一种发光二极管的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管的制备方法。
【背景技术】
[0002]作为目前全球最受瞩目的新一代光源，发光二极管(LightEmitting D1de，简称LED)因其高亮度、低热量、长寿命、无毒、可回收再利用等优点，被称为时21世纪最有发展前景的绿色照明光源。其中，AlGaInP发光二极管在黄绿、橙色、橙红色、红色波段性能优越，在白光光源、全色显示、交通信号灯、城市亮化工程等领域广泛应用。
[0003]AlGaInP发光二极管的制备方法包括:在GaAs衬底的第一表面上生长AlGaInP外延层;在AlGaInP外延层上设置P型电极，在GaAs衬底的第二表面设置N型电极，得到晶元，GaAs衬底的第二表面为与GaAs衬底的第一表面相反的表面;采用刀片切割晶元，得到若干独立的LED芯片。
[0004]在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题:
[0005]为了保证切割质量，采用刀片切割晶元时刀头的行进速度不能太快，切割效率较低。而且随着芯片尺寸越来越小，单片晶元的切割时间越来越长，设备产能降低，造成人力和设备成本增高。
【发明内容】
[0006]为了解决现有技术切割效率较低、生产成本高的问题，本发明实施例提供了一种发光二极管的制备方法。所述技术方案如下:
[0007]本发明实施例提供了一种发光二极管的制备方法，所述制备方法包括:
[0008]在GaAs衬底的第一表面上生长AlGaInP外延层；
[0009]在所述AlGaInP外延层上设置P型电极，在所述GaAs衬底的第二表面设置N型电极，得到晶元，所述GaAs衬底的第二表面为与所述GaAs衬底的第一表面相反的表面；
[0010]对所述晶元的第一表面进行切割，在所述晶元的第一表面形成P面切割道，所述晶元的第一表面为设有所述P型电极的表面；
[0011]采用刻蚀技术对所述晶元的第二表面进行切割，在所述晶元的第二表面形成N面切割道，所述N面切割道与P面切割道图形相同且位置相对，所述晶元的第二表面为与所述晶元的第一表面相反的表面；
[0012]将所述晶元的第二表面粘附在胶膜上，并在所述晶元的第一表面覆盖薄膜；
[0013]对所述晶元的第一表面进行裂片，得到若干独立的发光二极管芯片；
[0014]对所述胶膜进行扩张，分离所述发光二极管芯片。
[0015]具体地，所述采用刻蚀技术对所述晶元的第二表面进行切割，在所述晶元的第二表面形成N面切割道，包括:
[0016]在所述晶元的第二表面涂覆光刻胶；
[0017]采用光刻技术形成设定图形的光刻胶；
[0018]在所述设定图形的光刻胶的保护下，对所述晶元进行电感耦合等离子体ICP刻蚀，在所述晶元的第二表面形成N面切割道；
[0019]去除所述设定图形的光刻胶。
[0020]可选地，所述对所述晶元的第一表面进行切割，在所述晶元的第一表面形成P面切割道，包括:
[0021 ]在所述晶元的第一表面涂覆光刻胶；
[0022]采用光刻技术形成设定图形的光刻胶；
[0023]在所述设定图形的光刻胶的保护下，对所述晶元进行电感耦合等离子体ICP刻蚀，在所述晶元的第一表面形成N面切割道；
[0024]去除所述设定图形的光刻胶。
[0025]可选地，所述对所述晶元的第一表面进行切割，在所述晶元的第一表面形成P面切割道，包括:
[0026]采用刀片对所述晶元的第一表面进行切割，在所述晶元的第一表面形成P面切割道。
[0027]可选地，所述对所述晶元的第一表面进行裂片，得到若干独立的发光二极管芯片，包括:
[0028]采用滚压裂片的方式对所述晶元的第一表面进行裂片，得到若干独立的发光二极管芯片。
[0029]具体地，所述胶膜包括聚氯乙烯PVC基材和亚克力系粘着剂。
[0030]具体地，所述薄膜为塑料膜或聚氨酯PU膜。
[0031]可选地，所述N面切割道的宽度为10?20μπι。
[0032]可选地，所述N面切割道的深度为50?60μπι。
[0033]可选地，所述P面切割道的深度为15?40μπι。
[0034]本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是:
[0035]通过分别对晶元两个相对的表面进行切割，至少一个表面采用刻蚀技术进行切害J，再对晶元进行劈裂，得到若干独立的发光二极管芯片，切割效率大大提高，降低了生产成本。
【附图说明】
[0036]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0037]图1是本发明实施例一提供的一种发光二极管的制备方法的流程图；
[0038]图2a_图2g是本发明实施例一提供的发光二极管制备过程中的结构示意图；
[0039]图3a_图3d是本发明实施例一提供的形成N型切割道的过程中发光二极管的结构示意图；
[0040]图4a和图4b是本发明实施例一提供的滚裂机的结构示意图；
[0041]图5是本发明实施例二提供的一种发光二极管的制备方法的流程图；
[0042]图6a_图6g是本发明实施例二提供的发光二极管制备过程中的结构示意图。
【具体实施方式】
[0043]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
[0044]实施例一
[0045]本发明实施例提供了一种发光二极管的制备方法，参见图1，该制备方法包括:
[0046]步骤101:在GaAs衬底的第一表面上生长AlGaInP外延层。
[0047]图2a为步骤101执行后的发光二极管的结构示意图。其中，I为GaAs衬底，2为AlGaInP外延层。
[0048]在本实施例中，AlGaInP外延层可以包括依次层叠在GaAs衬底上的N型AlInP限制层、交替层叠的两种Al组分不同的AlGaInP多量子阱层、P型AlInP限制层。
[0049]具体地，该步骤101可以包括:
[0050]采用金属有机化合物化学气相沉淀(Metal-organic Chemical VaporDepos it 1n，简称MOCVD)技术在GaAs衬底的第一表面上生长AlGaInP外延层。
[0051 ] 步骤102:在AlGaInP外延层上设置P型电极，在GaAs衬底的第二表面设置N型电极，得到晶元。
[0052]图2b为步骤102执行后的发光二极管的结构示意图。其中，I为GaAs衬底，2为AlGaInP外延层，3为P型电极，4为N型电极。
[0053]在本实施例中，GaAs衬底的第二表面为与GaAs衬底的第一表面相反的表面。
[0054]具体地，在AlGaInP外延层上设置P型电极，可以包括:
[0055]在AlGaInP外延层上蒸镀P型电极；
[0056]退火形成欧姆接触。
[0057]具体地，在GaAs衬底的第二表面设置N型电极，可以包括:
[0058]在GaAs衬底的第二表面蒸镀N型电极；
[0059]退火形成欧姆接触。
[0060]可选地，在GaAs衬底的第二表面设置N型电极之前，该制备方法还可以包括:
[0061 ] 减薄GaAs衬底。
[0062]步骤103:采用刀片对晶元的第一表面进行切割，在晶