Oled的封装方法及oled封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED的封装方法及OLED封装结构。
【背景技术】
[0002]OLED即有机发光二极管(Organic Light-Emitting D1de)，具备自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲、低能耗等特性，因此受到广泛的关注，并作为新一代的显示方式，已开始逐渐取代传统液晶显示器，被广泛应用在手机屏幕、电脑显示器、全彩电视等。OLED显示技术与传统的液晶显示技术不同，无需背光灯，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当有电流通过时，这些有机材料就会发光。但是由于有机材料易与水汽或氧气反应，作为基于有机材料的显示设备，OLED显示屏对封装的要求非常高。
[0003]OLED封装主要包括以下几种方式:干燥剂封装、UV胶封装(又称Dam only封装)、UV胶和填充胶封装(又称Dam&Fill封装)、玻璃胶封装(又称Frit封装)等。其中，UV胶封装技术是OLED封装最早也是最常用的技术，其具有如下特点:不使用溶剂或使用少量溶剂，减少了溶剂对环境的污染；耗能少，可低温固化，适用于对UV敏感的材料；固化速度快，效率高，可在高速生产线上使用，固化设备占地面积小等。但是，UV胶封装中所使用的密封胶是有机材料，其固化后分子间隙较大，采用传统的OLED封装方法，由于密封胶具有固化缺陷、多孔性、与基板、封装盖板的结合力弱等原因，水汽与氧气比较容易透过间隙渗透入内部密封区域，从而导致OLED器件的性能较快退化，寿命缩短。
[0004]因此，通过对OLED进行有效封装，保证OLED器件内部良好的密封性，尽可能的减少OLED器件与外部环境中氧气、水汽的接触，对于OLED器件的性能稳定及延长OLED的使用寿命至关重要。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于提供一种OLED的封装方法，能够显著提高封装盖板与TFT基板之间的粘结力，提高密封性，有效减少渗透到OLED内部的氧气与水汽，从而提高OLED器件的性能，延长OLED器件的使用寿命。
[0006]本发明的目的还在于提供一种OLED封装结构，通过将所述TFT基板位于封装区域的上表面制备成凹凸不平的粗糙表面，从而增大框胶与TFT基板表面的接触面积，显著提高封装盖板与TFT基板之间的粘结力，提高密封性，同时采用密封薄膜对OLED器件进行覆盖和保护，有效减少渗透到OLED内部的氧气与水汽，从而提高OLED器件的性能，延长OLED器件的使用寿命。
[0007]为实现上述目的，本发明提供一种OLED的封装方法，包括如下步骤:
[0008]步骤1、提供TFT基板；
[0009]所述TFT基板包括显示区域、及位于所述显示区域外围的封装区域，所述TFT基板位于封装区域的结构包括基板、形成于所述基板上的金属层、形成于所述金属层上覆盖所述金属层与基板的栅极绝缘层、形成于所述栅极绝缘层上的刻蚀阻挡层、及形成于所述刻蚀阻挡层上的钝化保护层；
[0010]步骤2、将所述TFT基板位于封装区域的上表面制备成凹凸不平的粗糙表面；
[0011]步骤3、在所述TFT基板的显示区域上制作OLED器件；
[0012]步骤4、提供封装盖板，在所述封装盖板上对应所述TFT基板的封装区域的表面涂覆框胶；
[0013]步骤5、在所述封装盖板上所述框胶围成的内部区域贴覆一层密封薄膜；
[0014]步骤6、将所述TFT基板、及封装盖板相对贴合；
[0015]步骤7、利用紫外光进行照射，使所述框胶固化，从而完成所述封装盖板对TFT基板的封装。
[0016]所述步骤2的【具体实施方式】为:在位于封装区域的钝化保护层表面涂布一层光阻层，通过光罩曝光、及显影制程在光阻层上形成数个间隔排列的通孔。
[0017]所述光阻层的厚度与所述通孔的深度为O?50 μ m。
[0018]所述步骤2的【具体实施方式】为:在位于封装区域的钝化保护层表面涂布一层光阻层，通过光罩曝光、显影、蚀刻、及去光阻制程在所述钝化保护层与刻蚀阻挡层上形成数个间隔排列的凹槽，所述凹槽穿透所述钝化保护层但没有穿透所述刻蚀阻挡层。
[0019]所述凹槽的深度为O?50 μ m。
[0020]所述步骤2的【具体实施方式】为:通过化学气相沉积法在所述钝化保护层上形成具有粗糙表面的无机物层。
[0021 ] 所述无机物层的材料为氮化硅或二氧化硅。
[0022]所述步骤5中的密封薄膜的厚度为O?lOOum。
[0023]所述步骤5中的密封薄膜的厚度为20um。
[0024]本发明还提供一种OLED封装结构，包括TFT基板、与TFT基板对应设置的封装盖板，位于所述TFT基板中间的显示区域上的OLED器件，位于所述TFT基板边缘的封装区域与封装盖板对应区域之间的框胶，以及覆盖所述OLED器件并完全填充所述TFT基板与封装盖板之间由所述框胶围成的内部空间的密封薄膜，其中，所述TFT基板边缘的封装区域的上表面为凹凸不平的粗糙表面。
[0025]本发明的有益效果:本发明提供的一种OLED的封装方法及OLED封装结构，通过将TFT基板的封装区域的上表面制备成凹凸不平的粗糙表面，增大了框胶与TFT基板的接触面积，增强了封装盖板与TFT基板之间的粘结力，并在OLED封装结构内部设置覆盖OLED器件并填充由框胶所围成的内部空间的密封薄膜，提高了 OLED封装结构的密封性，有效减少了渗透到OLED内部的氧气以及水汽，提高了 OLED器件的性能，延长了 OLED器件的使用寿命O
[0026]为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
【附图说明】
[0027]下面结合附图，通过对本发明的【具体实施方式】详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0028]附图中，
[0029]图1为本发明OLED的封装方法的流程图；
[0030]图2为本发明OLED的封装方法步骤I提供的TFT基板的剖面示意图；
[0031]图3为本发明OLED的封装方法步骤2实施方式I的示意图；
[0032]图4为本发明OLED的封装方法步骤2实施方式2的蚀刻制程的示意图；
[0033]图5为本发明OLED的封装方法步骤2实施方式2的去光阻制程的示意图；
[0034]图6为本发明OLED的封装方法步骤2实施方式3的示意图；
[0035]图7为本发明OLED的封装方法的步骤3的示意图；
[0036]图8为本发明OLED的封装方法的步骤4的示意图；
[0037]图9为本发明OLED的封装方法的步骤5的示意图；
[0038]图10为本发明OLED的封装方法的步骤6的示意图；
[0039]图11为本发明OLED的封装方法的步骤7的示意图。
【具体实施方式】
[0040]为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
[0041]请参阅图1，本发明提供一种OLED的封装方法，包括如下步骤:
[0042]步骤1、如图2所示，提供TFT基板I。
[0043]具体的，所述TFT基板I包括显示区域91、及位于所述显示区域91外围的封装区域92，所述TFT基板I位于封装区域92的结构包括基板11、形成于所述基板11上的金属层12、形成于所述金属层12上覆盖所述金属层12与基板11的栅极绝缘层13、形成于所述栅极绝缘层13上的刻蚀阻挡层14、及形成于所述刻蚀阻挡层14上的钝化保护层15。
[0044]步骤2、将所述TFT基板I位于封装区域92的上表面制备成凹凸不平的粗糙表面。
[0045]具体的，所述步骤2可通过以下3种实施方式来实现:
[0046]实施方式1:
[0047]如图3所示，在位于封装区域92的钝化保护层15表面涂布一层光阻层16，通过光罩曝光、及显影制程在光阻层16上形成数个间隔排列的通孔161，从而使所述光阻层16表面变得凹凸不平，在后续封装过程中，可以增大框胶4与TFT基板I表面的接触面积，最终提高封装盖板2与TFT基板I之间的粘结力；
[0048]具体的，所述光阻层16的厚度，也即所述通孔161的深度为O?50 μ m。
[0049]实施方式2:
[0050]如图4-5所示，在位于封装区域92的钝化保护层15表面涂布一层光阻层16，通过光罩曝光、显影、蚀刻、及去光阻制程在所述钝化保护层15与刻蚀阻挡层14上形成数个间隔排列的凹槽151，所述凹槽151穿透所述钝化保护层15但没有穿透所述刻蚀阻挡层14，从而使所述钝化保护层15与刻蚀阻挡层14上形成凹凸表面，在后续封装过程中，可以增大框胶4与TFT基板I表面的接触面积，最终