一种辣椒漂浮育苗中徒长苗的防控方法与流程

本发明属于漂浮育苗技术领域，尤其涉及一种辣椒漂浮育苗中徒长苗的防控方法。

背景技术：

目前：漂浮育苗技术是一项比较先进的育苗技术，在国内的西南地区应用比较普遍，最早在烟草育苗中应用，随后在茄科蔬菜育苗中推广应用，尤其是在辣椒的育苗中。

漂浮育苗是采用白色聚苯乙烯漂浮盘和无土漂浮育苗基质，种子播种在漂浮盘穴内的基质中，并漂浮在育苗池营养液面上的一种育苗方法。在辣椒的漂浮育苗中很容易出现徒长苗的现象，往往造成茎秆节间过分增长，茎秆柔软细弱，叶片大而薄，叶色出现黄绿色的弱苗；直接造成辣椒生长发育过程中株高增高，生长重心上移，出现倒伏现象，造成减产，降低产品品质。

通过上述分析，现有技术存在的问题及缺陷为：在辣椒的漂浮育苗中很容易出现高温高湿的环境，造成辣椒苗徒长的现象，造成减产，降低产品品质。

解决以上问题及缺陷的难度为：

1)受到形成的传统种植模式的影响，一时难以改变。

2)地处偏远山区，新技术传播迟缓。

3)从业人员文化程度较低，对新技术应用和接受能力不强。

4)当地从业人员对新技术的推广和应用存在排斥现象。

解决以上问题及缺陷的意义为：

1)改进了当地现有的育苗方式，提高了当地的育苗水平。

2)降低辣椒苗的株高，提高了壮苗指数，培育出了壮苗。

3)通过新技术的推广和应用，提高了当地从业人员的劳动技能，节本增效明显。

技术实现要素：

针对现有技术存在的问题，本发明提供了一种辣椒漂浮育苗中徒长苗的防控方法。

本发明是这样实现的，一种辣椒漂浮育苗中徒长苗的防控方法具体包括以下步骤：

步骤一，控制苗龄：根据当地的移栽时间，适当把控育苗进程；

步骤二，降低播种密度：采用适当规格的育苗漂盘，相同面积的育苗漂盘的穴数不宜太多；

步骤三，对育苗棚内进行通风、增光、降温、控湿；

步骤四，水肥管理：育苗池水位根据育苗季节和气温进行调整，育苗池营养液的浓度根据出苗后不同时期进行调整；

步骤五，药剂防控：进行浸种处理和叶面喷施防控。

进一步，步骤一中，夏秋季温度高，育苗时间较短，一般日历苗龄在40天左右；冬春季温度较低，育苗时间较长，一般日历苗龄在45～55天；如果育苗前期超过15天连续低温12℃以下，则育苗日历苗龄会达到60～65天；当幼苗达到日历苗龄，叶片有6～8片叶，应及时出苗移栽。

进一步，步骤二中，育苗漂盘一般采用160穴白色聚苯乙烯泡沫盘，长宽高规格为57cm*37cm*5.5cm，穴数过多造成辣椒苗出苗后拥挤，通风透光较差，易造成幼苗徒长；穴数较少，增加育苗漂盘和育苗场地的投入，建议采用100～160穴的育苗漂盘。

进一步，步骤三中，对育苗棚内进行通风、增光、降温、控湿，具体包括：

育苗棚内适当通风，低温期短时间通风，以免通风时间长造成极速降温；夜温不低于15℃，白天温度高于28℃，可以适当延长通风。自然光照中的紫外光有降低株高的作用，如果光照不足，易造成幼苗徒长；当光照不足时，要进行人工补光，时长接近自然光照时间。温度高时，易造成幼苗徒长，尤其是出苗后，容易造成幼苗胚轴的徒长，形成高脚苗；白天要控制育苗棚内空气温度最高不高于35℃，育苗池水温不高于28℃；如夜间温度超过18℃，可以昼夜进行通风降温。育苗棚内湿度过高，幼苗极易出现病害，诱使幼苗发生徒长，可以通过通风的方式进行降湿处理，以育苗棚内膜无水滴凝结为宜。

进一步，步骤四中，育苗池水位的调整方式为：

夏秋季温度高时育苗池可以适当的增加水位，以12cm深为宜，可以起到保持育苗池水温恒定的作用；冬春季低温时育苗池水位以5～7cm深为宜，可以起到快速升温和出苗的作用；水位越深，出苗时间越长，同时还存在造成烂种和出苗不整齐的现象。

进一步，步骤四中，育苗池营养液浓度的调整方式为：

出苗前不需要放肥料，出苗后至2叶一心期，营养液浓度50％水溶肥以50～100mg/l为宜，2叶一心期到6叶一心期，营养液浓度以200～500mg/l为宜，前期小苗浓度宜低，后期大苗浓度适当增高，最高浓度不超过3g/l，否则会造成徒长，甚至烧苗。

进一步，步骤五中，所述浸种处理具体包括：

分别采用15％多效唑粉剂、85.3％比久结晶纯和50％矮壮素水剂浸种处理，浸种时间为一小时。多效唑处理浓度为60mg/l、比久处理浓度为30mg/l、矮壮素处理浓度为50mg/l。

进一步，步骤五中，所述叶面喷施防控具体包括：

在2叶一心期采用15％多效唑粉剂200mg/l进行叶面喷施，叶面喷施均匀、无水滴凝聚下滴为度，一遍喷施完成，不进行重复喷施。如果是以侧枝结果为主的辣椒，建议喷施浓度为300mg/l，除了具有矮化植株以外，还可以促进腋芽分化、侧枝萌发。

结合上述的所有技术方案，本发明所具备的优点及积极效果为：本发明能够通过人为因素调控，降低株高、增加茎粗、提高辣椒苗的素质；节省劳务用工，便于工厂化和集约化育苗，为辣椒漂浮育苗技术的改进提供科学依据，更好的服务于辣椒产业。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图做简单的介绍，显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的辣椒漂浮育苗中徒长苗的防控方法流程图。

图2是本发明实施例提供的效果图1。

图3是本发明实施例提供的效果图2。

图4是本发明实施例提供的效果图3。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

针对现有技术存在的问题，本发明提供了一种辣椒漂浮育苗中徒长苗的防控方法，下面结合附图对本发明作详细的描述。

如图1所示，本发明实施例提供的辣椒漂浮育苗中徒长苗的防控方法包括：

s101，控制苗龄：根据当地的移栽时间，适当把控育苗进程。

s102，降低播种密度：采用适当规格的育苗漂盘，相同面积的育苗漂盘的穴数不宜太多。

s103，对育苗棚内进行通风、增光、降温、控湿。

s104，水肥管理：育苗池水位根据育苗季节和气温进行调整，育苗池营养液的浓度根据出苗后不同时期进行调整。

s105，药剂防控：进行浸种处理和叶面喷施防控。

本发明提供的辣椒漂浮育苗中徒长苗的防控方法业内的普通技术人员还可以采用其他的步骤实施，图1的本发明提供的辣椒漂浮育苗中徒长苗的防控方法仅仅是一个具体实施例而已。

下面结合具体实施例对本发明的技术方案进一步的描述。

1.控制苗龄

根据当地的移栽时间，适当把控育苗进程。夏秋季温度高，育苗时间较短，一般苗龄在40天左右；冬春季温度较低，育苗时间较长，一般苗龄在45～55天；如果育苗前期超过15天连续低温，则育苗苗龄会达到60～65天。当幼苗达到日历苗龄，叶片有6～8片叶，应及时出苗移栽。

2.降低播种密度

采用育苗漂盘的规格要适当，相同面积的育苗漂盘的穴数不宜太多，一般采用160穴白色聚苯乙烯泡沫盘长宽高规格为57cm*37cm*5.5cm，穴数过多造成辣椒苗出苗后拥挤，通风透光较差，易造成幼苗徒长；穴数较少，增加育苗漂盘和育苗场地的投入，建议采用100～160穴的育苗漂盘。

3.通风、增光、降温、控湿

育苗棚内适当通风，低温期短时间通风，以免通风时间长造成极速降温；夜温不低于15℃，白天温度高于28℃，可以适当延长通风。自然光照中的紫外光有降低株高的作用，如果光照不足，易造成幼苗徒长；当光照不足时，要进行人工补光，时长接近自然光照时间。温度高时，易造成幼苗徒长，尤其是出苗后，容易造成幼苗胚轴的徒长，形成高脚苗；白天要控制育苗棚内空气温度最高不高于35℃，育苗池水温不高于28℃；如夜间温度超过18℃，可以昼夜进行通风降温。育苗棚内湿度过高，幼苗极易出现病害，诱使幼苗发生徒长，可以通过通风的方式进行降湿处理，以育苗棚内膜无水滴凝结为宜。

4.水肥管理

育苗池水位根据育苗季节和气温进行适当的调整，夏秋季温度高时育苗池可以适当的增加水位，以12cm深为宜，可以起到保持育苗池水温恒定的作用；冬春季低温时育苗池水位以5～7cm深为宜，可以起到快速升温和出苗的作用；水位越深，出苗时间越长，同时还存在造成烂种和出苗不整齐的现象。育苗池营养液的浓度，出苗前不需要放肥料；出苗后至2叶一心期，营养液浓度50％水溶肥以50～100mg/l为宜，2叶一心期～6叶一心期，营养液浓度以200～500mg/l为宜，前期小苗浓度宜低，后期大苗浓度适当增高，最高浓度不超过3g/l，否则会造成徒长，甚至烧苗。

5.药剂防控

分别采用15％多效唑粉剂、85.3％比久结晶纯和50％矮壮素水剂浸种处理，浸种时间为一小时。多效唑处理浓度为60mg/l、比久处理浓度为30mg/l、矮壮素处理浓度为50mg/l。叶面喷施防控，在2叶一心期采用15％多效唑粉剂200mg/l进行叶面喷施，叶面喷施均匀、无水滴凝聚下滴为度，一遍喷施完成，不进行重复喷施。如果是以侧枝结果为主的辣椒，建议喷施浓度为300mg/l，除了具有矮化植株以外，还可以促进腋芽分化、侧枝萌发。

下面结合实验对本发明的技术效果作详细的描述。

1、辣椒种子处理：

t1，15％多效唑60mg/l；t2，85.3％比久30mg/l；t3，50％矮壮素50mg/l；t4，对照，清水处理。

表1

注：以上数据为5株平均值

2、辣椒叶面喷施处理：

t1，15％多效唑100mg/l；t2，15％多效唑200mg/l；t3，15％多效唑300mg/l；t4，对照，清水处理。

表2

注：以上数据为5株平均值。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，都应涵盖在本发明的保护范围之内。