一种藓类植物无土栽培方法与流程

1.本发明属于农业领域，具体涉及一种藓类植物无土栽培方法。


背景技术：

2.随着人民生活水平日益提高，人们对办公、生活和学习的环境追求越来越高，天然自带治愈效果的苔藓植物逐渐走进都市人居环境中，广泛应用到家庭园艺、立体绿化、专类植物园和生态修复等市场领域。但目前市场上的苔藓植物仍以野外采挖为主，多种苔藓植物濒临生存危险，尤其是观赏价值较高的藓类植物。
3.2021年9月7日国家林业和草原局和农业农村部公布新版《国家重点保护野生植物名录》，桧叶白发藓、多纹泥炭藓和粗叶泥炭藓被等藓类植物被列为二级保护植物，也是苔藓植物首次进入保护名录。藓类植物田间栽培技术探索，将极大满足当前供不应求的苔藓市场需求。目前，大灰藓、东亚明叶藓和尖叶匐灯藓等藓类植物的田间栽培技术已经受到研究者的关注，大部分栽培方法以拟自然栽培为主，均强调各种栽培土壤或基质对藓类植物人工栽培的重要性。
4.开发出一种效果优异的藓类植物无土栽培方法，是一种有待解决的技术问题。


技术实现要素：

5.本发明的目的在于克服现有技术的至少一个不足，提供一种藓类植物无土栽培方法。
6.本发明所采取的技术方案是：一种藓类植物的无土栽培方法，包括如下步骤：s1) 将藓类植物植株打碎，与细胞保护剂、粘度调节剂、保湿剂及适量水混匀，得到藓类浆液；s2) 将藓类浆液涂覆在固相载体上，得到苔藓毯；s3) 对苔藓毯进行培养，使控制苔藓毯所处的温度为15～30℃、相对湿度为80～100 rh%、光照强度为3000～14000 lx，光照时间10～14/d，适时补充植物生长激素和水溶性肥；s4) 待苔藓成长为成体后，常规养护。
7.在一些无土栽培方法的实例中，所述细胞保护剂选自聚乙二醇、肌醇、山梨醇中的至少一种；所述粘度调节剂为甲基纤维素、淀粉、玉米皮中的至少一种；所述保湿剂选自聚丙烯酰胺、腐殖酸中的至少一种。
8.在一些无土栽培方法的实例中，所述细胞保护剂为聚乙二醇、所述粘度调节剂为甲基纤维素、所述保湿剂为聚丙烯酰胺，聚乙二醇：甲基纤维素：聚丙烯酰胺的质量混合比为(10～40)：(1～20)：(3～25)。
9.在一些无土栽培方法的实例中，聚乙二醇：甲基纤维素：聚丙烯酰胺的质量混合比为(20～30)：(5～15) ：(10～20)。
10.在一些无土栽培方法的实例中，聚乙二醇：甲基纤维素：聚丙烯酰胺的质量混合比为25：10：15。
11.在一些无土栽培方法的实例中，藓类植物植株在打碎前先进行清洗。
12.在一些无土栽培方法的实例中，所述藓类植物选自大灰藓、明叶藓、短绒藓和白发藓。
13.在一些无土栽培方法的实例中，所述固相载体选自土工布、棉布中的至少一种。
14.在一些无土栽培方法的实例中，所述藓类浆液的厚度为5～20 mm。
15.在一些无土栽培方法的实例中，所述藓类浆液的含水率为60～70%。
16.本发明的有益效果是：本发明一些实例的无土栽培方法，可以很好地促进藓类生长，避免栽培土壤难以消除的病原菌和虫卵，保证苔藓毯在应用过程中的无害化。
17.本发明一些实例的无土栽培方法，藓类植物能直接与固相载体形成良好的连接，可以得到质量稳定的苔藓毯，实现工厂化生产。
附图说明
18.图1是明叶藓浆液涂覆在土工布上的照片；图2是明叶藓浆液涂覆后在土工布上15天后的照片；图3是明叶藓浆液涂覆后在土工布上45天后的照片。
具体实施方式
19.一种藓类植物的无土栽培方法，包括如下步骤：s1) 将藓类植物植株打碎，与细胞保护剂、粘度调节剂、保湿剂及适量水混匀，得到藓类浆液；s2) 将藓类浆液涂覆在固相载体上，得到苔藓毯；s3) 对苔藓毯进行培养，使控制苔藓毯所处的温度为15～30℃、相对湿度为80～100 rh%、光照强度为3000～14000 lx，光照时间10～14/d，适时补充植物生长激素和水溶性肥；s4) 待苔藓成长为成体后，常规养护。
20.粘度调节剂主要用于调节藓类浆液的粘度，使其可以较好地粘附在固相载体上。主要通过水和粘度调节剂的用量，满足不同的要求。
21.在一些无土栽培方法的实例中，所述细胞保护剂选自聚乙二醇、肌醇、山梨醇中的至少一种。研究发现，这些细胞保护剂具有很好的保护作用，可以很好地促进苔鲜恢复，提高苔藓栽培的成功率。
22.在一些无土栽培方法的实例中，所述粘度调节剂为甲基纤维素、淀粉、玉米皮中的至少一种。实验数据表明，这些粘度调节剂具有较好的粘度调节能力，同时其对苔藓基本没有伤害。同时这些粘度调节剂具有较好的降解能力，在苔藓移植后可以避免对环境造成不利影响。
23.在一些无土栽培方法的实例中，所述保湿剂选自聚丙烯酰胺、腐殖酸中的至少一种。实验数据表明，这些保湿剂具有较好的保湿能力，可以维持苔藓毯具有需要的温度，满
足苔藓生长，避免水分过快散失导致苔藓栽培失败。
24.在一些无土栽培方法的实例中，所述细胞保护剂为聚乙二醇、所述粘度调节剂为甲基纤维素、所述保湿剂为聚丙烯酰胺，聚乙二醇：甲基纤维素：聚丙烯酰胺的质量混合比为(10～40)：(1～20)：(3～25)。研究发现这一混合比的相对更好的效果。
25.在一些无土栽培方法的实例中，聚乙二醇：甲基纤维素：聚丙烯酰胺的质量混合比为(20～30)：(5～15) ：(10～20)。
26.在一些无土栽培方法的实例中，聚乙二醇：甲基纤维素：聚丙烯酰胺的质量混合比为25：10：15。
27.在一些无土栽培方法的实例中，藓类植物植株在打碎前先进行清洗。这样可以避免不必要的杂质。
28.在一些无土栽培方法的实例中，所述藓类植物选自大灰藓、明叶藓、短绒藓和白发藓。
29.固相载体只要具有较好的吸附性、具有一定的强度即可。在一些无土栽培方法的实例中，所述固相载体选自土工布、棉布中的至少一种。这两种原料来源广泛，成本较低，效果也较佳。
30.藓类浆液的厚度可能根据需要进行相应的调整，在一些无土栽培方法的实例中，所述藓类浆液的厚度为5～20 mm。
31.在一些无土栽培方法的实例中，所述藓类浆液的含水率为60～70%。这种含水率可以更好地促进苔藓恢复和后续的生长。
32.下面结合实施例，进一步说明本发明的技术方案。
33.实施例1：s1) 取明叶藓清洗干净，打碎为约3 mm左右大小的碎片；s2) 取约20%的明叶藓碎片、聚乙二醇、甲基纤维素和聚丙烯酰胺共15%、余量为水，混匀，得到藓类浆液，其中，聚乙二醇：甲基纤维素：聚丙烯酰胺的质量混合比为25：10：15；s3) 将藓类浆液涂覆在土工布上，厚度控制在8 mm左右，得到苔藓毯；s4) 对苔藓毯进行培养，使控制苔藓毯所处的温度为20～25℃、相对湿度为80～100 rh%、光照强度为5000～14000 lx，光照时间10～14/d，适时补充植物生长激素和水溶性肥；s5) 待苔藓成长为成体后，常规养护。
34.实施例2：s1) 取短绒藓清洗干净，打碎为约3 mm左右大小的碎片；s2) 取约15%的短绒藓碎片、聚乙二醇、甲基纤维素和聚丙烯酰胺共15%、余量为水，混匀，得到藓类浆液，其中，聚乙二醇：甲基纤维素：聚丙烯酰胺的质量混合比为25：10：15；s3) 将藓类浆液涂覆在土工布上，厚度控制在7mm左右，得到苔藓毯；s4) 对苔藓毯进行培养，使控制苔藓毯所处的温度为20～25℃、相对湿度为80～100 rh%、光照强度为5000～14000 lx，光照时间10～14/d，适时补充植物生长激素和水溶性肥；
s5) 待苔藓成长为成体后，常规养护。
35.实施例3：s1) 取大灰藓清洗干净，打碎为约3 mm左右大小的碎片；s2) 取约15%的大灰藓碎片、聚乙二醇、甲基纤维素和聚丙烯酰胺共20%、余量为水，混匀，得到藓类浆液，其中，聚乙二醇：甲基纤维素：聚丙烯酰胺的质量混合比为25：10：20；s3) 将藓类浆液涂覆在土工布上，厚度控制在5 mm左右，得到苔藓毯；s4) 对苔藓毯进行培养，使控制苔藓毯所处的温度为15～30℃、相对湿度为80～100 rh%、光照强度为5000～14000 lx，光照时间10～14/d，适时补充植物生长激素和水溶性肥；s5) 待苔藓成长为成体后，常规养护。
36.实施例4：s1) 取白发藓清洗干净，打碎为约3 mm左右大小的碎片；s2) 取约20%的白发藓碎片、聚乙二醇、甲基纤维素和聚丙烯酰胺共18%、余量为水，混匀，得到藓类浆液，其中，聚乙二醇：甲基纤维素：聚丙烯酰胺的质量混合比为20：15：10；s3) 将藓类浆液涂覆在土工布上，厚度控制在10 mm左右，得到苔藓毯；s4) 对苔藓毯进行培养，使控制苔藓毯所处的温度为15～30℃、相对湿度为80～100 rh%、光照强度为7000～14000 lx，光照时间10～14/d，适时补充植物生长激素和水溶性肥；s5) 待苔藓成长为成体后，常规养护。
37.实施例5：s1) 取明叶藓清洗干净，打碎为约3 mm左右大小的碎片；s2) 取约20%的明叶藓碎片、聚乙二醇、甲基纤维素和聚丙烯酰胺共20%、余量为水，混匀，得到藓类浆液，其中，聚乙二醇：甲基纤维素：聚丙烯酰胺的质量混合比为30：5：15；s3) 将藓类浆液涂覆在土工布上，厚度控制在8 mm左右，得到苔藓毯；s4) 对苔藓毯进行培养，使控制苔藓毯所处的温度为15～20℃、相对湿度为80～100 rh%、光照强度为3000～8000 lx，光照时间10～14/d，适时补充植物生长激素和水溶性肥；s5) 待苔藓成长为成体后，常规养护。
38.图1是实施例1明叶藓浆液涂覆在土工布上的照片；图2是实施例1明叶藓浆液涂覆后在土工布上15天后的照片；图3是实施例1明叶藓浆液涂覆后在土工布上45天后的照片。从图中可以看出，明叶藓的存活率较高，长势良好，到第45天已经布满土工布，长势茂盛。
39.以上是对本发明所作的进一步详细说明，不可视为对本发明的具体实施的局限。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的简单推演或替换，都在本发明的保护范围之内。