基于静电生物效应赋能平卧菊三七嫩枝全光雾化快速育苗方法与流程

文档序号:25781765发布日期:2021-07-09 09:47阅读:272来源:国知局
基于静电生物效应赋能平卧菊三七嫩枝全光雾化快速育苗方法与流程

1.本发明涉及农业种植技术领域,尤其涉及一种基于静电生物效应赋能平卧菊三七嫩枝全光雾化快速育苗方法。


背景技术:

2.平卧菊三七(菊科)是一种药用植物,常见于亚洲热带国家,如中国、泰国、印度尼西亚、马来西亚和越南。传统上,它在许多不同的国家被广泛用于治疗各种各样的健康疾病,如肾脏不适、风湿、糖尿病、便秘和高血压等。基于平卧菊三七的传统用途,且具有非常高的治疗各种疾病的潜力,已成为现代医学研究的目标。虽然平卧菊三七的研究已经取得了相当大的进展,但平卧菊三七繁殖技术的研究主要侧重于组织培养方面和扦插繁育方面,尽管现有的组织培养技术和嫩茎扦插繁育技术比较成熟,具有繁殖速度快、繁殖系数大、可获得无毒苗、繁殖后代也能够基本保持亲本的优良性状等优点,但却存在以下缺陷。
3.1、平卧菊三七组织培养繁苗:和常规营养体繁殖比,基础设施投入大,生产成本高;技术要求较高,对基质的选择、环境因素的调控要求苛刻,组培苗炼苗难、移栽成活率较低等缺陷。
4.2、平卧菊三七嫩茎扦插:扦插苗的生理年龄比较大导致植物容易早衰,扦插苗的根系为不定根导致根系不发达、植物生产势较弱,并且受环境影响较大,季节性差异化严重,不能全年供苗。


技术实现要素:

5.本发明的目的在于克服现有技术的不足,适应现实需要,提供一种基于静电生物效应赋能平卧菊三七嫩枝全光雾化快速育苗方法,本发明运用静电生物效应,配合全光雾化嫩枝育苗技术,外加高压静电场,进行物理灭菌并诱导促进其快速生根,结合超声波雾化技术及脉冲间歇式的喷雾技术,利用自动间歇喷雾设备,使整个育苗过程实现工厂化,为平卧菊三七离体材料嫩茎的发育创造了最佳的温度、湿度、光照、富氧等环境因子和营养激素环境,使平卧菊三七的离体材料嫩茎全息性得到尽快地表达,从而大大提高插穗的成活率。实现了育苗周期短、成本低、苗木质量高等优点。
6.为了实现本发明的目的,本发明所采用的技术方案为:
7.公开一种基于静电生物效应赋能平卧菊三七嫩枝全光雾化快速育苗方法,包括如下步骤:
8.(1)插穗选取;以平卧菊三七脱毒苗一代苗为母本,选择处于旺盛生长的、腋芽饱满、健壮、无病虫害带叶枝条,选取主茎中部第二腋芽着生节位以上分生的侧枝,剪取带有二节叶片的枝条一段,上面一节叶片各保留两片叶子,最下边一节叶片从叶柄处剪去侧枝作为插穗,直径0.3cm~0.6cm、长度10cm~15cm;
9.(2)插穗剪取;用消毒后的刀片在选取的侧枝基部迅速斜切,切削角与水平面夹角
30
°
~45
°
,保留顶芽及1~2片复叶,将叶剪去一半;
10.(3)插穗处理;将剪好的插穗切口端置于500mg/kg的吲哚丁酸与50mg/kg的萘乙酸混合溶液或生根粉中浸泡25~30min,浸泡深度1cm~2cm;
11.(4)静电场处理;将浸泡好的插穗起出沥干,放在玻璃板上,使其经受脉冲射频3~5万伏高压静电场处理15~25分钟,起到物理杀菌及促根生长作用;
12.(5)雾培扦插营养液配制;雾培扦插营养液按照如下配方配制:总氮8mg、磷0.74mg、钾4.74mg、钙2.0mg、镁1.0mg、硫2.0mg、铁30mg、硼25mg、锰6mg、锌0.5mg、铜0.15mg、钼mo0.05mg、蔗糖0.2mg,所述总氮包括硝态氮、铵态氮,按重量比,硝态氮与铵态氮的比例为3:1;
13.(6)插穗扦插;将配好的雾培扦插营养液倒入不透光的雾培育苗槽(图1所示)中,雾培育苗槽形状分别为梯形和a形,槽的底部可用混凝土制成深约10cm左右的槽,用于盛接多余的营养液。而在槽的上部可用铁条做成a形或梯形的框架,然后用面板上打好扦插孔的泡沫板覆盖,将插穗插入扦插孔内,插穗基部1cm~2cm悬挂在一个密闭的雾培育苗槽内部,每孔一株,用海绵固定,利用超声波雾化发生器制造小于5微米的水粒子营养液,喷射到根系表面,把插穗基部包裹在整个雾气之中;
14.(7)环境参数设置;设置气温20℃~28℃,光强≥3000lx,空气湿度≥40%,光照时间≥8h/天;
15.(8)平卧菊三七雾培扦插苗定植;扦插后5~7天后插穗萌发不定根,15~20天后即生长成可以定植的平卧菊三七雾培苗,选取不定根数量≥10条的平卧菊三七水培苗定植于日光温室、塑料大棚等设施内,定植方法同常规平卧菊三七栽培。
16.本发明的有益效果在于:
17.本发明运用静电生物效应,配合全光雾化嫩枝育苗技术,以平卧菊三七脱毒一代苗为母本,采取处于旺盛生长的带叶枝条,用植物生根调节剂,激活根原基的活性,外加高压静电场,进行物理灭菌并诱导促进其快速生根。
18.在切口所在的内雾化空间内,采用超声波雾化技术及脉冲间歇式的喷雾技术,结合人工培养液,在为切口创造湿润雾环境的同时,为切口细胞活化及根源基的发育创造合适的生理分化环境、合适的营养激素环境和富氧的气体环境。
19.同时,在枝叶所在的外雾化空间内,利用自动间歇喷雾设备,保持叶片和枝条表皮的正常度含水量(尤其是幼嫩组织)、保持合适温度、维持细胞的正常膨胀压,使插穗能够正常地进行光合作用,制造有机物,使整个育苗过程实现工厂化,防止由于土壤污染而造成的病毒、霉菌及其他病虫害的感染和为害,为平卧菊三七离体材料嫩茎的发育创造了最佳的温度、湿度、光照、富氧等环境因子和营养激素环境,使平卧菊三七的离体材料嫩茎全息性得到尽快地表达,从而大大提高插穗的成活率。实现了育苗周期短、成本低、苗木质量高等优点,解决了上述背景技术中提出的问题。
附图说明
20.图1为本发明的雾培育苗槽的结构及应用状态下的示意图。
21.图中,1.植株;2.定植杯;3.定植板;4.喷头;5.种植槽;6.地面;7.根系;8.营养液层。
具体实施方式
22.下面结合附图和实施例对本发明进一步说明:
23.实施例1:一种基于静电生物效应赋能平卧菊三七嫩枝全光雾化快速育苗方法,包括如下步骤:
24.(1)插穗选取;以平卧菊三七脱毒苗一代苗为母本,选择处于旺盛生长、腋芽饱满、健壮、无病虫害带叶枝条,选取主茎中部第二腋芽着生节位以上分生的侧枝,剪取带有二节叶片的枝条一段,上面一节叶片各保留两片叶子,最下边一节叶片从叶柄处剪去侧枝作为插穗,直径0.3cm~0.6cm、长度10cm~15cm。
25.(2)插穗剪取;用消毒后的刀片在选取的侧枝基部迅速斜切,切削角与水平面夹角30
°
~45
°
,保留顶芽及1~2片复叶,将叶剪去一半。
26.(3)插穗处理;将剪好的插穗切口端置于500mg/kg的吲哚丁酸与50mg/kg的萘乙酸混合溶液或生根粉中浸泡25~30min,浸泡深度1cm~2cm。
27.(4)静电场处理;将浸泡好的插穗起出沥干,放在玻璃板上,使其经受脉冲射频3~5万伏高压静电场处理15~25分钟,起到物理杀菌及促根生长作用。
28.(5)雾培扦插营养液配制;每升雾培扦插营养液中含:总氮8mg、磷0.74mg、钾4.74mg、钙2.0mg、镁1.0mg、硫2.0mg、铁30mg、硼25mg、锰6mg、锌0.5mg、铜0.15mg、钼mo0.05mg、蔗糖0.2mg,所述总氮包括硝态氮、铵态氮,按重量比,硝态氮与铵态氮的比例为3:1。
29.(6)插穗扦插;将配好的雾培扦插营养液倒入不透光的雾培育苗槽(图1所示)中形成营养层8,雾培育苗槽形状分别为梯形和a形,槽的底部可用混凝土制成深约10cm左右的种植槽5,用于盛接多余的营养液。而在种植槽的上部可用铁条做成a形或梯形的框架,然后用面板上打好扦插孔的泡沫板覆盖形成定植板3,将插穗植株1插入定值杯2中的插孔内,插穗基部1cm~2cm悬挂在一个密闭的雾培育苗槽内部,每孔一株,用定值杯2中的海绵固定,利用超声波雾化发生器制造小于5微米的水粒子营养液,超声波雾化发生器上的喷头4喷射到根系7表面,把插穗基部包裹在整个雾气之中。
30.(7)环境参数设置;设置气温20℃~28℃,光强≥3000lx,空气湿度≥40%,光照时间≥8h/天。
31.(8)平卧菊三七雾培扦插苗定植;扦插后5~7天后插穗萌发不定根,15~20天后即生长成可以定植的平卧菊三七雾培苗,选取不定根数量≥10条的平卧菊三七水培苗定植于日光温室、塑料大棚等设施内,定植方法同常规平卧菊三七栽培。
32.通过上述步骤后即可完成本发明的基于静电生物效应赋能平卧菊三七嫩枝全光雾化快速育苗,其优势在于,本发明运用静电生物效应,配合全光雾化嫩枝育苗技术,以平卧菊三七脱毒一代苗为母本,采取处于旺盛生长的带叶枝条,用植物生根调节剂,激活根原基的活性,外加高压静电场,进行物理灭菌并诱导促进其快速生根。
33.在切口所在的内雾化空间内,采用超声波雾化技术及脉冲间歇式的喷雾技术,结合人工培养液,在为切口创造湿润雾化环境的同时,为切口细胞活化及根源基的发育创造合适的生理分化环境、合适的营养激素环境和富氧的气体环境。
34.同时,在枝叶所在的外雾化空间内,利用自动间歇喷雾设备,保持叶片和枝条表皮的正常度含水量(尤其是幼嫩组织)、保持合适温度、维持细胞的正常膨胀压,使插穗能够正
常地进行光合作用,制造有机物,使整个育苗过程实现工厂化,防止由于土壤污染而造成的病毒、霉菌及其他病虫害的感染和为害,为平卧菊三七离体材料嫩茎的发育创造了最佳的温度、湿度、光照、富氧等环境因子和营养激素环境,使平卧菊三七的离体材料嫩茎全息性得到尽快地表达,从而大大提高插穗的成活率。实现了育苗周期短、成本低、苗木质量高等优点,解决了上述背景技术中提出的问题。
35.本发明的实施例公布的是较佳的实施例,但并不局限于此,本领域的普通技术人员,极易根据上述实施例,领会本发明的精神,并做出不同的引申和变化,但只要不脱离本发明的精神,都在本发明的保护范围内。
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