一种防止三选二共卡槽烧卡的装置及移动终端、手机的制作方法

本发明涉及通讯设备领域，特别涉及到一种防止三选二共卡槽烧卡的装置及移动终端、手机。

背景技术：

手机、平板电脑及数据卡等通讯设备通常会使用SIM卡及SD卡。其中，很多通讯设备会采用三选二共卡槽来安装SIM卡及SD卡，用以提高空间复用率。但是，三选二共卡槽在用户插拔SIM卡或SD卡时，有可能会出现烧卡的现象。

现有技术中对于烧卡现象通常是通过提示用户在断电后的一定时间后才进行插拔卡操作，这样增加了用户使用的繁琐度，也不能彻底消除三选二共卡槽存在的烧卡现象。因此，提供一种方便快捷的能够防止三选二共卡槽烧卡现象的装置就很有必要。

技术实现要素：

本发明要解决的技术问题是现有技术中三选二共卡槽不能有效彻底的防止用户在插拔卡操作中出现的烧卡现象的技术问题。本发明提供一种新的防止三选二共卡槽烧卡的装置及移动终端、手机，改装置具有能够方便快捷及有效彻底的解决三选二共卡槽烧卡现象。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：

所述装置包括连接SIM卡与SD_CARD的SIM_EINT端口；一个G极连接SIM_EINT端口，S极连接第一接地点，D极连接电阻R13的第二端的NMOS管；一个G极连接所述NMOS管的D极及电阻R13第1端，S极连接电阻R13第2端口及VMCH_PMU端口，D极连接VMCH端口及R15第1端口的PMOS管；所述电阻R15第2端口连接到第二接地点，用于减小VMCH端口断电的时间；所述电阻R13用于控制SD下电的时间；所述VMCH_PMU端口用于连接软件控制模块；所述VMCH端口用于连接LDO供电模块。

上述方案中，进一步地，所述LDO供电模块是输出电压可调的供电模块。

进一步地，所述LDO供电模块的输出端并联一个滤波电容。

进一步地，所述第一接地点与第二接地点连接为同一接地点。

进一步地，所述NMOS管为增强型NMOS管，所述PMOS管为增强型PMOS管。

进一步地，所述能够防止三选二共卡槽烧卡的装置用于手机、平板及数据卡。

本发明还提供了一种移动终端，包括所述的防止三选二共卡槽烧卡的装置。

本发明还提供了一种手机，包括所述的防止三选二共卡槽烧卡的装置。

本发明有益效果是，消除了三选二共卡槽烧卡的现象；使用户的操作没有收到任何影响，方便快捷。

附图说明

图1是本发明所述装置的电路图；

图2是无R15时LDO供电模块断电时序图；

图3是有R15时LDO供电模块断电时序图；

图4是本发明所述装置的使用方法图。

具体实施方式

以下，将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本发明，并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。

图1为本发明所述采用NMOS管及PMOS管的电路图。图中，通过选用电阻R15来减少LDO供电模块断电操作中的掉电时间。

如图1所示，本发明的一种防止三选二共卡槽烧卡的装置，包括连接SIM卡与SD_CARD的SIM_EINT端口；一个G极连接SIM_EINT端口，S极连接第一接地点，D极连接电阻R13的第二端的NMOS管；一个G极连接所述NMOS管的D极及电阻R13第1端，S极连接电阻R13第2端口及VMCH_PMU端口，D极连接VMCH端口及R15第1端口的PMOS管；所述电阻R15＝5kΩ第2端口连接到第二接地点，用于减小VMCH端口断电的时间；所述电阻R13＝10kΩ用于控制SD下电的时间；所述VMCH_PMU端口用于连接软件控制模块；所述VMCH端口用于连接LDO供电模块。

所述LDO供电模块是输出电压可调的供电模块。所述LDO供电模块的输出端并联一个滤波电容。所述LDO供电模块是使能的供电模块所述第一接地点与第二接地点连接为同一接地点。所述NMOS管为增强型NMOS管，所述PMOS管为增强型PMOS管。

所述能够防止三选二共卡槽烧卡的装置用于移动终端及手机

如图4所示，三选二共卡槽烧卡的装置的使用方法，步骤如下：

步骤一、三选二共卡槽将状态变化信号传输给软件控制模块；

步骤二、软件控制模块根据状态变化信号控制VMCH_PMU端口；

步骤三、VMCH_PMU端口通过控制VMCH端口来控制LDO供电模块上电、断电操作。

所述状态变化包括取出或插入卡托，插入SIM卡或SD_CARD以及拔出SIM卡或SD_CARD。如图1所示，所述LDO供电模块进行断电操作后，由于滤波电容，VMCH端口残留电压为3V，断电过程耗时在5S到10S之间。

如图3所述，在没有电阻R15时，从拔卡到VMCH端口下电还有5～10S的延时，加入R15＝5kΩ后，VMCH端口残留电压为3V，从拔卡到VMCH端口下电的延时显著减少，明显小于2S。

本发明通过采用如图1所述的主要由NMOS管及PMOS管构成的电路。所述电路中，三选二共用卡槽卡托连接SIM_EINT端口，默认为低电平。当用户插入三选二共用卡槽卡托后，SIM_EINT端口电平变为高电平，NMOS管导通大于PMOS管导通；当用户拔出三选二共用卡槽卡托后，SIM_EINT端口电平变为高电平，NMOS管导通小于PMOS管导通。

当用户放入SIM卡或SD卡时，软件控制模块就会通过VMCH_PMU端口控制VMCH端口进而LDO供电模块进行上电操作；用户取出SIM卡或SD卡时，软件控制模块就会通过VMCH_PMU端口控制VMCH端口进而LDO供电模块进行断电操作。断电操作中，因为在VMCH端与地之间串联了一个电阻R15，LDO供电模块本身的滤波电容所存储的电量将在被短时间内放完，从而减少了LDO供电模块的断电时间，消除三选二共卡槽烧卡的隐患。

虽然已经参照特定实施例示出并描述了本发明，但是本领域的技术人员将理解：在不脱离由权利要求及其等同物限定的本发明的精神和范围的情况下，可在此进行形式和细节上的各种变化。