1.一种保护膜形成用复合片，其包含具有基材的支撑片、与所述支撑片上所具备的热固性保护膜形成用膜，
所述基材具有-15℃下的损耗角正切(tanδ)为0.05以上、且80℃下的储能模量(g’)为35.0mpa以上的特性。
2.根据权利要求1所述的保护膜形成用复合片，其中，所述基材具有下述特性：
以使所述基材的md方向或cd方向为长边方向的方式，将所述基材裁切成长边110mm×短边22mm，以使加热前的测定间距l0约为100mm的方式对所述基材施加2.2g的载荷，并在该状态下以130℃加热2小时，然后放冷，在23℃下，测定加热后的测定间距l1时，
无论是将所述基材的md方向裁切成长边时或者是将所述基材的cd方向裁切成长边时，下述式(1)所表示的热伸缩率x均为-3％以上+3％以下，
x＝[(l1-l0)/l0]×100···(1)。
3.根据权利要求1或2所述的保护膜形成用复合片，其中，所述支撑片进一步包含粘着剂层，
所述保护膜形成用复合片依次层叠有所述基材、所述粘着剂层及所述热固性保护膜形成用膜。
4.根据权利要求3所述的保护膜形成用复合片，其中，所述粘着剂层为非能量射线固化性或能量射线固化性。
5.根据权利要求3或4所述的保护膜形成用复合片，其中，所述粘着剂层的厚度为3～20μm。
6.一种带保护膜的半导体芯片的制造方法，其包括：
在权利要求1～5中任一项所述的保护膜形成用复合片的所述热固性保护膜形成用膜一侧层叠半导体晶圆，从而制作层叠体；
对所述层叠体的所述半导体晶圆的内部照射激光，从而在所述半导体晶圆的内部形成改性层；
将所述层叠体的所述热固性保护膜形成用膜加热固化，从而制成保护膜；及
以比常温更低的温度对所述层叠体进行冷扩展，从而对所述半导体晶圆、以及所述热固性保护膜形成用膜或所述保护膜进行分割。