
1.本技术涉及雾化技术领域,特别是涉及一种雾化结构、雾化器及电子雾化装置。
背景技术:2.电子雾化装置通常包括雾化介质载体、雾化结构及电源组件,雾化介质载体用于储存气溶胶生成基质,雾化结构用于对气溶胶生成基质进行加热并雾化,以形成可供吸食者食用的气雾,电源组件用于向雾化结构供电。
3.现有的电子雾化装置在雾化液态介质时,一般采用管状发热体结构进行加热雾化。管状发热体升温速率慢,导致电子雾化装置使用感不好。
技术实现要素:4.基于此,有必要针对电子雾化装置因发热体升温慢导致用户使用感不好的问题,提供一种改善上述缺陷的雾化结构、雾化器及电子雾化装置。
5.一种雾化结构,包括:
6.导雾壳,所述导雾壳内形成有气流通道和容置腔;
7.导液件,设置于所述容置腔内,所述导液件具有相对设置的雾化面和吸液面,所述雾化面面向所述气流通道布置;
8.片状发热体,收容于所述导雾壳内,且设置于所述雾化面上。
9.在其中一个实施例中,所述雾化面沿所述厚度方向背离片状发热体凹陷形成有收容槽,所述片状发热体设置于所述收容槽。
10.在其中一个实施例中,所述片状发热体上构造有过雾孔,所述过雾孔贯通所述片状发热体在所述厚度方向上的两侧。
11.在其中一个实施例中,所述雾化面上凸设有凸柱,所述凸柱与过雾孔对应设置。
12.在其中一个实施例中,所述过雾孔的数量为多个,任意相邻的两个所述过雾孔之间的间隔距离均小于所述片状发热体的厚度。
13.在其中一个实施例中,所述导雾壳包括壳本体及密封套,所述壳本体内形成有所述气流通道及安装通道,所述安装通道贯通所述壳本体、并与所述气流通道连通;
14.所述密封套密封配接于所述安装通道,且所述密封套内部构造有所述容置腔。
15.在其中一个实施例中,所述导液件为陶瓷导液件。
16.在其中一个实施例中,所述雾化结构还包括外壳,所述导雾壳收容于所述外壳内;所述外壳与所述导雾壳之间间隔形成过流通道,所述过流通道连通所述吸液面及储液腔。
17.在其中一个实施例中,所述雾化结构还包括电磁线圈,所述片状发热体被配置为在所述电磁线圈产生的交变磁场作用下发热。
18.在其中一个实施例中,所述电磁线圈绕设于所述导雾壳的外周;且在所述电磁线圈的轴向上,所述片状发热体的投影与所述电磁线圈的投影相交。
19.在其中一个实施例中,在所述电磁线圈的轴向上,所述片状发热体的投影长度等
于所述电磁线圈的轴向长度。
20.在其中一个实施例中,所述片状发热体的厚度等于所述片状发热体的趋肤深度的2~3倍。
21.一种雾化器,包括:
22.雾化介质载体,具有用于存储气溶胶生成基质的储液腔;
23.及上述雾化结构,所述雾化结构与所述雾化介质载体配接,且所述储液腔与所述吸液面流体连通。
24.一种电子雾化装置,包括:
25.电源组件;及
26.如上述雾化器,所述电源组件用于向所述雾化器提供电能。
27.上述雾化结构、雾化器及电子雾化装置,在与管状发热体保持相同质量m且不扩大横向空间(具体是在管状发热体的径向方向上所占用的空间)的情况下,片状发热体要么比管状发热体高,要么比管状发热体片厚。当发热体磁感应发热,发热体的高度越矮,发热效率越低,发热体越薄,效率越低,因此片状发热体的发热效率高于管状发热体的发热效率。使用片状发热体结构,相比传统的管状发热体具有更高的发热效率,有助于提高雾化结构的升温速率,具有快速雾化和低延迟的效果,能够提高用户使用体验感。
附图说明
28.图1为本技术一实施例中的电子雾化装置的外形图;
29.图2为图1所示的电子雾化装置中a-a处的剖视图;
30.图3为图2所示的电子雾化装置中的局部结构示意图;
31.图4为图2所示的电子雾化装置中的另一局部结构示意图;
32.图5为图4所示结构的另一方位视图;
33.图6为图5所示结构中b-b处的剖视图;
34.图7为图4所示结构的分解状态下的第一视角视图;
35.图8为图4所示结构的分解状态下的第二视角视图;
36.图9为图2所示的电子雾化装置中的另一局部结构示意图;
37.图10为图9所示结构的另一方位视图;
38.图11为图10所示结构的俯视图;
39.图12为图11中c-c处的剖视图;
40.图13为图11中d-d处的剖视图;
41.图14为本技术另一些实施例中的雾化结构的结构示意图;
42.图15为图14所示的雾化结构中的电磁线圈的结构示意图;
43.图16为图15所示的电磁线圈的半剖图。
44.附图标记说明:
45.1000、电子雾化装置;100、雾化器;10、雾化结构;11、导雾壳;11a、壳本体;a1、气流通道;a2、安装通道;a3、过渡通道;11b、密封套;b、容置腔;b1、第一部分;b2、第二部分;b3、第三部分;11c、卡接部;12、导液件;12a、雾化面;c、收容槽;12b、吸液面;12c、凸柱;12d、基体部;12e、突出部;13、片状发热体;13a、过雾孔;14、外壳;14a、进液通道;14b、过流通道;
14c、进气孔;14d、卡合部;14e、头部;14f、筒部;15、电磁线圈;15a、第一线圈层;15b、第二线圈层;b1、第一线圈部;b2、第二线圈部;b3、连接导线;16、第一密封件;17、第二密封件;18、屏蔽膜;20、雾化介质载体;21、储液腔;22、抽吸通道;200、电源组件;201、电源壳;202、咪头;203、电池;204、通气孔;x、厚度方向;y、第一方向;z、设定轴向。
具体实施方式
46.为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术。但是本技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似改进,因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。
47.在本技术的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本技术的限制。
48.此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本技术的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。
49.在本技术中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系,除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
50.在本技术中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
51.需要说明的是,当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的,并不表示是唯一的实施方式。
52.为了解决背景技术中所提及的发热件升温慢导致用户使用感不好的问题,提供一种改善上述缺陷的雾化结构10、雾化器100及电子雾化装置1000。
53.请参照图1、图2及图3,为本技术一些实施例提供的电子雾化装置1000的结构示意图。电子雾化装置1000包括雾化器100及电源组件200,电源组件200用于向雾化器100提供电能,雾化器100在通电状态下能够发热并雾化储存在雾化器100中的气溶胶生成基质。
54.电源组件200可以包括电源壳201和容纳于电源壳201内的电池203,电源组件200经由自身电池203向雾化器100供电。电源组件200也可以通过连接市电向雾化器100供电。雾化器100与电源壳201配接,以实现与电源组件200的装配连接。
55.进一步地,电源组件200还可以包括咪头202,咪头202作为本领域中的常规部件,用于感应气压变化以判定用气侧是否需要使用气溶胶,也即用户是否需要使用电子雾化装置1000,并由此控制电源组件200与雾化器100通断电,其具体结构及原理在此不进行赘述。电源组件200为本领域的常用部件,其设置形式多样,具体在此不进行限定。
56.雾化器100是在通电状态下能够雾化气溶胶生成基质形成气溶胶的装置,气溶胶生成基质是在能够被雾化产生气溶胶的物质。具体地,气溶胶生成基质包括但不限于是烟油、药液等气溶胶生成基质。
57.进一步地,雾化器100包括雾化介质载体20和雾化结构10,雾化介质载体20与雾化结构10相配接(如卡接、紧固连接等)。雾化介质载体20可以包括独立设置的储液腔21和抽吸通道22,储液腔21用于储存气溶胶生成基质,抽吸通道22用于连通雾化结构10及外部,作为雾化结构10所产生的气溶胶流向外部的通道。储液腔21可以围绕抽吸通道22布置,也可以与抽吸通道22并排布置,具体形式不限定。
58.雾化结构10与储液腔21及抽吸通道22均连通,其用于从储液腔21处获取气溶胶生成基质,并在通电时能够雾化气溶胶生成基质并生成气溶胶,气溶胶经抽吸通道22向用气侧输出。
59.实际应用中,雾化介质载体20可以作为用户使用的吸嘴。当用气侧经抽吸腔作用抽吸力时,储液腔21内的气溶胶生成基质能够进入雾化结构10,进而被雾化。
60.下面对本技术实施例中的雾化器100中所涉及的雾化结构10进行介绍。
61.请参照图3、图4、图5及图6,本技术一实施例中提供了一种雾化结构10,包括导雾壳11、导液件12及片状发热体13,导雾壳11内形成有气流通道a1和容置腔b。导液件12设置于容置腔b内,导液件12具有相对设置的雾化面12a和吸液面12b,雾化面12a面向气流通道a1布置。片状发热体13收容于导雾壳11内,且设置于雾化面12a上。
62.导液件12是指能够吸收气溶胶生成基质、并允许气溶胶生成基质在自身内部扩散的构件。具体可以是,导液件12内部具有微孔,气溶胶生成基质在毛细力的作用下能够在微孔构成的孔道之间流动,以在导液件12内部扩散。不限地,导液件12可以是高温棉、陶瓷导液件等。
63.导液件12的吸液面12b位于气溶胶生成基质从储液腔21流向容置腔b的流动路径上,当气溶胶生成基质经过吸液面12b时全部经由吸液面12b扩散至导液件12内部。
64.可理解地,导液件12被配置为与容置腔b密封连接,试图进入容置腔b的气溶胶生成基质全部经吸液面12b吸收至导液件12内部,而不会直接经过容置腔b而进入到气流通道a1内,避免储液腔21内的气溶胶生成基质泄漏到气流通道a1内。
65.片状发热体13是通电可发热的构件,具体可以基于电阻发热、红外发热、磁感应发热实现其雾化气溶胶生成基质的功能。片状发热体13可以卡接、紧固连接在导液件12上后者导雾壳11上,具体固定形式不限定。
66.片状发热体13可以位于气流通道a1内也可以位于容置腔b,也可以部分位于气流通道a1部分位于容置腔b,具体不限定。导液件12可以部分位于容置腔b,部分伸出容置腔b。
伸出容置腔b的部分可以延伸到气流通道a1内或者导雾壳11的外部。导液件12也可以全部位于容置腔b。可理解地,雾化面12a位于导雾壳11内,而至于吸液面12b是否位于导雾壳11内不限定。当片状发热体13和/或导液件12位于气流通道a1时,仅占用气流通道a1的部分空间,而不会阻碍气体的流动。
67.气流通道a1用于与抽吸通道22连通,容置腔b用于与储液腔21连通。储液腔21内储存的气溶胶生成基质能够流向容置腔b,并在进入容置腔b/即将进入容置腔b时被导液件12所吸收。当用气侧需要使用雾化的气溶胶时,片状发热体13发热并雾化导液件12内的气溶胶生成基质形成气溶胶,气溶胶经气流通道a1进入抽吸通道22,最后被用气侧所使用。
68.片状发热体13呈片状结构,片状发热体13在其厚度方向x上的尺寸较小而呈薄片状。片状发热体13具有沿其厚度方向x相对设置的两个表面,其中一个表面设置在导液件12的雾化面12a上,另一表面朝向气流通道a1设置。片状发热体13的两个表面中的至少一个可以呈平面、波浪面等构造形式,不限定为呈完全平直的平面,允许有一定程度的不平整和起伏。片状发热体13可以是由发热丝编织形成的片状结构,也可以呈整体式的结构,具体不限定。
69.发热体所吸收的热量w与m*δt呈正相关,其中,m为发热体的质量,δt为单位时间的温升。在同等功率及同等时间下,若要提高δt,则要么提高m,要么提高w,也就是说要提高发热体的发热效率。根据m=ρv可知(ρ为密度,v为体积),在与管状发热体保持相同质量m且不扩大横向空间(具体是在管状发热体的径向方向上所占用的空间)的情况下,片状发热体13要么比管状发热体高,要么比管状发热体片厚。当发热体磁感应发热,发热体的高度越矮,发热效率越低,发热体越薄,效率越低,因此片状发热体13的发热效率高于管状发热体的发热效率。
70.上述雾化结构10,使用片状发热体13结构,相比传统的管状发热体具有更高的发热效率,有助于提高雾化结构10的升温速率,具有快速雾化和低延迟的效果,能够提高用户使用体验感。
71.在一些实施例中,气流通道a1沿与厚度方向x相交的第一方向y延伸设置,容置腔b的一端与气流通道a1连通,另一端沿厚度方向x贯通导雾壳11。在图2至图8所示实施例中,第一方向y与厚度方向x垂直。在图2中,第一方向y对应上下方向,厚度方向x对应左右方向。此时,气溶胶生成基质从左右方向进入导液件12,而后雾化形成的气溶胶从上下方向经气流通道a1流向用气侧,雾化结构10的布局较为紧凑。当然,在其他实施例中,气流通道a1的轴向以及导液件12与片状发热体13的布置方向还可采取其他方式,在此不限定和赘述。
72.在一些实施例中,导液件12为陶瓷导液件。具体地,陶瓷导液件可以是氧化铝陶瓷导液件、氧化硅陶瓷导液件、氮化铝陶瓷导液件、氮化硅陶瓷导液件等。可选地,陶瓷导液件的孔隙率在80%及以上,可加快气溶胶生成基质的扩散。
73.传统的电子雾化装置1000,多采用高温棉作为导液件12,高温棉作为导液件12容易出现烧焦和积碳的问题。此时,导液件12为陶瓷导液件,导液件12的熔点高可以避免烧焦和积碳等问题。
74.在一些实施例中,请参照图7,雾化面12a沿厚度方向x背离片状发热体13凹陷形成有收容槽c,片状发热体13设置在收容槽c内。
75.片状发热体13设置收容槽c时,片状发热体13处其在厚度方向x的一个表面与收容
槽c贴合外,片状发热体13围合其表面设置的侧面也可以与收容槽c贴合,如此可以提高片状发热体13与雾化面12a的接触面积,提高片状发热体13的发热效率。
76.在一些实施例中,请参照图7和图8,片状发热体13上构造有过雾孔13a,过雾孔13a贯通片状发热体13在厚度方向x上的两侧。
77.过雾孔13a连通雾化面12a与气流通道a1,雾化面12a雾化形成的气溶胶能够通过过雾孔13a快速流动到气流通道a1内,如此可加快气溶胶的释放,雾化结构10能够具备更高的雾化量。过雾孔13a的数量可以有多个,且布置方式灵活,具体不限定。
78.在一些实施例中,请参照图7,雾化面12a上凸设有凸柱12c,凸柱12c与过雾孔13a对应设置。
79.凸柱12c与过雾孔13a对应设置是指,过雾孔13a暴露至少部分凸柱12c。可选地,凸柱12c插入过雾孔13a内。
80.此时,从凸柱12c渗出的雾化后的气溶胶流向气流通道a1的路径更短,有助于提高雾化效率的气溶胶。同时,凸柱12c与过雾孔13a可以作为凹凸配合的结构,实现片状发热体13与导液件12的快速定位装配。
81.可选地,一个凸柱12c插入一个过雾孔13a内。可选地,仅部分过雾孔13a内插设有凸柱12c。可选地,全部过雾孔13a内均插设有凸柱12c。可选地,全部过雾孔13a内均未插设有凸柱12c。进一步可选地,当凸柱12c插入过雾孔13a时,凸柱12c与过雾孔13a之间存在间隙,该间隙更方便流通雾化后的气溶胶。
82.在一些实施例中,请参照图7和图8,过雾孔13a的数量为多个,任意相邻的两个过雾孔13a之间的间隔距离均小于片状发热体13的厚度。
83.片状发热体13的厚度是指片状发热体13在其厚度方向x上的投影长度。相邻的两个过雾孔13a之间的间隔距离是指相邻两个过雾孔13a的孔壁之间的最小距离。当过雾孔13a为圆孔,相邻两个过雾孔13a之间的间隔距离的间隔距离则为该两个过雾孔13a的相互邻近的两个象限点之间的位置。
84.过雾孔13a会阻碍电流的传输,若相邻的过雾孔13a之间的间隔过小,电流经过两个过雾孔13a之间的发热体部分时电阻大,电流路径变大,不利于提高升温速度。
85.当任意相邻的两个过雾孔13a之间的间隔距离均小于片状发热体13的厚度时,电流路径短、且电阻小,升温速度快。
86.可选地,全部过雾孔13a沿片状发热体13的长度方向呈一列布置。
87.在一些实施例中,片状发热体13和导液件12的一者上构造有定位凹部,另一者上构造有定位凸部,定位凹部与定位凸部沿厚度方向x定位配合。
88.定位凹部可以是定位槽、定位孔等,定位凸部可以是定位柱、定位凸起等,具体形式不限定。
89.此时,通过定位凹部与定位凸部的定位配合可以实现片状发热体13和导液件12快速定位装配,可加快雾化结构10的装配效率。同时,定位凹部与定位凸部可增加片状发热体13与导液件12的接触面积,提高雾化效率。
90.在一些实施例中,请参照图7和图8,导雾壳11包括壳本体11a及密封套11b,壳本体11a内形成有气流通道a1及安装通道a2,安装通道a2贯通壳本体11a、并与气流通道a1连通,密封套11b密封配接于安装通道a2,且密封套11b内构造有容置腔b。
91.密封套11b可以是塑料制件,能够密封连接导液件12及壳本体11a。具体地,密封套11b可以是硅胶、橡胶、聚十二酰胺、四氟乙烯、聚醚醚酮、聚乙烯、聚丙烯、聚氟乙烯等材料制成。具体可选地,安装通道a2沿片状发热体13的厚度方向x贯通设置。
92.此时,经由密封套11b不仅方便导液件12的安装,也可实现导液件12与导雾壳11的密封安装,避免漏液。
93.在一些实施例中,请参照图9至图13,雾化结构10还包括外壳14,导雾壳11收容于外壳14内,外壳14与导雾壳11之间间隔形成过流通道14b,过流通道14b连通吸液面12b及进液通道14a。
94.外壳14可以但不限于是塑料制件、或陶瓷制件。导雾壳11收容在外壳14内,并与外壳14形成有过流通道14b,储液腔21内的气溶胶生成基质经过过流通道14b到达吸液面12b,进而扩散至导液件12内部。外壳14的设置能够引导储液腔21内的气溶胶生成基质到达吸液面12b。
95.进一步地,外壳14具有连通储液腔21的进液通道14a。储液腔21内的气溶胶生成基质经过进液通道14a、过流通道14b到达吸液面12b。
96.雾化结构10可以通过外壳14与雾化介质载体20相配接,配接方式可以是卡接、紧固连接等。进一步地,雾化结构10还包括第一密封件16,第一密封件16密封连接在外壳14与雾化介质载体20之间,用于防止储液腔21漏油。进一步地,雾化结构10还包括第二密封件17,第二密封件17密封连接在导雾壳11和外壳14之间,用于防止雾化结构10漏(雾)气。
97.本技术实施例中提及的紧固连接包括螺纹连接、铆接、插销连接等。
98.在一些实施例中,请参照图12及图13,外壳14上设置有进气孔14c,进气孔14c连通气流通道a1与大气。当用气侧需要用气时,通过抽吸通道22产生吸附力,外界大气经进气孔14c进入气流通道a1并带走雾化的气溶胶,如此可使得用气侧轻松获取到气溶胶。
99.在图1及图2所示实施例中,在电源壳201的底部设置有通气孔204,通气孔204连通进气孔14c与大气。在其他实施例中,进气孔14c也可以设置为直接与大气连通。
100.请一并参照图7和图8,在本技术提供的一些实施例中,容置腔b包括沿厚度方向x依次连通的第一部分b1、第二部分b2和第三部分b3,导液件12包括沿厚度方向x连接的基体部12d和突出部12e,基体部12d配接于第二部分b2,突出部12e凸出于基体部12d且配合连接于第一部分b1,第三部分b3连通过流通道14b。雾化面12a形成于突出部12e,吸液面12b形成于基体部12d,并面向第三部分b3。密封套11b可采用软质材料,以方便导液件12安装于容置腔b内。
101.在一些实施例中,请参照图6和图12,导雾壳11内还形成有过渡通道a3,过渡通道a3连通气流通道a1及进气孔14c,过渡通道a3面向进气孔14c的一端的流通面积小于过渡通道a3面向气流通道a1的一端的流通面积。
102.过渡通道a3面向进气孔14c的一端为远端,面向气流通道a1的一端为近端,近端的流通面积小于远端的流通面积,气流从远端流向近端时,气流速度加快,如此可加速气溶胶在气流通道a1内的流动速度,有助于提高雾化结构10的气溶胶提供速度。
103.具体可以是,过渡通道a3的流通面积自面向进气孔14c的一端向面向气流通道a1的一端递减。
104.在一些实施例中,请参照图9,并结合图7和图8,导雾壳11还包括卡接部11c,外壳
14还包括卡合部14d,卡接部11c与卡合部14d卡接。具体地,卡接部11c为卡接凸部,卡合部14d为与卡接凸部配接的卡合凹部。
105.在一些实施例中,外壳14包括连通的头部14e和筒部14f,筒部14f布置在头部14e的一侧,导雾壳11至少部分收容于筒部14f内,筒部14f与导雾壳11之间形成过流通道11b,筒部14f的外围用于套设电磁线圈15,在头部14e及筒部14f的布置方向上,筒部14f和电磁线圈15的投影之和位于头部14e的投影范围之内。
106.在图10所示实施例中,头部14e及筒部14f的布置方向与第一方向对应。下文中提及的电磁线圈15套设在筒部14f的外围。且在布置方向上,筒部14f和电磁线圈15的投影之和位于头部14e的投影范围之内,也就是说,在厚度方向x上,电磁线圈15套装在筒部14f后整体尺寸不会超过头部14e的尺寸,进而有助于减雾化结构10的尺寸。
107.在图3所示实施例中,进液通道14a设置在头部14e内。
108.在一些实施例中,请参照图10、图12及图13,雾化结构10还包括电磁线圈15,片状发热体13被配置为在电磁线圈15产生的交变磁场作用下发热。
109.电磁线圈15在通电状态下可产生交变磁场,当片状发热体13处于交变磁场时,发生磁感应并产生电流,进而实现发热。片状发热体13为导磁发热体,可以是纯铁发热体、不锈钢发热体、低碳钢发热体等等,片状发热体13的具体用材不限定,只要能够在交变磁场下能够发热即可。至于导磁发热体在交变磁场下实现发热的原理为本领域的公知常识,在此不赘述。
110.在一些实施例中,请参照图10、图12及图13,电磁线圈15绕设于导雾壳11的外周,且在电磁线圈15的轴向上,片状发热体13的投影与电磁线圈15的投影相交。
111.电磁线圈15的轴向,即是电磁线圈15螺旋绕向的中心线所在方向。此时,电磁线圈15呈螺旋状,在其轴向上,能够产生较大范围的交变磁场,片状发热体13位于该交变磁场的中间的部分能够电磁感应发热。
112.具体地,电磁线圈15套设在外壳14的外壁上。电磁线圈15呈螺旋状设置,可以选用常规的单层的螺旋管状线圈,还可以采取下述实施例中的双层的螺旋管状线圈的方案。
113.在一些实施例中,请参照图14、图15和图16,电磁线圈15包括第一线圈层15a和第二线圈层15b。第一线圈层15a沿设定轴向z环绕布置,第二线圈层15b包括第一线圈部b1和第二线圈部b2。第一线圈部b1和第二线圈部b2均绕设于第一线圈层15a之外。其中,第一线圈部b1和第二线圈部b2间隔设置在第一线圈层15a在设定轴向z上的两端。
114.第一线圈层15a、第一线圈部b1和第二线圈部b2均为螺旋式线圈结构。为便于理解,将第一线圈层15a在设定轴向z上划分为三个段,分别为第一段、第二段和第三段,第一线圈部b1绕设在第一段,第二线圈部b2绕设在第三段。相应地,电磁线圈15在设定轴向z上划分为第一端部、中部和第二端部,第一端部包括第一线圈部b1和第一线圈层15a的第一段,第二端部包括第二线圈部b2和第一线圈层15a的第三段,中部包括第一线圈层15a的第二段。
115.绕线密度是指单位长度内线圈的匝数。在本实施例中,在单位长度内,第一端部内的线圈匝数由第一线圈部b1的线圈匝数和第一线圈层15a的第一段的线圈匝数决定,第二端部内的线圈匝数由第二线圈部b2的线圈匝数和第一线圈层15a的第三段的线圈匝数决定,中部的线圈匝数仅由第一线圈层15a的第二段的线圈匝数决定。
116.在本实施例中,通过第一线圈层15a的两端分别绕设第一线圈部b1和第二线圈部b2,进而使得电磁线圈15的两个端部的绕线密度高于其中部的绕线密度。绕线密度越大,单位长度内的线圈匝数越多,单位长度内电磁线圈15所产生的磁场强度越强。
117.本技术发明人深入研究发现,由于第一线圈层15a的螺旋结构特性,其第二段的磁场强度要高于其第一段和第三段的磁场强度,此时在第一段和第三段上分别绕设第一线圈部b1和第二线圈部b2,通过第一线圈部b1和第二线圈部b2来提高电磁线圈15在第一端部区域和第二端部区域的绕线密度,通过提高绕线密度来弥补第一线圈层15a的第二段的磁场强度高于第一段和第三段的磁场强度所带来的磁场强度差,可以使得电磁线圈15在设定轴向z上的各处的磁场强度较为均衡,有助于使得发热体13各处产生的加热功率较为一致,且有助于确保雾化结构10的雾化效率的一致性,提高用户使用感。
118.在一些实施例中,在设定轴向z上,第一线圈部b1和第二线圈部b2中的至少一者的绕线密度自彼此相对的一端向彼此相背的一端递增。
119.当第一线圈层15a按照相等的绕线密度沿设定轴向z绕制形成螺旋管状线圈,其磁场强度自其中间向两端逐渐递减,此时,将第一线圈部b1和/或第二线圈部b2的绕线密度也配置为自对应电磁线圈15中部的一侧向对应的端部的一侧递增,可以弥补第一线圈层15a的磁场强度自中部向两端递减的变化规律,能够更好的均衡第一线圈层15a各处的磁场强度,使得电磁线圈15各处磁场强度均匀一致性更好。
120.在一些实施例中,在设定轴向z上,第一线圈部b1和/或第二线圈部b2的绕线密度在设定轴向z上均等配置。
121.绕线密度相等,即单位长度内的线圈匝数相等。当第一线圈部b1和/或第二线圈部b2的绕线密度在设定轴向z上均等配置,其增加了电磁线圈15在第一端部和第二端部的单位长度内的线圈匝数,进而提高了电磁线圈15在两个端部的磁场强度,有助于减小电磁线圈15中部的磁场强度与端部的磁场强度的差值,提高发热体13加热功率的一致性,进而提高雾化结构10的雾化效率的一致性。
122.在一具体实施例中,第一线圈部b1和第二线圈部b2的绕线密度均被配置为自身的绕线密度自彼此相对的一端向彼此相背的一端递增。在另一具体实施例中,第一线圈部b1和第二线圈部b2的绕线密度均在设定轴向z上均等配置。在另一具体实施例中,第一线圈部b1的绕线密度自彼此面向第二线圈部b2的一端向彼此背离第二线圈部b2的一端递增,第二线圈部b2的绕线密度在设定轴向z上均等配置。关于第一线圈部b1和第二线圈部b2各自绕线密度的配置情况,主要有以上几种,具体不限定于哪一种,只要有助于实现电磁线圈15两个端部的磁场强度与电磁线圈15的中部的磁场强度均匀性较好的即可。
123.可以理解地,第一线圈部b1和/或第二线圈部b2的绕线密度沿设定轴向z上递增的实现方式可以是,在绕制第一线圈部b1和第二线圈部b2时,相邻线圈之间的间隔逐渐递减即可。同理,第一线圈部b1和/或第二线圈部b2的绕线密度沿设定轴向z上均等配置的实现方式可以是,在绕制第一线圈部b1和第二线圈部b2时,相邻线圈之间的间隔均等距设计即可。
124.在一些实施例中,在设定轴向z上,第一线圈层15a的绕线密度均等配置。
125.当第一线圈层15a的绕线密度在设定轴向z上均等配置,此时,第一线圈层15a的磁场强度沿设定轴向z表现为中部向两端递减。此时,通过在第一线圈层15a的两端区域分别
绕设第一线圈部b1和第二线圈部b2,有助于弥补第一线圈层15a中部与两端的磁场强度差,使得电磁线圈15整体上的磁场强度在设定轴向z上较为均匀。
126.当第一线圈层15a的绕线密度在设定轴向z上均等配置,第一线圈层15a可以按照普通的螺旋管状线圈进行绕制,绕制工艺成熟,可以降低第一线圈层15a的工艺难度。
127.在一些实施例中,在设定轴向z上,第一线圈层15a中部的绕线密度低于第一线圈层15a两端的绕线密度。
128.第一线圈层15a的中部可以对应于其第二段,第一线圈层15a的两端可以对应于其第一段和第二段。当第一线圈层15a中部的绕线密度低于第一线圈层15a两端的绕线密度,可以降低第一线圈层15a中部与其两端的磁场强度差,如此,可以缩短第一线圈部b1和第二线圈部b2的绕制长度,从而降低电磁线圈15的成本。
129.需要说明的是,本技术中,对于第一线圈层15a、第一线圈部b1和第二线圈部b2的绕线密度的配置方式不进行限定,三者的绕线密度可以分别在设定轴向z上均等配置也可以不等配置,只要电磁线圈15整体上的表现为电磁线圈15中部的绕线密度低于电磁线圈15两端的绕线密度,以能够使得电磁线圈15各处电磁强度较为均匀即可。
130.在一些实施例中,请参照图15,第二线圈层15b还包括连接导线b3,连接导线b3电连接第一线圈部b1和第二线圈部b2。
131.连接导线b3可以是与第一线圈部b1和第二线圈部b2用材不同的导线,也可以是与第一线圈部b1和第二线圈部b2用材相同的导线,此时第一线圈部b1和第二线圈部b2可以由同一导线绕制形成。
132.此时,第一线圈部b1和第二线圈部b2由连接导线b3实现电连接,两者可以串联接入外部电源,有助于简化供电路线。
133.需要说明地,第一线圈部b1和第二线圈部b2在设定轴向z上的长度可以相等也可以不等。例如,当第一线圈层15a的第一段的绕线密度小于其第二段的绕线密度,则第一段上的第一线圈部b1的长度可以大于第二段上的第二线圈部b2的长度。当第一线圈层15a的绕线密度均等配置时,则第一线圈部b1和第二线圈部b2的长度可以相等。
134.在一些实施例中,第一线圈层15a与第二线圈层15b由同一导线环绕设定轴向z绕制形成。
135.请参照图5,第一线圈层15a在设定轴向z上的两端分别为a端和b端,第一线圈部b1在设定轴向z上的两端分别为c端和d端,第二线圈部b2在设定轴向z上的两端分别为e端和f端。电磁线圈15由一根导线绕制形成的绕制方式可以:从a端绕线至b端,而后拉线至c端,并从c端绕线至d端,而后从d端拉线至e端,并从e端绕线至f端。
136.当电磁线圈15由一根导线绕制形成,电磁线圈15的供电控制更为简单。
137.进一步地,请参照图2,雾化结构10还包括屏蔽膜18,屏蔽膜18套设在电磁线圈15的外部。屏蔽膜18能够屏蔽磁场,如此可避免磁场外泄,避免影响外部事物。
138.在一些实施例中,在电磁线圈15的轴向上,片状发热体13的投影长度等于电磁线圈15的轴向长度。
139.当片状发热体13的投影长度大于电磁线圈15的轴向长度,片状发热体13超出电磁线圈15范围外的部分发热效率低,反而拉低了温升。当片状发热体13的投影长度小于电磁线圈15的轴向长度,电磁线圈15超出片状发热体13的部分无法作用到片状发热体13产生热
量,电磁线圈15的工作效率低。
140.此时,片状发热体13的投影长度等于电磁线圈15的轴向长度,电磁线圈15和片状发热体13的工作效率能够达到较佳水平。
141.在一些实施例中,片状发热体13的厚度等于片状发热体13的趋肤深度的2~3倍。趋肤深度的计算公式为:
[0142][0143]
其中,δ为趋肤深度,ρ为电阻率,μ0为真空磁导率,μr为相对电导率,f为磁场频率,ρ、μ0、μr三个参数针对发热体所采用的材料均为已知值,其计算方式为本领域公知常识,在此不进行赘述。
[0144]
具体地,片状发热体13的厚度可以是自身趋肤深度的2倍、2.5倍、或者3倍等。
[0145]
经证明,当片状发热体13的厚度超过2~3倍的趋肤深度,片状发热体13太厚而导致升温慢。当片状发热体13的厚度低于2~3倍的趋肤深度,片状发热体13太薄而导致发热效率低,长时间加热时功能不足。
[0146]
另外,本技术还提供了一种雾化器100,包括雾化介质载体20及上述雾化结构10,雾化介质载体20具有用于存储气溶胶生成基质的储液腔21,雾化结构10与雾化介质载体20配接,且储液腔21与吸液面12b流体连通。
[0147]
另外,本技术还提供了一种电子雾化装置1000,包括雾化器100及电源组件200,电源组件200用于向雾化器100提供电能。
[0148]
上述雾化器100及电子雾化装置1000,具备上述实施例中的所有有益效果,在此不赘述。
[0149]
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
[0150]
以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本技术构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本技术的保护范围。因此,本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。