本发明涉及种蟹味菇技术领域,具体的说是一种蟹味菇高产高效栽培方法。
背景技术:
蟹味菇隶属担子菌亚门、层菌纲、伞菌目、白蘑科、离褶菌族、玉蕈属,是北温带一种优良的食用菌;目前的蟹味菇的栽培种植方法,培养基的配比和培养室的环境,使得蟹味菇的生产周期长,产量较低,效率较低。
技术实现要素:
针对相关技术中存在的上述不足之处,目的是提供一种蟹味菇高产高效栽培方法,以解决相关技术中的蟹味菇的生产周期长,产量较低,效率较低的技术问题。
为实现上述目的所采用的技术方案是:一种蟹味菇高产高效栽培方法,包括:
将培养基充分搅拌后,放入栽培容器中,灭菌后,排布在培养室中;
所述培养基的重量百分比包括:碳酸钙0.5-1%,葡萄糖0.5-1%,黄豆粉2-4%,玉米粉4-6%,石膏粉4-6%,麸皮28-50%,米糠40-60%;
所述培养室中的温度设定为16-20℃,湿度80-89%,co2浓度1200-1400ppm,并且所述培养室中设置有发光光源,前1-7天光照强度为100-120lux,后8-20天光照强度220-290lux。
进一步的:所述栽培容器包括:瓶体,用于盛放所述培养基;底座,连接在所述瓶体的底部,用于形成支撑;以及挡件,连接在所述瓶体的顶部,用于限制所述蟹味菇的生长形状。
进一步的:所述栽培容器中装有培养基800克,含水量50%-60%,ph值为7.5-7.9之间。
进一步的:所述培养基的重量百分比包括:碳酸钙0.8%,葡萄糖0.8%,黄豆粉3.2%,玉米粉5.2%,石膏粉5%,麸皮35%,米糠50%;混合后,加入干净的水,调节含水量为55%,ph值为7.5。
进一步的:所述培养室中的温度设定为18℃,湿度85%,co2浓度1300ppm。
进一步的:所述发光光源包括:若干个led灯,以及若干个日光灯;
所述led灯能够发出蓝色的光,所述led灯产生第一感应光照强度值,光被色敏传感器感应,接受所述第一感应光照强度值,传递信号给微处理器,所述第一感应光照强度值与所述微处理器中的阈值比较,控制所述led灯保持所述第一感应光照强度值;
所述日光灯产生第二感应光照强度值,光被所述色敏传感器感应,接受所述第二感应光照强度值,传递信号给所述微处理器,所述第二感应光照强度值与所述微处理器中的阈值比较,控制所述日光灯保持所述第二感应光照强度值。
采用了上述技术方案,具有以下的有益效果:一种蟹味菇高产高效栽培方法,与相关技术相比,通过控制培养基的配比,控制培养室中的参数,以及发光光源,在不同时间点上,形成不同的光照强度,实现了减少生产周期,提高产量的目的;从而克服了蟹味菇的生产周期长,产量较低,效率较低的技术问题,达到了能够减少生产周期,产量相对较高,效率相对较高的技术效果。
附图说明
图1为方法流程图;
图2为栽培容器的结构示意图;
图3为发光光源的控制流程图;
图中:10.瓶体,20.底座,30.挡件,40.第一感应光照强度值,50.色敏传感器,60.微处理器,70.第二感应光照强度值。
具体实施方式
下面将结合实施例中的附图,对实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是一部分实施例,而不是全部的实施例;
一种蟹味菇高产高效栽培方法,解决了相关技术中的蟹味菇的生产周期长,产量较低,效率较低的技术问题,能够被制造和使用,并且达到了能够减少生产周期,产量相对较高,效率相对较高的积极效果;总体思路如下:
一实施方式:
见图1;一种蟹味菇高产高效栽培方法,包括:
将培养基充分搅拌后,放入栽培容器中,灭菌后,排布在培养室中;
所述培养基的重量百分比包括:碳酸钙0.5-1%,葡萄糖0.5-1%,黄豆粉2-4%,玉米粉4-6%,石膏粉4-6%,麸皮28-50%,米糠40-60%;
所述培养室中的温度设定为16-20℃,湿度80-89%,co2浓度1200-1400ppm,并且所述培养室中设置有发光光源,前1-7天光照强度为100-120lux,后8-20天光照强度220-290lux;
具体来说,实施时,通过控制培养基的配比,控制培养室中的参数,以及发光光源,在不同时间点上,形成不同的光照强度,实现了减少生产周期,提高产量的目的;从而克服了蟹味菇的生产周期长,产量较低,效率较低的技术问题,达到了能够减少生产周期,产量相对较高,效率相对较高的技术效果;
另一实施方式:
见图2;实施时,所述栽培容器包括:瓶体10,用于盛放所述培养基;底座20,连接在所述瓶体10的底部,用于形成支撑;以及挡件30,连接在所述瓶体10的顶部,用于限制所述蟹味菇的生长形状;所述栽培容器材质为透明塑料;瓶体10的外形为圆柱形,内部具有圆柱形的容纳腔,用于盛放所述培养基;底座20,上部具有第一螺纹段,用于与瓶体10的底部螺纹连接,下部具有第一锥形口,连接在第一螺纹段上,用于形成支撑,使得栽培容器能够可靠地站立,不会倾倒;挡件30,下部具有第二螺纹段,用于与瓶体10的顶部螺纹连接,安装拆卸很方便,上部大致为“碗”形,与瓶体10连通,能够限制蟹味菇的生长形状,使得蟹味菇的形状相对美观,有利于客户选用,而且由于能够限制蟹味菇的生长形状,在排布栽培容器时,可以将其一挡件30与另一挡件30贴合排布,使得栽培容器的排布紧凑,能够充分利用培养室的空间,生长出更多的蟹味菇;
另一实施方式:
见图3;实施时,所述发光光源包括:若干个led灯,以及若干个日光灯;
所述led灯能够发出蓝色的光,所述led灯产生第一感应光照强度值40,光被色敏传感器50感应,接受所述第一感应光照强度值40,传递信号给微处理器60,所述第一感应光照强度值40与所述微处理器60中的阈值比较,控制所述led灯保持所述第一感应光照强度值40;
所述日光灯产生第二感应光照强度值70,光被所述色敏传感器50感应,接受所述第二感应光照强度值70,传递信号给所述微处理器60,所述第二感应光照强度值70与所述微处理器60中的阈值比较,控制所述日光灯保持所述第二感应光照强度值70;
实施时,第一感应光照强度值40为100-120lux;第二感应光照强度值70为220-290lux;所述色敏传感器50和所述微处理器60为现有技术中的常用结构,比如色敏传感器50为半导体硅色敏传感器,微处理器60为arm微处理器,根据光照强度值,控制led灯或者日光灯的开闭数量,实现控制第一感应光照强度值40或者第二感应光照强度值70恒定;
一实施示例:
见图1、图2、图3;所述培养基的重量百分比包括:碳酸钙0.8%,葡萄糖0.8%,黄豆粉3.2%,玉米粉5.2%,石膏粉5%,麸皮35%,米糠50%;充分搅拌混合后,加入干净的水,调节含水量为55%,ph值为7.5;
在栽培容器中装有培养基800克;
采用高压灭菌,灭菌室中,抽真空两次,通入蒸汽升温120℃,保持100分钟,灭菌后进入冷却室冷却至18℃;
将灭菌后的装有培养基的栽培容器,排布在培养室中,培养室中的温度设定为18℃,湿度85%,co2浓度1300ppm;培养室中的前1-7天光照强度为100lux,后8-19天光照强度为240lux;
19天开始采收,每瓶单产220-250克,形状规则的蟹味菇;
相比现有技术中的栽培方法,采收时间节省了两天以上,产量提高了10%-20%;
另一实施示例
见图1、图2、图3;所述培养基的重量百分比包括:碳酸钙0.7%,葡萄糖0.9%,黄豆粉2.4%,玉米粉4.5%,石膏粉5.5%,麸皮45%,米糠41%;充分搅拌混合后,加入干净的水,调节含水量为51%,ph值为7.7;
在栽培容器中装有培养基800克;
采用高压灭菌,灭菌室中,抽真空两次,通入蒸汽升温120℃,保持100分钟,灭菌后进入冷却室冷却至18℃;
将灭菌后的装有培养基的栽培容器,排布在培养室中,培养室中的温度设定为19℃,湿度81%,co2浓度1350ppm;培养室中的前1-7天光照强度为110lux,后8-19天光照强度为270lux;
19天开始采收,每瓶单产220-250克,形状规则的蟹味菇;
相比现有技术中的栽培方法,采收时间节省了两天以上,产量提高了10%-20%;
另一实施示例
见图1、图2、图3;所述培养基的重量百分比包括:碳酸钙0.9%,葡萄糖0.6%,黄豆粉2.1%,玉米粉5.7%,石膏粉4.2%,麸皮29%,米糠57.5%;充分搅拌混合后,加入干净的水,调节含水量为58%,ph值为7.8;
在栽培容器中装有培养基800克;
采用高压灭菌,灭菌室中,抽真空两次,通入蒸汽升温120℃,保持100分钟,灭菌后进入冷却室冷却至20℃;
将灭菌后的装有培养基的栽培容器,排布在培养室中,培养室中的温度设定为17℃,湿度88%,co2浓度1350ppm;培养室中的前1-7天光照强度为115lux,后8-19天光照强度为280lux;
19天开始采收,每瓶单产220-250克,形状规则的蟹味菇;
相比现有技术中的栽培方法,采收时间节省了两天以上,产量提高了10%-20%;
工作原理如下:实施时,通过控制培养基的配比,控制培养室中的参数,以及发光光源,在不同时间点上,形成不同的光照强度,实现了减少生产周期,提高产量的目的。
在描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”等指示方位或位置关系是基于附图所述的位置关系,仅是为了便于描述或简化描述,而不是指示必须具有的特定的方位;实施例中描述的操作过程不是绝对的使用步骤,实际使用时,可以做相应的调整。
除非个别作定义,此处使用的技术术语或者科学术语应当为所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义;说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分,同样,“一个”或者“一”等类似词语也不绝对表示数量限制,而是表示存在至少一个,需根据实施例的内容确定。
以上所述,仅为较佳的具体实施方式,但保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在揭露的技术范围内,根据的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,都应涵盖在保护范围之内。