图1所示的中音压缩式驱动装置的分解示意图。

图3为图1所示的中音压缩式驱动装置的剖面示意图。

具体实施方式

为了使本发明的技术方案能更清晰地表示出来，下面结合附图对本发明作进一步说明。

如图1至图3所示，为本发明提供的一种中音压缩式驱动装置，其包括由下至上依次设置的高音缸体10、磁路系统20、振膜组件、压缩型等化器60、扩散型等化器70及衬盖80。所述磁路系统20装设于高音缸体10内，所述振膜组件设置于高音缸体10上端的开口处，振膜组件包括若干保持片30、振膜40及音圈50，所述保持片30装设于振膜40上下两侧面上，所述音圈50上端固定至振膜40上，下端穿设于磁路系统20内，所述压缩型等化器60设于保持片30上方并与之相连，所述扩散型等化器70设置于衬盖80下表面上，该扩散型等化器80依次穿过压缩型等化器60、振膜组件、磁路系统20并伸入到高音缸体10底部。

所述高音缸体10由金属材料制备而成，具体地，所述高音缸体10由压铸铝制备而成。可以理解地，在其它实施例中，所述高音缸体10也可以为其它合适的材料制备而成。高音缸体10上表面设有环形凹槽11，高音缸体10的中部设有一中空的腔体12，所述腔体12上下贯穿高音缸体10并形成一号角。所述腔体12内还增设有用来消减驻波的吸音材料，本实施例中，所述吸音材料为吸音棉。本实施例中吸音材料的设置，使得驱动装置内部构建了良好的声学环境，避免驻波干扰原有声音的传播。

所述高音缸体10的环形凹槽11的外侧侧壁上均匀分布有若干散热筋柱13，所述磁路系统20装设于散热筋柱13与环形凹槽11的内侧侧壁之间。所述磁路系统20包括磁杯21、容置于磁杯21中的磁铁22、以及设置于磁铁22上且容置于磁杯20中的华司23，所述磁杯21、磁铁22、华司23均为环状结构。所述磁铁22、华司23的直径相等，且均小于磁杯21的直径，所述华司23、磁铁22与磁杯21之间形成一磁间隙。本实施例中，所述磁铁22为钕铁硼制备的强磁铁，其优选的型号为N38H，所述N38H磁铁具有稳定的强力磁场。可以理解地，在其它实施例中，所述磁铁22也可以为其它型号的强磁铁。

所述音圈50包括音圈骨架及音圈线，所述音圈线的表面涂有高黑度耐高温绝缘漆，以提高音圈线辐射热能的能力。本实施例中，所述高黑度耐高温绝缘漆的黑度值为0.85～1。所述音圈线绕于音圈骨架的内外两侧，形成内、外线圈结构，使音圈50的内外表面均可向磁路系统20有效的辐射热能，从而具有优越的散热性能。所述音圈50底端穿设于所述磁间隙内，音圈50产生的热量能很快的通过内外线圈的热辐射传递至磁杯21上，所述磁杯21外表面与散热筋柱13相接触，使得磁杯21上的热量能很快的传递至散热筋柱13，再自高音缸体10扩散出去。因此，即便是大功率、大声压级的驱动装置所产生的热量也能很快的散热。若干所述散热筋柱13的内侧面围合成与所述磁杯21相匹配的形状结构，散热筋柱13一定程度上对磁路系统20进行限位，使磁路系统20能牢固的嵌于高音缸体10内，可缓冲任意方向的冲击、跌落，具有很好的耐振动、耐冲击的性能。

本实施例中，所述振膜40呈环形设置，振膜40的单侧横截面呈V形设置。所述振膜的材质采用PEEK材料，该种材料具有优良的弯曲模量，使振膜40具有最佳的振动摸量，从而一定程度了保证了驱动装置的高灵敏性。安装时，所述音圈50连接于振膜的V形顶点上，除音圈50所圈定的振膜区域外，部分振膜位于音圈50的外侧，使得音圈50的两侧均有振动区域，使得整个振膜形成环状，从而使得，在相同质量情况下，接近音圈50的有效振动辐射声波的面积大大增加，从而实现了较小的功率即可驱动振膜40并得到相同的声波量，特别是在高频段，谐振频率得到了提高，而分割振动在减少，由于减少了质量，瞬态响应曲线的前后沿也趋于陡峭，提高了在大声压级状态下的语言保真度，从而可避免语言失真的问题。

所述压缩型等化器60包括一等化器本体，所述等化器本体中部设有一圆孔，围绕所述圆孔成型有多个气室通道，所述气室通道包括朝向振膜40的声波入口63，所述气室通道的声波入口63呈螺旋线分布，各气室通道的声波入口63与本体中心的距离。所述等化器本体由两个环形的第一主体61和第二主体62组合而成，其中所述第一主体61上呈螺旋状设置多个声波入口63、多个底面64、以及与声波入口63对应的多组第一侧面65，两第一侧壁65与底面64之间即构成通道。所述第二主体62上则设置有顶面以及与第一主体61上的第一侧面65对应平齐的多组第二侧面66，即组合后第一侧面65与第二侧面66构成每个气室通道的侧面，声波出口由第一主体61的底面64、第一侧面66及第二主体62的顶面构成。

所述压缩型等化器60在工作中与振膜40相匹配，振动发音时，压缩型等化器60上螺旋状分布的声波入口63的气室声波通道，构成了几何带通滤波管。即，声波在通过每一通道时，有些频率段增强有些频段被衰减。每一所述气体通道的声波出口处设有延伸部67，且延伸部67呈尖状，形成扩散型等化器的结构；使得声场均匀，从而获得了良好的频响曲线和高的灵敏度。

综上所述，本发明的压缩式驱动装置中音圈50穿至磁间隙内、及磁性系统20装设于散热筋柱13及环形凸槽11内侧壁间的设计，进一步提高了音圈50的散热能力，从而避免了音圈50发热造成扬声器损坏或失效，同时可降低工作后磁铁升高的温度，有利于气流的流动散热。此外，所述V形振膜40的设计，使得音圈50的内侧及外侧区域均设置有振动区域，从而减少了分割振动，提高在大声压级状态下的语言保真度，避免语言失真的问题。

以上所述实施例仅表达了本发明的一种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。