调节式人工晶体的制作方法

文档序号:12504768阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种包含调节式人工晶体植入物的装置,其特征在于:所述装置具有一径向外周边且包含:

一前浮式晶体元件,其包含一前晶体;

一后晶体元件,其包含一后晶体;

一前环复合体;以及

多个杠杆,(a)所述多个杠杆(i)沿着所述多个杠杆在各自的第一纵向点同时与所述前浮式晶体元件连结,所述多个杠杆(ii)沿着所述多个杠杆在各自的第二纵向点同时与所述前环复合体连结,且所述多个杠杆(iii)沿着所述多个杠杆在各自的第三纵向点同时与所述后晶体元件连结;(b)所述多个杠杆被安排来将所述前浮式晶体元件以一前-后的方向朝所述前环复合体移动或远离,

其中对于每一杠杆:

(a)所述杠杆的第二纵向点及第三纵向点所界定的一直线(若投射在由所述晶体植入物的所述径向外周边界定的一平面)与(b)切向至一周向地对应于所述杠杆的第三纵向点的周边的圆周点上的所述晶体植入物的径向外周边的一直线两者形成了一介于75至105度之间的角度,以及

所述第二纵向点是沿着所述杠杆纵向地位于所述第一纵向点与所述第三纵向点之间,使得所述第三纵向点作为所述杠杆的一支点。

2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:所述角度是介于85至95度之间。

3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于:所述角度是90度。

4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:所述角度是一第一角度且所述直线是一第一直线,其中对于每一杠杆:(a)所述杠杆的第一纵向点及第三纵向点所界定的一第二直线(若投射在由所述晶体植入物的所述径向外周边界定的所述平面)与(b)切向至所述周向地对应于所述杠杆的第三纵向点的周边的圆周点上的所述晶体植入物的径向外周边的一直线两者形成了一介于75至105度之间的第二角度。

5.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:所述晶体植入物的所述径向外周边是通过所述后晶体元件来界定的。

6.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:所述晶体植入物还包含:

多个前晶体连接元件;以及

多个前环连接元件,以及

其中所述多个杠杆:

在沿着所述多个杠杆的各自的第一纵向点上,通过所述各自的前晶体连接元件而与所述前浮式晶体元件连结,以及

在沿着所述多个杠杆的各自的第二纵向点上,通过所述各自的前环连接元件而与所述前环复合体连结。

7.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:所述多个杠杆被均匀周向地分布在所述晶体植入物的周围。

8.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:所述第三纵向点在所述各自的多个杠杆的各自的最末端。

9.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:所述多个杠杆包含至少六个杠杆。

10.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:所述多个杠杆的每一个若被投射在由所述晶体植入物的径向外周边所界定的一平面上将不会被弯曲。

11.根据权利要求1-10中的任一项所述的装置,其特征在于:所述第二纵向点被各自地设置在所述第三纵向点的径向向内的位置。

12.根据权利要求11所述的装置,其特征在于:所述第一纵向点被各自地设置在所述第二纵向点及所述第三纵向点的径向向内的位置。

13.根据权利要求1-10中的任一项所述的装置,其特征在于:所述晶体植入物被配置成:当所述晶体植入物在完全调节状态与完全未调节状态之间转换时,对于所述多个杠杆的每一个而言,所述杠杆的任一部位与所述前晶体的中央视轴之间的最大距离变化是小于所述前晶体10%的直径。

14.根据权利要求13所述的装置,其特征在于:所述晶体植入物被配置成:

当所述晶体植入物在完全调节状态与完全未调节状态之间转换时,对于所述多个杠杆的每一个而言,所述杠杆的任一部位与所述前晶体的中央视轴之间的最大距离变化是小于所述前晶体5%的直径。

15.根据权利要求1-10中的任一项所述的装置,其特征在于:

所述晶体植入物包含一后组件,所述后组件包含所述后晶体元件、所述前环复合体和所述杠杆,

所述前浮式晶体元件与所述后组件彼此是不相同的且并非永久固定在一起,以人眼来看,所述前浮式晶体元件与所述后组件被成形而于原位组装在一起,以及

当所述前浮式晶体元件与所述后组件被组装在一起时,所述前浮式晶体元件与所述后组件在一或多个界面上相互接触。

16.根据权利要求15所述的装置,其特征在于:所述前浮式晶体元件被成形来界定一前环。

17.根据权利要求16所述的装置,其特征在于:所述前环被成形来界定一界面区域,其中,当所述前浮式晶体元件与所述后组件被组合在一起时,所述杠杆在它的第一纵向点上被耦合到所述界面区域。

18.根据权利要求15所述的装置,其特征在于:所述杠杆在它的第三纵向点上被固定至所述后晶体元件的一接点。

19.根据权利要求18所述的装置,其特征在于:所述杠杆能够绕所述接点枢转。

20.根据权利要求1-10中的任一项所述的装置,其特征在于:

所述晶体植入物包含一前组件,所述前组件包含所述前浮式晶体元件、所述前环复合体及所述杠杆,

所述后晶体元件与所述前组件彼此是不相同的且并非永久固定在一起,以人眼来看,所述后晶体元件与所述前组件被成形而于原位组装在一起,其中当所述后晶体元件与所述前组件被组装在一起时,所述后晶体元件与所述前组件在一或多个界面上相互接触。

21.根据权利要求20所述的装置,其特征在于:当所述后晶体元件与所述前组件被组装在一起时,所述杠杆能够绕所述一或多个界面枢转。

22.根据权利要求1-10中的任一项所述的装置,其特征在于:

所述晶体植入物还包含一圆周环缘,所述杠杆被固定在所述环缘的各自的、不同的圆周位置上,以及

所述杠杆在圆周环缘上与所述后晶体元件连结。

23.根据权利要求22所述的装置,其特征在于:

所述后晶体元件为凹面且具有一界定成一界面区域的内表面,所述界面区域的一部分界定了一由所述后晶体的一中央视轴的局部最大半径,以及

所述圆周环缘与所述内表面的所述界面区域连结。

24.根据权利要求23所述的装置,其特征在于:所述后晶体元件被成形来界定一前邻至所述界面区域的部分的唇状部,所述唇状部被成形来抑制所述圆周环缘的往前运动。

25.根据权利要求23所述的装置,其特征在于:所述内表面朝着所述界面区域平缓地倾斜。

26.根据权利要求23所述的装置,其特征在于:所述所述圆周环缘具有一外半径,所述外半径大于或等于所述后晶体元件的内表面的局部最大半径。

27.根据权利要求26所述的装置,其特征在于:所述所述圆周环缘的外半径是所述后晶体元件的内表面的局部最大半径的100%至105%之间。

28.一种包含调节式人工晶体植入物的装置,其特征在于:所述装置包含:

一前浮式晶体元件,所述前浮式晶体元件包含一前晶体;以及一后组件,所述后组件包含(a)一后晶体元件,所述后晶体元件包含一后晶体,以及(b)多个杠杆,所述多个杠杆的每一个与所述前浮式晶体元件连结,

其中所述多个杠杆在各自的接点上被固定至所述后晶体元件,所述前浮式晶体元件与所述后组件彼此是不相同的且并非永久固定在一起,以人眼来看,所述前浮式晶体元件与所述后组件被成形而于原位组装在一起,以及当所述前浮式晶体元件与所述后组件被组装在一起时:

所述前浮式晶体元件与所述后组件在一或多个界面上相互接触,以及

所述多个杠杆能够绕所述接点枢转,且被安排来将所述前浮式晶体元件以一前-后的方向朝所述后晶体元件移动或远离。

29.根据权利要求28所述的装置,其特征在于:所述前浮式晶体元件被成形来界定一前环。

30.根据权利要求29所述的装置,其特征在于:所述前环被成形来界定一界面区域,其中,当所述前浮式晶体元件与所述后组件被组合在一起时,所述杠杆在它的第一纵向点上被耦合到所述界面区域。

31.根据权利要求28-30中的任一项所述的装置,其特征在于:

所述后组件还包含一前环复合体,且所述多个杠杆的每一个与所述前浮式晶体元件及所述前环复合体连结,所述多个杠杆被安排来将所述前浮式晶体元件以一前-后的方向朝所述前环复合体移动或远离。

32.一种包含调节式人工晶体植入物的装置,其特征在于:所述装置包含:

一后晶体元件,所述后晶体元件包含一后晶体;以及一前组件,所述前组件包含(a)一前浮式晶体元件,所述前浮式晶体元件包含一前晶体,以及(b)多个杠杆,所述多个杠杆的每一个与所述前浮式晶体元件连结,

其中所述后晶体元件与所述前组件彼此是不相同的且并非永久固定在一起,以人眼来看,所述后晶体元件与所述前组件被成形而于原位组装在一起,以及

当所述后晶体元件与所述前组件被组装在一起时:

所述后晶体元件与所述前组件在一或多个界面上相互接触,以及

所述杠杆能够绕所述一或多个界面枢转,且被安排来将所述前浮式晶体元件以一前-后的方向朝所述后晶体元件移动或远离。

33.根据权利要求32所述的装置,其特征在于:

所述晶体植入物还包含多个前晶体连接元件,以及

所述多个杠杆在沿着所述多个杠杆的各自的第一纵向点上通过所述各自的前晶体连接元件而与所述前浮式晶体元件连结。

34.根据权利要求32所述的装置,其特征在于:所述一或多个界面包含只有一个圆周界面,且当所述后晶体元件与所述前组件被组装在一起时,所述后晶体元件与所述前组件在所述只有一个圆周界面上相互接触。

35.根据权利要求32所述的装置,其特征在于:所述的装置还包含:

一第一导引管,在其中所述后晶体元件被可拆卸地设置;以及一第二导引管,在其中所述前组件被可拆卸地设置,其中所述第一导引管与所述第二导引管并不相同且彼此分离。

36.根据权利要求32所述的装置,其特征在于:所述装置还包含一导引管,

所述导引管具有一末端,其中所述后晶体元件与所述前组件是位于所述导引管中,且所述前组件的一最末端部分是邻近于所述后晶体元件的一最近端部分。

37.一种包含调节式人工晶体植入物的装置,其特征在于:所述装置包含:

一后晶体元件,其包含一后晶体;

一前浮式晶体元件,其包含一前晶体;以及

多个杠杆,所述多个杠杆的每一个与所述前浮式晶体元件连结,其中所述多个杠杆被安排来将所述前浮式晶体元件以一前-后的方向朝所述后晶体元件移动或远离,

其中所述晶体植入物是以下列特征所组成之群组的其中之一为特征:

所述晶体植入物不包含任何触动部,以及

所述晶体植入物包含触动部,所述触动部不被配置来传递动作给所述杠杆。

38.根据权利要求37所述的装置,其特征在于:所述晶体植入物不包含任何触动部。

39.根据权利要求37所述的装置,其特征在于:

所述晶体植入物还包含多个前晶体连接元件,以及

所述多个杠杆在沿着所述多个杠杆的各自的第一纵向点上通过所述各自的前晶体连接元件而与所述前浮式晶体元件连结。

40.根据权利要求37所述的装置,其特征在于:所述多个杠杆包含至少六个杠杆。

41.根据权利要求37所述的装置,其特征在于:所述多个杠杆的每一个在所述杠杆的一最末端上与所述后晶体元件连结。

42.根据权利要求37-41中的任一项所述的装置,其特征在于:所述晶体植入物还包含一前环复合体,且所述多个杠杆的每一个与所述前浮式晶体元件及所述前环复合体连结,所述多个杠杆被安排来将所述前浮式晶体元件以一前-后的方向朝所述前环复合体移动或远离。

43.根据权利要求42所述的装置,其特征在于:所述晶体植入物还包含:

多个前晶体连接元件;以及

多个前环连接元件,以及

其中所述多个杠杆:

在沿着所述多个杠杆的各自的第一纵向点上通过所述各自的前晶体连接元件而与所述前浮式晶体元件连结,以及

在沿着所述多个杠杆的各自的第二纵向点上通过所述各自的前环连接元件而与所述前环复合体连结。

44.根据权利要求42所述的装置,其特征在于:

所述多个杠杆(a)沿着所述多个杠杆在各自的第一纵向点同时与所述前浮式晶体元件连结,所述多个杠杆(ii)沿着所述多个杠杆在各自的第二纵向点同时与所述前环复合体连结,且所述多个杠杆(iii)沿着所述多个杠杆在各自的第三纵向点同时与所述后晶体元件连结,以及

对于每一杠杆:(a)所述杠杆的第二纵向点及第三纵向点所界定的一直线(若投射在由所述晶体植入物的一径向外周边界定的一平面)与(b)切向至一周向地对应于所述杠杆的第三纵向点的周边的圆周点上的所述晶体植入物的径向外周边的一直线两者形成了一介于75至105度之间的角度。

45.根据权利要求44所述的装置,其特征在于:所述第二纵向点被各自地设置在所述第三纵向点的径向向内的位置。

46.根据权利要求45所述的装置,其特征在于:所述第一纵向点被各自地设置在所述第二纵向点及所述第三纵向点的径向向内的位置。

47.根据权利要求44所述的装置,其特征在于:对于所述多个杠杆的每一个,(a)所述杠杆的第一纵向点及第三纵向点所界定的一直线(若投射在由所述晶体植入物的所述径向外周边界定的所述平面)与(b)切向至所述周向地对应于所述杠杆的第三纵向点的周边的圆周点上的所述晶体植入物的径向外周边的一直线两者形成了一介于75至105度之间的角度。

48.根据权利要求44所述的装置,其特征在于:所述晶体植入物的所述径向外周边是通过所述后晶体元件来界定的。

49.根据权利要求44所述的装置,其特征在于:所述多个杠杆被均匀周向地分布在所述晶体植入物的周围。

50.根据权利要求44所述的装置,其特征在于:对于所述多个杠杆的每一个而言,所述第二纵向点是沿着所述杠杆纵向地位于所述第一纵向点与所述第三纵向点之间,使得所述第三纵向点作为所述杠杆的一支点。

51.根据权利要求37-41中的任一项所述的装置,其特征在于:

所述晶体植入物包含一后组件,所述后组件包含所述后晶体元件和所述杠杆,

所述前浮式晶体元件与所述后组件彼此是不相同的且并非永久固定在一起,以人眼来看,所述前浮式晶体元件与所述后组件被成形而于原位组装在一起,以及

当所述前浮式晶体元件与所述后组件被组装在一起时,所述前浮式晶体元件与所述后组件在一或多个界面上相互接触。

52.根据权利要求37-41中的任一项所述的装置,其特征在于:

所述晶体植入物包含一前组件,所述前组件包含所述前浮式晶体元件及所述杠杆,

所述后晶体元件与所述前组件彼此是不相同的且并非永久固定在一起,以人眼来看,所述后晶体元件与所述前组件被成形而于原位组装在一起,以及

当所述后晶体元件与所述前组件被组装在一起时,所述后晶体元件与所述前组件在一或多个界面上相互接触。

53.根据权利要求52所述的装置,其特征在于:当所述后晶体元件与所述前组件被组装在一起时,所述杠杆能够绕所述一或多个界面枢转。

54.根据权利要求37-41中的任一项所述的装置,其特征在于:

所述晶体植入物还包含一圆周环缘,所述杠杆被固定在所述环缘的各自的、不同的圆周位置上,以及

所述杠杆在圆周环缘上与所述后晶体元件连结。

55.根据权利要求54所述的装置,其特征在于:

所述后晶体元件为凹面且具有一界定成一界面区域的内表面,所述界面区域的一部分界定了一由所述后晶体的一中央视轴的局部最大半径,以及所述圆周环缘与所述内表面的所述界面区域连结。

56.根据权利要求55所述的装置,其特征在于:所述后晶体元件被成形来界定一前邻至所述界面区域的部分的唇状部,所述唇状部被成形来抑制所述圆周环缘的往前运动。

57.根据权利要求55所述的装置,其特征在于:所述内表面朝着所述界面区域平缓地倾斜。

58.根据权利要求55所述的装置,其特征在于:所述所述圆周环缘具有一外半径,所述外半径大于或等于所述后晶体元件的内表面的局部最大半径。

59.根据权利要求58所述的装置,其特征在于:所述所述圆周环缘的外半径是所述后晶体元件的内表面的局部最大半径的100%至105%之间。

60.根据权利要求37-41中的任一项所述的装置,其特征在于:所述晶体植入物包含触动部,所述触动部不被配置来传递动作给所述杠杆。

61.根据权利要求60所述的装置,其特征在于:所述杠杆通过一或多个所述晶体植入物的其他元件被间接地连接至所述触动部。

62.一种装置,其特征在于:所述装置包含:

一调节式人工晶体植入物,所述调节式人工晶体植入物包含一前组件,所述前组件包含:

一前浮式晶体元件,所述前浮式晶体元件(a)包含一前晶体和一径向地围绕所述前晶体的圆周环缘,且所述前浮式晶体元件(b)具有一中央纵向轴,所述中央纵向轴与所述前晶体的径向中心相交,且所述中央纵向轴与所述圆周环缘界定的一平面垂直;以及

多个杠杆,所述多个杠杆(a)被固定在所述圆周环的各自的圆周点,所述多个杠杆(b)与所述前浮式晶体元件连结;以及一导引管,在其中当折迭或卷起一直线时,所述前组件可拆卸地设置,所述直线(a)与(i)所述中央纵向轴及(ii)所述圆周环上的一点相交,所述点周向地位于两个周向邻近圆周点之间,所述多个杠杆(b)平行于由所述圆周环缘界定的所述平面。

63.根据权利要求62所述的装置,其特征在于:所述点从所述两个周向邻近圆周点的每一个周向地偏移至少18度。

64.根据权利要求62所述的装置,其特征在于:所述圆周环上的所述点由所述两个周向邻近圆周点的每一个周向地偏移所述两个周向邻近圆周点之间的一周向偏移的40%至60%。

65.根据权利要求62所述的装置,其特征在于:

所述前组件还包含多个前晶体连接元件,以及

所述多个杠杆在沿着所述多个杠杆的各自的第一纵向点上通过所述各自的前晶体连接元件而与所述前浮式晶体元件连结。

66.根据权利要求62所述的装置,其特征在于:所述多个杠杆包含至少六个杠杆。

67.根据权利要求62-66中的任一项所述的装置,其特征在于:

所述晶体植入物还包含一后晶体元件,所述后晶体元件是不同于且并非永久固定于所述前组件,其中以人眼来看,所述后晶体元件和所述前组件被成形而于原位组装在一起,

所述后晶体元件包含一后晶体,以及

当所述后晶体元件与所述前组件被组装在一起时,所述后晶体元件与所述前组件在一或多个界面上相互接触。

68.根据权利要求67所述的装置,其特征在于:当所述后晶体元件与所述前组件被组装在一起时,所述杠杆能够绕所述一或多个界面枢转,且被安排来将所述前浮式晶体元件以一前-后的方向朝所述后晶体元件移动或远离。

69.根据权利要求67所述的装置,其特征在于:

所述导引管是一前组件导引管,

所述装置还包含一后晶体元件导引管,在其中所述后晶体元件被可拆卸地设置,以及

所述前组件导引管和所述后晶体元件导引管并不相同且彼此分离。

70.根据权利要求67所述的装置,其特征在于:所述导引管具有一末端,其中所述后晶体元件与所述前组件是位于所述导引管中,且所述前组件的一最末端部分是邻近于所述后晶体元件的一最近端部分。

71.根据权利要求67所述的装置,其特征在于:

所述晶体植入物还包含一圆周环缘,所述杠杆被固定在所述环缘的各自的、不同的圆周位置上,以及

所述杠杆在圆周环缘上与所述后晶体元件连结。

72.根据权利要求71所述的装置,其特征在于:

所述后晶体元件为凹面且具有一界定成一界面区域的内表面,所述界面区域的一部分界定了一由所述后晶体的一中央视轴的局部最大半径,以及

所述圆周环缘与所述内表面的所述界面区域连结。

73.根据权利要求72所述的装置,其特征在于:所述后晶体元件被成形来界定一前邻至所述界面区域的部分的唇状部,所述唇状部被成形来抑制所述圆周环缘的往前运动。

74.根据权利要求72所述的装置,其特征在于:所述内表面朝着所述界面区域平缓地倾斜。

75.根据权利要求72所述的装置,其特征在于:所述所述圆周环缘具有一外半径,所述外半径大于或等于所述后晶体元件的内表面的局部最大半径。

76.根据权利要求75所述的装置,其特征在于:所述所述圆周环缘的外半径是所述后晶体元件的内表面的局部最大半径的100%至105%之间。

77.根据权利要求67所述的装置,其特征在于:当所述前组件不被设置于所述导引管中时,所述前组件还包含一前环复合体,且所述多个杠杆的每一个与所述前浮式晶体元件及所述前环复合体连结,所述多个杠杆被安排来将所述前浮式晶体元件以一前-后的方向朝所述前环复合体移动或远离。

78.根据权利要求77所述的装置,其特征在于:所述晶体植入物还包含:

多个前晶体连接元件;以及

多个前环连接元件,以及

其中所述多个杠杆:

在沿着所述多个杠杆的各自的第一纵向点上通过所述各自的前晶体连接元件而与所述前浮式晶体元件连结,以及

在沿着所述多个杠杆的各自的第二纵向点上通过所述各自的前环连接元件而与所述前环复合体连结。

79.一种包含调节式人工晶体植入物的装置,其特征在于:所述装置包含:

一凹面后晶体元件,其包含一后晶体,且具有一内表面;

一前浮式晶体元件,其包含一前晶体;

多个杠杆,(a)所述多个杠杆与所述前浮式晶体元件及所述后晶体元件连结,(b)所述多个杠杆被安排来将所述前浮式晶体元件以一前-后的方向朝所述后晶体元件移动或远离,

其中所述晶体植入物被成形使所述内表面限制所述前浮式晶体元件的往后运动。

80.根据权利要求79所述的装置,其特征在于:所述多个杠杆和所述后晶体元件的内表面被成形使所述内表面通过所述内表面接触所述多个杠杆来限制所述前浮式晶体元件的往后运动。

81.根据权利要求79所述的装置,其特征在于:所述多个杠杆包含至少六个杠杆。

82.根据权利要求79所述的装置,其特征在于:所述多个杠杆的每一个在所述杠杆的一最末端上与所述后晶体元件连结。

83.根据权利要求79所述的装置,其特征在于:

所述前组件还包含多个前晶体连接元件,以及

所述多个杠杆在沿着所述多个杠杆的各自的第一纵向点上通过所述各自的前晶体连接元件而与所述前浮式晶体元件连结。

84.根据权利要求79-83中的任一项所述的装置,其特征在于:

所述前组件还包含一前环复合体,所述前环复合体被设置来使所述前浮式晶体元件以所述前-后的方向朝所述前环复合体移动或远离,以及

所述多个杠杆的每一个与所述前浮式晶体元件、所述前环复合体及所述后晶体元件连结。

85.根据权利要求84所述的装置,其特征在于:所述晶体植入物还包含:

多个前晶体连接元件;以及

多个前环连接元件,以及

其中所述多个杠杆:

在沿着所述多个杠杆的各自的第一纵向点上通过所述各自的前晶体连接元件而与所述前浮式晶体元件连结,以及

在沿着所述多个杠杆的各自的第二纵向点上通过所述各自的前环连接元件而与所述前环复合体连结。

86.根据权利要求84所述的装置,其特征在于:

所述多个杠杆(a)沿着所述多个杠杆在各自的第一纵向点同时与所述前浮式晶体元件连结,所述多个杠杆(ii)沿着所述多个杠杆在各自的第二纵向点同时与所述前环复合体连结,且所述多个杠杆(iii)沿着所述多个杠杆在各自的第三纵向点同时与所述后晶体元件连结,以及

对于每一杠杆:(a)所述杠杆的第二纵向点及第三纵向点所界定的一直线(若投射在由所述晶体植入物的一径向外周边界定的一平面)与(b)切向至一周向地对应于所述杠杆的第三纵向点的周边的圆周点上的所述晶体植入物的径向外周边的一直线两者形成了一介于75至105度之间的角度。

87.根据权利要求86所述的装置,其特征在于:所述第二纵向点被各自地设置在所述第三纵向点的径向向内的位置。

88.根据权利要求87所述的装置,其特征在于:所述第一纵向点被各自地设置在所述第二纵向点及所述第三纵向点的径向向内的位置。

89.根据权利要求86所述的装置,其特征在于:对于所述多个杠杆的每一个,(a)所述杠杆的第一纵向点及第三纵向点所界定的一直线(若投射在由所述晶体植入物的所述径向外周边界定的所述平面)与(b)切向至所述周向地对应于所述杠杆的第三纵向点的周边的圆周点上的所述晶体植入物的径向外周边的一直线两者形成了一介于75至105度之间的角度。

90.根据权利要求86所述的装置,其特征在于:所述晶体植入物的所述径向外周边是通过所述后晶体元件来界定的。

91.根据权利要求86所述的装置,其特征在于:所述多个杠杆被均匀周向地分布在所述晶体植入物的周围。

92.根据权利要求86所述的装置,其特征在于:对于所述多个杠杆的每一个而言,所述第二纵向点是沿着所述杠杆纵向地位于所述第一纵向点与所述第三纵向点之间,使得所述第三纵向点作为所述杠杆的一支点。

93.根据权利要求79-83中的任一项所述的装置,其特征在于:

所述晶体植入物包含一前组件,所述前组件包含所述前浮式晶体元件及所述杠杆,

所述后晶体元件与所述前组件彼此是不相同的且并非永久固定在一起,以人眼来看,所述后晶体元件与所述前组件被成形而于原位组装在一起,以及

当所述后晶体元件与所述前组件被组装在一起时,所述后晶体元件与所述前组件在一或多个界面上相互接触。

94.根据权利要求93所述的装置,其特征在于:当所述后晶体元件与所述前组件被组装在一起时,所述杠杆能够绕所述一或多个界面枢转。

95.根据权利要求79-83中的任一项所述的装置,其特征在于:

所述晶体植入物还包含一圆周环缘,所述杠杆被固定在所述环缘的各自的、不同的圆周位置上,以及

所述杠杆在圆周环缘上与所述后晶体元件连结。

96.根据权利要求95所述的装置,其特征在于:

所述后晶体元件为凹面且具有一界定成一界面区域的内表面,所述界面区域的一部分界定了一由所述后晶体的一中央视轴的局部最大半径,以及

所述圆周环缘与所述内表面的所述界面区域连结。

97.根据权利要求96所述的装置,其特征在于:所述后晶体元件被成形来界定一前邻至所述界面区域的部分的唇状部,所述唇状部被成形来抑制所述圆周环缘的往前运动。

98.根据权利要求96所述的装置,其特征在于:所述内表面朝着所述界面区域平缓地倾斜。

99.根据权利要求96所述的装置,其特征在于:所述所述圆周环缘具有一外半径,所述外半径大于或等于所述后晶体元件的内表面的局部最大半径。

100.根据权利要求99所述的装置,其特征在于:所述所述圆周环缘的外半径是所述后晶体元件的内表面的局部最大半径的100%至105%之间。

101.一种包含调节式人工晶体植入物的装置,其特征在于:所述装置具有一径向外周边且包含:

一前浮式晶体元件,其包含一前晶体;

一后晶体元件,其包含一后晶体;

一前环复合体;以及多个杠杆,所述多个杠杆的每一个与所述前浮式晶体元件、所述前环复合体和所述后晶体元件连结,其中所述多个杠杆被安排来将所述前浮式晶体元件以一前-后的方向朝所述前环复合体移动或远离,其中所述多个杠杆的每一个若被投射在由所述晶体植入物的径向外周边所界定的一平面上将不会被弯曲。

102.一种包含调节式人工晶体植入物的装置,其特征在于:所述装置包含:

一前浮式晶体元件,其包含一前晶体;

一后晶体元件,其包含一后晶体;

一前环复合体,所述前环复合体被设置来使所述前浮式晶体元件以一前-后的方向朝所述前环复合体移动或远离;以及

多个杠杆,所述多个杠杆的每一个与所述前浮式晶体元件、所述前环复合体和所述后晶体元件连结,其中所述多个杠杆被安排来将所述前浮式晶体元件以一前-后的方向朝所述前环复合体移动或远离,

其中所述晶体植入物被配置来使所述前环复合体的一最大可能的前-后行程距离为至少0.875毫米。

103.根据权利要求102所述的装置,其特征在于:所述晶体植入物被配置来使所述前环复合体的所述最大可能的前-后行程距离为至少1.05毫米。

104.一种方法,包含:

提供一调节式人工晶体植入物,其包含:

一前浮式晶体元件,所述前浮式晶体元件包含一前晶体;一后晶体元件,所述后晶体元件包含一后晶体;

一前环复合体,所述前环复合体被设置来使所述前浮式晶体元件以一前-后的方向朝所述前环复合体移动或远离;以及

多个杠杆,(a)所述多个杠杆(i)沿着所述多个杠杆在各自的第一纵向点同时与所述前浮式晶体元件连结,所述多个杠杆(ii)沿着所述多个杠杆在各自的第二纵向点同时与所述前环复合体连结,且所述多个杠杆(iii)沿着所述多个杠杆在各自的第三纵向点同时与所述后晶体元件连结;(b)所述多个杠杆被安排来将所述前浮式晶体元件以一前-后的方向朝所述前环复合体移动或远离,

对于每一杠杆:(a)所述杠杆的第二纵向点及第三纵向点所界定的一直线(若投射在由所述晶体植入物的一径向外周边界定的一平面)与(b)切向至一周向地对应于所述杠杆的第三纵向点的周边的圆周点上的所述晶体植入物的径向外周边的一直线两者形成了一介于75至105度之间的角度,且所述第二纵向点是沿着所述杠杆纵向地位于所述第一纵向点与所述第三纵向点之间,使得所述第三纵向点作为所述杠杆的一支点;以及

将所述晶体植入物植入到一患者的一天然囊袋中。

105.一种包含调节式人工晶体植入物的装置,其特征在于:所述装置具有一径向外周边且包含:

一前浮式晶体元件,其包含一前晶体;

一后晶体元件,其包含一后晶体;

一前环复合体;以及

多个杠杆,(a)所述多个杠杆(i)沿着所述多个杠杆在各自的第一纵向点同时与所述前浮式晶体元件连结,所述多个杠杆(ii)沿着所述多个杠杆在各自的第二纵向点同时与所述前环复合体连结,且所述多个杠杆(iii)沿着所述多个杠杆在各自的第三纵向点同时与所述后晶体元件连结;(b)所述多个杠杆被安排来将所述前浮式晶体元件以一前-后的方向朝所述前环复合体移动或远离,

其中对于每一杠杆:

(a)所述杠杆的第二纵向点及第三纵向点所界定的一直线(若投射在一垂直于所述前晶体的中央视轴的一平面)与(b)切向至一周向地对应于所述杠杆的第三纵向点的周边的圆周点上的所述晶体植入物的一径向外周边的一直线(若投射在垂直于所述中央视轴的所述平面)两者形成了一介于75至105度之间的角度,以及所述第二纵向点是沿着所述杠杆纵向地位于所述第一纵向点与所述第三纵向点之间,使得所述第三纵向点作为所述杠杆的一支点。

106.根据权利要求105所述的装置,其特征在于:所述角度是介于85至95度之间。

107.根据权利要求106所述的装置,其特征在于:所述角度是90度。

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