一种百合种球的套盆两段根繁殖方法与流程

文档序号:14362228阅读:720来源:国知局

本发明涉及花卉栽培技术领域,具体地说是一种采用百合套盆两段根繁育出无病虫害、质量好、成活率高的百合种球的套盆两段根繁殖方法。



背景技术:

百合是单子叶植物纲百合科(liliaccae)百合属(lilium)植物,为多年生宿根草本植物。百合花大而艳丽、花型优美。我国百合种球大多依赖国外进口,但进口种球价格较高且带病毒严重。近几年,我国摸索自繁种球技术,主要采用种子繁殖和无性繁殖。种子繁殖生长慢,一般需要3年才能开花并结实,目前只有新铁炮百合使用种子繁殖生产。无性繁殖方法主要有分株繁殖、珠芽繁殖、组培繁殖和鳞片繁殖。分株繁殖一年只能得到1-3个小鳞茎,如卷丹,繁殖速度慢,且繁殖系数低,易引起百合品种的退化;珠芽繁殖只能用于特定的品种,如卷丹、淡黄花百合和通江百合三种;组培繁殖虽提高了繁殖系数,但是所需技术及生产成本高,很难推广应用;鳞片扦插技术是百合繁殖中最常使用的方法,该方法成本低、操作简单、繁殖系数高,但形成商品种球时间较长。



技术实现要素:

发明目的

本发明的目的是针对现有技术存在的缺陷,由于现有繁育籽球方法不能满足生产的需求,提出一种百合种球的套盆两段根繁殖方法,不仅能保持品种优良特性,而且还可以缩短百合生长周期、实现高产、优质的目的,满足实际生产需求,能有效的繁育出高品质的百合籽球,不仅满足百合植株萌发籽球的适宜条件,且对地上植株开花和地下母球的生长没有影响,不仅收获到开花的商品球,而且繁育出大量的籽球。

技术方案

一种百合种球的套盆两段根繁殖方法,其特征在于:该方法的步骤如下:

a、母株选取:选取发育良好、健康并且无病虫害的百合种球;

b、催芽处理:将种球种植并放置在气温10-25℃,土温保持在13-15℃,240-300lux的光照环境下催芽;

c、套盆处理:当百合种球芽长至4.5-7.0cm进行套盆:将一个或多个种球均匀摆放在生产盆中的盆底部,摆好后填入透气排水性良好的基质至淹没种球,另取一个生长盆,按每盆生产球的数量打孔,将盆座在下盆的土面上,也就是种球和种芽的接合部,然后填入盆土;

d、切割种球:待植株花显色后,将上盆从下盆中端起来,此时种球浮在上盆盆底下方,用锋利的工具,将种球割除;

e、收集籽球:等到地上植株枯死后,即可扣盆收集籽球。

所述步骤a中选取的百合种球周径大于等于14cm。

所述步骤b中种球需要在气温在10-25℃,土温保持在13-15℃,240-300lux的光照环境中持续培养15天以上。

所述步骤c中生产盆和生长盆皆为上宽下窄的花盆。

所述步骤c中生产盆和生长盆规格相同。

所述步骤d将种球割除后,将种球重新栽到盆中,放置在气温15-25℃,土温保持在14-16℃,280-350lux的光照环境下栽培养护,待地上部分枯萎后,能够获得更多籽球。

所述步骤d中割除种球后,上盆剩下的植株直接栽培到盆中用于开花观赏或在这段主茎末端用专用的染色剂进行染色操作再用于开花观赏。

所述染色操作为将花茎直接插到化学染色剂或食用色素中,温度控制在20-25℃,花茎下部插入染色剂的深度控制在6-12cm,染色1-8小时后,将花茎取出放到保鲜剂中,用于七彩百合销售观赏。

优点及效果

本发明相比现有技术有如下优点:本发明采用百合植株两段根繁殖籽球的方法,繁育籽球系数高,鳞片污染腐烂率低,操作简单且容易实施,能够减少百合籽球过程中的病虫害发生,缩短无性栽培时间,能够有效的繁育出高品质的百合籽球,为百合籽球繁育提供了一种全新方法。

具体实施方式

一种百合种球的套盆两段根繁殖方法,该方法的步骤如下:

a、母株选取:选取种球周径大于等于14cm发育良好、健康并且无病虫害的百合种球;

b、催芽处理:将种球种植并放置在气温10-25℃,土温保持在13-15℃,240-300lux的光照环境下持续培养15天以上催芽;

c、套盆处理:当百合种球芽长至4.5-7.0cm进行套盆:将一个或多个种球均匀摆放在生产盆中的盆底部,摆好后填入煤渣、珍珠岩或粗河沙等透气排水性良好的基质至淹没种球,优选的,以刚淹没种球为宜;另取一个生长盆,按每盆生产球的数量打孔,将盆座在下盆的土面上,也就是种球和种芽的接合部,然后填入盆土,盆土无特殊要求,用正常百合生产基质,正常栽培养护即可;优选的,上述生产盆和生长盆皆为上宽下窄的花盆;优选的,生产盆和生长盆规格相同;规格相同的盆套在一起最牢固,不会因为百合的生长而导致生长盆移动位置。优选的,生长盆使用塑料花盆,塑料花盆方便打孔;

d、切割种球:待植株花显色后,将上盆从下盆中端起来,此时种球浮在上盆盆底下方,用刀、剪等锋利的工具,将种球割除,以促使土中叶腋处萌发种球,并使植株所造营养物质向这些种球回流;将种球割除后,将种球重新栽到盆中,放置在气温15-25℃,土温保持在14-16℃,280-350lux的光照环境下栽培养护,待地上部分枯萎后,能够获得更多籽球;割除种球后,上盆剩下的植株直接栽培到盆中用于开花观赏或在这段主茎末端用专用的染色剂进行染色操作再用于开花观赏;染色操作为将花茎直接插到化学染色剂或食用色素中,温度控制在20-25℃,花茎下部插入染色剂的深度控制在6-12cm,染色1-8小时后,将花茎取出放到保鲜剂中,用于七彩百合销售观赏;

e、收集籽球:等到地上植株枯死后,即可扣盆收集籽球。

下面结合实施例对本发明作进一步的说明:

实施例1

一种百合种球的套盆两段根繁殖方法,该方法的步骤如下:

a、母株选取:选取种球周径大于等于14cm发育良好、健康并且无病虫害的。百合种球;

b、催芽处理:将种球种植并放置在气温10℃,土温保持在13℃,240lux的光照环境下持续培养15天以上催芽;

c、套盆处理:当百合种球芽长至4.5cm进行套盆:将一个或多个种球均匀摆放在生产盆中的盆底部,摆好后填入透气排水性良好的基质至淹没种球,另取一个生长盆,按每盆生产球的数量打孔,将盆座在下盆的土面上,也就是种球和种芽的接合部,然后填入盆土;优选的,上述生产盆和生长盆皆为上宽下窄的花盆;优选的,生产盆和生长盆规格相同;

d、切割种球:待植株花显色后,将上盆从下盆中端起来,此时种球浮在上盆盆底下方,用锋利的工具,将种球割除;将种球割除后,将种球重新栽到盆中,放置在气温15℃,土温保持在14℃,280lux的光照环境下栽培养护,待地上部分枯萎后,能够获得更多籽球;割除种球后,上盆剩下的植株直接栽培到盆中用于开花观赏或在这段主茎末端用专用的染色剂进行染色操作再用于开花观赏;染色操作为将花茎直接插到化学染色剂或食用色素中,温度控制在20℃,花茎下部插入染色剂的深度控制在6cm,染色1小时后,将花茎取出放到保鲜剂中,用于七彩百合销售观赏;

e、收集籽球:等到地上植株枯死后,即可扣盆收集籽球。

实施例2

一种百合种球的套盆两段根繁殖方法,该方法的步骤如下:

a、母株选取:选取种球周径大于等于14cm发育良好、健康并且无病虫害的。百合种球;

b、催芽处理:将种球种植并放置在气温20℃,土温保持在14℃,270lux的光照环境下持续培养15天以上催芽;

c、套盆处理:当百合种球芽长至5.5cm进行套盆:将一个或多个种球均匀摆放在生产盆中的盆底部,摆好后填入透气排水性良好的基质至淹没种球,另取一个生长盆,按每盆生产球的数量打孔,将盆座在下盆的土面上,也就是种球和种芽的接合部,然后填入盆土;优选的,上述生产盆和生长盆皆为上宽下窄的花盆;优选的,生产盆和生长盆规格相同;

d、切割种球:待植株花显色后,将上盆从下盆中端起来,此时种球浮在上盆盆底下方,用锋利的工具,将种球割除;将种球割除后,将种球重新栽到盆中,放置在气温20℃,土温保持在15℃,320lux的光照环境下栽培养护,待地上部分枯萎后,能够获得更多籽球;割除种球后,上盆剩下的植株直接栽培到盆中用于开花观赏或在这段主茎末端用专用的染色剂进行染色操作再用于开花观赏;染色操作为将花茎直接插到化学染色剂或食用色素中,温度控制在23℃,花茎下部插入染色剂的深度控制在9cm,染色5小时后,将花茎取出放到保鲜剂中,用于七彩百合销售观赏;

e、收集籽球:等到地上植株枯死后,即可扣盆收集籽球。

实施例3

一种百合种球的套盆两段根繁殖方法,该方法的步骤如下:

a、母株选取:选取种球周径大于等于14cm发育良好、健康并且无病虫害的。百合种球;

b、催芽处理:将种球种植并放置在气温25℃,土温保持在15℃,300lux的光照环境下持续培养15天以上催芽;

c、套盆处理:当百合种球芽长至7cm进行套盆:将一个或多个种球均匀摆放在生产盆中的盆底部,摆好后填入透气排水性良好的基质至淹没种球,另取一个生长盆,按每盆生产球的数量打孔,将盆座在下盆的土面上,也就是种球和种芽的接合部,然后填入盆土;优选的,上述生产盆和生长盆皆为上宽下窄的花盆;优选的,生产盆和生长盆规格相同;

d、切割种球:待植株花显色后,将上盆从下盆中端起来,此时种球浮在上盆盆底下方,用锋利的工具,将种球割除;将种球割除后,将种球重新栽到盆中,放置在气温25℃,土温保持在16℃,350lux的光照环境下栽培养护,待地上部分枯萎后,能够获得更多籽球;割除种球后,上盆剩下的植株直接栽培到盆中用于开花观赏或在这段主茎末端用专用的染色剂进行染色操作再用于开花观赏;染色操作为将花茎直接插到化学染色剂或食用色素中,温度控制在25℃,花茎下部插入染色剂的深度控制在12cm,染色8小时后,将花茎取出放到保鲜剂中,用于七彩百合销售观赏;

e、收集籽球:等到地上植株枯死后,即可扣盆收集籽球。

以上实施例仅为说明本发明的技术思想,不能以此限定本发明的保护范围,凡是按照本发明提出的技术思想,在技术方案基础上所做的任何改动,均落入本发明保护范围之内;本发明未涉及的技术均可通过现有技术加以实现。

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