阻气性膜的制作方法

本发明涉及一种阻气性膜。
背景技术：
：在挠性电子设备，特别是挠性有机el设备中，可使用阻气性膜作为基板膜或密封膜。对用于这些设备的阻气性膜要求较高阻隔性。一般而言，阻气性膜通过利用蒸镀法、溅射法、cvd法等气相成膜法在基材膜上形成无机阻隔层来制造。近年来，开始研究对在基材上涂布溶液而形成的前体层施加能量，从而形成阻气层的制造方法。特别是广泛进行使用聚硅氮烷化合物作为前体的研究，作为兼具基于涂布的高生产性和阻隔性的技术正在进行研究。特别是使用有波长172nm的准分子光的聚硅氮烷层的改性备受关注。在此，在国际公开第2011/122547号(美国专利申请公开第2014/374665号说明书)中公开有一种成形体，其具有在含有聚硅氮烷化合物的层中注入烃类化合物的离子而得到的层。另外，在日本特表2009-503157号公报(美国专利申请公开第2010/166977号说明书)中公开有如下方法：将含有聚硅氮烷及催化剂的溶液涂布于基材上，接着除去溶剂而形成聚硅氮烷层，然后，在含有水蒸气的气氛中，用含有低于230nm的波长成分的vuv放射线及含有230～300nm的波长成分的uv放射线对上述的聚硅氮烷层进行照射，由此，在基材上形成阻气层。并且，在日本特开2009-255040号公报中公开一种挠性阻气膜的制造方法，其包括：在树脂基材上涂敷聚硅氮烷而形成膜厚250nm以下的聚合物膜的第一步骤；对所形成的聚合物膜照射真空紫外光的第二步骤；在上述第二步骤中所形成的膜上重复上述第一步骤及上述第二步骤并重叠膜而形成的第三步骤。技术实现要素：发明所要解决的技术问题但是，就用准分子光对国际公开第2011/122547号、日本特表2009-503157号公报、及日本特开2009-255040号公报所记载的聚硅氮烷进行改性而形成的阻气层而言，虽然直到40℃左右的低温下的阻气性良好，但是，在80℃85％rh的高温高湿的非常严苛的环境下，可知阻气性经时地降低。如上所述，谋求抑制通过对聚硅氮烷进行改性而得到的阻气层在高温高湿条件下的性能劣化，从而可以作为电子设备用使用的阻气性膜。因此，本发明的目的在于，提供一种高温高湿环境下耐久性优异的阻气性膜。用于解决技术问题的技术方案本发明人为了解决上述的技术问题，进行了深入研究。其结果发现：通过一种阻气性膜，解决上述技术问题，所述阻气性膜在树脂基材上具有：层(a)，其含有过渡金属化合物，并且，通过气相成膜法形成；阻气层(b)，其与所述层(a)相接，并且通过涂布含有聚硅氮烷的涂布液并进行干燥而得到的涂膜施加真空紫外线而形成，所述涂膜的表面的所述真空紫外线的照射能量为1.0j/cm2以上，直至完成本发明。即，本发明为一种阻气性膜，其在树脂基材上具有：含有过渡金属化合物的层(a)，其通过气相成膜法形成；阻气层(b)，其与所述层(a)相接，并且通过涂布含有聚硅氮烷的涂布液并进行干燥而得到的涂膜施加真空紫外线而形成，所述涂膜的表面的所述真空紫外线的照射能量为1.0j/cm2以上。附图说明图1是表示本发明的一个实施方式的阻气性膜的剖面示意图，图1中，10为阻气性膜，11为基材，12为层(b)，13为层(a)。图2是表示本发明的其它实施方式的阻气性膜的剖面示意图，图2中，10为阻气性膜，11为基材，12为层(b)，13为层(a)。图3是实施例中使用的真空紫外线照射装置的剖面示意图，图3中，1为装置室，2为具有照射172nm的真空紫外线的双重管结构的xe准分子灯，3为兼具外部电极的准分子灯的架，4为试样台，5为形成有聚硅氮烷化合物涂布层的试样，6为遮光板。具体实施方式本发明为一种阻气性膜，其在树脂基材上具有：通过气相成膜法形成的含有过渡金属化合物的层(a)(以下，也简称为层(a))；与所述层(a)相接，并通过对涂布含有聚硅氮烷的涂布液并进行干燥而得到的涂膜照射真空紫外线而形成的阻气层(b)(以下，也简称为层(b))，所述涂膜表面的所述真空紫外线的照射能量为1.0j/cm2以上。具有这种构成的本发明的阻气性膜，其高温高湿环境下的耐久性优异。另外，本发明的另外的一个实施方式为一种阻气性膜的制造方法，其包括：对下述涂膜照射真空紫外线从而在所述层(a)上以与层(a)相接的方式形成阻气层(b)，所述涂膜是在所述层(a)上涂布含有聚硅氮烷的涂布液并进行干燥得到的涂膜；或者，对下述涂膜照射真空紫外线从而在树脂基材上形成阻气层(b)，所述涂膜是在树脂基材上涂布含有聚硅氮烷的涂布液并进行干燥而得到的涂膜，并在所述层(b)上通过气相成膜法以与层(b)的方式形成含有过渡金属化合物的层(a)，所述涂膜表面的所述真空紫外线的照射能量为1.0j/cm2以上。为什么利用本发明的阻气性膜可得到上述效果，详细情况尚未明确，但可考虑如下所述的机制。需要说明的是，下述的机制基于推测，本发明并不受下述机制任何限制。层(b)通过对涂布含有聚硅氮烷的涂布液并进行干燥而得到的涂膜照射真空紫外线而形成氮氧化硅，由此显现阻气性。另外，与用气相成膜法形成的情况不同，对涂布含有聚硅氮烷的涂布液并进行干燥而得到的涂膜施加能量而形成，由此，在成膜时几乎没有微粒等异物混入，可以形成缺陷非常少的阻气层。但是，该阻气层相对于氧化不是完全稳定，有时在高温高湿环境下缓慢地被氧化从而阻气性降低。与此相对，本发明的阻气性膜的层(层(a))含有过渡金属化合物，所述层(层(a))邻接于对聚硅氮烷照射真空紫外线而得到的阻气层(层(b))。层(a)与层(b)相比容易被氧化，因此认为，通过层(a)首先被氧化，抑制层(b)的氧化，高温高湿环境下的耐久性优异。以下，对本发明的优选的实施方式进行说明。需要说明的是，本发明并不仅限定于以下的实施方式。另外，为了说明的方便，附图的尺寸比率被夸大，有时与实际的比率不同。另外，在附图的说明中，对相同的要素附加相同的符号，省略重复的说明。在本说明书中，只要没有特殊说明，操作及物性等测定在室温(20～25℃)/相对湿度40～50％rh的条件下进行测定。图1是表示本发明的一个实施方式的阻气性膜的剖面示意图。图1的阻气性膜10依次配置基材11、层(b)12及层(a)13。另外，图2是表示本发明的其它实施方式的阻气性膜的剖面示意图。图2的阻气性膜10依次配置基材11、层(a)13及层(b)12。即，只要层(a)及层(b)邻接而配置，则从基材侧可以为层(a)、层(b)的顺序，也可以为层(b)、层(a)的顺序。另外，不仅可以为在基材的一个表面形成层(a)、层(b)的形态，而且可以为在基材的两个表面形成层(a)及层(b)。并且，可以在基材和各层之间，或在各层上配置其它层。即，树脂基材上并不仅限定于邻接树脂基材之上。从通过层(a)配置于与基材相对的面的层(b)上，层(a)更容易被氧化、更显著地发挥基于层(a)产生的层(b)的保护方面考虑，优选以基材、层(b)、层(a)的顺序配置。[(a)含有过渡金属化合物的层]本发明的阻气性膜具有通过气相成膜法形成的含有过渡金属化合物的层(a)。层(a)电化学上与层(b)相比容易被氧化，从而抑制层(b)的氧化。作为层(a)中所含的过渡金属化合物，没有特别限定，可列举例如：过渡金属的氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、或氧碳化物。其中，从更有效地抑制层(b)的氧化的观点出发，过渡金属化合物优选为过渡金属氧化物。过渡金属化合物可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。另外，就层(a)而言，在将过渡金属设为m，将化学计量上得到的过渡金属氧化物设为mox2的情况下，优选含有x1＜x2的金属氧化物mox1。通过含有这种金属氧化物，阻气性膜的阻气性能提高，即使在高温高湿条件下，也维持较高的阻气性能。可以认为，由于含有x1＜x2的金属氧化物mox1，作为比化学计量法的氧化度低的氧化度的区域，即存在进一步氧化余地的区域，因此，能够发挥更高的阻气性能。例如，以nb(铌)的氧化物为例列举时，nb以化学计量法得到的氧化物为五氧化二铌，其为nbo2.5，因此，为x2＝2.5。nb也能够得到三氧化二铌的组成，但本发明中的x2意指氧化度最大的化学计量法的化合物的x2。含有x1＜x2的金属氧化物mox1意指：在用xps等组成分析方法测定厚度方向的组成轮廓时，可得到x1＜x2的测定点，nb的情况下，可得到x1＜2.5的测定点。即使在(a)含有多种金属的情况下，也可以由各自的金属的比率和其总计来计算化学计量的x2而使用。将x1＜x2的关系作为氧化度的指标，以x1/x2的比值表示时，从高温高湿下的阻气性能更加提高方面考虑，x1/x2比值优选为0.99以下，更优选为0.9以下，进一步优选为0.8以下。另外，x1/x2比值的最小值优选为0.99以下，更优选为0.9以下，进一步优选为0.8以下。x1/x2比值越小，氧化抑制效果越高，随之可见光下的吸收也升高，因此，在使用于期望透明性的用途中的情况下，优选为0.2以上，更优选为0.3以上。即，x1/x2比值的最小值优选为0.2以上，更优选为0.3以上。从阻隔性的观点出发，作为x1/x2＜1的区域的层(a)中的厚度方向的比例相对于区域(a)的厚度优选为1～100％，更优选为10～100％，进一步优选为50～100％。x1/x2比值的调整可以通过如下方法进行，即，以通过溅射进行层(a)的形成的情况为例列举时，使用金属、或化学计量上氧缺损的过渡金属氧化物作为靶材，适当调整在溅射时导入的氧的量。x1可以使用厚度方向的xps分析，由o与m的原子比求出。如果x1的最小值为x1＜x2，则可以说包含x1＜x2的金属氧化物mox1。《xps分析条件》·装置：ulvac-phi制造的quanterasxm·x射线源：单色化al-kα·测定区域：根据si2p、c1s、n1s、o1s、其它测定的金属，利用常规方法设定。·溅射离子：ar(2kev)·深度图：一定时间溅射后，重复测定。就1次的测定而言，调整溅射时间，使得以sio2计，为约2.5nm的厚度。·定量：用shirley法求出背景，由得到的峰面积，使用相对灵敏度系数法进行定量。数据处理使用ulvac-phi株式会社制造的multipak。过渡金属原子是指第3族元素～第12族元素，作为过渡金属，可列举：sc、ti、v、cr、mn、fe、co、ni、cu、zn、y、zr、nb、mo、tc、ru、pd、ag、la、ce、pr、nd、pm、sm、eu、gd、tb、dy、ho、er、tm、yb、lu、hf、ta、w、re、os、ir、pt、及au等。其中，过渡金属化合物中的过渡金属优选为氧化还原电位比硅低的金属。通过设为含有氧化还原电位比硅低的过渡金属的化合物的层，可得到进一步良好的阻隔性。作为氧化还原电位比硅低的金属的具体例，可列举例如：铌(nb)、钽(ta)、钒(v)、锆(zr)、钛(ti)、铪(hf)、钇(y)、镧(la)、铈(ce)等。这些金属可以单独使用，或2种以上混合而使用。其中，特别是作为第5族元素的铌、钽、钒，由于其抑制层(b)氧化的效果高，因此可以优选使用。即，本发明的优选的一个实施方式为一种阻气性膜，其中，过渡金属为选自返、铌、及钽中的至少1种金属。并且，从光学特性的观点出发，过渡金属化合物中的过渡金属特别优选可得到透明性良好的化合物的铌、钽。将主要的金属的标准氧化还原电位及x2示于下表。[化学式1]金属标准氧化还原电位(v)化学计量的氧化物x2si-0.91sio22nb-1.10nbo2.52.5ta-1.12tao2.52.5v-1.19vo2.52.5zr-1.53zro22ti-1.63tio22hf-1.70hfo22y-2.37yo1.51.5la-2.37lao1.51.5ce-2.50ceo22就层(a)中的过渡金属化合物的含量而言，只要产生本发明的效果，就没有特别限定，过渡金属化合物的含量相对于层(a)的总质量优选为50质量％以上，更优选为80质量％以上，进一步优选为95质量％以上，特别优选为98质量％以上，最优选为100质量％(即，层(a)由过渡金属化合物形成)。从容易调整金属元素与氧的组成比的观点出发，层(a)的形成方法为气相成膜法。作为气相成膜法，没有特别限制，可列举例如：溅射法、蒸镀法、离子喷镀法等物理气相成长法(pvd)法、等离子体cvd(chemicalvapordeposition)法、ald(atomiclayerdeposition)等化学气相成长法。其中，从能够不对下层产生损伤而成膜，从而具有高的生产率方面考虑，优选利用溅射法形成。利用溅射法的成膜可以将2极溅射、磁控管溅射、使用有中间的频率区域的双重磁控管(dms)溅射、离子束溅射、ecr溅射等单独使用或2种以上组合而使用。另外，靶材的施加方式根据靶材种类适当选择，可以使用dc(直流)溅射、及rf(高频)溅射的任意溅射。另外，也可以使用利用了金属模式和作为氧化物模式的中间的过渡模式的反应性溅射法。通过控制溅射现象使得成为过渡区域，可以以高的成膜速度使金属氧化物成膜，因此优选。在进行dc溅射或dms溅射时，在其靶材中使用过渡金属，并且在工艺气体中导入氧，由此可以形成过渡金属氧化物的薄膜。另外，在以rf(高频)溅射进行成膜的情况下，可以使用过渡金属的氧化物的靶材。作为用于工艺气体的非活性气体，可以使用he、ne、ar、kr、xe等，优选使用ar。并且，通过在工艺气体中导入氧、氮、二氧化碳、一氧化碳，可以制作过渡金属的氧化物、氮化物、氧氮化物、碳氧化物等过渡金属化合物薄膜。作为溅射法中的成膜条件，可列举外加电功率、放电电流、放电电压、时间等，但这些条件可以根据溅射装置、或膜的材料、膜厚等而适当选择。其中，从成膜速率更高、具有更高的生产率方面考虑，优选将过渡金属的氧化物用作靶材的溅射法。此时，可以使用氧缺损型的过渡金属氧化物作为过渡金属的氧化物。层(a)可以为单层，也可以为2层以上的叠层结构。在层(a)为2层以上的叠层结构时，层(a)中所含的过渡金属化合物可以相同，也可以不同。层(a)认为是具有抑制层(b)的氧化并维持阻气性的功能的层，因此，未必一定要阻气性。因此，就层(a)而言，即使为比较薄的层，也可发挥效果。具体而言，在基材-层(b)-层(a)的层构成的情况下，从阻气性的面内均匀性的观点出发，层(a)的厚度(在为2层以上的叠层结构的情况下，为其总厚度)优选为1～200nm，更优选为2～100nm，进一步优选为3～50nm。特别是如果其为50nm以下，则层(a)成膜的生产性进一步提高。另外，在基材-层(a)-层(b)的层构成的情况下，从阻气性的面内均匀性的观点出发，层(a)的厚度(在为2层以上的叠层结构的情况下，为其总厚度)优选为1～200nm，更优选为2～150nm，进一步优选为10～150nm。[(b)阻气层]本发明的阻气层(b)是对涂布含有聚硅氮烷的涂布液并进行干燥而得到的涂膜照射真空紫外线而形成的。通过真空紫外线的照射，层(b)显现阻气性。另外，与用气相成膜法形成的情况不同，在成膜时没有颗粒等异物混入，因此，为缺陷非常少的阻气层。层(b)可以为单层，也可以为2层以上的叠层结构。从阻气性能的观点出发，层(b)的1层厚度优选为10～300nm。在为2层以上的叠层结构的情况下，从抑制裂缝的观点出发，其总厚度优选为10～1000nm。在基材-层(b)-层(a)的层构成的情况下，从阻气性能的观点出发，层(b)的1层厚度更优选为50～300nm，进一步优选为100～300nm，最优选为200～300nm。进而，在基材-层(a)-层(b)的层构成的情况下，与层(a)相接而形成的层(b)的厚度优选为5nm～200nm，更优选为10nm～150nm，进一步优选为20nm～120nm。在基材-层(a)-层(b)的层构成的情况下，优选在层(a)和层(b)的界面侧形成聚硅氮烷的改性区域。因此，在真空紫外线照射处理的情况下，优选真空紫外光透射至层(a)/层(b)的界面附近。这是因为，通过显现阻隔性的聚硅氮烷改性区域与层(a)相接而形成，耐氧化性提高。真空紫外光由聚硅氮烷层吸收，因此，为了真空紫外光透射至(a)/(b)界面附近，优选聚硅氮烷涂布层比较薄。因此，在基材-层(a)-层(b)的层构成的情况下，与基材-层(b)-层(a)的层构成的情况相比，优选的范围为薄的范围。层(b)的厚度可以通过tem观察而进行测定。层(b)是对涂布含有聚硅氮烷的涂布液并进行干燥而得到的涂膜照射真空紫外线而形成的。聚硅氮烷为具有硅-氮键的聚合物，为具有si-n、si-h、n-h等键的sio2、si3n4、及两者的中间固溶体sioxny等陶瓷前体无机聚合物。具体而言，聚硅氮烷优选具有下述的结构。[化学式2]通式(i):-[si(r1)(r2)-n(r3)]n-上述通式(i)中，r1、r2及r3分别独立地为氢原子、取代或非取代的烷基、取代或非取代的芳基、取代或非取代的乙烯基或(三烷氧基甲硅烷基)烷基。此时，r1、r2及r3分别可以相同或可以不同。另外，上述通式(i)中，n为整数，优选对其进行确定，使具有上述通式(i)所示结构的聚硅氮烷具有150～150,000g/摩尔的数均分子量。在具有上述通式(i)所示结构的化合物中，优选的方式之一为r1、r2及r3全部为氢原子的全氢聚硅氮烷。或者，作为聚硅氮烷，具有下述通式(ii)表示的结构。[化学式3]通式(ii)-[si(r1’)(r2’)-n(r3’)]n’-[si(r4’)(r5’)-n(r6’)]p-上述通式(ii)中，r1’、r2’、r3’、r4’、r5’及r6’分别独立地为氢原子、取代或非取代的烷基、取代或非取代的芳基、取代或非取代的乙烯基或(三烷氧基甲硅烷基)烷基。此时，r1’、r2’、r3’、r4’、r5’及r6’分别可以相同或可以不同。另外，上述通式(ii)中，n’及p为整数，优选对其进行确定，使得以具有通式(ii)表示的结构的聚硅氮烷具有150～150,000g/摩尔的数均分子量。需要说明的是，n’及p可以相同或可以不同。上述通式(ii)的聚硅氮烷中，优选r1’、r3’及r6’各自表示氢原子，r2’、r4’及r5’各自表示甲基的化合物；r1’、r3’及r6’各自表示氢原子，r2’、r4’各自表示甲基，r5’表示乙烯基的化合物；r1’、r3’、r4’及r6’各自表示氢原子，r2’及r5’各自表示甲基的化合物。或者，作为聚硅氮烷，具有下述通式(iii)表示的结构。[化学式4]通式(iii):-[si(r1”)(r2”)-n(r3”)]n”-[si(r4”)(r5”)-n(r6”)]p”-[si(r7”)(r8”)-n(r9”)]q-上述通式(iii)中，r1”、r2”、r3”、r4”、r5”、r6”、r7”、r8”及r9”分别独立地为氢原子、取代或非取代的烷基、取代或非取代的芳基、取代或非取代的乙烯基或(三烷氧基甲硅烷基)烷基。此时，r1”、r2”、r3”、r4”、r5”、r6”、r7”、r8”及r9”分别可以相同或可以不同。另外，上述通式(iii)中，n”、p”及q为整数，优选进行确定，使得以具有通式(iii)表示的结构的聚硅氮烷为150～150,000g/摩尔的数均分子量。需要说明的是，n”、p”及q可以相同或可以不同。上述通式(iii)的聚硅氮烷中，优选r1”、r3”及r6”各自表示氢原子，r2”、r4”、r5”及r8”各自表示甲基，r9”表示(三乙氧基甲硅烷基)丙基，r7”表示烷基或氢原子的化合物。另一方面，具有如下优点：与该si键合的氢原子部分的一部分被烷基等取代而得到的有机聚硅氮烷，通过具有甲基等烷基而改善与作为基底的基材的粘接性，且可以使硬而脆的聚硅氮烷形成的陶瓷膜具有韧性，在进一步将(平均)膜厚加厚的情况下，也能够抑制裂缝的产生。因此，可以根据用途适当选择这些全氢聚硅氮烷和有机聚硅氮烷，也可以进行混合而使用。全氢聚硅氮烷推定为存在直链结构和以6及8元环为中心的环结构的结构。其分子量以数均分子量(mn)计为约600～2000左右(聚苯乙烯计)，有液体或固体的物质，其状态因分子量不同而不同。聚硅氮烷以溶解于有机溶剂的溶液状态进行市售，可以将市售品直接作为层(b)形成用涂布液而使用。作为聚硅氮烷溶液的市售品，可列举：az电子材料株式会社制的nn120-10、nn120-20、nax120-20、nn110、nn310、nn320、nl110a、nl120a、nl120-20、nl150a、np110、np140、sp140等。这些聚硅氮烷溶液可以单独使用，或也可以组合2种以上而使用。作为可以在本发明中使用的聚硅氮烷的其它实例，并不限制于以下，可列举例如：使硅醇盐与上述聚硅氮烷反应而得到的硅醇盐加成聚硅氮烷(日本特开平5-238827号公报)、使缩水甘油反应而得到的缩水甘油加成聚硅氮烷(日本特开平6-122852号公报)、使醇反应而得到的醇加成聚硅氮烷(日本特开平6-240208号公报)、使金属羧酸盐反应而得到的金属羧酸盐加成聚硅氮烷(日本特开平6-299118号公报)、使含有金属的乙酰丙酮络合物反应而得到的乙酰丙酮络合物加成聚硅氮烷(日本特开平6-306329号公报)、添加金属微粒而得到的金属微粒添加聚硅氮烷(日本特开平7-196986号公报)等在低温下进行陶瓷化的聚硅氮烷。使用聚硅氮烷的情况下，作为真空紫外线施加前的层(b)中的聚硅氮烷的含有率，将层(b)的总质量设为100质量％时，可以为100质量％。另外，在真空紫外线施加前的层(b)含有聚硅氮烷以外的物质的情况下，层中的聚硅氮烷的含有率优选为10质量％以上99质量％以下，更优选为40质量％以上95质量％以下，特别优选为70质量％以上95质量％以下。(层(b)形成用涂布液(含有聚硅氮烷的涂布液))作为用于制备层(b)形成用涂布液的溶剂，只要可以溶解聚硅氮烷即可，没有特别限制，优选不含有容易与聚硅氮烷反应的水及反应性基团(例如羟基、或胺基等)，并相对于聚硅氮烷为非活性的有机溶剂，更优选非质子性的有机溶剂。具体而言，作为溶剂，可以列举：非质子性溶剂；例如、戊烷、己烷、环己烷、甲苯、二甲苯、索尔维索(芳烃油溶剂，solvesso)、松节油等脂肪族烃、脂环式烃、芳香族烃等烃溶剂；二氯甲烷、三氯乙烷等卤烃溶剂；乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯类；丙酮、甲基乙基酮等酮类；二丁基醚、二噁烷、四氢呋喃等脂肪族醚、脂环式醚等醚类：例如、四氢呋喃、二丁基醚、单-及聚亚烷基二醇二烷基醚(二甘醇二甲醚类)等。上述溶剂与聚硅氮烷的溶解度或溶剂的蒸发速度等目的一致而选择，可以单独使用，或也可以以2种以上的混合物的形态而使用。层(b)形成用涂布液中的聚硅氮烷的浓度没有特别限制，由于层的膜厚或涂布液的适用期而不同，优选为1～80质量％，更优选为5～50质量％，进一步优选为10～40质量％。就层(b)形成用涂布液而言，为了促进改性，优选含有催化剂。作为可适用于本发明的催化剂，优选碱性催化剂，特别列举：n,n-二乙基乙醇胺、n,n-二甲基乙醇胺、三乙醇胺、三乙基胺、3-吗啉代丙基胺、n,n,n’,n’-四甲基-1,3-二氨基丙烷、n,n,n’,n’-四甲基-1,6-二氨基己烷等胺催化剂、pt乙酰丙酮等pt化合物、丙酸pd等pd化合物、rh乙酰丙酮等rh化合物等金属催化剂、n-杂环式化合物。其中，优选使用胺催化剂。作为此时添加的催化剂的浓度，在以聚硅氮烷为基准时，优选为0.1～10质量％，更优选为0.5～7质量％的范围。通过将催化剂添加量设为该范围，可以避免反应的急剧进行导致的过量的硅烷醇形成及膜密度的降低、膜缺陷的增大等。在层(b)形成用涂布液中，可以根据需要使用下述列举的添加剂。例如纤维素醚类、纤维素酯类；例如乙基纤维素、硝基纤维素、乙酸纤维素、乙酸丁酸纤维素等天然树脂；例如橡胶、松香树脂等、合成树脂；例如聚合树脂等、缩合树脂；例如氨基塑料、特别尿素树脂、三聚氰胺甲醛树脂、醇酸树脂、丙烯酸类树脂、聚酯树脂或改性聚酯树脂、环氧树脂、聚异氰酸酯或嵌段化聚异氰酸酯、聚硅氧烷等。(涂布层(b)形成用涂布液的方法)作为涂布层(b)形成用涂布液进行涂布的方法，可采用现有公知的适当的湿式涂布方法。作为具体例，可列举：旋涂法、辊涂法、流动涂敷法、喷墨法、喷涂法、印刷法、浸涂法、流延成膜法、棒涂法、点胶涂敷法、凹版印刷法等。涂布厚度可根据优选的厚度或目的而适当地设定。涂布涂布液之后，优选使涂膜进行干燥。通过使涂膜进行干燥，可以除去涂膜中所含有的有机溶剂。此时，涂膜中所含的有机溶剂可以全部进行干燥，也可以一部分残留。即使在残留一部分有机溶剂的情况下，也可得到优选的层(b)。需要说明的是，残留的溶剂可在后面被除去。涂膜的干燥温度由于所采用的基材不同而不同，优选为50～200℃。例如，在将玻璃化转变温度(tg)为70℃的聚对苯二甲酸乙二醇酯基材用作基材的情况下，干燥温度优选考虑热导致的基材的变形等而设定为150℃以下。上述温度可通过使用电热板、烘箱、炉子等而被设定。干燥时间优选设定为短时间，例如在干燥温度为150℃的情况下，优选设定为30分钟以内。另外，干燥气氛可以为大气气氛下、氮气氛下、氩气氛下、真空气氛下、控制了氧浓度的减压气氛下等任意条件。对层(b)形成用涂布液进行涂布而得到的涂膜可以包括在真空紫外线的照射前或真空紫外线的照射中除去水分的工序。作为除去水分的方法，优选维持低湿度环境而进行除湿的方式。由于低湿度环境下的湿度根据温度而变化，因此，温度和湿度的关系在露点温度的指定中表示更优选的方式。优选的露点温度为4℃以下(温度25℃/湿度25％)，更优选的露点温度为-5℃以下(温度25℃/湿度10％)，所维持的时间优选根据层(b)的膜厚而适当设定。具体而言，优选露点温度为-5℃以下，所维持的时间为1分钟以上。需要说明的是，露点温度的下限没有特别限制，通常为-50℃以上，优选为-40℃以上。从通过在改性处理前、或改性处理中除去水分而促进转化为硅烷醇的层(b)的脱水反应的观点出发，为优选的方式。＜真空紫外线照射＞接着，对如上述那样形成的涂膜照射真空紫外线，进行聚硅氮烷向氧氮化硅等的转化反应。即，通过照射真空紫外线，使涂布含有聚硅氮烷的涂布液并干燥而得到的涂膜改性而成为可显现阻气性的无机薄膜。将通过这种真空紫外线照射处理而进行了改性的涂膜称为聚硅氮烷改性层。紫外线照射既可以适于间歇处理，也可以适于连续处理，可以根据使用的树脂基材的形状而适当选定。例如，在间歇处理的情况下，可以用具备紫外线产生源的紫外线烧成炉进行处理。一般已知有紫外线烧成炉自身，例如可以使用eyegraphics株式会社制造的紫外线烧成炉。另外，在对象为长条膜状的情况下，可以通过一边将其输送、一边在具备如上所述的紫外线产生源的干燥区域连续地照射紫外线而进行陶瓷化。紫外线照射所需要的时间也取决于使用的基材或层(b)的组成、浓度，但一般为0.1秒～10分钟，优选为0.5秒～3分钟。(真空紫外线照射处理：准分子照射处理)真空紫外线照射导致的改性为如下方法：使用比聚硅氮烷化合物内的原子间键合力的100～200nm的光能量，优选使用100～180nm的波长的光能量，将原子的键合仅通过被称为光量子工艺的光子的作用，一边直接切断，一边进行活性氧或臭氧引起的氧化反应，由此，在比较低温(约200℃以下)下进行含有氧氮化硅的膜的形成。需要说明的是，进行准分子照射处理时，优选并用热处理。本发明中的真空紫外线源只要使100～180nm的波长的光产生即可，优选为在约172nm具有最大放射的准分子辐射器(例如xe准分子灯)、在约185nm具有亮线的低压水银蒸气灯、以及具有230nm以下的波长成分的中压及高压水银蒸气灯、及在约222nm具有最大放射的准分子灯。其中，xe准分子灯由于以单一波长放射波长短的172nm的紫外线，因此，发光效率优异。该光由于氧的吸收系数大，因此，可以用微量的氧、以高浓度产生自由基的氧原子种或臭氧。另外，已知有波长短的172nm的光的能量使有机物的键合解离的能力高。通过该活性氧或臭氧和紫外线放射具有的高能量，可以在短时间内实现聚硅氮烷涂膜的改性。准分子灯由于光的产生效率高，因此，可以施加低电功率使其照明。另外，不发出成为光引起温度上升的要因的长波长的光，在紫外线区域内，即以短波长照射能量，因此，具有抑制照射对象物表面温度上升的特征。因此，适于认为容易受到热的影响的pet等挠性膜材料。在真空紫外线照射时的反应中需要氧，但真空紫外线存在氧引起的吸收，因此，紫外线照射工序中的效率容易降低，因此，真空紫外线的照射优选尽可能在氧浓度及水蒸气浓度低的状态下进行。即，真空紫外线照射时的氧浓度优选设为10～20,000体积ppm(0.001～2体积％)，更优选设为50～10,000体积ppm(0.005～1体积％)。另外，转化工艺之间的水蒸气浓度优选为1000～4000体积ppm的范围。作为在真空紫外线照射时使用的充满照射气氛的气体，优选设为干燥非活性气体，特别是从成本的观点出发，优选设为干燥氮气体。氧浓度的调整可以通过对向照射库内导入的氧气、非活性气体的流量进行计量，并可以通过改变流量比而进行调整。在真空紫外线照射工序中，聚硅氮烷涂膜受到的涂膜表面上的该真空紫外线的照度优选为1mw/cm2～10w/cm2，更优选为30mw/cm2～200mw/cm2，进一步优选为50mw/cm2～160mw/cm2。如果其为1mw/cm2以上，则改性效率提高，如果其为10w/cm2以下，则可以降低可产生于涂膜的磨损、或对基材的损伤。在本发明中，涂膜表面的真空紫外线的照射能量(照射量)为1.0j/cm2以上。照射能量低于1.0j/cm2的情况下，层(b)的阻气性的保存稳定性降低，高温高湿条件的保存下阻气性显著地降低。就该照射能量而言，从制造稳定性(即使在形成改性层之后的保存环境下，也不引起阻气性能的降低，或较弱特性)的观点出发，优选为1.5j/cm2以上，更优选为2.0j/cm2以上，进一步优选为2.5j/cm2以上，特别优选为4.0j/cm2以上。另一方面，照射能量的上限值没有特别限制，优选为10.0j/cm2以下，更优选为8.0j/cm2以下。如果为该范围，则可以抑制过量改性导致的裂缝的产生、或基材的热变形，另外，生产率提高。使用的真空紫外线可以由利用含有co、co2及ch4中的至少一种气体形成的等离子体产生。并且，含有co、co2及ch4中的至少一种的气体(以下，也称为含碳气体)可以单独使用含碳气体，优选以稀有气体或h2为主气体，少量添加含碳气体。作为等离子体的生成方式，可列举电容耦合等离子体等。[树脂基材]作为本发明的树脂基材，具体而言，可列举包含聚酯树脂、甲基丙烯酸树脂、甲基丙烯酸-马来酸共聚物、聚苯乙烯树脂、透明氟树脂、聚酰亚胺、氟化聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚醚酰亚胺树脂、纤维素酰化物树脂、聚氨酯树脂、聚醚醚酮树脂、聚碳酸酯树脂、脂环式聚烯烃树脂、聚芳酯树脂、聚醚砜树脂、聚砜树脂、环烯烃共聚物、芴环改性聚碳酸酯树脂、脂环改性聚碳酸酯树脂、芴环改性聚酯树脂、丙烯酰基化合物等热塑性树脂的基材。该树脂基材可以单独使用，或组合2种以上而使用。树脂基材优选由具有耐热性的材料形成。具体而言，使用线膨胀系数为15ppm/k以上100ppm/k以下、且玻璃化转变温度(tg)为100℃以上300℃以下的树脂基材。该基材满足作为电子零件用途、显示器用叠层膜的需要条件。即，将本发明的阻气性膜用于这些用途的情况下，阻气性膜有时暴露于150℃以上的工序。该情况下，阻气性膜中的基材的线膨胀系数超过100ppm/k时，在将阻气性膜流动至如上所述的温度的工序时，容易产生基板尺寸不稳定、从而随着热膨胀及收缩而拦截性能劣化的不便，或发生不耐受热工序的不良情况。如果其低于15ppm/k，则有时膜如玻璃那样开裂的挠性劣化。基材的tg或线膨胀系数可以根据添加剂等而进行调整。作为可用作基材的热塑性树脂的更优选的具体例，可列举例如：聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet：70℃)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen：120℃)、聚碳酸酯(pc：140℃)、脂环式聚烯烃(例如日本zeon株式会社制造、zeonor(注册商标)1600：160℃)、聚芳酯(par：210℃)、聚醚砜(pes：220℃)、聚砜(psf：190℃)、环烯烃共聚物(coc：日本特开2001-150584号公报所记载的化合物：162℃)、聚酰亚胺(例如三菱gas化学株式会社制造、neopulim(注册商标)：260℃)、芴环改性聚碳酸酯(bcf-pc：日本特开2000-227603号公报所记载的化合物：225℃)、脂环改性聚碳酸酯(ip-pc：日本特开2000-227603号公报所记载的化合物：205℃)、丙烯酰基化合物(日本特开2002-80616号公报所记载的化合物：300℃以上)等(括弧内表示tg)。由于本发明的阻气性膜作为有机el元件等电子设备被利用，因此，树脂基材优选为透明。即，光线透射率通常为80％以上，优选为85％以上，进一步优选为90％以上。光线透射率可以通过使用jisk7105：1981中记载的方法，即积分球式光线透射率测定装置测定全光线透射率及散射光量，由全光线透射率减去扩散透射率而算出。但是，即使将本发明的阻气性膜用于显示器用途的情况下，没有设置于观察侧的情况等未必一定要求透明性。因此，这种情况下，也可以使用不透明的材料作为塑料膜。作为不透明的材料，可列举例如：聚酰亚胺、聚丙烯腈、公知的液晶聚合物等。另外，上述列举的树脂基材可以为未拉伸膜，也可以为拉伸膜。该树脂基材可以通过现有公知的一般的方法来制造。关于这些基材的制造方法，可以适当采用国际公开第2013/002026号的段落“0051”～“0055”(美国专利申请公开第2014/106151号说明书段落“0056”～“0060”)所记载的事项。树脂基材的表面可以进行用于提高密合性的公知的各种处理、例如电晕放电处理、火焰处理、氧化处理、或等离子体处理等，也可以根据需要组合上述处理而进行。另外，也可以对树脂基材进行易粘接处理。该树脂基材可以为单层，也可以为2层以上的叠层结构。该树脂基材为2层以上的叠层结构的情况下，各树脂基材可以为相同的种类，也可以为不同的种类。本发明的树脂基材的厚度(其为2层以上的叠层结构的情况下，为其总厚度)优选为10～200μm，更优选为20～150μm。[具有各种功能的层]在本发明的阻气性膜中，可以设置具有各种功能的层。(锚固涂层)在形成本发明的层(a)及层(b)侧的树脂基材的表面，以提高树脂基材与层(a)或层(b)的密合性为目的，可以形成锚固涂层。作为用于锚固涂层的锚固涂剂，可以将聚酯树脂、异氰酸酯树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸树脂、乙烯乙烯醇树脂、乙烯基改性树脂、环氧树脂、改性苯乙烯树脂、改性硅树脂、及烷基钛酸酯等单独使用或2种以上组合而使用。在这些锚固涂剂中，也可以加入现有公知的添加剂。而且，上述的锚固涂剂可以通过利用辊涂、凹版涂布、刀涂、浸涂、喷涂等公知的方法而涂敷于支承体上，并将溶剂、稀释剂等进行干燥除去而进行锚固涂敷。作为上述的锚固涂剂的涂布量，优选为0.1～5.0g/m2(干燥状态)左右。另外，锚固涂层可以利用物理蒸镀法或化学蒸镀法这样的气相法而形成。例如，如日本特开2008-142941号公报所记载的那样，可以以改善粘接性等目的形成以氧化硅为主体的无机膜。或者，通过形成日本特开2004-314626号公报所记载的锚固涂层，在其上利用气相法形成无机薄膜时，可以某种程度上拦截从基材侧产生的气体，以控制无机薄膜的组成的目的形成锚固涂层。另外，锚固涂层的厚度没有特别限制，优选为0.5～10μm左右。(棒涂层)在树脂基材的表面(一面或两面)可以具有棒涂层。作为棒涂层中所含的材料的实例，可列举例如热固化性树脂或活性能量线固化性树脂，但从成形容易方面考虑，优选活性能量线固化性树脂。这种固化性树脂可以单独使用，或组合2种以上而使用。活性能量线固化性树脂是指：通过紫外线或电子束那样的活性能量线照射，经过交联反应等而进行固化的树脂。作为活性能量线固化性树脂，优选使用含有具有烯属不饱和双键的单体的成分，通过照射紫外线或电子束那样的活性能量线而使其固化，形成含有活性能量线固化性树脂的固化物的层、即棒涂层。作为活性能量线固化性树脂，作为代表的树脂列举紫外线固化性树脂或电子束固化性树脂等，但优选通过紫外线照射而进行固化的紫外线固化性树脂。作为活性能量线固化性树脂，具体而言，可列举下述平滑层的感光性材料。可以使用预先形成棒涂层的市售的树脂基材。从平滑性及弯曲耐性的观点出发，棒涂层的厚度优选为0.1～15μm，更优选为1～5μm。(平滑层)在本发明的阻气性膜中，在树脂基材和层(a)或层(b)之间可以具有平滑层。本发明所使用的平滑层为了使突起等存在的树脂基材的粗面进行平坦化、或者填埋由于存在于树脂基材的突起而在透明无机化合物层上产生的凹凸或针孔并从而进行平坦化而设置。这种平滑层基本上使感光性材料、或热固化性材料固化而制作。作为平滑层的感光性材料，可列举例如：含有具有自由基反应性不饱和化合物的丙烯酸酯化合物的树脂组合物、含有丙烯酸酯化合物和具有硫醇基的巯基化合物的树脂组合物、使环氧丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、聚亚烷基二醇丙烯酸酯、甲基丙烯酸甘油酯等多官能丙烯酸酯单体溶解而成的树脂组合物等。具体而言，可以使用jsr株式会社制造的uv固化型有机/无机复合棒涂材opstar(注册商标)系列。另外，可以使用如上所述的树脂组合物的任意的混合物，只要是含有分子内具有1个以上的光聚合性不饱和键的反应性的单体的感光性树脂即可，没有特别限制。作为热固化性材料，具体而言，可列举：clariant公司制造的tuttoprom系列(有机聚硅氮烷)、ceramiccoat株式会社制造的spcoat耐热透明涂料、株式会社adeka制造的纳米杂化聚硅氧烷、dic株式会社制造的unidic(注册商标)v-8000系列、epiclon(注册商标)exa-4710(超高耐热性环氧树脂)、信越化学工业株式会社制造的各种聚硅氧烷树脂、日东纺株式会社制造的无机-有机纳米合成材料ssg涂层、由丙烯酸多元醇和异氰酸酯预聚物形成的热固化性聚氨酯树脂、酚醛树脂、尿素三聚氰胺树脂、环氧树脂、不饱和聚酯树脂、聚硅氧烷树脂等。其中，特别优选为具有耐热性的环氧树脂基础的材料。平滑层的形成方法没有特别限制，优选利用旋涂法、喷雾法、刮板涂敷法、浸渍法等湿式涂敷法、或蒸镀法等干式涂敷法而形成。在平滑层的形成中，可以在上述的感光性材料中根据需要加入抗氧化剂、紫外线吸收剂、增塑剂等添加剂。另外，与平滑层的叠层位置无关，即使在任意平滑层中，可以为了防止成膜性提高及防止膜产生针孔等而使用适当的树脂或添加剂。作为平滑层的厚度，从提高膜的耐热性、并容易调整膜的光学特性的平衡的观点出发，优选为1～10μm的范围，进一步优选设为2μm～7μm的范围。平滑层的平滑性为用jisb0601：2001中指定的表面粗糙度显现的值，十点平均粗糙度rz优选为10nm以上、30nm以下。如果为该范围，则即使在以涂布方式涂布阻气层的情况下，即使以线棒、无线棒等涂布方式使涂布装置与平滑层表面接触的情况下，涂布性的损害也较少，另外，也容易使涂布后的凹凸平滑化。[电子设备]本发明的阻气性膜可以优选适用于由于空气中的化学成分(氧、水、氮氧化物、硫氧化物、臭氧等)而产生性能劣化的设备。即，本发明提供一种电子设备，其包含本发明的阻气性膜和电子设备本体。作为用于本发明的电子设备的电子设备本体的实例，可以列举例如：有机电致发光元件(有机el元件)、液晶显示元件(lcd)、薄膜晶体管、触摸面板、电子纸、太阳能电池(pv)等。从更有效地得到本发明的效果的观点出发，该电子设备本体优选为有机el元件或太阳能电池，更优选为有机el元件。实施例使用以下的实施例及比较例说明本发明的效果。但是，本发明的技术的范围并不仅限于以下的实施例。(实施例1～13：阻气性膜1～13的制作)[树脂基材]作为树脂基材，使用在两面进行了易粘接处理的厚度100μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(东丽株式会社制造、lumirror(注册商标)(u48))。在与形成该树脂基材的阻气层的表面相反的表面上形成具有厚度为0.5μm的防结块功能的透明棒涂层。即，将uv固化型树脂(aica工业株式会社制造、产品编号：z731l)涂布在树脂基材上并使干燥膜厚为0.5μm，然后，在80℃下进行干燥，其后，在空气下，使用高压水银灯在照射能量0.5j/cm2的条件下进行固化。接着，在形成树脂基材的阻气层一侧的表上，如下形成厚度2μm的透明棒涂层(平滑层)。将jsr株式会社制造的uv固化型树脂opstar(注册商标)z7527涂布于树脂基材，并使干燥膜厚成为2μm，然后，在80℃下进行干燥，其后，在空气下，使用高压水银灯在照射能量0.5j/cm2的条件下进行固化。这样，得到带透明棒涂层的树脂基材。以下，本在实施例及比较例中，为了分便，将该带透明棒涂层的树脂基材简称为树脂基材。[层(b)聚硅氮烷改性层的形成]就层(b)而言，将含有下述所示的聚硅氮烷的涂布液涂布在上述树脂基材上而形成涂布膜，然后，进行基于真空紫外线照射的改性而形成。将含有20质量％全氢聚硅氮烷的二丁基醚溶液(az电子材料株式会社制造、nn120-20)和含有胺催化剂(n,n,n',n'-四甲基-1,6-二氨基己烷(tmdah))的全氢聚硅氮烷20质量％的二丁基醚溶液(az电子材料株式会社制造、nax120-20)以4:1(质量比)的比例进行混合，并且为了调整干燥膜厚，用二丁基醚适当稀释，制备涂布液。利用旋涂法在上述树脂基材上涂布涂布液，使得成为下述表2所示的干燥膜厚，在80℃下干燥2分钟。接着，对干燥后的涂膜，使用具有波长172nm的xe准分子灯的图3的真空紫外线照射装置，在下述表2所示的照射能量条件下进行真空紫外线照射处理。此时，照射气氛用氮置换，氧浓度调整为0.1体积％。另外，将设置试样的载样台温度设为80℃。图3中，1为装置室，将氮和氧从未图示的气体供给口适量供给至内部，从未图示的气体排出口进行排气，由此，可以实质上从室内部除去水蒸气，将氧浓度维持在指定的浓度。2为具有照射172nm的真空紫外线的双重管结构的xe准分子灯(准分子灯光强度：130mw/cm2)，3为兼具外部电极的准分子灯的架。4为试样台。试样台4可以利用未图示的移动装置使装置室1内在水平上以指定的速度往返移动。另外，试样台4可以利用未图示的加热装置维持在指定的温度。5为形成有聚硅氮烷化合物涂布层的试样。试样台进行水平移动时，调整试样台的高度，使得试样的涂布层表面和准分子灯管面的最短距离为3mm。6为遮光板，在xe准分子灯2的老化中，不对试样的涂布层照射真空紫外线。在真空紫外线照射工序中照射于试样涂布层表面的能量使用hamamatsuphotonics株式会社制造的紫外线累积光量计：c8026/h8025uvpowermeter，使用172nm的传感器头进行测定。在测定时，将传感器头设置于试样台4中央并使xe准分子灯管面与传感器头的测定面的最短距离为3mm，且供给氮和氧，使装置室1内的气氛成为与真空紫外线照射工序相同的氧浓度，使试样台4以0.5m/min的速度移动而进行测定。在测定之前，为了使xe准分子灯2的照度稳定，在xe准分子灯照明后设置10分钟的老化时间，其后使试样台移动而开始测定。以该测定中得到的照射能量为基础调整试样台的移动速度，由此进行调整，使得成为表2所示的照射能量。另外，在真空紫外线照射时，在10分钟的老化后进行。[层(a)的形成]就层(a)而言，使用磁控管溅射装置，使用下述表1所示的靶材及成膜条件，根据使用的靶材，以dc或rf在上述层(b)上直接形成。在各阻气性膜中，用于成膜的成膜条件示于下述表1。(比较例1：阻气性膜14的制作)在实施例1中使用的树脂基材上，使用下述表1及2所示的靶材及成膜条件形成氧化硅层，得到阻气性膜14。(比较例2：阻气性膜15的制作)在实施例1中使用的树脂基材上，使用下述表1及2所示的靶材及成膜条件形成氧化铌层，得到阻气性膜15。(比较例3：阻气性膜16的制作)在实施例1中，在层(b)上未形成层(a)，除此之外，与实施例1同样地操作，得到阻气性膜16。(比较例4：阻气性膜17的制作)在实施例1中，在层(b)上使用下述表1及2所示的靶材及成膜条件形成氧化硅层来代替层(a)，除此之外，与实施例1同样地操作，得到阻气性膜17。(比较例5：阻气性膜18的制作)在实施例1中，在层(b)上如下述那样形成氧碳化硅层来代替层(a)，在所形成的氧碳化硅层上，使用下述表1及2所示的靶材及成膜条件形成氧化铌层，除此之外，与实施例1同样地操作，得到阻气性膜18。氧碳化硅层的形成：将聚甲基倍半硅氧烷(sr-13、小西化学工业株式会社制造)溶解于甲基乙基酮并进行过滤，得到5质量％的涂布液。将其通过旋涂进行涂布，使得干燥膜厚为100nm，在100℃下干燥2分钟。(比较例6～8：阻气性膜19～21的制作)在实施例1中，将层(b)的形成时的改性能量设为表2记载的条件，另外，未形成层(a)，除此之外，与实施例1同样地操作，得到阻气性膜19～21。(比较例9：阻气性膜22的制作)在实施例1中，将层(b)形成时的改性能量设为表2记载的条件，除此之外，与实施例1同样地操作，得到阻气性膜22。(x1/x2比值最小值)由基于上述的xps组成分析的厚度方向的组成分布图求出。(在厚度方向为x1/x2＜1的比例)由上述的厚度方向的组成分布图，求出在厚度方向为x1/x2＜1的比例，基于下述的指标划分等级。575％以上、100％以下450％以上、且低于75％325％以上、且低于50％2超过0％且低于25％10％将结果示于表2。(评价方法)1.利用ca法的阻隔性评价1＜阻气性膜的水蒸气透过性评价1(以下，也简称为评价1)＞按照以下的测定方法评价各阻气性膜的水蒸气透过性。将阻隔膜的阻隔层表面进行uv清洗，然后，将作为密封树脂层的热固化型的片状粘接剂(环氧类树脂)以厚度20μm贴合在阻隔层面上。将其冲切成50mm×50mm的尺寸之后，放入手套箱内，进行24小时干燥处理。将50mm×50mm尺寸的无碱玻璃板(厚度0.7mm)的单面进行uv清洗。使用株式会社als技术制的真空蒸镀装置，在玻璃板的中央隔着掩模以20mm×20mm的尺寸蒸镀ca。ca的厚度设为80nm。取出在手套箱内的ca蒸镀已完毕的玻璃板，进行配置，使的将贴合有密封树脂层的阻气性膜的密封树脂层面和玻璃板的ca蒸镀面相接，通过真空层压进行粘接。此时，进行110℃的加热。并且，将粘接的试样在设定为110℃的电热板上使玻璃板为下而放置，使其固化30分钟，制作评价用槽。需要说明的是，为了确认没有来自阻气性膜面以外的水蒸气的透过，作为比较试样，将使用厚度0.2mm的石英玻璃板代替阻气性膜试样的试样同样地在85℃、85％rh的高温高湿下保存，确认即使经过1000小时后，也不产生金属钙腐蚀。(透过浓度的测定)使用上述评价用槽测定透过浓度。在透过浓度测定中，使用柯尼卡美能达株式会社制造的白黑透过浓度计tm-5。在槽的任意的4点测定透过浓度，算出其平均值。以下同样。接着，将评价用槽在85℃85％rh环境下保存，1小时后、5小时后、10小时后、20小时后，其以后每20小时进行观察，测定透过浓度。求出透过浓度初期值成为低于50％的时刻的观察时间。将结果示于表2。＜阻气性膜的水蒸气透过性评价2(以下，也简称为评价2)＞在各实施例及比较例中，在基材上形成下层之后，在30℃60％rh的环境下保存7天，其后形成上层。对各试样，与上述评价1同样地进行，求出透过浓度初期值成为低于50％的时刻的观察时间。将结果示于表2。需要说明的是，本评价在下层的阻隔性是否劣化来评价制造稳定性为目的而进行。[表1]m1:nbox，x＝1.5条件使用氧缺损型nb2o5靶材作为靶材，使用ar和o2作为工艺气体的dc溅射进行制膜。通过预先使用玻璃基板进行成膜，通过调整氧分压进行组成条件的探索，发现从表层开始的深度10nm附近的组成为nbo1.5的条件。使用该条件，以表中所示的厚度进行成膜。m2:nbox，x＝2.2条件使用氧缺损型nb2o5靶材作为靶材，使用ar和o2作为工艺气体的dc溅射进行制膜。通过预先使用玻璃基板进行成膜，通过调整氧分压进行组成条件的探索，发现从表层开始的深度10nm附近的组成为nbo2.2的条件。使用该条件，以表中所示的厚度进行成膜。m3:nbox，x＝2.5条件使用氧缺损型nb2o5靶材作为靶材，使用ar和o2作为工艺气体的dc溅射进行制膜。通过预先使用玻璃基板进行成膜，通过调整氧分压进行组成条件的探索，发现从表层开始的深度10nm附近的组成为nbo2.5的条件。使用该条件，以表中所示的厚度进行成膜。m4:taox，x＝2.5条件使用ta靶材作为靶材，使用ar和o2作为工艺气体的dc溅射进行制膜。通过预先使用玻璃基板进行成膜，通过调整氧分压进行组成条件的探索，发现从表层开始的深度10nm附近的组成为tao2.5的条件。使用该条件，以表中所示的厚度进行成膜。m5:ceox，x＝2条件使用ce靶材作为靶材，使用ar和o2作为工艺气体的dc溅射进行制膜。通过预先使用玻璃基板进行成膜，通过调整氧分压进行组成条件的探索，发现从表层开始的深度10nm附近的组成为ceo2的条件。使用该条件，以表中所示的厚度进行成膜。m6:zrox，x＝2条件使用zr靶材作为靶材，使用ar和o2作为工艺气体的dc溅射进行制膜。通过预先使用玻璃基板进行成膜，通过调整氧分压进行组成条件的探索，发现从表层开始的深度10nm附近的组成为zro2的条件。使用该条件，以表中所示的厚度进行成膜。m7:siox，x＝2条件使用多晶体si靶材作为靶材，使用ar和o2作为工艺气体的dc溅射进行制膜。通过预先使用玻璃基板进行成膜，通过调整氧分压进行组成条件的探索，发现从表层开始的深度10nm附近的组成为sio2的条件。使用该条件，以表中所示的厚度进行成膜。m8:tiox，x＝2条件使用氧缺损型tio2靶材作为靶材，使用ar和o2作为工艺气体的dc溅射进行制膜。通过预先使用玻璃基板进行成膜，通过调整氧分压进行组成条件的探索，发现从表层开始的深度10nm附近的组成为tio2的条件。使用该条件，以表中所示的厚度进行成膜。由上述结果可知：就阻气性膜1～13而言，高温高湿环境下的耐久性优异。可知：这种效果通过未设置层(a)的阻气性膜16与层(a)和层(b)不邻接的阻气性膜18的比较，通过存在层(a)且层(a)及层(b)邻接而实现。另外可知：聚硅氮烷改性时的照射能量低于1.0j/cm2的阻气性膜22与阻气性膜13相比，高温高湿环境下的耐久性显著地降低。可知：将阻气性膜2～4进行比较时，作为x1＜x2的阻气性膜2及3，高温高湿环境下的耐久性更优异。另外可知：将阻气性膜4和阻气性膜13进行比较时，照射能量高的阻气性膜4，高温高湿环境下的耐久性更优异。(实施例14～20：阻气性膜23～29的制作)[树脂基材]使用与记载于上述实施例1～13的树脂基材的栏的树脂基材相同的树脂基材。[层(a)的形成]层(a)使用磁控管溅射装置，根据使用的靶材，在dc或rf中使用上述表1所示的靶材及成膜条件，在上述层(b)上形成。在各阻气性膜中，用于成膜的成膜条件示于下述表3。[层(b)聚硅氮烷改性层的形成]就层(b)而言，与实施例1的“层(b)聚硅氮烷改性层的形成”同样地操作，在与上述层(a)之上相邻地形成。需要说明的是，改性时的照射能量如下述表3所记载的那样进行。(比较例12：阻气性膜30的制作)在实施例14中，使用上述表1及下述表3所示的靶材及成膜条件形成氧化硅层来代替氧化铌层，及形成涂膜并使层(b)的干燥膜厚为150nm，除此之外，与实施例14同样地操作，得到阻气性膜30。(比较例13：阻气性膜31的制作)在实施例14中在树脂基材上使用上述表1及下述表3所示的靶材及成膜条件，形成氧化铌层代替层(a)，然后，如下述那样形成氧碳化硅层，除此之外，与实施例14同样地操作，得到阻气性膜31。氧碳化硅层的形成：将聚甲基倍半硅氧烷(sr-13、小西化学工业株式会社制造)溶解于甲基乙基酮并进行过滤，得到5质量％的涂布液。将其通过旋涂进行涂布，使干燥膜厚为50nm，在100℃下干燥2分钟。(比较例14：阻气性膜32的制作)在实施例15中，将层(b)的形成时的照射能量设为表3中记载的条件，除此之外，与实施例15同样地操作，得到阻气性膜32。对实施例14～20及比较例12～14的阻气性膜，进行评价1。将结果示于表3。＜阻气性膜的水蒸气透过性评价3(以下，也简称为评价3)＞将各实施例及比较例中得到的阻气性膜在40℃90％rh的环境下保存48小时。对保存后的阻气性膜，与评价1同样地操作，求出透过浓度初期值。其后，对各试样，与上述评价1同样地操作，求出透过浓度初期值为低于50％的时刻的观察时间。将结果示于表3。需要说明的是，本评价以上层的阻隔性是否劣化且评价制造稳定性的目的而进行。由上述结果可知：就阻气性膜23～29而言，高温高湿环境下的耐久性优异。可知：这种效果通过未设置层(a)的阻气性膜30、与层(a)和层(b)没有邻接的阻气性膜31的比较，通过存在层(a)、且层(a)及层(b)邻接而实现。另外可知：聚硅氮烷改性的时的照射能量低于1.0j/cm2的阻气性膜32与阻气性膜24相比，高温高湿环境下的耐久性显著地降低。需要说明的是，在基材-层(a)-层(b)的情况下，认为聚硅氮烷层的准分子透过量的差引起的界面附近的改性程度(聚硅氮烷层越薄，越进行改性)和聚硅氮烷改性层自身的阻隔性(聚硅氮烷层某种程度上厚的，阻隔性良好)一起作用而发挥阻隔性能。因此，在上述实施例中，推测层(b)的膜厚为100nm的阻气性膜27成为最良好的结果。本申请基于2015年2月25日所申请的日本专利申请号2015-035034号，其公开内容进行参照，作为整体被引入。当前第1页12