一种番茄组培苗微嫁接的方法与流程

本发明涉及蔬菜嫁接的方法，具体涉及一种番茄组培苗微嫁接的方法。

背景技术：

番茄是全世界消费量最大的蔬菜之一，年消费量在1.7亿吨左右。中国又是最大的生产国和消费国。近年来番茄尤其是樱桃番茄不仅作为蔬菜，而且作为水果受到市场的热捧。作为小番茄种苗存在二大问题：1、小番茄种子产量低，成本高，一般每粒种子的价格在0.3～0.5元，高品质种子的价格达到2～9元/粒，种植户的成本很高；2、南方地区番茄青枯病发生严重，用野生番茄为砧木生产嫁接苗是解决问题的好办法，而且能够提高抗逆性、生长势和产量，所以全世界番茄生产都开始采用嫁接番茄苗。

组织培养是快速生产番茄苗的好办法，尤其是品质好难以繁殖的樱桃番茄品种，用组培繁殖苗速度快，成本低。本发明就是把组培苗微嫁接到砧木上，既能使得嫁接苗抗青枯病、提高生长势和产量，又能降低番茄嫁接苗的生产成本，是一举二得的好方法。

番茄微嫁接的难度在于：组培苗由于是在试管里繁殖，茎干细嫩，木质化程度低；组培苗茎干直径在2mm，砧木的直径在3mm左右，嫁接伤口不容易愈合，易受细菌感染；组培苗生长环境是在恒温恒湿的条件下，植株水嫩，对外界环境的适应性较差，因此要提高嫁接成活率必须解决以上二个难题。

本发明是一种简单、有效、快速进行组培苗繁殖，驯化和嫁接的番茄种苗生产的方法，能够有效地降低成本且提高产量。

技术实现要素：

本发明要解决的技术问题是提供一种存活率高，嫁接伤口快速愈合的番茄组培苗微嫁接的方法，且能够有效地降低成本且提高产量。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：该番茄组培苗微嫁接的方法，具体包括以下步骤：

(1)前期准备：

s1先对番茄植株或种子消毒；然后进行组培快繁；

s2生产砧木苗，筛选砧木品种，进行工厂化育苗，获得砧木苗，待用；

(2)组培苗增粗培养：对所述步骤s1的组培苗进行增粗培养；

(3)组培苗练苗：将步骤(2)中经过增粗培养的组培苗放入温室，并裸露在所述温室中进行驯化练苗；

(4)微嫁接：首先在步骤s1的砧木苗的第2张和第3张真叶间采用嫁接刀斜切30°切断形成切口一，将带有所述切口一的茎杆插入嫁接套管；再将步骤(3)经过驯化后的组培苗取出采用嫁接刀在二叶一心处的茎部或在茎粗与砧木切口茎粗相近的茎部处剪掉多余的叶片后斜切30°形成切口二后插入所述嫁接套管，所述切口一和所述切口二贴紧，获得嫁接好的番茄组培苗。

采用上述技术方案，首先快速繁殖番茄组培苗，然后将组培苗进行强壮增粗和驯化，当组培苗茎粗达到2.5-3mm以上，将组培苗切下，用套管法嫁接到砧木苗上，在高湿少菌遮阳的条件下培养一周，等到伤口愈合，即完成嫁接苗的生产，正常肥水管理15-20天后即可以定植到大田进行番茄生产了；通过壮苗使得与砧木的茎干大小相一致，而且茎干明显强壮，细胞活力增强，从而保证了嫁接的成功率；此外嫁接后注意环境的温度、湿度的控制，经常喷施杀菌剂消毒，保证空间处于少菌状态，使得嫁接伤口能够迅速愈合；从而解决了优质种苗缺乏和生产成本高的问题。组培苗的生产成本为种子苗的一半，同时又通过嫁接解决了番茄的青枯病、线虫等土传病虫害，而且砧木能够显著提高组培苗的生长速率，从而提高产量。

本发明进一步改进在于，该番茄组培苗微嫁接的方法还包括步骤(5)嫁接栽培：将所述步骤(4)嫁接好的番茄组培苗种植在拱棚内，再在所述拱棚内喷杀菌剂进行消毒后将薄膜盖紧，再覆盖遮阳网，当在温度较低的季节所述拱棚内采用地加温线进行保温，保持在25～28℃，保温时间为7天，保温结束后通风见光练苗，练苗15～20天后定植大田。进行消毒很关键，经常喷施杀菌剂消毒，保证空间处于少菌状态，使得嫁接伤口能够迅速愈合。

作为本发明的优选技术方案，所述步骤s1在组培瓶中进行组培快繁，快繁的光照强度为2000勒克斯，每20天微扦插一次。采用这种方式进行组培快繁，能够在4个月繁殖100倍，6个月繁殖1000倍。

作为本发明的优选技术方案，所述步骤(2)组培苗增粗培养的具体过程为：在进行步骤(4)的微嫁接前15～20天，打开所述组培瓶的盖子，对准所述组培苗的叶片喷施浓度为500ppm的矮壮素，然后盖上所述组培瓶的盖子继续培养，并把光照强度提高一倍，即光照强度为4000勒克斯。采用这样的技术方案，可以实现组培苗增粗，10天后组培苗的茎杆与砧木苗的茎杆的大小基本一致，从而有利于组培苗的微嫁接。

作为本发明的优选技术方案，所述步骤(4)中的所述嫁接套管的直径为2.5～3mm。嫁接套管的直径与所述组培苗的茎杆与砧木苗的茎杆的大小基本一致，根据组培苗的茎杆与砧木苗的茎杆的大小来选取嫁接套管的直径，这样有利于微嫁接后的伤口愈合。

作为本发明的优选技术方案，所述步骤(3)组培练苗的具体过程为：将增粗培养后的组培苗放入温室，打开所述组培瓶的盖子，让所述组培苗处于自然光照和所述温室的温湿度条件中，让所述组培苗适应自然光照和温湿昼夜变化进行练苗，7天后则进行微嫁接。

作为本发明的优选技术方案，所述步骤s2需在微嫁接前45～50天开始分批进行工厂化育苗，所述砧木苗的苗龄为30～50天；工厂化育苗过程如下：用播种机将砧木种子播入72穴的装满基质的育苗穴盘，并覆盖一层蛭石盖住种子，喷水淋湿后进入温室苗床，正常的肥水管理和病虫害管理，当砧木长到4～5叶一心即可用于微嫁接。其中夏天育苗时间为30-35天，冬季为50-60天，砧木苗的大小要求不严格，只要砧木和接穗茎粗相近即可。

作为本发明的优选技术方案，所述步骤(3)中所述组培苗进行增粗10天后，所述组培苗的茎干与所述砧木苗的茎杆的直径相同，所述组培苗的茎干为2.5～3mm。组培苗的茎干与砧木苗的茎杆的直径基本相同，不可能是完全相同的。

作为本发明的优选技术方案，所述步骤s1对所述番茄植株或种子进行消毒的具体方法为：为将种子用倒入浓度为75％的酒精溶液浸泡30秒，然后用10％浓度的84消毒液浸泡15秒，最后用无菌水冲洗干净后即可。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：1、用组培快繁替代了接穗种苗的生产，不仅解决了种源问题，而且降低了生产成本，生产过程更加可控；2、组培苗微嫁接在不增加生产步骤和成本的同时，可以解决组培生长势的问题；3、由于砧木为野生番茄，具有抗青枯病和线虫的基因，因此嫁接苗具有很强的抗逆性和抗青枯病、线虫的优势，适用于广泛应用；且经过该方法嫁接后的存活率在95％以上。

附图说明

图1是本发明的番茄组培苗微嫁接的方法的流程图。

具体实施方法

实施例：如图1所示，番茄组培苗微嫁接的方法，具体包括以下步骤：

(1)前期准备：

s1先对番茄植株或种子消毒；然后进行组培快繁；

s2生产砧木苗，筛选砧木品种，进行工厂化育苗，获得砧木苗，待用；

(2)组培苗增粗培养：对所述步骤s1的组培苗进行增粗培养；

(3)组培苗练苗：将步骤(2)中经过增粗培养的组培苗放入温室，并裸露在所述温室中进行驯化练苗；

(4)微嫁接：首先在步骤s1的砧木苗的第2张和第3张真叶间采用嫁接刀斜切30°切断形成切口一，将带有所述切口一的茎杆插入嫁接套管；再将步骤(3)经过驯化后的组培苗取出采用嫁接刀在二叶一心处的茎部或在茎粗与砧木切口茎粗相近的茎部处剪掉多余的叶片后斜切30°形成切口二后插入所述嫁接套管，所述切口一和所述切口二贴紧，获得嫁接好的番茄组培苗。

(5)嫁接栽培：将所述步骤(4)嫁接好的番茄组培苗种植在拱棚内，再在所述拱棚内喷杀菌剂进行消毒后将薄膜盖紧，再覆盖遮阳网，当在温度较低的季节所述拱棚内采用地加温线进行保温，保持在25～28℃，保温时间为7天，保温结束后通风见光练苗，练苗15～20天后定植大田。

所述步骤s1在组培瓶中进行组培快繁，快繁的光照强度为2000勒克斯，每20天微扦插一次。采用这种方式进行组培快繁，能够在4个月繁殖100倍，6个月繁殖1000倍。

所述步骤(2)组培苗增粗培养的具体过程为：在进行步骤(4)的微嫁接前15～20天，打开所述组培瓶的盖子，对准所述组培苗的叶片喷施浓度为500ppm的矮壮素，然后盖上所述组培瓶的盖子继续培养，并把光照强度提高一倍，即光照强度为4000勒克斯。采用这样的技术方案，可以实现组培苗增粗10天后，组培苗的茎杆与砧木苗的茎杆的大小基本一致，从而有利于组培苗的微嫁接。

所述步骤(4)中的所述嫁接套管的直径为2.5～3mm。嫁接套管的直径与所述组培苗的茎杆与砧木苗的茎杆的大小基本一致，根据组培苗的茎杆与砧木苗的茎杆的大小来选取嫁接套管的直径，这样有利于微嫁接后的伤口愈合。

所述步骤(3)组培练苗的具体过程为：将增粗培养后的组培苗放入温室，打开所述组培瓶的盖子，让所述组培苗处于自然光照和所述温室的温湿度条件中，让所述组培苗适应自然光照和温湿昼夜变化进行练苗，7天后则进行微嫁接。

所述步骤s2需在微嫁接前45～50天开始分批进行工厂化育苗，所述砧木苗的苗龄为30～50天；所述工厂化育苗的条件是：用播种机将砧木种子播入72穴的装满基质的育苗穴盘，并覆盖一层蛭石盖住种子，喷水淋湿后进入温室苗床，正常的肥水管理和病虫害管理，当砧木长到4叶一心即可用于微嫁接，砧木苗的大小不严格，只要砧木和接穗茎粗相近即可；其中夏天育苗时间为30-35天，冬季为50-60天。

所述步骤(3)中所述组培苗进行增粗10天后，所述组培苗的茎干与所述砧木苗的茎杆的直径基本相同，所述组培苗的茎干为2.5～3mm。

所述步骤s1对所述番茄植株或种子进行消毒的具体方法为：为将种子用倒入浓度为75％的酒精溶液浸泡30秒，然后用10％浓度的84消毒液浸泡15秒，最后用无菌水冲洗干净后即可。最后，还需要注意的是，以上列举的仅是本发明的若干个具体实施例。显然，本发明不限于以上实施例，还可以有许多变形。本领域的普通技术人员能从本发明公开的内容直接导出或联想到的所有变形，均应认为是本发明的保护范围。