中子捕获治疗装置的制作方法

技术特征：

1.一种中子捕获治疗装置，其特征在于：所述中子捕获治疗装置包括中子产生部、缓速体、反射体、射束出口和柔性屏蔽体，其中，所述中子产生部用于产生中子，所述中子形成中子射束，中子射束包括快中子；所述缓速体邻接于所述中子产生部并将所述中子产生部产生的快中子缓速至超热中子；所述反射体包围所述缓速体，用于将向周围扩散的中子反射回所述中子射束；所述射束出口用以使被所述缓速体缓速的中子射束通过并对患者进行照射；所述柔性屏蔽体用于患者在进行中子捕获治疗的过程中覆盖患者无需接受中子照射的部位以屏蔽治疗过程中的中子射线，并在外力作用下能够与所述部位的轮廓贴合。

2.如权利要求1所述的中子捕获治疗装置，其特征在于，所述中子捕获治疗装置包括准直器和热中子吸收体，其中准直器邻接于所述射束出口外侧，用以汇聚从射束出口出来的中子射束；所述热中子吸收体邻接于所述缓速体，用于吸收热中子以避免治疗时对浅层正常组织造成过多剂量。

3.如权利要求2所述的中子捕获治疗装置，其特征在于，所述柔性屏蔽体选自石蜡、聚乙烯或含硼的组合物，其中所述含硼的组合物中硼元素为¹⁰B。

4.如权利要求3所述的中子捕获治疗装置，其特征在于，所述含硼的组合物包括硅胶和含¹⁰B元素的中子捕获材料，其中含¹⁰B元素的中子捕获材料占所述含硼组合物重量的10％～50％。

5.如权利要求4所述的中子捕获治疗装置，其特征在于，所述含¹⁰B元素的中子捕获材料为¹⁰BN或¹⁰B₄C。

6.如权利要求1～5中任一项所述的中子捕获治疗装置，其特征在于，所述外力包括重力，所述柔性屏蔽体的厚度小于等于1cm。

7.如权利要求2所述的中子捕获治疗装置，其特征在于，在中子捕获治疗过程中，柔性屏蔽体距离准直器最近的距离小于等于20cm。

8.如权利要求1～5中任一项所述的中子捕获治疗装置，其特征在于，所述柔性屏蔽体具有弹性，在中子捕获治疗过程中，所述柔性屏蔽体在弹力的作用下紧贴患者轮廓。

9.如权利要求1～5中任一项所述的中子捕获治疗装置，其特征在于，所述柔性屏蔽体的任一开口处均设有收紧结构，所述收紧结构使柔性屏蔽体在开口处贴合患者轮廓。

10.如权利要求1～5中任一项所述的中子捕获治疗装置，其特征在于，所述柔性屏蔽体覆盖的正常组织在中子捕获治疗过程中接受的辐射剂量小于18Gy/h。