一种化合物和发光器件的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及发光材料技术领域，尤其涉及一种化合物和发光器件。
【背景技术】
[0002] 有机电致发光器件一般由两个对置的电极和插入在这两个电极之间的至少一层 有机发光化合物组成，在工作过程中，电荷被注入到阳极和阴极之间形成的有机层中，以形 成电子和空穴对，使具有荧光或磷光特性的有机化合物产生光发射。
[0003] 有机电致发光器件可作为一种新型的平面显示器件，具有节能、响应速度快、颜色 稳定、环境适应性强、无辐射、寿命长、质量轻、厚度薄等特点。由于近几年光电通讯和多媒 体领域的迅速发展，有机光电子材料已成为现代社会信息和电子产业的核心。
[0004]目前，电致发光器件中的发光材料主要有小分子主体材料和聚合物主体材料两 类。利用小分子主体材料掺杂磷光配合物作为发光层已经制备了许多高效的电致发光器 件，然而制备小分子电致发光器件需要采用真空蒸镀等复杂工艺，大大提高了制备成本；同 时，小分子本身易于结晶等性质也极大地限制了器件的稳定性。近年来，利用聚合物主体材 料掺杂各种磷光配合物作为发光层制备电致发光器件受到了较多的关注，目前已报道的聚 合物主体材料有三苯基二胺衍生物（TH))、Ν，Ν' -二（α -萘基）-N，Ν' -二苯基-4, 4' -联 苯胺（a-NPD)等，这些材料的溶解性能和成膜性能相对较差，从而影响其作为发光层的效 果，使制备得到的电致发光器件的效率和寿命较差。
【发明内容】
[0005] 有鉴于此，本发明的目的在于提供一种化合物和发光器件，本发明提供的化合物 制备得到的发光器件的效率和寿命较好。
[0006] 本发明提供了 一种化合物，具有式I所示的结构：
[0007]
[0008] 式I中，L# 0~2的整数；
[0009] 八巧包括碳原子数为6~30的芳基或碳原子数为6~30的芳胺基；
[0010]八1"2包括碳原子数为6~50的芳基、碳原子数为6~50芳胺基、碳原子数为6~ 50的芳杂环基、碳原子数为6~50的芳烷基、碳原子数为6~50的芳烷氧基或碳原子数为 6~50的芳烷巯基；
[0011]札~R4独立地选自氢、碳原子数为1~30的烷基、碳原子数为6~50的芳基、碳 原子数为6~50的取代芳基或碳原子数为6~50的芳杂环基。
[0012] 优选的，所述化合物具有式101所示的结构：
[0013]
[0014] 优选的，所述Ar1为单环芳基、碳原子数为10~30的多环芳基、碳原子数为10~ 30的稠环芳基或碳原子数为10~20的芳胺基。
[0015] 优选的，所述Ar1为式201~式216中的一种：
[0017] 优选的，所述八1*2包括碳原子数为10~20的稠环芳基、碳原子数为10~20的芳 胺基或氮原子芳杂环基。
[0018] 优选的，所述Ar2为式301~式308中的一种：
[0020] 优选的，札~R4独立地选自氢、单环芳基、碳原子数为10~50的多环芳基、碳原 子数为10~50的稠环芳基、碳原子数为6~50的芳胺基、氮原子芳杂环基、硫原子芳杂环 基、碳原子数为6~50的芳烷基、碳原子数为6~50的芳烷氧基或碳原子数为6~50的 芳烧疏基。
[0021] 优选的，札~R4独立地选自式401~式435中的一种：
[0022]
[0023]
[0024] 其中，X和Y独立地选自碳原子数为1~30的烷氧基、碳原子数为2~30的烯烃 基、碳原子数为2~30的取代烯烃基、碳原子数为6~30的芳基、碳原子数为7~30的芳 烷基、碳原子数为7~30的芳烷氧基、碳原子数为6~30的芳氧基、碳原子数为6~30的 芳胺基或碳原子数为5~30的杂环基。
[0025] 优选的，Ri~R4独立地选自氢、苯基或吡啶基。
[0026] 本发明提供了 一种发光器件，所述发光器件包括上述技术方案所述的化合物。
[0027] 本发明提供的化合物在二胺类化合物中引入醚键连接ArJP Ar2基团，同时结构式 中的札~1?4可以调节化合物的性能，使这种化合物的电性能较高；本发明提供的化合物可 作为发光材料应用，采用本发明提供的化合物制备的发光器件具有较高的效率、寿命较长。 实验结果表明，本发明提供的发光器件的效率为4. 2cd/A~7. 5cd/A ;寿命为3300小时~ 7200小时。
【具体实施方式】
[0028] 下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例 仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通 技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范 围。
[0029] 本发明提供了 一种化合物，具有式I所示的结构：
[0030]
[0031] 式I中，0~2的整数；
[0032] 八巧包括碳原子数为6~30的芳基或碳原子数为6~30的芳胺基；
[0033] 八1*2包括碳原子数为6~50的芳基、碳原子数为6~50芳胺基、碳原子数为6~ 50的芳杂环基、碳原子数为6~50的芳烷基、碳原子数为6~50的芳烷氧基或碳原子数为 6~50的芳烷巯基；
[0034] 札~R4独立地选自氢、碳原子数为1~30的烷基、碳原子数为6~50的芳基、碳 原子数为6~50的取代芳基或碳原子数为6~50的芳杂环基。
[0035] 在本发明的实施例中，所述化合物具有式101所示的结构：
[0036]
[0037] 在本发明的实施例中，所述Ar1为单环芳基、碳原子数为10~30的多环芳基、碳原 子数为10~30的稠环芳基或碳原子数为10~20的芳胺基；在其它的实施例中，所述Ar 1 为式201~式216中的一种：
[0038]
[0040] 在本发明的实施例中，所述八1*2包括碳原子数为10~20的稠环芳基、碳原子数为 10~20的芳胺基或氮原子芳杂环基；在其它的实施例中，所述Ar 2为式301~式308中的 一种：
[0042] 在本发明的实施例中，&~R4独立地选自氢、单环芳基、碳原子数为10~50的多 环芳基、碳原子数为10~50的稠环芳基、碳原子数为6~50的芳胺基、氮原子芳杂环基、 硫原子芳杂环基、碳原子数为6~50的芳烷基、碳原子数为6~50的芳烷氧基或碳原子数 为6~50的芳烷巯基；在其它的实施例中，凡~R 4独立地选自式401~式435中的一种：
[0043]
[0045] 其中，X和Y独立地选自碳原子数为1~30的烷氧基、碳原子数为2~30的烯烃 基、碳原子数为2~30的取代烯烃基、碳原子数为6~30的芳基、碳原子数为7~30的芳 烷基、碳原子数为7~30的芳烷氧基、碳原子数为6~30的芳氧基、碳原子数为6~30的 芳胺基或碳原子数为5~30的杂环基。
[0046] 在本发明的优选实施例中，Ri~R4独立地选自氢、苯基或吡啶基（p )
[0047] 在本发明其他的优选实施例中，札~R 4均为氢；在其它的优选实施例中，R ^ R4 均为苯基；在其它的优选实施例中，&和R4为氢，R 2和R 3为苯基；在其它的优选实施例中， R1为苯基，R 2、RjPR4为氢；在其它的优选实施例中，R JP R2为苯基，RjPR4为氢；在其它 的优选实施例中，&~R 4均为吡啶基。
[0048] 在本发明的实施例中，所述化合物的制备方法可以为：
[0049] 将式II所示结构的化合物和式III所示结构的化合物进行还原反应，得到式I所 示结构的化合物；
[0050]
[0051] 其中，Ri~R4独立地选自氢、碳原子数为1~30的烷基、碳原子数为6~50的芳 基、碳原子数为6~50的取代芳基或碳原子数为6~50的芳杂环基；
[0052] 八巧包括碳原子数为6~30的芳基或碳原子数为6~30的芳胺基；
[0053] 八1*2包括碳原子数为6~50的芳基、碳原子数为6~50芳胺基、碳原子数为6~ 50的芳杂环基、碳原子数为6~50的芳烷基、碳原子数为6~50的芳烷氧基或碳原子数为 6~50的芳烷巯基；
[0054] 0~2的整数；
[0055] Y1S 卤素。
[0056] 在本发明中，所述札~R 4、Ar^ ArjP L占上述技术方案所述的R广R 4、Ar^ Ar2 和L1 一致，在此不再赘述。在本发明的实施例中，Y -Br或-Cl。
[0057] 在本发明的实施例中，所述式II结构的化合物的制备方法为：
[0058] 将式IV结构的化合物和式V结构的化合物进行胺化反应，得到式VI结构的化合 物；
[0059]
[0060] 其中，1?'和札~R4独立地选自氢、碳原子数为1~30的烷基、碳原子数为6~50 的芳基、碳原子数为6~50的取代芳基或碳原子数为6~50的芳杂环基；
[0061] XjP X 2独立地选自卤素；
[0062] 将式VI结构的化合物进行水解反应，得到式II结构的化合物。
[0063] 在本发明中，Ri~R 4与上述技术方案所述R R 4-致，在此不再赘述。在本发明 中，R'的结构种类和上述技术方案所述Ri~R 4的结构种类一致，在此不再赘述。在本发明 的实施例中，XjP X 2独立地选自-I、-Br或-Cl。
[0064] 本发明对所述水解反应的具体方法没有特殊的限制，采用本领域技术人员熟知的 能够将-CH 3进行反应得到-H的技术方案即可。
[0065] 在本发明的实施例中，式IV结构的化合物的制备方法为：
[0066] 将式VII结构的化合物和式VIII结构的化合物进行胺化反应，得到式IV所示结 构的化合物；
-R，式 VIII ;
[0068] 其中，乂3和X 4独立地选卤素；
[0069] Y2S-B(OH) 2或-NH2;
[0070] R'为氢、碳原子数为1~30的烷基、碳原子数为6~50的芳基、碳原子数为6~ 50的取代芳基或碳原子数为6~50的芳杂环基。