本发明属于冷冻保藏技术领域，涉及一种低温冷冻活体保质方法。
背景技术：
传统的冷藏技术只能实现对植物枝条、果实、种子、根茎、叶片等的短期保鲜、保存，当长时间保存时植物会出现萎蔫，甚至腐烂，尤其是无法实现长时间冷藏后植物根茎依旧保持活体并可以用于再次栽培。这是因为植物细胞内含有大量水分，水在4℃时的密度最大体积最小，温度的升高和降低都会使水体积增加，而传统的冷藏技术大多在密闭不通风条件下对植物进行快速降温冷冻，这样导致植物细胞内的自由水来不及流失而结冰体积增大刺破细胞，植物细胞结构遭到不可逆转的破坏，细胞结构的完好是保质和保存活性的重要条件。
技术实现要素：
本发明提出一种低温冷冻活体保质方法，解决了上述技术问题。
一种低温冷冻活体保质方法，其特征在于，包括以下步骤：
a、材料预处理：将新鲜植物根茎表面泥土清除；
b、降温脱水处理：在通风条件下，将步骤a中的新鲜植物根茎进行梯度降温处理得到0℃以下的低温脱水植物根茎，梯度降温在4℃时采取最慢的降温速度且小于1.0℃/d；
c、喷水通气保存：保持步骤b中低温脱水植物根茎温度恒定，并向所述低温脱水植物根茎提供空气，同时按照周期喷洒水雾并在其表面形成保温补水冰层，得到冷冻活体植物根茎；
d、升温补水处理：在通风条件下，将步骤c中的冷冻活体植物根茎进行梯度升温处理得到保质植物根茎，所述梯度升温在4℃时采取最慢的升温速度且小于1.0℃/d。
作为进一步技术方案，所述步骤b中通风的风速保持恒定，梯度降温分为依次进行的大于5℃的一级降温、5℃～0℃的二级降温、小于0℃的三级降温，所述一级降温的速度大于所述三级降温速度，所述三级降温的速度大于所述二级降温的速度。
作为进一步技术方案，所述步骤b中通风的风速为0.1m/s～0.3m/s，所述二级降温的速度为0.1℃/d～0.9℃/d，所述三级降温的速度为1.0℃/d～2.0℃/d。
作为进一步技术方案，所述步骤c中空气应为新鲜空气，保温补水冰层厚度为0.1mm～2.0mm，喷洒水雾周期根据保温补水冰层的厚度进行调整。
作为进一步技术方案，所述步骤d中通风的风速保持恒定且为0.2m/s～0.4m/s，梯度升温分为小于0℃的一级升温、0℃～5℃的二级升温、大于5℃的三级升温，二级升温速度为0.1℃/d～0.9℃/d，所述一级升温速度为1.0℃/d～2.0℃/d，所述三级升温为自然升温。
作为进一步技术方案，所述新鲜植物根茎为菊苣根，所述二级降温的速度为0.5℃/d，所述三级降温速度为1.5℃/d，所述梯度降温最终温度为-8℃时保存时间为1年，所述梯度降温最终温度为-3℃～-5℃时保存时间为0.5年，所述冰层厚度为1mm，所述梯度降温所述喷洒水雾周期为三天一次。
作为进一步技术方案，所述步骤d进行梯度升温的过程中向冷冻活体植物根茎不间断通入新鲜空气，同时间歇性喷洒磁化水，其中新鲜空气的流速为0.2m/s。
作为进一步技术方案，所述步骤d进行梯度升温的过程中向冷冻活体植物根茎喷洒含氧水进行补水补氧处理，含氧水的喷洒周期为一天一次。
作为进一步技术方案，所述步骤c中冷冻活体植物根茎在喷洒水雾的过程中进行光照处理，不喷洒水雾时不进行光照，所述步骤d中梯度升温处理时进行梯度光照处理。
作为进一步技术方案，所述梯度光照包括光照强度依次增强的一级光照、二级光照、三级光照，所述一级光照、二级光照、三级光照的光照强度依次为10lux～30lux、40lux～60lux、60lux～100lux。
本发明原理及有益效果为：
1、本发明中，采用通风条件下对植物根茎进行梯度降温，通风和梯度降温有利于植物根茎在降温的过程中缓慢脱去水分；同时由于水在4℃时的密度最大体积最小，因此植物细胞在4℃时体积变化较大，如果在4℃时采取快速降温会造成植物细胞不可逆转的受损，采取梯度降温在4℃时降温速度最慢且小于1.0℃/d，这样可以避免植物细胞结构受损失活，保证植物细胞结构完好，有利于植物根茎的保质和保存活性。
2、本发明中，在喷水通气保存条件下保存低温脱水植物根茎，通气即向低温脱水植物根茎提供新鲜空气，保证低温脱水植物根茎的基本呼吸作用，避免植物腐烂；定期喷洒水雾在其表面形成保温补水冰层，冰层一方面有利于保持低温恒定，另一方面可以向低温脱水植物根茎补充生命活动必须的水分，冰层太薄不利于保温和补水，冰层太厚不利于植物呼吸作用进行，合适的冰层厚度保证植物处于活体冷冻的状态，延长植物根茎活体保存的时间。
3、本发明中，采用通风即提供氧气的条件下对冷冻活体植物根茎进行梯度升温，梯度升温4℃时升温速度最慢且小于1.0℃/d，缓慢的梯度升温有利于冷冻活体植物根茎在解冻过程中缓慢吸收冰层熔化的水分，保证植物细胞逐渐恢复到正常含水状态，避免升温过快植物细胞结构受损，有利于解冻后植物活体栽培。
4、本发明中，在通风情况、梯度降温的降温速度、梯度升温的升温速度、保温补水冰层的厚度都适宜的条件下，通过改变冷冻活体植物根茎的冷冻保存温度可以调节植物根茎的活体保存时间，如在通风条件下，二级降温的速度为0.5℃/d，三级降温速度为1.5℃/d，冰层厚度为1mm，梯度降温最终温度为-8℃时菊苣根保存时间约为1年，解冻后可用于菊苣茶、咖啡代用品及中药饮片的加工和生产，同时解冻后可用于水培生产菊苣菜，梯度降温最终温度为-3℃～-5℃时保存时间约为半年。
5、本发明中，喷水保存步骤c中采取喷普通水、磁化水、含氧水对活体保存时间和活体栽培成活率均有影响，其中与喷普通水相比采取喷洒磁化水、含氧水均有利于延长菊苣根的活体保存时间，提高菊苣根的活体栽培成活率；同时，在升温补水步骤d中采取梯度光照与采取直接光照相比，梯度光照能够提高活体栽培成活率。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种低温冷冻活体保质方法，其特征在于，包括以下步骤：
a、材料预处理：将菊苣根表面泥土、杂物清除；
b、降温脱水处理：在保持通风风速为0.1m/s，将步骤a中的菊苣根进行梯度降温处理，先以10℃/d的降温速度从室温降到5℃，然后以0.1℃/d的降温速度从5℃降到0℃，之后以1.0℃/d的降温速度从0℃降到-3℃，得到低温脱水菊苣根；
c、喷水通气保存：保持步骤b中低温脱水菊苣根在-3℃温度恒定，并向低温脱水菊苣根提供空气，空气流速为0.2m/s，同时三天一次对其喷洒水雾，并在其表面形成厚度为0.1mm的保温补水冰层，得到冷冻活体菊苣根；
d、升温补水处理：在保持通风风速为0.2m/s，将步骤c中的冷冻活体菊苣根进行梯度升温，即以1.0℃/d的升温速度从-3℃升到0℃，然后以0.1℃/d的升温速度从0℃升到5℃，最后以10℃/d的升温速度从5℃升到室温，得到保质菊苣根。
实施例2
一种低温冷冻活体保质方法，其特征在于，包括以下步骤：
a、材料预处理：将菊苣根表面泥土清除，并摘除黄叶；
b、降温脱水处理：在保持通风风速为0.1m/s，将步骤a中的菊苣根进行梯度降温处理，先以10℃/d的降温速度从室温降到5℃，然后以0.5℃/d的降温速度从5℃降到0℃，之后以1.5℃/d的降温速度从0℃降到-3℃，得到低温脱水菊苣根；
c、喷水通气保存：保持步骤b中低温脱水菊苣根在-3℃温度恒定，并向低温脱水菊苣根提供空气，空气流速为0.2m/s，同时三天一次对其喷洒水雾，并在其表面形成厚度为0.1mm的保温补水冰层，得到冷冻活体菊苣根；
d、升温补水处理：在保持通风风速为0.2m/s，将步骤c中的冷冻活体菊苣根进行梯度升温，即以1.0℃/d的升温速度从-3℃升到0℃，然后以0.1℃/d的升温速度从0℃升到5℃，最后以10℃/d的升温速度从5℃升到室温，得到保质菊苣根。
实施例3
一种低温冷冻活体保质方法，其特征在于，包括以下步骤：
a、材料预处理：将菊苣根表面泥土、杂物清除；
b、降温脱水处理：在保持通风风速为0.1m/s，将步骤a中的菊苣根进行梯度降温处理，先以10℃/d的降温速度从室温降到5℃，然后以0.5℃/d的降温速度从5℃降到0℃，之后以2.0℃/d的降温速度从0℃降到-3℃，得到低温脱水菊苣根；
c、喷水通气保存：保持步骤b中低温脱水菊苣根在-3℃温度恒定，并向低温脱水菊苣根提供空气，空气流速为0.2m/s，同时三天一次对其喷洒水雾，并在其表面形成厚度为0.1mm的保温补水冰层，得到冷冻活体菊苣根；
d、升温补水处理：在保持通风风速为0.2m/s，将步骤c中的冷冻活体菊苣根进行梯度升温，即以1.0℃/d的升温速度从-3℃升到0℃，然后以0.1℃/d的升温速度从0℃升到5℃，最后以10℃/d的升温速度从5℃升到室温，得到保质菊苣根。
实施例4
一种低温冷冻活体保质方法，其特征在于，包括以下步骤：
a、材料预处理：将菊苣根表面泥土、杂物清除；
b、降温脱水处理：在保持通风风速为0.1m/s，将步骤a中的菊苣根进行梯度降温处理，先以10℃/d的降温速度从室温降到5℃，然后以0.9℃/d的降温速度从5℃降到0℃，之后以2.0℃/d的降温速度从0℃降到-3℃，得到低温脱水菊苣根；
c、喷水通气保存：保持步骤b中低温脱水菊苣根在-3℃温度恒定，并向低温脱水菊苣根提供空气，空气流速为0.2m/s，同时三天一次对其喷洒水雾，并在其表面形成厚度为0.1mm的保温补水冰层，得到冷冻活体菊苣根；
d、升温补水处理：在保持通风风速为0.2m/s，将步骤c中的冷冻活体菊苣根进行梯度升温，即以1.0℃/d的升温速度从-3℃升到0℃，然后以0.1℃/d的升温速度从0℃升到5℃，最后以10℃/d的升温速度从5℃升到室温，得到保质菊苣根。
实施例5
一种低温冷冻活体保质方法，其特征在于，包括以下步骤：
a、材料预处理：将菊苣根表面泥土、杂物清除；
b、降温脱水处理：在保持通风风速为0.1m/s，将步骤a中的菊苣根进行梯度降温处理，先以10℃/d的降温速度从室温降到5℃，然后以0.5℃/d的降温速度从5℃降到0℃，之后以1.5℃/d的降温速度从0℃降到-3℃，得到低温脱水菊苣根；
c、喷水通气保存：保持步骤b中低温脱水菊苣根在-3℃温度恒定，并向低温脱水菊苣根提供空气，空气流速为0.2m/s，同时三天一次对其喷洒水雾，并在其表面形成厚度为0.1mm的保温补水冰层，得到冷冻活体菊苣根；
d、升温补水处理：在保持通风风速为0.2m/s，将步骤c中的冷冻活体菊苣根进行梯度升温，即以1.5℃/d的升温速度从-3℃升到0℃，然后以0.5℃/d的升温速度从0℃升到5℃，最后以10℃/d的升温速度从5℃升到室温，得到保质菊苣根。
实施例6
一种低温冷冻活体保质方法，其特征在于，包括以下步骤：
a、材料预处理：将菊苣根表面泥土、杂物清除；
b、降温脱水处理：在保持通风风速为0.3m/s，将步骤a中的菊苣根进行梯度降温处理，先以5℃/d的降温速度从室温降到5℃，然后以0.5℃/d的降温速度从5℃降到0℃，之后以1.5℃/d的降温速度从0℃降到-5℃，得到低温脱水菊苣根；
c、喷水通气保存：保持步骤b中低温脱水菊苣根在-5℃温度恒定，并向低温脱水菊苣根提供空气，空气流速为0.2m/s，同时三天一次对其喷洒水雾，并在其表面形成厚度为1.0mm的保温补水冰层，得到冷冻活体菊苣根；
d、升温补水处理：在保持通风风速为0.2m/s，将步骤c中的冷冻活体菊苣根进行梯度升温，即以1.5℃/d的升温速度从-5℃升到0℃，然后以0.5℃/d的升温速度从0℃升到5℃，最后以10℃/d的升温速度从5℃升到室温，得到保质菊苣根。
实施例7
一种低温冷冻活体保质方法，其特征在于，包括以下步骤：
a、材料预处理：将菊苣根表面泥土、杂物清除；
b、降温脱水处理：在保持通风风速为0.3m/s，将步骤a中的菊苣根进行梯度降温处理，先以5℃/d的降温速度从室温降到5℃，然后以0.5℃/d的降温速度从5℃降到0℃，之后以1.5℃/d的降温速度从0℃降到-5℃，得到低温脱水菊苣根；
c、喷水通气保存：保持步骤b中低温脱水菊苣根在-5℃温度恒定，并向低温脱水菊苣根提供空气，空气流速为0.2m/s，同时三天一次对其喷洒水雾，并在其表面形成厚度为1.0mm的保温补水冰层，得到冷冻活体菊苣根；
d、升温补水处理：在保持通风风速为0.5m/s，将步骤c中的冷冻活体菊苣根进行梯度升温，即以1.5℃/d的升温速度从-5℃升到0℃，然后以0.5℃/d的升温速度从0℃升到5℃，最后以5℃/d的升温速度从5℃升到室温，得到保质菊苣根。
实施例8
一种低温冷冻活体保质方法，其特征在于，包括以下步骤：
a、材料预处理：将菊苣根表面泥土清除，并摘除黄叶；
b、降温脱水处理：在保持通风风速为0.3m/s，将步骤a中的菊苣根进行梯度降温处理，先以5℃/d的降温速度从室温降到5℃，然后以0.5℃/d的降温速度从5℃降到0℃，之后以1.5℃/d的降温速度从0℃降到-5℃，得到低温脱水菊苣根；
c、喷水通气保存：保持步骤b中低温脱水菊苣根在-5℃温度恒定，并向低温脱水菊苣根提供空气，空气流速为0.2m/s，同时三天一次对其喷洒水雾，并在其表面形成厚度为1.5mm的保温补水冰层，得到冷冻活体菊苣根；
d、升温补水处理：在保持通风风速为0.5m/s，将步骤c中的冷冻活体菊苣根进行梯度升温，即以1.5℃/d的升温速度从-5℃升到0℃，然后以0.5℃/d的升温速度从0℃升到5℃，最后以5℃/d的升温速度从5℃升到室温，得到保质菊苣根。
实施例9
一种低温冷冻活体保质方法，其特征在于，包括以下步骤：
a、材料预处理：将菊苣根表面泥土、杂物清除；
b、降温脱水处理：在保持通风风速为0.3m/s，将步骤a中的菊苣根进行梯度降温处理，先以5℃/d的降温速度从室温降到5℃，然后以0.5℃/d的降温速度从5℃降到0℃，之后以1.5℃/d的降温速度从0℃降到-5℃，得到低温脱水菊苣根；
c、喷水通气保存：保持步骤b中低温脱水菊苣根在-5℃温度恒定，并向低温脱水菊苣根提供空气，空气流速为0.2m/s，同时三天一次对其喷洒水雾，并在其表面形成厚度为1.0mm的保温补水冰层，得到冷冻活体菊苣根；
d、升温补水处理：在保持通风风速为0.5m/s，将步骤c中的冷冻活体菊苣根进行梯度升温，即以1.5℃/d的升温速度从-3℃升到0℃，然后以0.9℃/d的升温速度从0℃升到5℃，最后以5℃/d的升温速度从5℃升到室温，得到保质菊苣根。
实施例10
一种低温冷冻活体保质方法，其特征在于，包括以下步骤：
a、材料预处理：将菊苣根表面泥土、杂物清除；
b、降温脱水处理：在保持通风风速为0.3m/s，将步骤a中的菊苣根进行梯度降温处理，先以5℃/d的降温速度从室温降到5℃，然后以0.5℃/d的降温速度从5℃降到0℃，之后以1.5℃/d的降温速度从0℃降到-5℃，得到低温脱水菊苣根；
c、喷水通气保存：保持步骤b中低温脱水菊苣根在-5℃温度恒定，并向低温脱水菊苣根提供空气，空气流速为0.2m/s，同时三天一次对其喷洒水雾，并在其表面形成厚度为1.0mm的保温补水冰层，得到冷冻活体菊苣根；
d、升温补水处理：在保持通风风速为0.5m/s，将步骤c中的冷冻活体菊苣根进行梯度升温，即以2.0℃/d的升温速度从-5℃升到0℃，然后以0.9℃/d的升温速度从0℃升到5℃，最后以5℃/d的升温速度从5℃升到室温，得到保质菊苣根。
实施例11
一种低温冷冻活体保质方法，其特征在于，包括以下步骤：
a、材料预处理：将菊苣根表面泥土、杂物清除；
b、降温脱水处理：在保持通风风速为0.3m/s，将步骤a中的菊苣根进行梯度降温处理，先以5℃/d的降温速度从室温降到5℃，然后以0.5℃/d的降温速度从5℃降到0℃，之后以1.5℃/d的降温速度从0℃降到-5℃，得到低温脱水菊苣根；
c、喷水通气保存：保持步骤b中低温脱水菊苣根在-5℃温度恒定，并向低温脱水菊苣根提供空气，空气流速为0.4m/s，同时三天一次对其喷洒水雾，并在其表面形成厚度为1.0mm的保温补水冰层，得到冷冻活体菊苣根；
d、升温补水处理：在保持通风风速为0.5m/s，将步骤c中的冷冻活体菊苣根进行梯度升温，即以1.5℃/d的升温速度从-5℃升到0℃，然后以0.5℃/d的升温速度从0℃升到5℃，最后以5℃/d的升温速度从5℃升到室温，得到保质菊苣根。
实施例12
一种低温冷冻活体保质方法，其特征在于，包括以下步骤：
a、材料预处理：将菊苣根表面泥土、杂物清除；
b、降温脱水处理：在保持通风风速为0.3m/s，将步骤a中的菊苣根进行梯度降温处理，先以5℃/d的降温速度从室温降到5℃，然后以0.5℃/d的降温速度从5℃降到0℃，之后以1.5℃/d的降温速度从0℃降到-8℃，得到低温脱水菊苣根；
c、喷水通气保存：保持步骤b中低温脱水菊苣根在-8℃温度恒定，并向低温脱水菊苣根提供空气，空气流速为0.2m/s，同时三天一次对其喷洒水雾，并在其表面形成厚度为1.0mm的保温补水冰层，得到冷冻活体菊苣根；
d、升温补水处理：在保持通风风速为0.5m/s，将步骤c中的冷冻活体菊苣根进行梯度升温，即以1.5℃/d的升温速度从-8℃升到0℃，然后以0.5℃/d的升温速度从0℃升到5℃，最后以5℃/d的升温速度从5℃升到室温，得到保质菊苣根。
实施例13
一种低温冷冻活体保质方法，其特征在于，包括以下步骤：
a、材料预处理：将菊苣根表面泥土、杂物清除；
b、降温脱水处理：在保持通风风速为0.3m/s，将步骤a中的菊苣根进行梯度降温处理，先以5℃/d的降温速度从室温降到5℃，然后以0.5℃/d的降温速度从5℃降到0℃，之后以1.5℃/d的降温速度从0℃降到-10℃，得到低温脱水菊苣根；
c、喷水通气保存：保持步骤b中低温脱水菊苣根在-10℃温度恒定，并向低温脱水菊苣根提供空气，空气流速为0.2m/s，同时三天一次对其喷洒水雾，并在其表面形成厚度为1.0mm的保温补水冰层，得到冷冻活体菊苣根；
d、升温补水处理：在保持通风风速为0.5m/s，将步骤c中的冷冻活体菊苣根进行梯度升温，即以1.5℃/d的升温速度从-10℃升到0℃，然后以0.5℃/d的升温速度从0℃升到5℃，最后以5℃/d的升温速度从5℃升到室温，得到保质菊苣根。
实施例14
一种低温冷冻活体保质方法，其特征在于，包括以下步骤：
a、材料预处理：将菊苣根表面泥土、杂物清除；
b、降温脱水处理：在保持通风风速为0.3m/s，将步骤a中的菊苣根进行梯度降温处理，先以5℃/d的降温速度从室温降到-5℃，得到低温脱水菊苣根；
c、喷水通气保存：保持步骤b中低温脱水菊苣根在-5℃温度恒定，并向低温脱水菊苣根提供空气，空气流速为0.2m/s，同时三天一次对其喷洒水雾，并在其表面形成厚度为1.0保温补水冰层，得到冷冻活体菊苣根；
d、升温补水处理：在保持通风风速为0.5m/s，将步骤c中的冷冻活体菊苣根进行梯度升温，即以1.5℃/d的升温速度从-5℃升到0℃，然后以0.5℃/d的升温速度从0℃升到5℃，最后以5℃/d的升温速度从5℃升到室温得到解冻菊苣根。
实施例15
一种低温冷冻活体保质方法，其特征在于，包括以下步骤：
a、材料预处理：将菊苣根表面泥土、杂物清除；
b、降温脱水处理：在保持通风风速为0.3m/s，将步骤a中的菊苣根进行梯度降温处理，先以5℃/d的降温速度从室温降到5℃，然后以0.5℃/d的降温速度从5℃降到0℃，之后以1.5℃/d的降温速度从0℃降到-5℃，得到低温脱水菊苣根；
c、喷水通气保存：保持步骤b中低温脱水菊苣根在-5℃温度恒定，并向低温脱水菊苣根提供空气，空气流速为0.2m/s，同时三天一次对其喷洒水雾，并在其表面形成厚度为1.0mm的保温补水冰层，得到冷冻菊苣根；
d、升温补水处理：在保持通风风速为0.4m/s，将步骤c中的冷冻活体菊苣根进行升温，即以5℃/d的升温速度从-5℃升到室温得到解冻菊苣根。
实施例16
一种低温冷冻活体保质方法，其特征在于，包括以下步骤：
a、材料预处理：将菊苣根表面泥土、杂物清除；
b、降温脱水处理：在保持通风风速为0.3m/s，将步骤a中的菊苣根进行梯度降温处理，先以10℃/d的降温速度从室温降到-8℃，得到低温脱水菊苣根；
c、喷水通气保存：保持步骤b中低温脱水菊苣根在-8℃温度恒定，并向低温脱水菊苣根提供空气，空气流速为0.2m/s，同时三天一次对其喷洒水雾，并在其表面形成厚度为1.0mm的保温补水冰层，得到冷冻菊苣根；
d、升温补水处理：在保持通风风速为0.5m/s，将步骤c中的冷冻活体菊苣根进行梯度升温，即以1.5℃/d的升温速度从-8℃升到0℃，然后以0.5℃/d的升温速度从0℃升到5℃，最后以5℃/d的升温速度从5℃升到室温，得到解冻菊苣根。
实施例17
一种低温冷冻活体保质方法，其特征在于，包括以下步骤：
a、材料预处理：将菊苣根表面泥土、杂物清除；
b、降温处理：在不通风的条件下，将步骤a中的菊苣根进行梯度降温处理，先以5℃/d的降温速度从室温降到5℃，然后以0.5℃/d的降温速度从5℃降到0℃，之后以1.5℃/d的降温速度从0℃降到-5℃，得到低温菊苣根；
c、喷水保存：保持步骤b中低温菊苣根在-5℃温度恒定，在不通风的情况下，三天一次对其喷洒水雾，并在其表面形成厚度为1.0mm的保温补水冰层，得到冷冻菊苣根；
d、升温补水处理：在不通风情况下，将步骤c中的冷冻菊苣根进行梯度升温，即以1.5℃/d的升温速度从-5℃升到0℃，然后以0.5℃/d的升温速度从0℃升到5℃，最后以5℃/d的升温速度从5℃升到室温，得到解冻菊苣根。
按照实施例1～17分别对1000个菊苣根进行活体保存，然后对活体保存的时间进行测试，测试结果表明通风情况、梯度降温的降温速度、梯度升温的升温速度、保温补水冰层的厚度都对菊苣根活体保存时间具有重要影响。通过实施例1～13与实施例14～17的对比，可知不通风、不梯度升降温或者升降温速度过快、冰层的厚度太薄或太厚都会导致菊苣根活体保存时间大大缩短；通过实施例1～13说明通风速度的大小并不直接影响菊苣根活体保存时间，但通风能够提供氧气、缓慢带走水分，有助于植物缓慢脱水和呼吸作用进行，从而间接影响菊苣根活体保存时间；通过实施例7和实施例12可知，在通风条件下，二级降温的速度为0.5℃/d，三级降温速度为1.5℃/d，冰层厚度为1mm，梯度降温最终温度为-8℃时保存时间约为1年，解冻后可用于菊苣茶、咖啡代用品及中药饮片的加工和生产，同时菊苣根茎可保持活体，解冻后可用于水培生产菊苣菜，梯度降温最终温度为-3℃～-5℃时保存时间约为半年，测试结果如表1：
表1实施例1～17的数据
实施例18
一种低温冷冻活体保质方法，其特征在于，步骤c中三天一次对菊苣根表面喷洒含氧水，其他同实施例7。
实施例19
一种低温冷冻活体保质方法，其特征在于，步骤c中三天一次对菊苣根表面喷洒含氧水，其他同实施例12。
实施例20
一种低温冷冻活体保质方法，其特征在于，步骤c中三天一次对菊苣根表面喷洒磁化水，其他同实施例7。
实施例21
一种低温冷冻活体保质方法，其特征在于，步骤c中三天一次对菊苣根表面喷洒磁化水，其他同实施例12。
实施例22
一种低温冷冻活体保质方法，其特征在于，步骤c中三天一次对菊苣根表面喷洒水雾，该水雾为普通水，且梯度升温的过程中进行梯度光照，其他同实施例7。
实施例23
一种低温冷冻活体保质方法，其特征在于，步骤c中三天一次对菊苣根表面喷洒水雾，该水雾为普通水，且梯度升温的过程中进行梯度光照，其他同实施例12。
按照实施例7、12、18～23分别对1000个菊苣根进行活体保存，然后对活体保存的时间，以及解冻后的菊苣根水培成活率进行测试，测试结果表明喷水保存步骤c中采取喷普通水、磁化水、含氧水对活体保存时间和活体栽培成活率均有影响，其中与喷普通水相比采取喷洒磁化水、含氧水均有利于延长菊苣根的活体保存时间，提高菊苣根的活体栽培生产菊苣菜成活率；同时，在升温补水步骤d中采取梯度光照与采取直接光照相比，梯度光照能够提高活体栽培成活率。测试结果如表2：
表2实施例17～16的数据
综上：依照实施例1～13的方法可以实现植物如菊苣根的较长时间的冷冻保藏，可以根据需求调节植物的活体保藏时间，实现一年四季均有该类新鲜植物的供应，方便保质保鲜和栽培。
同时，该方法同样适用于萝卜、红薯、姜等植物根茎的保存。
以上仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。