] 另外，为了蒸发源中的儀的溶解而照射了电子射束。
[0044] 此外，儀层的前体的厚度通过对侣锥的行进速度和电子射束的输出进行加减而进 行了调整。
[0045] W与上述相同的方法在侣锥的另一个表面也形成了儀层的前体。
[0046] 在热处理工序中，在表面形成儀层的前体，将卷绕为卷筒状的侣锥在高溫槽中放 置并进行了加热处理。
[0047] 若详细说明，则将在表面形成了儀层的前体并卷绕为卷筒状的侣锥，投入到槽内 溫度为常溫的高溫槽之后升溫至250°C，将250°C维持1小时后自然冷却。
[004引在该实施例1中，使用了厚度为30μπι、表面粗糖度Ra为0. Ιμπι的侣锥。
[0049] 然后，在薄膜形成工序中，在侣锥的表面形成的儀层的前体的厚度为O.lwii。
[0050] 此外，关于构成在侣锥的表面形成的儀层的儀的结晶的、将儀层沿厚度方向切断 后的剖面的宽度方向的尺寸，在热处理工序前，最大的结晶为33nm、最小的结晶为14nm、平 均为22nm，不存在50nmW上的结晶。然后在热处理工序后，确认了存在50nmW上的结晶， 50nmW上的结晶的平均尺寸为54nm。此外，儀层的功函数为5.0eV。
[0051] (实施例2)
[0052] 实施例2使用通过实施例1的薄膜形成工序而制作的、在表面形成了儀层的前体的 侣锥，除了在热处理工序中，使高溫槽的溫度从常溫状态升溫至300°CW及将维持1小时的 溫度设为300°CW外，W与实施例1相同的条件制作了电极锥。
[0053] 关于在实施例2中制作的电极锥的构成在侣锥的表面形成的儀层的儀的结晶的、 将儀层沿厚度方向切断后的剖面的宽度方向的尺寸，在热处理工序后确认了存在50nmW上 的结晶，50nmW上的结晶的平均尺寸为79nm。此外，儀层的功函数为5.2eV。
[0054] (实施例3)
[0055] 实施例3使用通过实施例1的薄膜形成工序而制作的、在表面形成了儀层的前体的 侣锥，除了在热处理工序中，将高溫槽的溫度从常溫状态升溫至400°CW及将维持1小时的 溫度设为400°CW外，W与实施例1相同的条件制作了电极锥。
[0056] 关于在实施例3中制作的电极锥的构成在侣锥的表面形成的儀层的儀的结晶的、 将儀层沿厚度方向切断后的剖面的宽度方向的尺寸，在热处理工序后确认了存在50nmW上 的结晶，50nm W上的结晶的平均尺寸为118nm。此外，儀层的功函数为5.4eV。
[0057] (实施例4)
[0058] 实施例4使用通过实施例1的薄膜形成工序而制作的、在表面形成了儀层的前体的 侣锥，除了在热处理工序中，将高溫槽的溫度从常溫状态升溫至450°CW及将维持1小时的 溫度设为450°CW外，W与实施例1相同的条件制作了电极锥。
[0059] 关于在实施例4中制作的电极锥的构成在侣锥的表面形成的儀层的儀的结晶的、 将儀层沿厚度方向切断后的剖面的宽度方向的尺寸，在热处理工序后确认了存在50nmW上 的结晶，50nmW上的结晶的平均尺寸为152nm。此外，儀层的功函数为5.5eV。
[0060] (实施例5)
[0061] 实施例5使用通过实施例1的薄膜形成工序而制作的、在表面形成了儀层的前体的 侣锥，除了在热处理工序中，将高溫槽的溫度从常溫状态升溫至400°C W及将维持的溫度设 为400°C并将维持的时间设为10小时W外，W与实施例1相同的条件制作了电极锥。
[0062] 关于在实施例5中制作的电极锥的构成在侣锥的表面形成的儀层的儀的结晶的、 将儀层沿厚度方向切断后的剖面的宽度方向的尺寸，在热处理工序后确认了存在50nmW上 的结晶，50nm W上的结晶的平均尺寸为406nm。此外，儀层的功函数为5.4eV。
[0063] (实施例6)
[0064] 实施例6除了将使用的侣锥的表面粗糖度Ra设为0.外，W与实施例1相同的 条件制作了电极锥。
[0065] 关于在实施例6中制作的电极锥的构成在侣锥的表面形成的儀层的儀的结晶的、 将儀层沿厚度方向切断后的剖面的宽度方向的尺寸，在热处理工序前，最大的结晶为33nm、 最小的结晶为llnm、平均为24皿，不存在50nmW上的结晶。然后在热处理工序后，确认了存 在50nm W上的结晶，50nm W上的结晶的平均尺寸为57nm。此外，儀层的功函数为5. OeV。
[0066] (实施例7)
[0067] 实施例7将使用的侣锥的表面粗糖度Ra设为0.5皿，在薄膜形成工序中，除了将在 侣锥的表面形成的儀层的前体的厚度设为〇.4ymW外，W与实施例2相同的条件制作了电极 锥。
[0068] 关于在实施例7中制作的电极锥的构成在侣锥的表面形成的儀层的儀的结晶的、 将儀层沿厚度方向切断后的剖面的宽度方向的尺寸，在热处理工序前，最大的结晶为30nm、 最小的结晶为12nm、平均为22皿，不存在50nmW上的结晶。然后在热处理工序后，确认了存 在50nm W上的结晶，50nm W上的结晶的平均尺寸为80nm。此外，儀层的功函数为5.2eV。
[0069] (实施例8)
[0070] 实施例8除了使用了通过实施例7的薄膜形成工序而制作的在表面形成了儀层的 前体的侣锥W外，W与实施例3相同的条件制作了电极锥。
[0071] 关于在实施例8中制作的电极锥的构成在侣锥的表面形成的儀层的儀的结晶的、 将儀层沿厚度方向切断后的剖面的宽度方向的尺寸，在热处理工序后确认了存在50nmW上 的结晶，50nm W上的结晶的平均尺寸为118nm。此外，儀层的功函数为5.4eV。
[0072] (实施例9)
[0073] 实施例9除了使用了通过实施例6的薄膜形成工序而制作的、在表面形成了儀层的 前体的侣锥W外，W与实施例4相同的条件制作了电极锥。
[0074] 关于在实施例9中制作的电极锥的构成在侣锥的表面形成的儀层的儀的结晶的、 将儀层沿厚度方向切断后的剖面的宽度方向的尺寸，在热处理工序后确认了存在50nmW上 的结晶，50nm W上的结晶的平均尺寸为150nm。此外，儀层的功函数为5.5eV。
[00对（实施例10)
[0076] 实施例10除了使用了通过实施例6的薄膜形成工序而制作的在表面形成了儀层的 前体的侣锥W外，W与实施例5相同的条件制作了电极锥。
[0077] 关于在实施例10中制作的电极锥的构成在侣锥的表面形成的儀层的儀的结晶的、 将儀层沿厚度方向切断后的剖面的宽度方向的尺寸，在热处理工序后确认了存在50nmW上 的结晶，50nm W上的结晶的平均尺寸为403nm。此外，儀层的功函数为5.4eV。
[007引（实施例11)
[0079] 实施例11除了将使用的侣锥的表面粗糖度Ra设为l.OymW外，W与实施例1相同的 条件制作了电极锥。
[0080] 关于在实施例11中制作的电极锥的构成在侣锥的表面形成的儀层的前体的儀的 结晶的、将儀层沿厚度方向切断后的剖面的宽度方向的尺寸，在热处理工序前，最大的结晶 为28加1、最小的结晶为lOnm、平均为20加1，不存在50nmW上的结晶。然后在热处理工序后确 认了存在50nmW上的结晶，50nmW上的结晶的平均尺寸为55nm。此外，儀层的功函数为 5.0eV。
[00川（实施例12)
[0082] 实施例12除了使用了通过实施例11的薄膜形成工序而制作的在表面形成了儀层 的前体的侣锥W外，W与实施例2相同的条件制作了电极锥。
[0083] 关于在实施例12中制作的电极锥的构成在侣锥的表面形成的儀层的儀的结晶的、 将儀层沿厚度方向切断后的剖面的宽度方向的尺寸，在热处理工序后确认了存在50nmW上 的结晶，50nmW上的结晶的平均尺寸为79nm。此外，儀层的功函数为5.2eV。
[0084] (实施例13)
[0085] 实施例13除了使用了通过实施例11的薄膜形成工序而制作的在表面形成了儀