本发明涉及一种高品质的红皮洋葱选育方法，属于洋葱选育技术领域。
背景技术
洋葱是一种具有食疗价值和营养丰富的保健性蔬菜，被称为蔬菜皇后，尤其是在降血脂、防治血管硬化和高血压、抗糖尿病、抗癌、抗衰老等方面已被消费者认识和接受；洋葱属于世界性蔬菜，生产面积居第三位(马铃薯第一、番茄第二)；据联合国粮农组织统计，全世界洋葱种植面积为306.95万公顷，产量为5343.3万吨；我国洋葱种植面积和产量均居世界首位，占世界种植面积和产量的近1/3；近年，通过对市场的调研及与兄弟单位的研究、分析、探讨发现，紫皮洋葱鲜菜市场销量逐年增大，国内需求潜力极大。然而，洋葱生产存在的一些问题逐渐显现出来：一是优良品种少，生产上用的品种多为常规种，产量低、品质差，抗病性、抗逆性、耐贮性不高；二是出口创汇品种多为国外引进品种，种子价格高，管理要求严格；三是产业化程度低，品种散乱，种植水平低；四是缺乏高效配套技术，难以实现高效的现代农业发展之路；而洋葱育种水平不高的原因主要有三个方面：一是洋葱属于两年生作物，从种子到种子需三个年头，生长周期长；二是洋葱属于国外引进品种，缺乏育种的种质资源；三是洋葱在全国种植面积较大，但种植分散，育种重视程度不够。
现有的洋葱育种大多采用传统的选育方法，由于广泛引种、自繁、繁种技术不规范等导致品种混杂、种性退化、个体整齐度差和抗性差；因此，为了满足市场需求，亟待研究一种新的洋葱选育方法。激光诱变育种是用激光作为基因诱变因素的一种诱变育种，其操作简单，育种年限短，一般在诱变后3～4代选择鉴定即可进行区域试验，比杂交育种缩短3～4年，本发明将激光诱变育种方法与杂交育种方法结构，提出了一种高品质的红皮洋葱选育方法。
技术实现要素：
为解决上述问题，本发明提出了一种高品质的红皮洋葱选育方法，得到中晚熟、产量高、辛辣味强、株形紧凑、早期抽薹率低、耐贮性好、耐寒、耐干旱、品质好，且亩产量为7000kg～9000kg的洋葱新品种。
本发明的高品质的红皮洋葱选育方法，所述方法包括以下步骤：
所述方法包括以下步骤：
第一步，选育杂交亲本，
1)母本自交系选育：根据洋葱特性进行分类，选取各特性代表的若干亲本洋葱种子，并对亲本材料洋葱其湿种子进行激光诱变，选育出诱变后的优良株系作为母本资源集；
2)父本自交系选育：从不同性状的洋葱资源中进行单株自交、定向选择培育稳定纯合的父本自交系，并进行综合性状鉴定，选育出优良的父本自交系作为父本资源集；
第二步，杂交育种，根据洋葱性状要求，选取与其对应的某一性状的至少一种父本自交系分别与母本资源集内的各母本自交系杂交育种得到洋葱新品种。
作为优选的实施方案，对所述第一步其母本资源集中的某一洋葱湿种子分三组进行激光诱变，其具体操作方法如下：辐照亲本材料为云南元谋红皮洋葱种子，采用输出功率为3mw的he-ne激光对三组亲本分别辐照10分钟，20分钟和30分钟；采用花钵育苗，大田移栽规格为13cmx17cm，黑膜覆盖，并采用随机区组设计，重复3次；选育出生长状况优良单株，且将该优良单株在自然低温的寒冷胁迫条件下，根据育种目标对自交后代进行选择，经5代自交选育出产量高、耐贮存且抗病性好的株系作为母本。
作为优选的实施方案，对所述第一步其母本资源集中的某一洋葱湿种子分三组进行激光诱变，具体操作方法如下：辐照亲本材料为云南元谋红皮洋葱种子，用输出功率为25w的co2激光分别辐照三组亲本2秒，5秒和8秒；采用花钵育苗，大田移栽规格为13cmx17cm，黑膜覆盖，并采用随机区组设计，重复3次；选育出生长状况优良单株，且将该优良单株在自然低温的寒冷胁迫条件下，根据育种目标对自交后代进行选择，经5代自交选育出产量高、耐贮存且抗病性好的株系作为母本。
作为优选的实施方案，所述第一步的选育杂交亲本中，母本系选育在辐照前1天，将种子用清水浸泡10小时。
作为优选的实施方案，所述第一步的选育杂交亲本中，父本自交系选育的具体操作方法如下：选取优质西昌红皮洋葱单株，任其自然发病，在自然降水、自然低温的干旱、寒冷、不防病条件下，选优去劣，经5代自交选育出出产量高、辛辣味强、抗病性好、耐贮存且早期抽薹率低的自交系作为父本。
作为优选的实施方案，所述第二步的杂交育种其具有操作方法如下：首先，将第一步中选育的母本自交系和父本自交系杂交，获得多个杂交单株；然后，将多个杂交单株进行培育，在自然降水和低温环境下比较其生长发育情况，并记载其长势、产量情况、抗病性、早期抽薹情况及贮存性状，从中选出第一优良组合；再对选出的第一优良组合重复试验，扩大种植面积，重复3次试验，记载其长势、产量情况、抗病性、早期抽薹情况及贮存性状，从中选出第二优良组合；选出洋葱最优杂交一代单株。
作为优选的实施方案，所述第一优良组合和第二优良组合选取方式具体如下：对所有的组合其长势、产量情况、抗病性、早期抽薹情况及贮存的每一性状进行分项评分，并根据选择要求，对每一性状设定一基础比例，并对所有组合进行积分叠加，积分越高的组合为最优组合，依次往下排列；其公式具体如下：
某一组合＝a*a+b*b+c*c+d*d+e*e；
其中，a、b、c、d和e均为基础比例即放大倍数，所述a、b、c、d和e取值范围为5～10；a、b、c、d和e为每一性状的评分分数，所述a、b、c、d和e取值范围为1～10；所述a*a为长势性状积分、b*b为产量性状积分、c*c为抗病性性状积分、d*d为早期抽薹性状积分和e*e为贮存性状积分。
本发明与现有技术相比较，本发明的高品质的红皮洋葱选育方法，选育后的品种生育期227天左右、中晚熟、产量高、辛辣味强、株形紧凑、早期抽薹率低、耐贮性好、耐寒、耐干旱，且亩产量为7000kg～9000kg。
具体实施方式
实施例1：
本发明的高品质的红皮洋葱选育方法，所述方法包括以下步骤：
所述方法包括以下步骤：
第一步，选育杂交亲本，
1)母本自交系选育：根据洋葱特性进行分类，选取各特性代表的多种亲本洋葱种子，并对亲本材料洋葱其湿种子进行激光诱变，选育出诱变后的优良株系作为母本资源集；
2)父本系选育：从不同性状的洋葱资源中进行单株自交、定向选择培育稳定纯合的父本自交系，并进行综合性状鉴定，选育出优良的父本自交系作为父本资源集；
第二步，杂交育种，根据洋葱性状要求，选取与其对应的某一性状的至少一父本自交系分别与母本资源集内的各母本自交系杂交育种得到洋葱新品种。
再一实施例中，对所述第一步其母本资源集中的某一洋葱湿种子分三组进行激光诱变，其具体操作方法如下：辐照亲本材料为云南元谋红皮洋葱种子，采用输出功率为3mw的he-ne激光对三组亲本分别辐照10分钟，20分钟和30分钟；采用花钵育苗，大田移栽规格为13cmx17cm，黑膜覆盖，并采用随机区组设计，重复3次；选育出生长状况优良单株，且将该优良单株在自然低温的寒冷胁迫条件下，根据育种目标对自交后代进行选择，经5代自交选育出产量高、耐贮存且抗病性好的株系作为母本。
再一实施例中，对所述第一步其母本资源集中的某一洋葱湿种子分三组进行激光诱变，具体操作方法如下：辐照亲本材料为云南元谋红皮洋葱种子，用输出功率为25w的co2激光分别辐照三组亲本2秒，5秒和8秒；采用花钵育苗，大田移栽规格为13cmx17cm，黑膜覆盖，并采用随机区组设计，重复3次；选育出生长状况优良单株，且将该优良单株在自然低温的寒冷胁迫条件下，根据育种目标对自交后代进行选择，经5代自交选育出产量高、耐贮存且抗病性好的株系作为母本。
再一实施例中，所述第一步的选育杂交亲本中，母本系选育在辐照前1天，将种子用清水浸泡10小时。
再一实施例中，所述第一步的选育杂交亲本中，父本自交系选育的具体操作方法如下：选取优质西昌红皮洋葱单株，任其自然发病，在自然降水、自然低温的干旱、寒冷、不防病条件下，选优去劣，经5代自交选育出出产量高、辛辣味强、抗病性好、耐贮存且早期抽薹率低的自交系作为父本。
再一实施例中，所述第二步的杂交育种其具有操作方法如下：首先，将第一步中选育的母本自交系和父本自交系杂交，获得多个杂交单株；然后，将多个杂交单株进行培育，在自然降水和低温环境下比较其生长发育情况，并记载其长势、产量情况、抗病性、早期抽薹情况及贮存性状，从中选出第一优良组合；再对选出的第一优良组合重复试验，扩大种植面积，重复3次试验，记载其长势、产量情况、抗病性、早期抽薹情况及贮存性状，从中选出第二优良组合；选出洋葱最优杂交一代单株。
再一实施例中，所述第一优良组合和第二优良组合选取方式具体如下：对所有的组合其长势、产量情况、抗病性、早期抽薹情况及贮存的每一性状进行分项评分，并根据选择要求，对每一性状设定一基础比例，并对所有组合进行积分叠加，积分越高的组合为最优组合，依次往下排列；其公式具体如下：
某一组合＝a*a+b*b+c*c+d*d+e*e；
其中，a、b、c、d和e均为基础比例即放大倍数，所述a、b、c、d和e取值范围为5～10；a、b、c、d和e为每一性状的评分分数，所述a、b、c、d和e取值范围为1～10；所述a*a为长势性状积分、b*b为产量性状积分、c*c为抗病性性状积分、d*d为早期抽薹性状积分和e*e为贮存性状积分。
实施例2：
本发明的高品质的红皮洋葱选育方法，将云南元谋红皮洋葱种子为亲本材料，并以激光诱变选育得到出生长状况优良单株，且将该优良单株在自然低温的寒冷胁迫条件下，根据育种目标对自交后代进行选择，经5代自交选育出产量高、耐贮存且抗病性好的株系作为母本系；将优质西昌红皮洋葱单株，任其自然发病，在自然降水、自然低温的干旱、寒冷、不防病条件下，选优去劣，经5代自交选育出出产量高、辛辣味强、抗病性好、耐贮存且早期抽薹率低的自交系作为父本系；然后将母本系和父本系杂交，并对得到的杂交单株进行多次试验，试验期间记载其长势、产量情况、抗病性、早期抽薹情况及贮存性状，从中选出优良品；最后将选出的最优杂交一代的洋葱单株得到洋葱新品种，其株高为82cm～91cm、全株叶片7片～11片、叶片深绿色、叶面有蜡粉、外皮紫红色、鳞茎厚圆形、颈粗2.1cm～3.6cm、横径10cm～12cm、纵径6cm～8cm、鳞茎鲜重340g～550g、生育期227天左右、中晚熟、产量高、辛辣味强、株形紧凑、早期抽薹率低、耐贮性好、耐寒、耐干旱、品质好，且亩产量为7000kg～9000kg。
上述实施例，仅是本发明的较佳实施方式，故凡依本发明专利申请范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰，均包括于本发明专利申请范围内。