一种平膜扬声器的制作方法

文档序号:12267196阅读:481来源:国知局
一种平膜扬声器的制作方法与工艺

本实用新型涉及一种平膜扬声器单元,尤其涉及一种平膜扬声器单元的振膜部分。



背景技术:

自1924年出现带式扬声器,1930年巴特霍勒尔发明大功率带式扬声器以后,历史上曾出现多种款式的带式扬声器。1923年,西门子的里格发明的等电动式平面扬声器,1958年以色列的R.R.Gamzon和E.Frei发明了现代意义上的平膜扬声器,以后,有许多局部结构设计不同的平膜扬声器出现。

平膜扬声器主要用于高声频段的重放,由振膜、磁路及辅助部分构成。音圈为金属箔,厚度为几微米,通常由铜、铝制成,用印刷电路光刻腐蚀法附着在振膜上,振膜通常由导电金属(铝、铍、钛)箔制成,因此振膜既是发声振动的振膜,又是通过音频电流的音圈。为得到高的灵敏度和优良的瞬态响应,要求振膜重量轻,所以振膜材料很薄,一般为几微米至十几微米,也因此,振膜很容易发生变形。当音频增加时,振膜本身很容易发生挠曲或在其固有频率或其谐波共振。



技术实现要素:

为了解决上述问题,本实用新型提出一种平膜扬声器,包括外壳,置于外壳内的磁路系统,位于磁路系统上方的振膜以及支撑所述振膜的载体,所述振膜上表面具有由金属线圈环绕沉积而成的音圈,所述振膜下表面与所述磁路系统之间设置有用于吸收声辐射的第一吸收盘。

进一步地,所述第一吸收盘位于所述振膜下表面的中心位置。

进一步地,所述振膜上表面的中心位置具有用于吸收声辐射的第二吸收环,所述第二吸收环的外径小于所述音圈的内径。

进一步地,所述载体上设置有至少一个用于吸收声辐射的第三吸收盘。

进一步地,所述载体上方设置有用于吸收声辐射的第四吸收环,所述第四吸收环的内径大于所述音圈的外径,且与所述振膜外围部分重合。

进一步地,所述第一吸收盘、第三吸收盘、第二吸收环和第四吸收环分别为多个盘或环堆叠而成。

进一步地,所述第一吸收盘为毛毡类材料。

进一步地,所述第二吸收环、第三吸收盘和第四吸收环为氨基甲酸乙酯或橡胶类材料。

进一步地,所述第二吸收环通过粘合剂固定于所述振膜上。

进一步地,所述振膜上表面还具有保护屏,所述第二吸收环置于所述振膜上表面与所述保护屏之间。

本实用新型的平面扬声器通过设置多个吸收盘或吸收环,用以吸收声辐射,可以减少振膜的自共振,确保振膜的谐振模式为高频段或更高的人耳非可听频段。

上述说明仅是本技术方案的概述,为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本实用新型的其他目的、特征和优点能够更明显易懂,以下特举较佳实施例,并配合附图,详细说明如下。

附图说明

图1为本实用新型的平膜扬声器结构示意图。

图2为本实用新型的平膜扬声器的振膜部分俯视图。

1、外壳;2、磁路系统;3、振膜;31、音圈;4、载体;51、第一吸收盘;52、第二吸收环; 53、第三吸收盘;54、第四吸收环;6、保护屏。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本实用新型的技术方案,下面结合图1、图2和具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。

本实施例的平膜扬声器,包括外壳1,置于外壳1内的磁路系统2,位于磁路系统2上方的振膜3以及支撑所述振膜3的载体4。磁路系统2为公知技术,在此不再赘述。音圈31为金属线圈,厚度为几微米,通常由铜、铝制成,用印刷电路光刻腐蚀法沉积于振膜3的上表面。振膜3通常由导电金属(铝、铍、钛)箔制成,一般为几微米至十几微米。在振膜3的下表面与磁路系统2之间设置有用于吸收声辐射的第一吸收盘51,优选地,第一吸收盘51位于振膜3下表面的中心位置。第一吸收盘51向磁路系统方向吸收声辐射,以减少振膜3自共振,确保振膜3的谐振模式为高频段或更高的人耳非可听频段。同时,第一吸收盘51还可以起到进一步支撑振膜3的作用。第一吸收盘51优选毛毡类或其相似材料。

进一步地,振膜3上表面的中心位置具有用于吸收声辐射的第二吸收环52,其外径小于音圈31的内径,第二吸收环52可以通过粘合剂固定于振膜3上。载体4上设置有用于吸收声辐射的第三吸收盘53,可以设置多个第三吸收盘53。载体4上方设置有用于吸收声辐射的第四吸收环54,其内径大于所述音圈31的外径,且与振膜3外围部分重合。

优选地,第一吸收盘51和第三吸收盘51分别为多个盘堆叠而成;第二吸收环52和第四吸收环54分别为多个环堆叠而成,比如,第二吸收环52为上层第二吸收环和下层第二吸收环堆叠而成。

第二吸收环52、第三吸收盘53和第四吸收环54的设置可以进一步减少振膜3的自共振。优选地,第二吸收环52、第三吸收盘53和第四吸收环54为氨基甲酸乙酯或橡胶类材料。

进一步地,所述振膜上表面还具有保护屏,所述第二吸收环置于所述振膜上表面与所述保护屏之间。

本实施例的平面扬声器通过设置多个吸收盘或吸收环,用以吸收声辐射,以减少振膜的自共振,确保振膜的谐振模式为高频段或更高的人耳非可听频段。

可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式,然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。

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