技术特征：
1.一种硅基雾化芯，其特征在于：包括硅基板，包括相对的第一表面及第二表面，至少部分所述第一表面用于形成所述硅基雾化芯的雾化面，至少部分所述第二表面用于形成所述硅基雾化芯的吸油面，所述硅基板上设有从所述第一表面延伸形成的一个或多个第一孔道以及从所述第二表面延伸形成的一个或多个第二孔道，其中，一个所述第二孔道与至少一个所述第一孔道的位置相对应并且互相贯通，所述第一孔道的孔径小于所述第二孔道的孔径，在所述第二孔道的表面上设有与最靠近该第二孔道的所述第一孔道的表面连接的至少一个台阶结构，所述第一表面、第二表面、第一孔道和第二孔道的表面上设有钝化层，部分所述第一表面或至少部分所述第一表面与所述第一孔道的表面的钝化层上方设有加热层。2.根据权利要求1所述的硅基雾化芯，其特征在于：所述第一孔道的长度小于等于所述第二孔道的长度。3.根据权利要求1所述的硅基雾化芯，其特征在于：所述第一孔道的孔径范围为2微米到50微米，所述第二孔道的孔径范围为20微米到10毫米。4.根据权利要求1所述的硅基雾化芯，其特征在于：所述台阶结构中最高的台阶面设置在所述第一孔道的表面。5.根据权利要求1所述的硅基雾化芯，其特征在于：所述第一孔道和第二孔道的表面均设有由多个弧形连接构成的波纹结构。6.根据权利要求1所述的硅基雾化芯，其特征在于：所述钝化层为无机介质层，所述无机介质层为氧化硅或氮化硅，所述钝化层的厚度为0.1微米到10微米。7.根据权利要求1所述的硅基雾化芯，其特征在于：所述加热层为ti、au、al、pt、ta或者其氮化物或者叠层组合中的任意一种，所述加热层的厚度为10纳米到5微米。8.根据权利要求1所述的硅基雾化芯，其特征在于：在所述第一表面的加热层上设置有平面焊盘或者引线。9.根据权利要求1所述的硅基雾化芯，其特征在于：所述加热层覆盖在所述第一表面与所述第一孔道的表面的钝化层的整个表面或者局部区域，在局部区域上所述加热层的形状为线条状或多种线条的组合。10.一种基于权利要求1-9中任一项所述的硅基雾化芯的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：1)提供硅基板，所述硅基板具有相对的第一表面和第二表面，在所述第一表面和第二表面上分别采用干法蚀刻工艺制作一个或多个第一孔道和一个或多个第二孔道，一个所述第二孔道与至少一个所述第一孔道的位置相对应并且互相贯通，所述第一孔道的孔径小于所述第二孔道的孔径，并在所述第二孔道的表面上形成与最靠近该第二孔道的所述第一孔道的表面连接的至少一个台阶结构；2)于所述第一表面、第二表面、第一孔道和第二孔道的表面沉积钝化层；3)于部分所述第一表面或至少部分所述第一表面和第一孔道的钝化层上沉积加热层。11.根据权利要求10所述的硅基雾化芯的制作方法，其特征在于：所述步骤1具体包括：于所述第一表面或第二表面上涂覆光刻胶，经过曝光、显影形成多个第一显开窗口；对所述第一显开窗口内的硅基板采用bosch工艺蚀刻形成第一孔道或第二孔道，蚀刻终点在所述硅基板内部，并去除光刻胶；
于另一表面涂覆光刻胶，经过曝光、显影形成多个第二显开窗口；对所述第二显开窗口内的硅基板采用bosch工艺蚀刻形成与至少一个所述第一孔道或第二孔道连通的另一孔道，去除光刻胶。12.根据权利要求10或11所述的硅基雾化芯的制作方法，其特征在于：所述第一孔道和第二孔道制作时采用的bosch工艺的刻蚀与钝化的周期为0.1秒到20秒以在所述第一孔道和第二孔道表面形成由多个弧形连接构成的波纹结构。13.根据权利要求10所述的硅基雾化芯的制作方法，其特征在于：所述钝化层为无机介质层，所述无机介质层为氧化硅或氮化硅，所述钝化层的厚度为0.1微米到10微米，所述加热层为ti、au、al、pt、ta或者其氮化物或者叠层组合中的任意一种，所述加热层的厚度为10纳米到5微米。14.一种雾化器，其特征在于：包括权利要求1-9中任一项所述的硅基雾化芯。
技术总结
本发明公开了一种硅基雾化芯及其制作方法，该硅基雾化芯包括分别从第一表面和第二表面延伸形成的互相贯通的一个或多个第一孔道和一个或多个第二孔道，一个第二孔道与至少一个第一孔道的位置相对应，第一孔道的孔径小于第二孔道的孔径，并且在第二孔道的表面上设有与最靠近该第二孔道的第一孔道的表面连接的至少一个台阶结构，第一表面、第二表面、第一孔道和第二孔道的表面上设有钝化层，第一表面与第一孔道的表面的钝化层上设有加热层。因此相比于陶瓷基或玻璃基雾化芯，本申请的硅基雾化芯具有更好的雾化效果，更高的可靠性以及更低的成本。的成本。的成本。
技术研发人员：伍恒 姜峰 于大全 杨婷婷
受保护的技术使用者：厦门云天半导体科技有限公司
技术研发日：2021.12.30
技术公布日：2022/5/17