膜及其制造方法
【技术领域】
[0001 ]本发明设及一种膜及其制造方法。
【背景技术】
[0002] W往，作为压电膜、用于电润湿用途、膜电容器用途的薄膜或膜，已知有各种有机 电介体膜和无机电介体膜。
[0003] 运些之中，极化偏氣乙締系聚合物膜具有如下优点:具有透明性，并且与无机电介 体薄膜不同，具有可晓性，因此，可W适用于各种各样的用途。
[0004] 例如，在专利文献1和专利文献2中公开有:使用极化偏氣乙締系聚合物膜对接触 面板赋予检测接触压的功能的技术。
[0005] 现有技术文献
[0006] 专利文献
[0007] 专利文献1:日本特开2010-26938号公报 [000引专利文献2:日本特开2011-222679号公报
【发明内容】
[0009] 发明所要解决的课题
[0010] 然而，在专利文献1中，作为极化偏氣乙締系聚合物膜的制造方法，虽然记载有将 溶解于有机溶剂的偏氣乙締系聚合物的溶液涂布于另行准备的基板，除去溶剂，由此形成 膜的方法(所谓的诱铸法），但是，对上述溶液的过滤没有充分地进行研究。
[0011] 本发明人等对上述制造方法进行研究的结果，查明了不过滤上述溶液的情况下， 存在如下问题:使膜的电绝缘性降低，因此使膜的耐电压性降低。另外，查明了将上述溶液 用线绕过滤器、表面过滤器、漉式过滤器等过滤时，不能有效地进行过滤。
[0012] 因此，本发明的目的在于，提供一种显示高的电绝缘性，耐电压性优异的膜及其制 造方法。
[0013] 用于解决课题的方法
[0014] 本发明人等进行深入研究的结果发现：
[001引利用根据韦布尔分布图，99%的耐电压缺陷值为300V/皿W上的偏氣乙締系聚合 物膜，可W解决上述课题。
[0016] 本发明人等还发现:通过利用深层權桐式过滤器过滤含有偏氣乙締系聚合物和溶 剂的液状组合物，可W制造具有上述特性的上述膜。
[0017] 基于运些知识，本发明人等完成了本发明。
[001引本发明包括W下的方案。
[0019] 项1.
[0020] -种偏氣乙締系聚合物膜，其中，根据韦布尔分布图，99%的耐电压缺陷值为 300V/皿 W上。
[0021] 项2.
[0022] 项1所述的膜，其中，上述聚合物膜为压电膜。
[0023] 项3.
[0024] 项1所述的膜，其中，上述聚合物膜为膜电容器用膜。
[0025] 项4.
[0026] -种膜的制造方法，制造项1~3中任一项所述的膜，其中，包括：
[0027] 制备含有偏氣乙締系聚合物和溶剂的液状组合物的工序A、
[00%]利用深层權桐式过滤器过滤上述液状组合物的工序B、
[0029] 使在上述工序B得到的滤液在基材上流延的工序C、及
[0030] 通过使上述流延的滤液中的溶剂气化，形成偏氣乙締系聚合物膜的工序D。
[0031] 项5.
[0032] -种膜的制造方法，制造项1或2所述的膜，其中，包括：
[0033] 制备含有偏氣乙締系聚合物和溶剂的液状组合物的工序A、
[0034] 利用深层權桐式过滤器过滤上述液状组合物的工序B、
[0035] 使在上述工序B得到的滤液在基材上流延的工序C、
[0036] 通过使上述流延的滤液中的溶剂气化，形成非极化的偏氣乙締系聚合物膜的工序 D、
[0037] 通过对上述膜进行极化处理，得到极化偏氣乙締系聚合物膜的工序E、及
[0038] 对上述非极化或极化偏氣乙締系聚合物膜进行热处理的工序F。
[0039] 发明的效果
[0040] 本发明的膜显示高的电绝缘性，显示优异的耐电压性。另外，本发明的膜的制造方 法可W制造显示高的电绝缘性，显示优异的耐电压性的膜。
【具体实施方式】 [004。用语的意义
[0042] 本说明书中，"接触位置"的"检测"是指接触位置的确定，另一方面，"接触压"的 "检测"是指按压的有无、速度、大小(强弱）、或运些的变化、或运些的组合的确定。
[0043] 本说明书中，用语"接触"包括触摸、被触摸、压、被压W及接触。
[0044] 本说明书中，用语"极化"是指对表面赋予电荷。即，极化膜可W为驻极体。
[0045] H
[0046] 本发明的膜是根据韦布尔分布图，99%的耐电压缺陷值为300V/皿W上的偏氣乙 締系聚合物膜。因此，本发明的膜可W显示高的电绝缘性，显示优异的耐电压性。
[0047] 本说明书中，"根据韦布尔分布图，99%的耐电压缺陷值为300V/皿W上"是指:对 于膜，一边W每1分100V的速度升压，一边施加电压，测定至短路为止的耐电压。将运样得到 的耐电压在韦布尔分布中标绘，故障率成为1%时的值为300VAimW上。
[0048] 偏氣乙締系聚合物膜根据韦布尔分布图的99%的耐电压缺陷值小于300V/WI1时， 耐电压低。因此，W压电体的用途使用该耐电压缺陷值小于300V/WI1的膜时，在对该膜进行 极化处理的工序中短路，该短路部位烧焦变黑，色调变差。另外，W膜电容器等的施加电压 而使用的形式使用该耐电压缺陷值小于300V/WI1的膜时，到规定的电压之前短路，有可能作 为结果成为次品。
[0049] 本说明书中，"偏氣乙締系聚合物膜"包含包括该聚合物的膜、在该聚合物中分散 有无机物的膜W及含有该聚合物和该聚合物W外的成分的膜等。即，本发明的膜可W含有 该聚合物W外的成分，也可W含有无机物。
[0050] 本发明的膜中该聚合物的含量优选为70质量％ ^上，更优选为75质量％ ^上，进 一步优选为80质量％^上，更进一步优选为90质量％^上。该含量的上限没有特别限制，例 如，可W为100质量％，也可W为99质量％。
[0051] 本说明书中，作为"偏氣乙締系聚合物膜"的例，可列举:偏氣乙締/四氣乙締共聚 物膜、偏氣乙締/Ξ氣乙締共聚物膜和聚偏氣乙締膜。
[0052] 上述偏氣乙締系聚合物膜优选为偏氣乙締/四氣乙締共聚物膜。
[0053] 该"偏氣乙締系聚合物膜"可W含有树脂膜中通常使用的添加剂。
[0054] 该"偏氣乙締系聚合物膜"是由偏氣乙締系聚合物构成的膜，含有偏氣乙締系聚合 物。
[0055] 作为该"偏氣乙締系聚合物"的例，可列举：
[0056] (1)偏氣乙締和可与其共聚的巧巾W上的单体的共聚物;及
[0化7] (2)聚偏氣乙締。
[0058] 作为该"(1)偏氣乙締和可与其共聚的巧巾W上的单体的共聚物"中的"可与其共聚 的单体"的例，可列举:Ξ氣乙締、四氣乙締、六氣丙締、Ξ氣氯乙締及氣乙締。
[0059] 该"可与其共聚的巧巾W上的单体"或其中的巧巾优选为四氣乙締。
[0060] 作为该"偏氣乙締系聚合物"的优选例，可列举偏氣乙締/四氣乙締共聚物。
[0061] 该"偏氣乙締/四氣乙締共聚物"在不显著地损害与本发明有关的性质的限度内， 可W含有来自偏氣乙締和四氣乙締 W外的单体的重复单元。
[0062] 上述"(1)偏氣乙締和可与其共聚的1种W上的单体的共聚物"含有来自偏氣乙締 的重复单元50摩尔％ ^上(优选为60摩尔％ ^上）。
[0063] 上述"偏氣乙締/四氣乙締共聚物"中的（来自四氣乙締的重复单元)/(来自偏氣乙 締的重复单元)的摩尔比优选为在5/95~36/64的范围内，更优选为在15/85~25/75的范围 内，进一步优选为在18/82~22/78的范围内。
[0064] 上述"偏氣乙締/四氣乙締共聚物"在不显著地损害与本发明有关的性质的限度 内，可W含有来自偏氣乙締和四氣乙締 W外的单体的重复单元。通常，运种重复单元的含有 率为10摩尔％ ^下。如果运种单体可与偏氣乙締单体、四氣乙締单体共聚，则没有限定，作 为其例，可列举：
[00化](1)氣单体(例如，氣乙締(VF)、Ξ氣乙締(TrFE)、六氣丙締化FP)、1-氯-1-氣-乙締 (1,1-CFE)、1-氯-2-氣-乙締（1,2-CFE)、1-氯-2,2-二氣乙締(CDFE)、二氣氯乙締(CT阳）、二 氣乙締基单体、1，1，2-Ξ氣下締-4-漠-1-下締、1，1，2-Ξ氣下締-4-硅烷-1-下締、全氣烷基 乙締基酸、全氣甲基乙締基酸(PMVE)、全氣丙基乙締基酸(PPVE)、全氣丙締酸醋、 氣乙基丙締酸醋、2-(全氣己基）乙基丙締酸醋）；W及（2)控系单体(例如，乙締、丙締、马来 酸酢、乙締酸、乙締醋、締丙基缩水甘油酸、丙締酸系单体、甲基丙締酸系单体、乙酸乙締醋。 [0066] 本发明的膜的厚度例如在0.5~100皿的范围内、0.8~50皿的范围内、0.8~40μπι 的范围内、3~100皿的范围内、3~50皿的范围内、6~50皿的范围内、9~40皿的范围内、10 ~40WI1的范围内或10~30WI1的范围内。优选的厚度可W根据本发明的膜的用途而不同。例 如，本发明的膜用于接触面板等的压电面板的情况下，本发明的膜的厚度优选为在10~40μ m的范围内，更优选为在10~30μπι的范围内，本发明的膜用于电润湿设备的情况下，本发明 的膜的厚度优选为0.5~扣m，更优选为在0.8~2WI1的范围内，并且本发明的膜用于膜电容 器的情况下，本发明的膜的厚