用于元器件电离辐照的X射线辐照方法与流程

本发明属于核电子学与探测技术领域，涉及一种用于元器件电离辐照的X射线辐照方法，主要用于电子元器件的电离总剂量辐射效应的辐照试验与测试。

背景技术：
电离总剂量效应是辐射环境作用于电子元器件产生的累积辐射效应，可造成元器件的永久损伤，不同于单粒子效应，无法通过断电、系统复位、备份等措施消除，因此电离总剂量效应一直是电子元器件抗辐射加固的重点。国际上通过大量的理论计算及科学实践证明，60Co-γ源、X射线源是研究元器件总剂量效应较为理想的辐射源。60Co-γ源是目前电离辐照普遍采用的辐照装置，美国、欧洲、中国都制定了相关的辐照试验标准。但是60Co-γ源作为同位素源不易防护，其装置及相关基础设施的建设成本高昂，对环境、安全措施的要求极高。由于60Co-γ源作为同位素源在不间断地向各个方向发出高能射线，进行元器件电离辐照测试时，通常采用频繁升降源与离线异地测试的方法，在此过程中器件辐照损伤的退火效应可能给测试结果带来较大的影响。并且60Co-γ源的射线能量为固定值，对限制辐照的区域主要靠铅砖等材料进行射线屏蔽，剂量率的调节主要靠元器件样品与源之间距离的调节，由于放射源在不断衰退，不同距离处的剂量率也需要反复标定。对于X射线源辐照，美国制定了标准ASTMF1467-2011：《半导体装置及集成电路电离辐射效应X射线测试仪的标准使用指南》，对辐照用射线的能量、剂量率、都作了相应规定；并且X射线辐照源输出的X射线对被测元器件样品进行辐照的同时，也会通过周围结构产生大量低能散射。这些散射将导致辐射剂量测量的不确定性，对被测元器件样品的辐照与参数测试引入偏差。因此，需要对辐照时产生的散射采取有效措施进行防护。但是，目前还无法直接购买到符合上述要求的标准X射线辐射源。

技术实现要素：
本发明目的在于，提供一种用于元器件电离辐照的X射线辐照方法，该方法涉及辐照装置是由X光管、准直器、限束板、低能散射滤片、电动三维平台、辐照平台、激光指示器、水循环进出口组成，该方法实现了X射线能量、剂量率连续可调、辐照束斑连续可调，且可以去除低能散射对辐照结果的影响，为元器件电离辐照提供较理想的条件。该方法将为元器件电离总剂量辐射效应研究及试验评估提供方便快捷、低成本的电离辐照条件，对提升电子元器件抗辐射加固的基础支撑能力具有重要意义。本发明所述的一种用于元器件电离辐照的X射线辐照方法，该方法涉及辐照装置是由X光管、准直器、限束板、低能散射滤片、电动三维平台、辐照平台、激光指示器、水循环进出口组成，在辐照平台(6)上固定电动三维平台(5)，在电动三维平台(5)的上部固定X光管(1)，准直器(2)一端通过螺纹与X光管(1)连接，准直器(2)的输出口为圆形，并有螺纹接口，通过螺纹接口连接限束板(3)，限束板(3)为圆饼形，在限束板(3)中间有一圆形直通孔，低能散射滤片(4)安装在限束板(3)与X光管(1)出束口之间，在X光管(1)一端设置有水循环进出口(8)，在电动三维平台(5)的一侧分别固定X光管控制器(10)和高压程控电源(9)，X光管控制器(10)通过电缆对高压程控电源(9)输入控制指令，高压程控电源(9)通过高压电缆为X光管(1)提供电源，辐照平台(6)位于限束板(3)...