5G倍频抑制电路、5G通信模块和终端的制作方法

技术特征：

1.一种5G倍频抑制电路，其特征在于，包括：第一谐振电路、第二谐振电路和中间电容，所述第一谐振电路的一端用于连接主电路板，另一端连接所述中间电容的一端，所述中间电容的另一端连接所述第二谐振电路的一端，所述第二谐振电路的另一端用于连接5G天线。

2.根据权利要求1所述的5G倍频抑制电路，其特征在于，所述第一谐振电路和所述第二谐振电路采用结构相同的谐振电路。

3.根据权利要求2所述的5G倍频抑制电路，其特征在于，所述结构相同的谐振电路包括电感、第一电容和第二电容，所述电感的一端连接所述第一电容的一端，所述电感的另一端连接所述第二电容的一端，所述第一电容和所述第二电容的另一端均用于连接主电路板地；

当所述谐振电路作为所述第一谐振电路时，所述电感的所述一端还用于连接所述主电路板，所述电感的所述另一端连接所述中间电容的所述一端；

当所述谐振电路作为所述第二谐振电路时，所述电感的所述一端连接所述中间电容的所述另一端，所述电感的所述另一端用于连接所述5G天线。

4.根据权利要求1所述的5G倍频抑制电路，其特征在于，所述中间电容的取值范围为3.3pF～22pF。

5.根据权利要求3所述的5G倍频抑制电路，其特征在于，所述电感的取值范围为0.7nH～1.5nH。

6.根据权利要求3所述的5G倍频抑制电路，其特征在于，所述第一电容和所述第二电容的取值范围均为0.2pF～0.6pF。

7.根据权利要求6所述的5G倍频抑制电路，其特征在于，所述第一电容和所述第二电容的取值相等。

8.根据权利要求3所述的5G倍频抑制电路，其特征在于，所述谐振电路的谐振频率计算公式为：

其中，f0为所述谐振电路的谐振频率，L为所述电感的取值，C1和C2分别为所述第一电容和所述第二电容的取值。

9.一种5G通信模块，其特征在于，包括：主电路板、5G天线和5G倍频抑制电路，所述5G倍频抑制电路连接于所述主电路板和所述5G天线之间，用于抑制5G倍频信号；其中，所述5G倍频抑制电路采用如权利要求1-8任一项所述的5G倍频抑制电路。

10.一种终端，其特征在于，包括如权利要求9所述的5G通信模块。