附载体铜箔的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种附载体铜箔。更详细而言，本发明涉及一种用作印刷配线板的材 料的附载体铜箔。
【背景技术】
[0002] 印刷配线板通常经过下述步骤而制造：在使绝缘基板与铜箔接着而制成覆铜积层 板之后，通过蚀刻而在铜箔面形成导体图案。随着近年来电子机器的小型化、高性能化需求 的增大而推展搭载零件的高密度构装化或信号的高频化，从而对印刷配线板要求有导体图 案的微细化（窄间距化）或高频应对等。
[0003] 与窄间距化相对应，近来要求厚度在9 μπι以下、甚至是厚度在5 μπι以下的铜箔， 然而，这种极薄的铜箔其机械强度低，在印刷配线板的制造时易破裂或产生皱折，因此发展 出将具有厚度的金属箔用作为载体并隔着剥离层将极薄铜层电沉积在其上而成的附载体 铜箔。在将极薄铜层的表面贴合在绝缘基板并进行热压接后，经由剥离层将载体剥离去除。 在所露出的极薄铜层上通过抗蚀剂而形成电路图案后，利用硫酸一过氧化氢系蚀刻液来蚀 刻去除极薄铜层，通过此手法（MSAP :Modified - Semi - Additive - Process)来形成微 细电路。
[0004] 此处，对于成为与树脂的接着面的附载体铜箔的极薄铜层的表面主要要求极薄铜 层与树脂基材的剥离强度充足，且此剥离强度在高温加热、湿式处理、焊接、化学药剂处理 等之后亦保持为充足。提高极薄铜层与树脂基材间的剥离强度的方法，一般而言是以下述 方法为代表：使大量的粗化粒子附着在表面的轮廓（凹凸、粗糙）增大后的极薄铜层上。
[0005] 然而，即便是在印刷配线板中，若在具有形成特别微细的电路图案的需要的半导 体封装基板使用这种轮廓（凹凸、粗糙）大的极薄铜层，则在电路蚀刻时会残留不需要的铜 粒子，会产生电路图案间的绝缘不良等问题。
[0006] 因此，在W02004/005588号（专利文献1)中尝试了使用未在极薄铜层的表面施加 粗化处理的附载体铜箔作为半导体封装基板等的用于微细电路的附载体铜箔。由于其低轮 廓（凹凸、粗糙度、粗糙）的影响，这种未施加粗化处理的极薄铜层与树脂的密合性（剥离 强度）与一般的印刷配线板用铜箔相比，有降低的倾向。因此，要求对附载体铜箔作进一步 的改善。
[0007] 因此，在日本特开2007 - 007937号公报（专利文献2)及日本特开2010 - 006071 号公报（专利文献3)中，记载有在附载体极薄铜箔的与聚酰亚胺系树脂基板接触（接着） 的面，设置Ni层或/及Ni合金层、设置络酸盐层、设置Cr层或/及Cr合金层、设置Ni层 及铬酸盐层、设置Ni层及Cr层。通过设置该等表面处理层，聚酰亚胺系树脂基板与附载体 极薄铜箔的密合强度可不经粗化处理或是降低粗化处理的程度（微细化）即可得到所欲的 接着强度。此外，亦记载有利用硅烷偶合剂来进行表面处理或施加防锈处理。
[0008] [专利文献 1]冊2〇04/0〇5588 号
[0009] [专利文献2]日本特开2007 - 007937号公报
[0010][专利文献3]日本特开2010 - 006071号公报。
【发明内容】
[0011] 在附载体铜箔的开发中，至今为止确保极薄铜层与树脂基材的剥离强度一直被视 为重点。因此，仍未对窄间距化进行充分探讨，其仍有改善的空间。特别是在先前的技术中， 无法制造 L(线）/S(间隔）=15μπι/15μπι等的窄间距电路。故，本发明的课题在于提供 一种适于形成窄间距的附载体铜箔。具体而言，本发明的课题在于提供一种附载体铜箔，其 可形成比至今为止被认为是利用MSAP而可形成的极限的L/S = 20 μπι/20 μπι更加微细的 配线，例如，L/S = 15 μπι/15 μπι等的微细配线。
[0012] 为了达成上述目的，本申请发明人重复进行潜心研宄，结果发现控制自经过特定 的加热处理后的附载体铜箔剥离极薄铜层时的极薄铜层的剥离侧表面的Ni附着量，对于 极薄铜层的形成窄间距极有效果。
[0013] 本发明是以上述知识见解为基础而完成的，在一方面中，是一种附载体铜箔，其依 序具有铜箔载体、中间层、极薄铜层，该中间层含有Ni，将该附载体铜箔于220°C加热2小时 后，根据JIS C 6471剥离该极薄铜层时，该极薄铜层的该中间层侧的表面的Ni附着量为 5 μ g/dm2以上且 300 μ g/dm2以下。
[0014] 本发明的附载体铜箔在一实施方案中，将该附载体铜箔于220°C加热2小时后，剥 离该极薄铜层时，该极薄铜层的该中间层侧的表面的Ni附着量为5 μ g/dm2以上且250 μ g/ dm2以下。
[0015] 本发明的附载体铜箔在另一实施方案中，将该附载体铜箔于220°C加热2小时 后，剥离该极薄铜层时，该极薄铜层的该中间层侧的表面的Ni附着量为5 μ g/dm2以上且 200 μ g/dm2以下。
[0016] 本发明的附载体铜箔在另一实施方案中，将该附载体铜箔于220°C加热2小时 后，剥离该极薄铜层时，该极薄铜层的该中间层侧的表面的Ni附着量为5 μ g/dm2以上且 156 μ g/dm2以下。
[0017] 本发明的附载体铜箔在另一实施方案中，将该附载体铜箔于220°C加热2小时 后，剥离该极薄铜层时，该极薄铜层的该中间层侧的表面的Ni附着量为5 μ g/dm2以上且 108 μ g/dm2以下。
[0018] 本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，该中间层的Ni含量为100 μ g/dm2以 上且5000 μ g/dm2以下。
[0019] 本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，该中间层含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、 Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、这些金属的合金、这些金属的水合物、这些金属的氧化物、有机物构 成的群中的一种或二种以上。
[0020] 本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，在该中间层含有Cr的情形时，含有 5~100 μ g/dm2的Cr，在含有Mo的情形时，含有50 μ g/dm2以上且1000 μ g/dm2以下的Mo， 在含有Zn的情形时，含有1 μ g/dm2以上且120 μ g/dm2以下的Zn。
[0021] 本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，该中间层含有厚25nm以上且80nm以 下的有机物。
[0022] 本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，该有机物是由选自含氮有机化合物、 含硫有机化合物及羧酸中的1种或2种以上构成的有机物。
[0023] 本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，在该极薄铜层表面具有粗化处理层。
[0024] 本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，该粗化处理层为由选自由铜、镍、钴、 磷、钨、砷、钼、铬及锌构成的群中的任一单质或含有任一种以上该单质的合金构成的层。
[0025] 本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，在该粗化处理层的表面具有选自由耐 热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层构成的群中的1种以上的层。
[0026] 本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，在该极薄铜层的表面具有选自由耐热 层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层构成的群中的1种以上的层。
[0027] 本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，在该极薄铜层上具备树脂层。
[0028] 本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，在该粗化处理层上具备树脂层。
[0029] 本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，在选自由该耐热层、防锈层、铬酸盐处 理层及硅烷偶合处理层构成的群中的1种以上的层上，具备树脂层。
[0030] 本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，该树脂层含有介电体。
[0031] 本发明在另一方面中，是一种印刷配线板，其是使用本发明的附载体铜箔制造而 成的。
[0032] 本发明在再另一方面中，是一种印刷电路板，其是使用本发明的附载体铜箔制造 而成的。
[0033] 本发明在再另一方面中，是一种覆铜积层板，其是使用本发明的附载体铜箔制造 而成的。
[0034] 本发明在再另一方面中，是一种印刷配线板，其具有绝缘树脂板与设置于该绝缘 树脂板上的铜电路，该铜电路自该绝缘树脂板侧起依序含有铜层、设置于该铜层上的Ni 层、设置于该Ni层上的镀铜层，该Ni层的Ni附着量为5 μ g/dm2以上且300 μ g/dm 2以下， 该铜电路的电路宽度未达20 μ m，邻接的铜电路间的间距宽度未达20 μ m。
[0035] 本发明的印刷配线板在一实施方案中，该铜电路的电路宽度在17μπι以下，邻接 的铜电路间的间距宽度在17 ym以下。
[0036] 本发明在再另一方面中，是一种印刷配线板，其具有绝缘树脂板与设置于绝缘树 脂板上的铜电路，该铜电路自绝缘树脂板侧起依序含有铜