MEMS传感器芯片的制作方法

本发明涉及微机电系统（mems,micro-electro-mechanicalsystem）技术领域，特别涉及一种mems传感器芯片。

背景技术：

作为一种典型的mems传感器，mems麦克风是将声音信号转换为电信号的能量转换器，近年来随着便携式电子设备的飞速发展，mems麦克风在便携式电子设备中得到了广泛的应用。

mems麦克风的主要技术指标有灵敏度、频率响应、指向特性、输出阻抗、动态范围和信噪比等，其中频率响应是反应mems麦克风声电转换过程中对频率失真的一个重要指标。频率响应是mems麦克风接收到不同频率声音时，输出信号会随着频率的变化而发生放大或衰减。最理想的频率响应曲线为一条水平线，代表输出信号能真实呈现原始声音的特性，但这种理想情况很难实现。当mems麦克风的输出频率低于一定的频率，即为低频时，频率响应曲线会明显的下降，就会影响麦克风的声电转换性能，如图1所示。

现有的mems膜片为了及时释放压力，提高膜片机械灵敏度，会在膜片上设计多个贯穿的孔槽结构。而频率响应曲线出现低频下跌的情况主要是由在mems膜片上开设的开放区域，即孔槽结构引起的，而且开放区域越多，频率响应曲线发生低频下跌的幅度越大。因此，如何改善mems麦克风发生频率响应曲线低频下跌是本领域技术人员的研究方向之一。

技术实现要素：

有鉴于此，本发明提出一种可有效改善频率响应曲线低频下跌的mems传感器芯片。

本发明提供一种mems传感器芯片，包括基板、安装于所述基板上的背极板和膜片，所述膜片固定于所述基板的一侧，所述背极板覆盖于所述膜片的远离所述基板的一侧，所述膜片包括感测部和围绕在所述感测部外围的外围部，所述外围部与所述感测部之间设有若干开槽，靠近所述感测部的所述开槽内部设置有隔离部，所述隔离部从所述膜片朝向所述基板方向凸出或者从所述基板朝向所述膜片方向凸出以用于增加振动通过所述开槽的阻尼。

在一实施例中，所述隔离部从所述膜片延伸至所述基板的朝向所述膜片的表面或者从所述基板延伸至所述膜片的背离所述基板的表面。

在一实施例中，所述基板具有背室，所述膜片覆盖所述背室，所述隔离部设置在感测部上偏离所述背室对应的所述开槽内。

在一实施例中，所述隔离部的外边缘与所述开槽的内边缘之间形成均匀间隔。

在一实施例中，所述开槽包括若干外槽和若干内槽，所述若干外槽排布在所述外围部的内边缘，所述若干内槽排布在所述感测部的外边缘，相邻两所述外槽之间形成第一连接臂，相邻两所述内槽之间形成第二连接臂，所述若干外槽与所述若干内槽之间形成环形连接臂，所述环形连接臂通过第一连接臂与所述外围部连接，通过所述第二连接臂与所述感测部连接。

在一实施例中，所述第一连接臂和第二连接臂至少其中之一设有加强筋结构，所述加强筋结构凸出设置于所述第一连接臂和/或第二连接臂的朝向所述基板的一侧面上以阻隔振动穿过所述内槽或外槽。

在一实施例中，每一所述内槽对应第一连接臂处形成内凹段，所述加强筋结构位于相应的内凹段的内侧。

在一实施例中，每一所述内槽具有连续连接的多个分段部，且至少有一分段部与其余分段部位于不同圆周上，每一所述隔离部形成多个对应每一所述分段部的分隔离部，每一所述分隔离部对应设置于一所述内槽的分段部内。

本发明还提供一种mems传感器芯片，包括基板、安装于所述基板上的背极板和膜片，所述基板具有背室，所述膜片固定于所述基板的一侧并覆盖所述背室，所述背极板覆盖于所述膜片的远离所述基板的一侧并在所述背极板与膜片之间形成气隙，所述膜片包括感测部和围绕在所述感测部外围的外围部，所述外围部与所述感测部之间设有若干开槽，所述感测部与所述开槽之间设有若干呈闭环的隔离槽，所述隔离槽内的部分朝向所述基板方向延伸形成隔离部，所述隔离部用于阻隔进入所述气隙的振动从所述开槽进入所述背室或者进入所述背室的振动从所述开槽进入所述气隙。

在一实施例中，所述若干开槽包括若干外槽和若干内槽，所述若干内槽呈环形排布在所述感测部的外缘处，所述隔离槽位于所述内槽内侧且与所述内槽之间形成均匀的间隔。

综上所述，本发明提供一种mems传感器芯片，通过在膜片朝向基板的一侧面上或者在基板朝向膜片的一侧面上设置隔离部，隔离部可以设置为多个，例如隔离部可以设置于感测部与内槽之间，例如设置于隔离槽内部，也可以设置于外槽与内槽之间，还可以设置于内槽内部，或者同时设置于感测部与内槽之间和外槽与内槽之间，或者同时设置于感测部与内槽之间和内槽内部，或者同时设置于外槽与内槽之间和内槽内部。隔离部可以靠近或连接至基板上，以阻隔振动从膜片内槽和/或外槽进入背室或者从膜片内槽和/或外槽进入气隙泄露而导致的频率响应曲线发生低频下跌的情况。

进一步地，在膜片朝向基板的一侧面上设置加强筋结构，加强筋结构可缩减膜片与基板之间的间隙所形成的泄露通道的截面面积，进一步增加阻尼效应，提升低频效果。

附图说明

图1为mems传感器芯片发生频率响应曲线低频下跌的对比曲线变化示意图。

图2为本发明的mems传感器芯片的剖视图。

图3为本发明的mems膜片在一实施例中的结构示意图。

图4为本发明的mems膜片在另一实施例中的结构示意图。

图5为图3中箭头状加强筋结构部分的放大示意图。

图6为图3中鱼骨状加强筋结构部分的放大示意图。

图7为图4中鱼骨状加强筋结构部分的放大示意图。

具体实施方式

在详细描述实施例之前，应该理解的是，本发明不限于本申请中下文或附图中所描述的详细结构或元件排布。本发明可为其它方式实现的实施例。而且，应当理解，本文所使用的措辞及术语仅仅用作描述用途，不应作限定性解释。本文所使用的“包括”、“包含”、“具有”等类似措辞意为包含其后所列出之事项、其等同物及其它附加事项。特别是，当描述“一个某元件”时，本发明并不限定该元件的数量为一个，也可以包括多个。

本发明的mems传感器芯片可应用于微机电装置中，例如应用在微机电麦克风中。如图2所示，为本发明的mems传感器芯片的剖视图。该mems传感器芯片包括背极板10、膜片12和基板14，背极板10和膜片12安装于基板14上。其中，膜片12例如为mems膜片，基板14例如为硅基板14，硅基板14具有背室16。膜片12固定于基板14的一侧并覆盖背室16，例如膜片12通过固支点固定于硅基板14的一侧，背极板10覆盖于膜片12的远离硅基板14的一侧并在背极板10与膜片12之间形成气隙13，例如背极板10的外边缘处的底部分别通过连接柱18a和连接柱18b连接并固定至硅基板14和膜片12的顶面外缘处，膜片12通过固定柱20支撑固定在硅基板14的上方，膜片12和背极板10上皆设电极从而在两者之间形成电容。

更具体地，背室16形成于硅基板14的中央位置，例如通过蚀刻的方式贯通硅基板14形成。在背极板10上，以从上表面贯通至下表面的方式开设有若干用于供信号，如声音振动/声波通过的声孔22，如图2所示，声孔22均匀地间隔排布于背极板10的中间区域，背室16正对背极板10的中心位置。膜片12包括感测部24和围绕在感测部24外围的外围部26，背室16正对感测部24的中心位置。感测部24用于感测外部的压力，例如感测声压，当应用于微机电麦克风时，感测部24受到声压作用时将相对背极板10运动，从而使得感测部24与背极板10之间的电容发生变化从而产生相应的电信号。

连接柱18a连接在背极板10的底面与硅基板14的顶面之间，连接柱18b连接在背极板10的底面与外围部26的顶面之间，固定柱20连接在外围部26底面与硅基板14的顶面之间用于支撑固定外围部26，外围部26用于连接并支撑感测部24。声音振动穿过声孔22作用于感测部24使得感测部24相对背极板10运动，背极板10与膜片12之间的电容发生变化，进而使得声音振动通过电容变化转换成电信号。

外围部26与感测部24之间设有若干开槽，本实施例中，若干开槽包括若干外槽32和若干内槽34。若干开槽和膜片12与硅基板14之间形成的间隙部分共同形成泄露通道，部分声音振动会通过泄露通道进入背室16内，造成声音信号流失。特别是在声音频率较低时，产生的声压较小，此时膜片12接受声压冲击的作用力较小，声音感测灵敏度较低，由于膜片12上开槽的设计使得部分声压会从开槽泄露，从而导致频率响应曲线低频下跌，使得低频声音失真。为了解决该问题，本发明中，在感测部24与若干内槽34之间和/或若干外槽32与若干内槽34之间设置隔离部28，隔离部28可以设置为多个，用于阻隔振动穿过外槽32和/或内槽34进入背室16或穿过外槽32和/或内槽34进入气隙13。应当指出的是，振动的来源方向有两个，一个是由背室16往膜片12方向，振动从背室16出来穿过膜片12的开槽到达气隙13再穿过背极板10；另一个是由背极板10往膜片12方向，振动穿过背极板10到达气隙13再通过膜片12的开槽进入背室16。无论振动从背室16往膜片12方向传播还是从背极板10往膜片12方向传播，都必须经过开槽和膜片12与硅基板14之间形成的泄露通道。本发明通过在泄露通道设置隔离部28可有效阻断所述泄露通道或减小泄露通道的横截面面积，也即增加振动从内槽34和外槽32泄露的阻尼，起到防止声压泄露的效果。此处振动是指空气受声压或其他压力而形成的振动波。

从另一角度来说，隔离部28、膜片12、硅基板14和固定柱20之间共同合围形成一密闭腔室，若干外槽32和内槽34与密闭腔室连通。当声音振动从背极板10往膜片12方向传播时，声音振动从若干外槽32和内槽34进入密闭腔室会使得密闭腔室内的压强增大，因此使得声音振动难以进入密闭腔室而是直接作用在膜片12的感测部24上，从而可极大改善频率响应曲线发生低频下跌的情况。当声音振动从背室16往膜片12方向传播时，由于隔离部28的阻挡作用阻挡声音振动进入密闭腔室，使得没有声音振动或者仅有极少量声音振动进入密闭腔室进而从若干开槽泄露。

在一些未示出的实施例中，还可以在靠近感测部24的开槽内部设置隔离部，例如在内槽34内部设置隔离部，该隔离部可以从膜片12朝向硅基板14方向凸出或者从硅基板14朝向膜片12方向凸出以用于增加振动通过开槽的阻尼。该隔离部可以从膜片12延伸至硅基板14的朝向膜片12的表面，或者从硅基板14延伸至膜片12的背离硅基板14的表面。该隔离部可以设置在感测部24上偏离背室16对应的开槽，也即内槽34内。

下面以隔离部28设置在感测部24与若干内槽34之间为例对本发明进行说明。

在所示的实施例中，感测部24上偏离背室16对应的区域设有若干呈闭环的隔离槽30，隔离槽30内的部分朝向硅基板14方向垂直延伸形成若干隔离部28，隔离部28例如为隔离墙。隔离部28可延伸至硅基板14的朝向膜片12的表面，即隔离部28连接固定于膜片12与硅基板14之间。一方面，设置隔离槽30可及时释放压力，提高膜片12的机械灵敏度；另一方面，利用隔离槽30包围隔离部28的设计可将隔离部28相对膜片12独立开来，使得隔离部28的设置不会影响膜片12的感测部24的声压感测运动。

若干隔离槽30呈环形排布在感测部24的外缘处。具体而言，请同时参考图3和图4，若干外槽32呈环形且间隔设置于外围部26的内边缘，若干外槽32共同界定一外圆，若干内槽34呈环形且间隔设置于感测部24的外边缘，若干内槽34共同界定一内圆。在所示的实施例中，上述外圆与内圆共圆心，感测部24呈圆形，外围部26也呈圆形。在其他实施例中，膜片12也可以呈其他形状。若干外槽32与若干内槽34之间形成环形连接臂36，外围部26通过环形连接臂36与感测部24连接，环形连接臂36将外围部26和感测部24分隔开来。环形连接臂36的宽度可以根据实际设计需求而定，外槽32和内槽34可分散应力，减小膜片12上应力集中。

环形连接臂36可以具有均匀的径向宽度，也可以具有变化的径向宽度。在如图3所示的实施例中，环形连接臂36具有变化的径向宽度，例如，在应力较大的区域增加其径向宽度从而增加其刚性。在所示的实施例中，内槽34于靠近其端部处向内倾斜而形成倾斜段，也即内槽34除了圆弧段之外还包括倾斜段，环形连接臂36在对应倾斜段处的径向宽度大于对应圆弧段处的径向宽度。在如图4所示的实施例中，环形连接臂36具有均匀的径向宽度。

外槽32和内槽34的数量可以根据具体的设计需求及实际使用情况设置为多个。外槽32和内槽34的数量可以相同，也可以不同。图3和图4所示的实施例中，二者数量相同，且均为四个。

应当指出的是，外槽32的数量可以为奇数，也可以为偶数，内槽34的数量可以为奇数，也可以为偶数。本实施例中，二者均为偶数。进一步地，外槽32的数量优选为六个或六个以下。再进一步地，优选为四个。

四个外槽32沿周向均匀地间隔排布，且每个外槽32的形状和结构一致。四个内槽34沿周向均匀地间隔排布，且每个内槽34的形状和结构一致。下面仅对每一实施例的一个外槽32和一个内槽34的形状和结构进行说明。

若干外槽32的末端均设有第一弯折部38，在如图3所示的实施例中，第一弯折部38朝向膜片12的内侧延伸；在如图4所示的实施例中，第一弯折部38朝向膜片12的外侧延伸。若干内槽34的末端设有第二弯折部40，在如图3所示的实施例中，第二弯折部40朝向膜片12的内侧延伸；在如图4所示的实施例中，第二弯折部40朝向膜片12的内侧延伸。第一弯折部38与第二弯折部40在膜片12的周向上相互错开设置，第一弯折部38和第二弯折部40的设置可利于膜片12残余应力的释放，从而降低膜片12的残余应力。

应当指出的是，上述外侧和内侧是相对于整个膜片12的中心部位来说的，上述朝向外侧即为远离所述中心部位的方向，上述朝向内侧即为指向中心部位的方向。由于本实施例中若干外槽32共同界定外圆，若干内槽34共同界定内圆，且外圆与内圆共圆心，外围部26和感测部24也均为圆形，因此，该圆心也为外围部26和感测部24的圆心，也可以说是膜片12的圆心，上述各圆心均为同一圆心。膜片12的中心部位也可以理解为圆心部位。

优选地，第一弯折部38和第二弯折部40可以包括弧形段，直线段或弧形段与直线段的组合。也就是说，外槽32和内槽34的末端可以呈弯曲状朝向内侧延伸，也可以呈直线状朝向内侧延伸，还可以先呈弯曲状再呈直线状或者先呈直线状再呈弯曲状朝向内侧延伸等等延伸方式。在所示的实施例中，每一外槽32的两末端均设有第一弯折部38。为了进一步降低应力集中，第一弯折部38的末端可以为圆弧型末端。每一内槽34的两末端均设有第二弯折部40。为了降低应力集中，第二弯折部40的末端可以为圆弧型末端。

在一些实施例中，如图3所示，外槽32末端的第一弯折部38朝向内侧延伸，且第一弯折部38为弧形段与直线段的组合，即第一弯折部38先呈弯曲状圆滑过渡再呈直线状朝向内侧延伸。内槽34末端的第二弯折部40朝向内侧延伸，且第二弯折部40也为弧形段与直线段的组合，即第二弯折部40先呈弯曲状圆滑过渡再呈直线状朝向内侧延伸。

在另一些实施例中，如图4所示，外槽32末端的第一弯折部38朝向外侧延伸，且第一弯折部38为弧形段与直线段的组合，即第一弯折部38先呈弯曲状圆滑过渡再呈直线状朝向外侧延伸。内槽34末端的第二弯折部40朝向内侧延伸，第二弯折部40为弧形段，弧形段朝向内侧呈半个圆括号状延伸。对于一个内槽34来说，该内槽34两末端的两第二弯折部40可以看作形成一个完整的圆括号。而对于相邻的两个内槽34来说，该相邻的两内槽34的相邻近的两第二弯折部40可以看作是两个方向相反的半圆括号。

如图3所示，每一内槽34对应相邻两外槽32末端的部位向内凹陷。每一外槽32包括至少一第一圆弧段32a，每一内槽34包括两第二圆弧段34a、一内凹段34b和两倾斜段34c，内凹段34b连接于两第二圆弧段34a之间且位于内槽34的中间位置，倾斜段34c相对第二圆弧段34a朝向感测部24的内侧倾斜延伸以增加环形连接臂36于此处的径向宽度从而增加其机械强度。内凹段34b相对第二圆弧段34a朝向感测部24的内侧延伸，第一圆弧段32a与第二圆弧段34a共圆心。每一第一弯折部38的末端分别延伸至相应内槽34的内凹段34b所围成的区域42内。应当理解的是，内凹段34b所形成的区域42属于环形连接臂36的一部分，也就是说，环形连接臂36对应内凹段34b的部分朝向感测部24的内侧延伸。

若干隔离槽30设置于若干内槽34的内侧，每一隔离槽30对应一内槽34。当内槽34具有连续连接的多个分段部且至少有一分段部与其余分段部位于不同圆周上时，每一隔离槽30和隔离部28形成多个对应每一分段部的分槽部和分隔离部，每一分槽部和分隔离部对应一内槽34的分段部。本实施例中，由于内槽34的中间部位向内凹陷延伸形成内凹段34b，从而将每一内槽34分成三个分段部，包括一内凹段34b形成的一分段部和两第二圆弧段34a形成的两分段部。因此，每一隔离槽30和隔离部28也分别分成三个分槽部和三个分隔离部，包括对应内凹段34b设置的分槽部30b和分隔离部28b，及对应两第二圆弧段34a设置的两分槽部30a和两分隔离部28a。

在一些实施例中，隔离部28的外边缘与隔离槽30的内边缘之间具有均匀的间隔距离，隔离槽30的外边缘与内槽34的内边缘之间具有均匀的间隔距离。对应地，分隔离部28a和分隔离部28b的外边缘分别与对应的分槽部30a和分槽部30b的内边缘之间具有均匀的间隔距离，分槽部30a和分槽部30b的外边缘分别与对应内槽34位置的内边缘之间具有均匀的间隔距离。也就是说，隔离部28在径向上随着隔离槽30径向上的变化而变化，隔离槽30在径向上随着内槽34在径向上的变化而变化。在其他实施例中，隔离部28与隔离槽30之间的间隔距离也可以为不均匀设置，隔离槽30与内槽34之间的间隔距离也可以为不均匀设置。

当在内槽34内部设置隔离部时，该隔离部的外边缘可以与对应内槽34的外边缘之间形成均匀间隔。

如图4所示，每一内槽34具有连续的圆弧段，因此，每一内槽34内侧对应设置一弧形隔离槽30，每一隔离槽30内设置一弧形隔离部28。在所示的实施例中，隔离槽30位于两第二弯折部40形成的圆括号内贴近圆弧段的一侧。

在一些实施例中，为了进一步增强对穿过声孔22的振动从所述泄露通道泄露的阻隔作用，还可在膜片12的朝向基板14的一侧面上设置加强筋结构。

具体而言，相邻两外槽32的末端之间形成第一连接臂44，相邻两内槽34的末端之间形成第二连接臂46。第一连接臂44从环形连接臂36的外边缘往外延伸，第二连接臂46从环形连接臂36的内边缘往内延伸，且第一连接臂44与第二连接臂46在环形连接臂36的周向上相互错开。因此，外围部26通过第一连接臂44、环形连接臂36及第二连接臂46连接至感测部24。加强筋结构设置于第一连接臂44和第二连接臂46至少其中之一处。在如图3所示的实施例中，加强筋结构设置于所有第一连接臂44和第二连接臂46处，请同时参考图5和图6。在如图4所示的实施例中，加强筋结构设置于所有第二连接臂46处，请同时参考图7。

加强筋结构可以设置为箭头状或鱼骨状。当加强筋结构呈箭头状时，加强筋结构48包括第一筋杆50和连接于第一筋杆50一端部两侧的侧筋52，第一筋杆50位于两侧筋52内侧。两侧筋52呈v型结构，构成箭头状加强筋结构48的头部，并关于第一筋杆50对称。

当加强筋结构呈鱼骨状时，加强筋结构54包括主筋56和位于主筋56两侧的若干侧筋，若干侧筋相对筋杆56倾斜，更具体而言，若干侧筋分别与主筋56之间呈夹角，所述夹角大于0度小于等于90度。优选地侧筋的倾斜方向相同即同侧的侧筋相互平行。连接于主筋56一端部的侧筋称为主侧筋58a，构成鱼骨状加强筋结构54的头部，其余侧筋称为辅助侧筋58b，主侧筋58a的臂长大于辅助侧筋58b的臂长。在所示的实施例中，鱼骨状加强筋结构54设置三个辅助侧筋58b，其中一辅助侧筋58b靠近主侧筋58a设置，三个辅助侧筋58b之间间隔距离相同，且大于辅助侧筋58b与主侧筋58a之间的间距。

在如图3所示的实施例中，在所有第一连接臂44处凸出于底面设置箭头状加强筋结构48，且箭头指向膜片12的外侧。在所有第二连接臂46处凸出于底面设置鱼骨状加强筋结构54，且头部指向膜片12的内侧。

在如图4所示的实施例中，在所有第二连接臂46处凸出于底面设置鱼骨状加强筋结构54，且头部指向膜片12的内侧。

图4中鱼骨状加强筋结构54的加强筋宽度大于图3中鱼骨状加强筋结构54的加强筋宽度。

应当指出的是，上述将加强筋结构设置在第一连接臂44和/或第二连接臂46处可以包含多种情况，例如，加强筋结构完全设置在连接臂内，或者加强筋结构一部分在连接臂内，另一部分伸出连接臂外。

在所示的实施例中，侧筋皆为直线状。可以理解地，在其他实施方式中，侧筋也可以为弯曲状。

由于加强筋结构凸出于膜片12底面设置，因此可使得泄漏通道变窄，从而增加泄漏阻尼。也可以理解地，在其他实施例中，加强筋结构也可以设计为其他形状，只要其能起到对经过所述泄漏通道内的声音振动的阻隔作用即可。

当在内槽34内部设置隔离部时，也可以在第一连接臂44和第二连接臂46至少其中之一上设置加强筋结构，所述加强筋结构可以凸出设置于第一连接臂44和/或第二连接臂46的朝向硅基板14的一侧面上以阻隔振动穿过内槽34或外槽32。每一内槽34对应第一连接臂44处可形成内凹段，加强筋结构可位于相应的内凹段的内侧。每一内槽34可具有连续连接的多个分段部，且至少有一分段部与其余分段部位于不同圆周上，每一隔离部形成多个对应每一分段部的分隔离部，每一分隔离部对应一内槽34的分段部。

在图3和图4所示的实施例中，若干外槽32、若干内槽34、若干隔离槽30、隔离部28以及加强筋结构整体为对称设计，例如，同时关于感测部24的至少一直径方向对称，也即膜片12整体关于感测部24的至少一直径方向对称。在所示的实施例中，膜片12整体例如关于相对的两第一连接臂44或相对的两第二连接臂46之间的连线所在的直径方向对称。

在一些实施例中，若干外槽32、若干内槽34、若干隔离槽30、隔离部28以及加强筋结构也可以设置为非对称设计。

在另一些未示出的实施例中，隔离部也可以设置在若干外槽32与若干内槽34之间，或者同时在感测部24与若干内槽34之间和若干外槽32与若干内槽34之间设置隔离部，隔离部可以设置多个。即可以在感测部24与若干内槽34之间设置多个隔离部和/或在若干外槽32与若干内槽34之间设置多个隔离部。当隔离部设置在若干外槽32与若干内槽34之间时，隔离部可以靠近外槽32或内槽34设置，同样地，也可以在膜片12上围绕隔离部设置隔离槽以将隔离部独立开来，具体设置方式可参照上述实施例。

综上所述，本发明提供一种mems传感器芯片，通过在膜片朝向基板的一侧面上或者在基板朝向膜片的一侧面上设置隔离部，隔离部可以设置为多个，例如隔离部可以设置于感测部与内槽之间，例如设置于隔离槽内部，也可以设置于外槽与内槽之间，还可以设置于内槽内部，或者同时设置于感测部与内槽之间和外槽与内槽之间，或者同时设置于感测部与内槽之间和内槽内部，或者同时设置于外槽与内槽之间和内槽内部。隔离部可以靠近或连接至基板上，以阻隔振动从膜片内槽和/或外槽进入背室或者从膜片内槽和/或外槽进入气隙泄露而导致的频率响应曲线发生低频下跌的情况。

进一步地，在膜片朝向基板的一侧面上设置加强筋结构，加强筋结构可缩减膜片与基板之间的间隙所形成的泄露通道的截面面积，进一步增加阻尼效应，提升低频效果。

本文所描述的概念在不偏离其精神和特性的情况下可以实施成其它形式。所公开的具体实施例应被视为例示性而不是限制性的。因此，本发明的范围是由所附的权利要求，而不是根据之前的这些描述进行确定。在权利要求的字面意义及等同范围内的任何改变都应属于这些权利要求的范围。