一种基于Mo发热电阻丝的可测温MEMS发热雾化芯的制作方法

一种基于mo发热电阻丝的可测温mems发热雾化芯
技术领域
1.本实用新型属于发热雾化芯技术领域，尤其涉及一种基于mo发热电阻丝的可测温mems发热雾化芯。


背景技术：

2.现有发热雾化陶瓷芯常用fecral、nicr、ni、fe、ti等材料作为发热丝，存在以下缺点：
3.一是fecral、nicr、ni、fe、ti对人体不友好，存在一定的危害性；
4.二是所用材料熔点不够高，局部过热会影响发热丝寿命；
5.三是所用材料电阻温度特性不够好，且陶瓷芯本体散热不好，容易造成局部过热，测温不准确。局部温度过高，会造成干烧、糊芯等现象，引起有害物质的释放，影响雾化还原度，影响使用者体验；
6.四是所用材料电阻率相对过高，达到目标电阻值时对应的厚度较厚，对使用 mems加工工艺的硅基雾化芯不友好。


技术实现要素：

7.本实用新型的目的在于：为了解决现有发热丝所用材料电阻温度特性不够好，且陶瓷芯本体散热不好，容易造成局部过热，测温不准确，局部温度过高，会造成干烧、糊芯等现象，引起有害物质的释放，影响雾化还原度，影响使用者体验而提出的一种基于mo发热电阻丝的可测温mems发热雾化芯。
8.为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：一种基于mo发热电阻丝的可测温mems发热雾化芯，包括硅衬底、mo加热丝和钝化保护层，所述硅衬底内设置有储液腔，所述硅衬底上设置有硅膜部，所述硅膜部上设置有若干个呈阵列排布的雾化微通道，所述雾化微通道和所述储液腔相通，所述mo加热丝的端部设置有接触电极，所述钝化保护层制作在所述mo加热丝上，所述钝化保护层上设置有位置对应所述接触电极的避让孔。
9.作为上述技术方案的进一步描述：
10.所述钝化保护层为硅化物。
11.作为上述技术方案的进一步描述：
12.所述接触电极为mo材料制作。
13.作为上述技术方案的进一步描述：
14.所述雾化微通道的深度为2um-300um。
15.作为上述技术方案的进一步描述：
16.所述钝化保护层的厚度为50nm-4um。
17.作为上述技术方案的进一步描述：
18.所述储液腔深度可以是50um-400um。
19.综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是：
20.本实用新型中，通过在硅衬底上做有储液腔，其上形成硅膜片，硅膜上做有 mo发热电阻(mo加热丝)及mo电极，mo材料具有较高熔点(2620℃)，高于一般常用金属发热材料。并且其电阻和温度具有良好的线性相关性，对温度变化敏感，响应迅速；结合具有良好导热性的硅基底，温度均匀，不易造成局部过热；在发热丝加热的过程中，通过测发热丝电阻值计算温度值，其结果实时准确；电源可以通过温度值实时调整输出功率或电压，提高雾化效果以及能效；mo发热丝及mo电极上还可以做钝化保护层，进一步提高发热丝寿命。硅膜上做有阵列排布的雾化微孔，其结构，完全可以用mems加工工艺实现，不需要使用对mems工艺不友好的金属厚膜印刷工艺、烧结或镶嵌工艺。
附图说明
21.为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
22.图1为一种基于mo发热电阻丝的可测温mems发热雾化芯的结构示意图。
23.图2为一种基于mo发热电阻丝的可测温mems发热雾化芯中硅衬底的结构示意图。
24.图3为一种基于mo发热电阻丝的可测温mems发热雾化芯中mo加热丝的结构示意图。
25.图4为一种基于mo发热电阻丝的可测温mems发热雾化芯中钝化保护层的加工结构示意图。
26.图5为一种基于mo发热电阻丝的可测温mems发热雾化芯中雾化微通道的加工结构示意图。
27.图例说明：
28.1-硅衬底；2-mo加热丝；3-钝化保护层；4-储液腔；5-硅膜部；6-雾化微通道；7-接触电极；8-避让孔。
具体实施方式
29.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。
30.为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本实用新型实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
31.因此，以下对在附图中提供的本实用新型的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围，而是仅仅表示本实用新型的选定实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
32.应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
33.在本实用新型实施例的描述中，需要说明的是，术语“上”、“内”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该实用新型产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
34.在本实用新型的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
35.请参阅图1-5，本实用新型提供一种技术方案：一种基于mo发热电阻丝的可测温mems发热雾化芯，包括硅衬底1、mo加热丝2和钝化保护层3，所述硅衬底 1内设置有储液腔4，所述硅衬底1上设置有硅膜部5，所述硅膜部5上设置有若干个呈阵列排布的雾化微通道6，所述雾化微通道6和所述储液腔4相通，所述 mo加热丝2的端部设置有接触电极7，所述钝化保护层3制作在所述mo加热丝2 上，所述钝化保护层3上设置有位置对应所述接触电极7的避让孔8。
36.所述钝化保护层3为硅化物。
37.所述接触电极7为mo材料制作。
38.所述雾化微通道6的深度为2um-300um。
39.所述钝化保护层3的厚度为50nm-4um。
40.所述储液腔4深度可以是50um-400um。
41.工作原理：通过在硅衬底上做有储液腔，其上形成硅膜片，硅膜上做有mo 发热电阻及mo电极，mo材料具有较高熔点(2620℃)，高于一般常用金属发热材料。并且其电阻和温度具有良好的线性相关性，对温度变化敏感，响应迅速；结合具有良好导热性的硅基底，温度均匀，不易造成局部过热。在发热丝加热的过程中，通过测发热丝电阻值计算温度值，其结果实时准确；电源可以通过温度值实时调整输出功率或电压，提高雾化效果以及能效。mo发热丝及mo电极上还可以做钝化保护层，进一步提高发热丝寿命。硅膜上做有阵列排布的雾化微孔，其结构，完全可以用mems加工工艺实现，不需要使用对mems工艺不友好的金属厚膜印刷工艺、烧结或镶嵌工艺。
42.以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。