基于RCπ型滤波设计应用于射频识别技术的RF电路的制作方法

技术特征：

1.基于RCπ型滤波设计应用于射频识别技术的RF电路，其特征在于：设置有射频芯片电路、供电电路、晶振电路及天线电路，所述射频芯片电路分别与供电电路、晶振电路及天线电路相连接，且射频芯片电路与中央控制电路的主控芯片相连接，所述供电电路包括相互并联的RCπ型滤波器和电容C11，电容C11作为射频芯片电路的供电输入端连接在射频芯片电路的供电电路上。

2.根据权利要求1所述的基于RCπ型滤波设计应用于射频识别技术的RF电路，其特征在于：所述射频芯片电路包括射频芯片IC2、电容C15及电阻R1，射频芯片IC2的VOUT脚通过电容C15接地，射频芯片IC2的IREF脚通过电阻R1接地，电容C11分别与射频芯片IC2的VCC脚和GND脚相连接，射频芯片IC2的脚、脚、SCK脚、MOSI脚、MISO脚及IRQ脚皆与主控芯片相连接，晶振电路及天线电路皆连接在射频芯片IC2上。

3.根据权利要求2所述的基于RCπ型滤波设计应用于射频识别技术的RF电路，其特征在于：所述晶振电路包括晶振X3、电容C13、电容C14、电阻R2和电阻R3，所述电阻R2和电阻R3相互串联且串联后的电阻R2和电阻R3并联在晶振X3的两端，且晶振X3的一端与射频芯片IC2的XC1脚或XC2脚相连接，电阻R2和电阻R3的共接端与射频芯片IC2的XC2脚或XC1脚相连接，晶振X3的两端分别通过电容C13和电容C14接地。

4.根据权利要求3所述的基于RCπ型滤波设计应用于射频识别技术的RF电路，其特征在于：所述晶振X3的一端与射频芯片IC2的XC1脚相连接，电阻R2和电阻R3的共接端与射频芯片IC2的XC2脚相连接，晶振X3采用16MHz晶振。

5.根据权利要求2或3或4所述的基于RCπ型滤波设计应用于射频识别技术的RF电路，其特征在于：所述天线电路包括3个相互串联的电感组成的电感电路及3个相互串联的电容组成的电容电路，且电容电路和电感电路组成闭合环路，其中一个电感电路和电容电路共接端与射频芯片IC2的VREF脚相连接，另一个电感电路和电容电路共接端与外接天线相连接，其中一个电感连接在射频芯片IC2的ANT1脚和ANT2脚之间，且未与电感电路及外接天线相连接的电容与电容的共接端接地。

6.根据权利要求5所述的基于RCπ型滤波设计应用于射频识别技术的RF电路，其特征在于：所述射频芯片IC2采用nRF24L01。

7.根据权利要求5所述的基于RCπ型滤波设计应用于射频识别技术的RF电路，其特征在于：所述天线电路包括电感L2、电感L3、电感L4、电容C17、电容C10及电容C19，电感L3连接在射频芯片IC2的ANT1脚和ANT2脚之间，电感L2的一端与射频芯片IC2的ANT1脚相连接，且电感L2的另一端通过电容C17与电容C10连接，电容C17和电容C10的共接端与外接天线相连接，电容C10与电容C9串联且共接端接地，电容C9与电感L4串联且共接端连接射频芯片IC2的VREF脚。

8.根据权利要求5所述的基于RCπ型滤波设计应用于射频识别技术的RF电路，其特征在于：所述RCπ型滤波器包括相互串联并组成环路的电容C12、电容C16及电阻R4，且电容C11、电容C12及电容C16的一端共接且接地，电阻R4的一端与电容C11的非接地端相连接，电阻R4的另一端接入+3.3V电源。

9.根据权利要求2-4，6，7任一项所述的基于RCπ型滤波设计应用于射频识别技术的RF电路，其特征在于：所述RCπ型滤波器包括相互串联并组成环路的电容C12、电容C16及电阻R4，且电容C11、电容C12及电容C16的一端共接且接地，电阻R4的一端与电容C11的非接地端相连接，电阻R4的另一端接入+3.3V电源。