防污片的制作方法

技术特征：

1.一种防污片，其具有包含硅氮烷类化合物的中间层(X)和叠层于中间层(X)的表面上的防污层(Y)，其中，

防污层(Y)是由防污层形成用组合物形成的层，所述防污层形成用组合物含有下述式(a)所示的硅烷类化合物(A)和下述式(b)所示的硅烷类化合物(B)，

该防污层形成用组合物中，(B)成分的含量相对于(A)成分100摩尔％为8～90摩尔％，

式(a)：Si(OR¹)p(X¹)4-p

式(a)中，R¹表示碳原子数1～6的烷基，X¹表示卤原子，存在多个R¹、X¹时，该多个R¹、X¹各自互为相同或不同，p表示0～4的整数，

式(b)：R²Si(OR³)q(X²)3-q

式(b)中，R²表示未取代或具有取代基的碳原子数4～14的烷基，R³表示碳原子数1～6的烷基，X²表示卤原子，存在多个R³、X²时，该多个R³、X²各自互为相同或不同，q表示0～3的整数。

2.根据权利要求1所述的防污片，其中，所述防污层形成用组合物中的(A)成分含有所述式(a)中p为4的硅烷类化合物。

3.根据权利要求1所述的防污片，其中，所述防污层形成用组合物中的(B)成分含有所述式(b)中q为3的硅烷类化合物。

4.根据权利要求2所述的防污片，其中，所述防污层形成用组合物中的(B)成分含有所述式(b)中q为3的硅烷类化合物。

5.根据权利要求1所述的防污片，其中，所述防污层形成用组合物还含有酸催化剂(C)。

6.根据权利要求2所述的防污片，其中，所述防污层形成用组合物还含有酸催化剂(C)。

7.根据权利要求3所述的防污片，其中，所述防污层形成用组合物还含有酸催化剂(C)。

8.根据权利要求4所述的防污片，其中，所述防污层形成用组合物还含有酸催化剂(C)。

9.根据权利要求5所述的防污片，其中，所述防污层形成用组合物中的(C)成分包含选自盐酸、磷酸、乙酸、甲酸、硫酸、甲磺酸、溴酸、对甲苯磺酸及三氟乙酸中的1种以上。

10.根据权利要求6所述的防污片，其中，所述防污层形成用组合物中的(C)成分包含选自盐酸、磷酸、乙酸、甲酸、硫酸、甲磺酸、溴酸、对甲苯磺酸及三氟乙酸中的1种以上。

11.根据权利要求7所述的防污片，其中，所述防污层形成用组合物中的(C)成分包含选自盐酸、磷酸、乙酸、甲酸、硫酸、甲磺酸、溴酸、对甲苯磺酸及三氟乙酸中的1种以上。

12.根据权利要求8所述的防污片，其中，所述防污层形成用组合物中的(C)成分包含选自盐酸、磷酸、乙酸、甲酸、硫酸、甲磺酸、溴酸、对甲苯磺酸及三氟乙酸中的1种以上。

13.根据权利要求5～12中任一项所述的防污片，其中，所述防污层形成用组合物中的(A)成分、(B)成分和(C)成分的总含量相对于该防污层形成用组合物的总量为50～100质量％。

14.根据权利要求1～12中任一项所述的防污片，其中，中间层(X)中含有的所述硅氮烷类化合物为具有下述式(1)所示的重复单元的化合物，

式(1)中，R^A、R^B和R^C各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、烯基、芳基或烷基甲硅烷基，并且，烷基、环烷基、烯基、芳基及烷基甲硅烷基这些基团进一步具有取代基或不具有取代基。

15.根据权利要求13所述的防污片，其中，中间层(X)中含有的所述硅氮烷类化合物为具有下述式(1)所示的重复单元的化合物，

式(1)中，R^A、R^B和R^C各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、烯基、芳基或烷基甲硅烷基，并且，烷基、环烷基、烯基、芳基及烷基甲硅烷基这些基团进一步具有取代基或不具有取代基。

16.根据权利要求1～12中任一项所述的防污片，其具有中间层(X)叠层于基材上、且进一步在中间层(X)的表面上叠层防污层(Y)而成的结构。

17.根据权利要求13所述的防污片，其具有中间层(X)叠层于基材上、且进一步在中间层(X)的表面上叠层防污层(Y)而成的结构。

18.根据权利要求14所述的防污片，其具有中间层(X)叠层于基材上、且进一步在中间层(X)的表面上叠层防污层(Y)而成的结构。

19.根据权利要求1～12中任一项所述的防污片，其中，中间层(X)的厚度为0.02～50μm。

20.根据权利要求13所述的防污片，其中，中间层(X)的厚度为0.02～50μm。

21.根据权利要求14所述的防污片，其中，中间层(X)的厚度为0.02～50μm。

22.根据权利要求16所述的防污片，其中，中间层(X)的厚度为0.02～50μm。

23.根据权利要求1～12中任一项所述的防污片，其中，防污层(Y)是将在中间层(X)的表面上涂布所述防污层形成用组合物而形成的涂膜干燥所形成的层。

24.根据权利要求13所述的防污片，其中，防污层(Y)是将在中间层(X)的表面上涂布所述防污层形成用组合物而形成的涂膜干燥所形成的层。

25.根据权利要求14所述的防污片，其中，防污层(Y)是将在中间层(X)的表面上涂布所述防污层形成用组合物而形成的涂膜干燥所形成的层。

26.根据权利要求16所述的防污片，其中，防污层(Y)是将在中间层(X)的表面上涂布所述防污层形成用组合物而形成的涂膜干燥所形成的层。

27.根据权利要求19所述的防污片，其中，防污层(Y)是将在中间层(X)的表面上涂布所述防污层形成用组合物而形成的涂膜干燥所形成的层。

28.一种防污片，其具有包含聚硅氮烷类化合物的中间层(X)和叠层于中间层(X)的表面上的防污层(Y)，其中，

防污层(Y)是由防污层形成用组合物形成的层，所述防污层形成用组合物含有下述式(a)所示的硅烷类化合物(A)和下述式(b)所示的硅烷类化合物(B)，

该防污层形成用组合物中，(B)成分的含量相对于(A)成分100摩尔％为8～90摩尔％，

式(a)：Si(OR¹)p(X¹)4-p

式(a)中，R¹表示碳原子数1～6的烷基，X¹表示卤原子，存在多个R¹、X¹时，该多个R¹、X¹各自互为相同或不同，p表示0～4的整数，

式(b)：R²Si(OR³)q(X²)3-q

式(b)中，R²表示未取代或具有取代基的碳原子数4～14的烷基，R³表示碳原子数1～6的烷基，X²表示卤原子，存在多个R³、X²时，该多个R³、X²各自互为相同或不同，q表示0～3的整数。

29.根据权利要求28所述的防污片，其中，所述防污层形成用组合物中的(A)成分含有所述式(a)中p为4的硅烷类化合物。

30.根据权利要求28所述的防污片，其中，所述防污层形成用组合物中的(B)成分含有所述式(b)中q为3的硅烷类化合物。

31.根据权利要求29所述的防污片，其中，所述防污层形成用组合物中的(B)成分含有所述式(b)中q为3的硅烷类化合物。

32.根据权利要求28所述的防污片，其中，所述防污层形成用组合物还含有酸催化剂(C)。

33.根据权利要求29所述的防污片，其中，所述防污层形成用组合物还含有酸催化剂(C)。

34.根据权利要求30所述的防污片，其中，所述防污层形成用组合物还含有酸催化剂(C)。

35.根据权利要求31所述的防污片，其中，所述防污层形成用组合物还含有酸催化剂(C)。

36.根据权利要求32所述的防污片，其中，所述防污层形成用组合物中的(C)成分包含选自盐酸、磷酸、乙酸、甲酸、硫酸、甲磺酸、溴酸、对甲苯磺酸及三氟乙酸中的1种以上。

37.根据权利要求33所述的防污片，其中，所述防污层形成用组合物中的(C)成分包含选自盐酸、磷酸、乙酸、甲酸、硫酸、甲磺酸、溴酸、对甲苯磺酸及三氟乙酸中的1种以上。

38.根据权利要求34所述的防污片，其中，所述防污层形成用组合物中的(C)成分包含选自盐酸、磷酸、乙酸、甲酸、硫酸、甲磺酸、溴酸、对甲苯磺酸及三氟乙酸中的1种以上。

39.根据权利要求35所述的防污片，其中，所述防污层形成用组合物中的(C)成分包含选自盐酸、磷酸、乙酸、甲酸、硫酸、甲磺酸、溴酸、对甲苯磺酸及三氟乙酸中的1种以上。

40.根据权利要求32～39中任一项所述的防污片，其中，所述防污层形成用组合物中的(A)成分、(B)成分和(C)成分的总含量相对于该防污层形成用组合物的总量为50～100质量％。

41.根据权利要求28～39中任一项所述的防污片，其中，中间层(X)中含有的所述聚硅氮烷类化合物为具有下述式(1)所示的重复单元的化合物，

式(1)中，R^A、R^B和R^C各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、烯基、芳基或烷基甲硅烷基，并且，烷基、环烷基、烯基、芳基及烷基甲硅烷基这些基团进一步具有取代基或不具有取代基。

42.根据权利要求40所述的防污片，其中，中间层(X)中含有的所述聚硅氮烷类化合物为具有下述式(1)所示的重复单元的化合物，

式(1)中，R^A、R^B和R^C各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、烯基、芳基或烷基甲硅烷基，并且，烷基、环烷基、烯基、芳基及烷基甲硅烷基这些基团进一步具有取代基或不具有取代基。

43.根据权利要求28～39中任一项所述的防污片，其具有中间层(X)叠层于基材上、且进一步在中间层(X)的表面上叠层防污层(Y)而成的结构。

44.根据权利要求40所述的防污片，其具有中间层(X)叠层于基材上、且进一步在中间层(X)的表面上叠层防污层(Y)而成的结构。

45.根据权利要求41所述的防污片，其具有中间层(X)叠层于基材上、且进一步在中间层(X)的表面上叠层防污层(Y)而成的结构。

46.根据权利要求28～39中任一项所述的防污片，其中，中间层(X)的厚度为0.02～50μm。

47.根据权利要求40所述的防污片，其中，中间层(X)的厚度为0.02～50μm。

48.根据权利要求41所述的防污片，其中，中间层(X)的厚度为0.02～50μm。

49.根据权利要求43所述的防污片，其中，中间层(X)的厚度为0.02～50μm。

50.根据权利要求28～39中任一项所述的防污片，其中，防污层(Y)是将在中间层(X)的表面上涂布所述防污层形成用组合物而形成的涂膜干燥所形成的层。

51.根据权利要求40所述的防污片，其中，防污层(Y)是将在中间层(X)的表面上涂布所述防污层形成用组合物而形成的涂膜干燥所形成的层。

52.根据权利要求41所述的防污片，其中，防污层(Y)是将在中间层(X)的表面上涂布所述防污层形成用组合物而形成的涂膜干燥所形成的层。

53.根据权利要求43所述的防污片，其中，防污层(Y)是将在中间层(X)的表面上涂布所述防污层形成用组合物而形成的涂膜干燥所形成的层。

54.根据权利要求46所述的防污片，其中，防污层(Y)是将在中间层(X)的表面上涂布所述防污层形成用组合物而形成的涂膜干燥所形成的层。