本发明涉及兴安杜鹃繁殖方法技术领域，尤其是涉及一种兴安杜鹃产业化扦插育苗方法。
背景技术：
兴安杜鹃(rhododendrondauricuml.)又称达子香，杜鹃花属半常绿灌木，是杜鹃花属植物迁移最北端的极耐寒花卉，观赏和药用价值均极高，是我省具有颇高园林景观应用潜力的观赏花木。近几年，通过引种繁育，在园林绿化的使用频率日益增长，每年需要大量的优质良种苗木。目前主要采用播种育苗繁殖，繁殖周期长，需要四至五年方可开花，并且天然种群形态繁杂，大小年明显，种苗生产存在生长势不均衡，良莠不齐现象，致使育苗效率和质量不高，呈现良种苗供求不足的现象。
无性繁殖不仅可以解决良种不足等问题，而且可以将亲本的优良性状复制给后代。植物无性繁殖的方法有扦插、嫁接和组织培养等，而生产上简便易行广为应用的无性繁殖方式主要是扦插育苗。
播种繁殖首先在每年的10月进行种子的采集，然后进行种子的调制，放入冰箱内冷藏，至翌年5月，在完成土壤配置与消毒后，将种子均匀撒播在土壤表面，覆土，15d后种子发芽，一年生苗可长5cm左右，第二年换8cm*8cm钵，二年生苗可达15cm，并进行掐尖修剪；第三年苗换13*13cm钵，三年生苗可达30cm；第四年进行大田移栽，四年至五年苗可开花。在播种繁殖过程中需要大量人工作业，且需换两次营养钵方可进行大田移栽，从采种到苗木始花需要4-5年方可完成，另外，种子繁殖性状分离明显，苗木生长势不均衡，育苗效率低，不能持续的为市场供应优质苗木，而扦插繁殖当年生根后留床，第二年即可大田移栽，三年即可成苗开花，省去了大量人工换钵及大棚养护成本，同时又能保持亲本的优良性状，可持续供应优良苗木，满足市场需求。
目前，兴安杜鹃繁殖方法是通过有性生殖获得种子，再播种育苗，繁殖周期长且工作量大；同时由于兴安杜鹃是典型的异花授粉植物，植株基因型高度杂合，实生后代参差不齐，植株间产量品质差异较大，从而显著影响到兴安杜鹃优良苗木的供应。
技术实现要素：
本发明的目的是提供一种兴安杜鹃产业化扦插育苗方法，扦插育苗所用设施简易，操作简单，生根情况良好，成苗率达90％以上，繁殖速度快，育苗成本低，能适应我国东北地区的气候土壤环境，为兴安杜鹃优良品种的推广应用提供了技术支撑。
为实现上述目的，本发明提供了一种兴安杜鹃产业化扦插育苗方法，步骤如下：
s1、搭建扦插棚
首先搭建一个拱棚骨架，外面罩上遮阳网；棚内为保证生根率，控制好苗床的温湿度，根据苗床的大小搭建苗床小拱棚；
s2、插床设置
插床为低床，四壁用砖砌成，然后铺设基质，扦插基质的厚度应低于四壁砖，并且不小于0.8-1.4cm；
s3、基质选择
基质需要保持通透性又要具有保温性；
s4、插条选取与插穗剪取
s5、插床消毒
s6、插穗激素处理
常用的外源激素有iba、naa、abt等。可采用速蘸法和浸泡法；
s7、扦插方法
将插穗按密度4cm*5cm或5cm*5cm插入基质中，插好后对叶面和插条基部进行喷湿；扦插选择在日出前、日落后或阴雨天进行，以减少插穗自身的水分散失；
s8、插后管理。
优选的，步骤s3中，用作的扦插基质选择蛭石、珍珠岩、沙子、珍珠岩与草炭土1:1混合基质。
优选的，步骤s4中，在每年七月中旬至七月底，当室外环境最低温度大于18℃以上时，选在阴天或阴雨天气，在优质苗木中选取生长健壮、无病虫害的当年生半木质化的枝条作为插条，插条上端平剪，下端单面斜切。
优选的，步骤s5中，采用0.05％高锰酸钾溶液，消毒时间大于24h。
优选的，步骤s8中，扦插后棚内保持一定的温湿度，根据天气变化，进行喷水、遮盖遮荫网和通风调节温湿度，保证扦插苗床的空气流通，避免强光照射；
扦插后根据生根天数逐渐增加棚内的透光率，透光率采用遮阴网的空隙密度进行调节，扦插后每隔10d轮换喷施多菌灵、百菌清、代森锰锌溶液；70d-80d后逐渐进行炼苗，留床过冬，第二年5月进行换钵或大田移栽。
因此，本发明采用上述一种兴安杜鹃产业化扦插育苗方法，通过结合该树种生物学特性，对无性系、母树年龄、插穗类型、扦插基质和插穗处理等多因素开展了试验设计，经过多年度多批次的大量试验研究以后，明确了无性系、母树年龄和扦插基质等影响扦插成苗的主要因素。优异基因型的优良性状不能通过有性繁殖稳定地传递给后代，克服此问题的有效途径就是无性繁殖。
本发明的扦插育苗方法简单可行、成本低、周期短，能够实现兴安杜鹃的有效快速无性繁殖。并且，解决了兴安杜鹃扦插不能生根的问题，对加快兴安杜鹃优良基因型推广、促进东北地区优质园林绿化苗木产业化发展具有非常重要的现实作用和战略意义。
下面通过实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
具体实施方式
以下通过实施例对本发明的技术方案作进一步说明。
一种兴安杜鹃产业化扦插育苗方法，步骤如下：
s1、搭建扦插棚
首先搭建一个拱棚骨架，面积根据实际使用情况而定，外面罩上遮阳网。棚内为保证生根率，控制好苗床的温湿度，根据苗床的大小搭建苗床小拱棚，小拱棚通常用竹片、木棍、钢丝、pvc管等物料做成拱架，再覆盖塑料薄膜搭建而成。也可采用塑料大棚结合小拱棚育苗。扦插后，盖上塑料薄膜，四周用砖块等重物压实即可。
s2、插床设置
插床为低床，通常宽1米左右，长度根据需要而定。四壁用砖砌成，高45～50厘米，从底部向上依次铺设为炉灰渣15～20cm，河沙10～15cm，最上面铺扦插基质10cm。扦插基质的厚度至少要超过插条插入部分的2cm以上如果过浅，插穗容易倒伏，如果过深，穗条不能插入蛭石中得到充分的水分，同时水分容易丢失，不利于生根。
其中，炉灰渣属于多孔性材料，具有保温性好、隔热、渗水性高等特点，且具有一定的热值，可以在生根期产生一定的热量，促进根系生长；河沙具有透水、透气的作用，保证扦插基部不产生积水，从而腐烂生菌，蛭石原是一种轻质的保温建筑材料，具有排水、保温、保湿、孔隙多、通气良好的性能，正是扦插苗木发根所需要的条件。
s3、基质选择
基质既要保持通透性又要具有保温性。用作的扦插基质可选择蛭石、珍珠岩、沙子、珍珠岩与草炭土以质量比1:1混合基质。将基质平铺在苗床后，用手或小木板轻压平整，再用喷水器慢慢向基质喷透水。其中蛭石或珍珠岩与草炭土1:1混合基质生根率最好。
表2不同基质生根情况比较
s4、插条选取与插穗剪取
在每年七月中旬至七月底，当室外环境最低温度达到18℃以上，最好选在阴天或阴雨天气，在优质苗木中选取生长健壮、无病虫害的当年生半木质化的枝条作为插条。枝条要中等粗细，插穗长度为8～12cm，保留2～3个腋芽，顶端留1～2片叶片，插条上端在芽上1～2cm处平剪，下端单面斜切。
s5、插床消毒
扦插前将基质灌透水，用0.05％高锰酸钾溶液消毒24h以上，扦插前再用清水喷淋干净，待基质含水量在60％～70％时进行扦插。
利用高锰酸钾消毒可杀去基质中的细菌，防止扦插过程中高温高湿而滋生细菌。
s6、插穗激素处理
常用的外源激素有iba、naa、abt等。可采用速蘸法和浸泡法。速蘸法是将生根剂配成高浓度的溶液，然后将插条下部蘸取溶液10～15s，随即扦插，溶液浓度配置为400-1000ppm。浸泡法是将生根剂配成低含量的溶液,然后将插条下部浸泡在溶液中2～12h，再进行扦插。一般配置激素浓度为100-300ppm，试验选取naa400-500ppm速蘸为最优浓度。
试验采用速蘸及浸泡2h两种处理方式，采用不同激素不同浓度的处理方式，60d后每个处理随机抽取100株插穗，进行生根率及生根数的统计。
表1不同处理条件生根情况统计
500ppm的iba，通过速蘸的方法进行处理，使得兴安杜鹃的扦插生根率达到90％，并且操作简便、易于实施、耗费人力物力少、培养周期短，达到快速繁殖的效果。本发明解决了兴安杜鹃扦插繁殖生根率低、无法产业化发展的关键技术问题。
s7、扦插方法
将插穗按密度4cm*5cm或5cm*5cm插入基质中，插穗插入深度为4～6cm,插条间的距离，以叶片相互不拥挤、叶片间不重叠为好，插好后对叶面和插条基部进行喷雾，保持潮湿。由于扦插穗条未生根，前期需要保持叶面及扦插基质的水分，以供植物体进行蒸腾作用。另外，扦插一般选择在日出前、日落后或阴雨天进行，以减少插穗自身的水分散失。
s8、插后管理
(1)温湿度管理：扦插棚内温度控制在25～32℃为宜，最高不超过40℃。空气相对湿度保持在60％～80％，在75％最为适宜，插壤湿度保持在插壤最大持水量为最佳，约在60％-80％(插壤湿度用手挤捏进行检测，即用手挤捏插壤成团、触之则散，表明插壤湿度适宜)。根据天气变化，进行喷水、遮盖遮荫网和通风调节温湿度，喷水时间应在上午9-10点，下午4-6点的时间段进行，以确保苗床的温度。另外，还需保证扦插苗床的空气流通，避免强光照射。切忌高温高湿，会导致病菌生长，插条腐烂。
(2)光照调控：扦插后两周内，透光度保持在20％，当插穗产生约30d后逐渐增加光照，生根初期透光度保持30％～50％，大量生根期透光度保持60％～70％。
(3)消毒：扦插后每隔10d轮换喷施多菌灵、百菌清、代森锰锌600-800倍液。
(4)炼苗移栽：每天打开苗床透气，70d后进行少量通风，80-90d后揭开塑料薄膜炼苗，根据天气保持基质湿度维持在40-60％，待冬季上冻前浇透水，留床过冬，第二年5月可进行移栽换钵或进行大田移栽即可。
因此，本发明采用上述一种兴安杜鹃产业化扦插育苗方法，扦插育苗所用设施简易，操作简单，生根情况良好，成苗率达90％以上，繁殖速度快，育苗成本低，能适应我国东北地区的气候土壤环境，为兴安杜鹃优良品种的推广应用提供了技术支撑。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其进行限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而这些修改或者等同替换亦不能使修改后的技术方案脱离本发明技术方案的精神和范围。