有源矩阵基板以及具备该有源矩阵基板的X射线摄像面板的制作方法

本发明涉及一种有源矩阵基板以及具备该有源矩阵基板的x射线摄像面板。

背景技术：

一直以来，提出一种用于保护设置于有源矩阵基板的薄膜晶体管免受静电损害的保护电路。例如，下述专利文献1中公开了用于在有源矩阵基板上形成对置电极和像素电极的横向电场方式的液晶显示装置中，保护设置于像素的薄膜晶体管免受静电的损害的技术。该液晶显示装置设置有在显示区域的外侧与扫描信号线以及影像信号线交叉，并以包围显示区域的方式配置的共用布线。扫描信号线以及影像信号线在与共用布线交叉的部分与非线性元件连接。此外，设置在显示区域的外侧并与对置电极连接的对置电压信号线经由高电阻元件与共用布线连接。

在该液晶显示装置中，即使静电从扫描信号线、影像信号线或共用布线进入，也会经由非线性元件扩散至共用布线，因此能够保护像素的薄膜晶体管免受静电的损害。此外，共用布线与对置电压信号线间经由高电阻元件连接，因此经由非线性元件的漏电流不会在对置电压信号线中流过。由此，对置电压中不易产生失真，画质的劣化得以抑制。

此外，下述专利文献2中公开了在固体摄像装置中，在数据线中设置了静电保护电路的构成。该静电保护电路具有：以反向偏压状态连接在数据线与偏压线之间的非线性元件、以反向偏压状态连接在数据线与被施加了比数据线高的电位的高电位线之间的非线性元件。在该固体摄像装置中，连接于数据线的静电保护电路的非线性元件为反向偏压状态，因此能够降低来自数据线的漏电流。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000-19556号公报

专利文献2：日本特开2009-290171号公报

技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题

在制造具备光电转换元件的摄像面板的过程中，为了保护薄膜晶体管免受静电的损害，想到了将所述专利文献1的静电保护电路应用于有源矩阵基板。在该情况下，影像信号线与扫描信号线经由非线性元件连接于共用布线，因此有时非线性元件的漏电流会经由共用布线进入影像信号线。

在所述专利文献1的液晶显示装置中，通过影像信号电压驱动液晶，并将图像写入像素，因此影像信号电压不会受到静电保护电路的漏电流的影响。然而，在摄像面板中，将像素所蓄积的微小的电荷作为电流读出，因此当即使一点点漏电流进入影像信号线，则从影像信号线读出的电流也会发生变化，而无法适当地摄像。

此外，如所述专利文献2所示，即使以反向偏压状态将非线性元件连接于数据线，微小的漏电流也会经由非线性元件流向数据线。非线性元件的阳极与阴极的电位差越大漏电流也越大，高精度的摄像较为困难。此外，在所述专利文献2中，在与数据线相比偏压线为高电位时，在偏压线与数据线之间的非线性元件中流过正向的电流。因此，在静电从偏压线进入的情况下，无法释放静电直至非线性元件成为正偏压状态，有可能在该期间偏压线、光电转换元件等元件受到损坏。

本发明的目的在于，提供一种在具备光电转换元件的有源矩阵基板中，可不受漏电流的影响地进行摄像的技术。

解决问题的手段

为了解决所述课题的本发明的有源矩阵基板包括：摄像区域，其具有被多根栅极线和与所述多根栅极线交叉的多根数据线限定的多个像素；光电转换元件，其设置于每个像素；偏压布线，其对所述每个像素的所述光电转换元件供给偏压电压；多个数据用保护电路，其在所述摄像区域的外侧，与所述多根数据线中的每根数据线连接；及第一共用布线，其在所述摄像区域的外侧与所述多个数据用保护电路连接，并具有所述多根数据线的电位以下的电位，所述多个数据用保护电路分别具有第一数据用非线性元件，所述第一数据用非线性元件以反向偏压状态连接在所述第一共用布线与所述数据线之间。

发明效果

根据本发明，能够在具备光电转换元件的有源矩阵基板中不受漏电流的影响地进行摄像。

附图说明

图1为表示第一实施方式中的有源矩阵基板的概要构成的俯视图。

图2为图1所示的有源矩阵基板的像素的等效电路图。

图3为用于说明图1所示的端子部的构成的示意图。

图4a为表示图1所示的保护电路部16a、端子部15a、共用布线17a的连接例的图。

图4b为表示图1所示的保护电路部16b、端子部15b、共用布线17b的连接例的图。

图5为表示薄膜二极管的电流(i)-电压(v)特性的图。

图6为表示第二实施方式中的偏压布线、数据线和共用布线的连接例的图。

图7为表示第三实施方式中的栅极用端子与保护电路的连接例的图。

图8为连接于第四实施方式中的数据用端子和偏压用端子的保护电路的构成的图。

具体实施方式

本发明的一实施方式涉及的有源矩阵基板包括：摄像区域，其具有被多根栅极线和与所述多根栅极线交叉的多根数据线限定的多个像素；光电转换元件，其设置于每个像素；偏压布线，其对所述每个像素的所述光电转换元件供给偏压电压；多个数据用保护电路，其在所述摄像区域的外侧，与所述多根数据线中的每根数据线连接；及第一共用布线，其在所述摄像区域的外侧与所述多个数据用保护电路连接，并具有所述多根数据线的电位以下的电位，所述多个数据用保护电路分别具有第一数据用非线性元件，所述第一数据用非线性元件以反向偏压状态连接在所述第一共用布线与所述数据线之间(第一构成)。

根据第一构成，作为数据用保护电路第一数据用非线性元件与各数据线连接，第一共用布线与第一数据用非线性元件连接。第一共用布线的电位为数据线的电位以下，第一数据用非线性元件以反向偏压状态连接在数据线与第一共用布线之间。因此，即使某个第一数据用非线性元件的漏电流在第一共用布线中流过，漏电流也不会经由其他第一数据用非线性元件流入数据线。此外，第一共用布线的电位越靠近数据线的电位越能够降低第一数据用非线性元件的漏电流，且数据线不易受到漏电流的影响。

也可以在第一构成中，还包括连接于所述第一偏压布线和所述第一共用布线的偏压用保护电路，所述偏压布线由设置于所述摄像区域的外侧的第一偏压布线和设置在所述像素内并与所述第一偏压布线连接的第二偏压布线构成，所述偏压用保护电路具有第一偏压用非线性元件，所述第一共用布线具有大于所述偏压布线的电位且小于所述数据线的电位的电位，所述第一偏压用非线性元件以反向偏压状态连接在所述第一偏压布线与所述数据线之间(第二构成)。

根据第二构成，作为偏压布线的一部分即第一偏压布线与数据线经由第一共用布线连接。由此，在偏压布线数据线之间难以产生静电。此外，第一共用布线具有偏压布线的电位与数据线的电位之间的电位。因此，与第一偏压布线和数据线经由第一偏压用非线性元件以及第一数据用非线性元件仅连接的情况相比，偏压布线与数据线的电位差变小，能够降低第一数据用非线性元件的漏电流。此外，即使假设比第一共用布线的电位大的电压的静电从偏压布线进入，由于第一数据用非线性元件为反向偏压状态，因此数据线也不会受静电的影响。

也可以在第一构成中，还包括：第二共用布线，其设置在所述摄像区域的外侧，并具有比所述多根数据线高的电位；及偏压用端子，其设置在所述摄像区域的外侧，并具有比所述偏压布线低的电位，所述偏压布线由设置在所述摄像区域的外侧的第一偏压布线和设置在所述像素内并与所述第一偏压布线连接的第二偏压布线构成，所述多个数据用保护电路分别除所述第一数据用非线性元件以外还具有第二数据用非线性元件，所述第二数据用非线性元件以反向偏压状态连接在所述数据线与所述第二共用布线之间，所述偏压用保护电路除所述第一偏压用非线性元件以外还具有第二偏压用非线性元件，所述第二偏压用非线性元件以反向偏压状态连接在所述偏压用端子与所述第一偏压布线之间(第三构成)。

根据第三构成，第二数据用非线性元件以反向偏压状态连接在数据线与第二共用布线之间。第二共用布线具有比数据线高的电位。即使比第二共用布线高的电压的静电从某一根数据线进入，静电也会经由连接于该数据线的第二数据用非线性元件向第二共用布线流动，而在其他数据线中没有静电流过。第二偏压用非线性元件以反向偏压状态连接在第一偏压布线与偏压用端子之间。因此，即使假设比偏压用端子低的电压的静电进入至第一偏压布线，电流也能够从偏压用端子流向偏压布线，且在数据线中没有静电流过。

也可以在第一至第三构成中的任一构成中，包括设置在所述摄像区域的外侧并与所述多根栅极线中的每根栅极线连接的多个栅极用保护电路，所述多个栅极用保护电路分别具有两个栅极用非线性元件，所述多个栅极用保护电路被级联，所述两个栅极用非线性元件分别以反向偏压状态连接于栅极线(第四构成)。

根据第四构成，即使因栅极线中产生的静电导致栅极用保护电路的非线性元件成为正偏压状态，静电也会向栅极线分散。因此，数据线不会受到静电的影响，且能够可靠地摄像。

也可以在第一至第三中的任一构成中，包括：多个栅极用保护电路，其设置在所述摄像区域的外侧并与所述多根栅极线中的每根栅极线连接；及第四共用布线，其设置在所述摄像区域的外侧，且为与所述第一共用布线相同电位，所述多个栅极用保护电路分别具有两个栅极用非线性元件，所述两个栅极用非线性元件中的一个以反向偏压状态连接在一根栅极线与所述第四共用布线之间，另一个以正偏压状态连接在该一根栅极线与所述第四共用布线之间(第五构成)。

根据第五构成，即使因栅极线中产生的静电导致一个非线性元件成为正偏压状态，也能够在第四共用布线中流过静电，且数据线不易受到静电的影响。

也可以在第一至第三构成中的任一构成中，包括：多个栅极用保护电路，其设置在所述摄像区域的外侧，并与所述多根栅极线中的每根栅极线连接；及第四共用布线，其以悬空状态设置在所述摄像区域的外侧，所述多个栅极用保护电路分别具有两个栅极用非线性元件，所述两个栅极用非线性元件中的一个以反向偏压状态连接在一根栅极线与所述第四共用布线之间，另一个以正偏压状态连接在该一根栅极线与所述第四共用布线之间(第六构成)

根据第六构成，即使因栅极线中产生的静电使一个非线性元件成为正偏压状态，也能够在第四共用布线中流过静电，静电经由非线性元件被分配至各栅极线，因此各栅极线不易受到静电的影响。此外，即使将第四共用布线设为悬空状态而电位变得不确定，也能够保持从外部施加于栅极线的限定的电压。

本发明的一实施方式涉及的x射线摄像面板，也可以包括：第一至第六构成中的任一构成的有源矩阵基板；及设置在所述有源矩阵基板的一个面侧并将照射的x射线转换为荧光的闪烁器(第七构成)。

根据第七构成，作为数据用保护电路第一数据用非线性元件与各数据线连接，第一共用布线与第一数据用非线性元件连接。第一共用布线的电位为数据线的电位以下，第一数据用非线性元件以反向偏压状态连接在数据线与第一共用布线之间。因此，即使某第一数据用非线性元件的漏电流在第一共用布线中流过，漏电流也不会经由其他第一数据用非线性元件流入数据线。此外，第一共用布线的电位越靠近数据线的电位越能够降低第一数据用非线性元件的漏电流。因此，能够不受到漏电流的影响，并从数据线可靠地读出与由闪烁器转换的荧光对应的电荷。

也可以在第七构成中，包括：驱动电路，其与所述有源矩阵基板连接，并对所述栅极线进行扫描；及读出电路，其与所述有源矩阵基板连接，并经由所述数据线读出与由所述闪烁器转换的荧光对应的电荷(第八构成)。

根据第八构成，第一数据用非线性元件的漏电流降低，能够从数据线可靠地读出与由闪烁器转换的荧光对应的电荷。

以下，参照附图对本发明的实施方式详细地进行说明。对图中相同或相当部分标注相同附图标记并不重复其说明。

[第一实施方式]

(构成)

图1为表示本实施方式中的有源矩阵基板的概要构成的俯视图。有源矩阵基板1能够用于例如x射线的摄像面板。也就是说，通过将用于将透过了被摄体的x射线转换为荧光(闪烁光)的闪烁器设置在有源矩阵基板1的一个面侧，能够制作x射线摄像面板。本实施方式中的有源矩阵基板1为设置闪烁器之前的所述的有源矩阵基板，并抑制在其制造过程中产生的静电、漏电流的影响。以下，对有源矩阵基板1的构成具体地进行说明。

有源矩阵基板1具有：多根数据线10和与多根数据线10交叉的多根栅极线11。有源矩阵基板1具有由被数据线10和栅极线11包围的区域(以下，像素)构成的摄像区域ra。

在摄像区域ra的内侧以包围摄像区域ra的方式配置有偏压布线13。此外，在该图中省略图示，但在各像素中设置有从偏压布线13引出的偏压布线(以下，分支偏压布线)。

在摄像区域ra的外侧的区域内，数据线10的一个端部侧的区域配置有端子部15a、保护电路部16a和共用布线17a。此外，在摄像区域ra的外侧的区域内，栅极线11的一个端部侧的区域配置有端子部15b、保护电路部16b和共用布线17b。上述各部的详情将在下文中叙述。

在此，对摄像区域ra的像素的构成进行说明。图2为表示像素的构成的等效电路图。如图2所示，像素p具有tft(thinfilmtransistor)21和光电转换元件22。

光电转换元件22具有pin光电二极管和一对电极(阴极电极、阳极电极)。tft21的源极与数据线10连接，tft21的漏极与光电转换元件22的阴极电极连接。光电转换元件22的阳极电极与分支偏压布线131连接。

在本实施方式中，在像素中，分支偏压布线131设置为狭缝状。分支偏压布线131经由未图示的层间绝缘膜与光电转换元件22的阳极电极连接。为了较大得确保光接收区域，光电转换元件22的阳极电极以在俯视时与数据线10接近的方式设置在像素内。分支偏压布线131以及光电转换元件22的阳极电极与数据线10设置于不同的层，在阳极电极与数据线10之间设置有层间绝缘膜(省略图示)。经由层间绝缘膜(省略图示)而在与数据线10最接近的光电转换元件22的阳极电极的端部和数据线10之间形成有电容。因此，经由该电容而光电转换元件22的阳极电极的端部与数据线10耦合。

另外，虽在图1等中虽未图示，但有源矩阵基板1中连接施加扫描电压来对栅极线11进行扫描的驱动电路和从数据线10读出由pin光电二极管转换的电荷的读出电路。当与所扫描的栅极线11连接的tft21成为导通状态时，与由光电转换元件22转换的电荷对应的电气信号经由数据线10输出至读出电路。

接着，对本实施方式中的端子部15a、15b、保护电路部16a、16b、共用布线17a、17b的构成以及连接例进行说明。

图3为示出了端子部15a、15b的构成的示意图。如图3(a)所示，端子部15a包含：与各数据线10连接的多个数据用端子151和与偏压布线13连接的偏压用端子152。此外，如图3(b)所示，端子部15b包含与各栅极线11连接的多个栅极用端子153。

图4a为表示端子部15a、保护电路部16a、共用布线17a的连接例的图。此外，图4b为表示端子部15b、保护电路部16b、共用布线17b的连接例的图。

如图4a所示，保护电路部16a作为保护电路，例如具有仅数据用端子151的数量的二极管等的非线性元件161a。在各非线性元件161a中，阳极与共用布线17a连接，阴极与数据用端子151连接。

共用布线17a与gnd端子171a连接。gnd端子171a从有源矩阵基板1的外部供给数据线10的电位v1(例如1v)以下的电位v2。也就是说，在该例中，非线性元件161a以反向偏压状态连接在数据线10与共用布线17a之间。

偏压布线13与偏压用端子152连接。偏压用端子152从外部施加规定的偏压电压v3。偏压电压v3为，相对于光电转换元件22成为反向偏压的电压。在该例中，偏压电压(v3)施加比数据线10的电位v1低的电压(例如-6v)。

如图4b所示，保护电路部16b例如具有仅栅极用端子153的数量的连接了两个非线性元件(1611、1612)的保护电路161b。各保护电路161b与栅极用端子153连接。具体而言，在非线性元件1611中，阳极与栅极用端子153连接，阴极与共用布线17b连接。在非线性元件1612中，阳极与共用布线17b连接，阴极与栅极用端子153连接。

共用布线17b与gnd端子171b连接。gnd端子171b从有源矩阵基板1的外部供给与gnd端子171a相同的电位v2。另外，在栅极线11中，即使经由保护电路161b流入漏电流也只要施加限定的电压即可。因此，共用布线17b也可以不必经由端子171b与gnd端子171b连接。也就是说，共用布线17b也可以是不与其他元件连接的悬空状态。

在该例中，在栅极线11被扫描时，扫描电压vgh(例如+20v)被供给至栅极线11，在非扫描时，比共用布线17b低的电压vgl(例如-10v)被供给至栅极线11。

因此，在非扫描时，非线性元件1611在栅极用端子153与共用布线17b之间处于反向偏压状态，非线性元件1612在栅极用端子153与共用布线17b之间处于正偏压状态。此外，当扫描电压vgh施加于栅极线11时，非线性元件1611成为正偏压状态，非线性元件1612成为反向偏压状态。

在此，图5中示出薄膜二极管的电流(i)-电压(v)特性。如图5所示，伴随着负电压的增加而截止漏电流增大。在对非线性元件161a应用薄膜二极管的情况下，为了数据线10不受漏电流的影响，需要尽量减小非线性元件161a中的漏电流。

在本实施方式中，共用布线17a的电位v2以接近数据线10的电位的方式被设定。由此，非线性元件161a的截止漏电流降低，在摄像时，数据线10不会受到非线性元件161a的漏电流的影响，而能够适当地摄像。此外，假设即使经由连接于某个数据用端子151的非线性元件161a产生漏电流，各非线性元件161a也会以反向偏压状态连接。因此，漏电流不易经由其他非线性元件161a在数据线10中流过。

此外，在本实施方式中，在各像素内接近数据线10地配置分支偏压布线131，分支偏压布线131与数据线10之间经由电容被耦合。

如上所述，在有源矩阵基板1中，光电转换元件22的阳极电极与数据线10之间经由层间绝缘膜(省略图示)而形成有电容，越增厚层间绝缘膜的膜厚，该电容变得越小。因此，通过进一步增厚层间绝缘膜的膜厚，光电转换元件22的阳极电极与数据线10之间的电场强度变小。由此，在连接于光电转换元件22的阳极电极、阳极电极的分支偏压布线131以及偏压布线13、与数据线10间不易产生静电。

此外，在每个像素中分支偏压布线131设置为狭缝状，因此即使静电进入偏压布线13以及分支偏压布线131，静电也会向像素整体均匀地分散。其结果为，利用静电也会降低施加于各像素中的光电转换元件22的阳极电极与数据线10间的电场强度，且能够保护像素内的tft21、光电转换元件22、偏压布线13、分支偏压布线131以及数据布线10免受静电的损害。

此外，在栅极用端子153与共用布线17b之间连接反向偏压状态的非线性元件1611和正偏压状态的非线性元件1612。因此，在非扫描时比共用布线17b的电位大的静电从栅极线11进入的情况下，连接于该栅极线11的保护电路部16b的非线性元件1611成为正偏压状态，非线性元件1612成为反向偏压状态。此时，其他保护电路部16b的非线性元件1612成为正偏压状态，因此静电分散至共用布线17b和其他栅极线11。

上述的图3所示的数据用端子151、栅极用端子153以及偏压用端子152也可以作为制作摄像面板的过程中的检査用端子来使用。在该情况下，也可以在数据用端子151与栅极用端子153分别设置的区域设置在摄像面板的制作后所使用的安装用的偏压端子、数据端子以及栅极端子(均省略图示)。另外，有时检査用端子、共用布线17a、17b在摄像面板的制作后从摄像区域ra切断而成为悬空状态。

[第二实施方式]

图6为表示本实施方式中的偏压布线13、数据线10和共用布线17a的连接例的图。在图6中，对与第一实施方式同样的构成，标注与第一实施方式相同的附图标记。以下，主要对与第一实施方式不同的构成进行说明。

如图6所示，本实施方式中的有源矩阵基板1a具备连接在偏压用端子152与共用布线17a间的保护电路部16c。

保护电路部16c作为保护电路，具有二极管等的非线性元件161c。非线性元件161c的阳极与偏压用端子152连接，阴极与共用布线17a连接。

在本实施方式中，共用布线17a的电位v2为数据线10的电位v1以下，且比偏压用端子152的电位v3高。也就是说，共用布线17a、数据线10和偏压布线13的电位具有v3<v2≤v1的关系。由此，非线性元件161c以反向偏压状态连接在共用布线17a与偏压用端子152之间。

偏压用端子152与数据用端子151之间经由保护电路部16a以及16c和共用布线17a连接。也就是说，偏压布线13与数据线10之间经由电位v2连接，该电位v2处于数据线10的电位v1与偏压布线13的电位v3的中间。因此，与第一实施方式相比，偏压布线13与数据线10之间的电位差变小且不易产生静电。其结果为，像素内的tft21不易被静电损坏。

此外，在不设置gnd端子171a而仅经由保护电路部16a以及保护电路部16c而连接数据线10与偏压布线13之间的情况下，保护电路部16a的阳极侧与阴极侧的电位差成为|v1-v3|，但在本实施方式中，电位差成为|v1-v2|(<|v1-v3|)。因此，与未设置有gnd端子171a的情况相比，保护电路部16a的阳极与阴极的电位差变小，能够降低保护电路部16a的漏电流。

[第三实施方式]

图7为表示与本实施方式中的栅极用端子153连接的保护电路的构成的图。在图7中，对与第一实施方式同样的构成标注与第一实施方式相同的附图标记。以下，主要对与第一实施方式不同的构成进行说明。

如图7所示，设置于有源矩阵基板1b的各栅极用端子153与保护电路261b连接。

保护电路261b具有由二极管等构成的两个非线性元件2611、2612。非线性元件2611的阴极和非线性元件2612的阳极，与同一个的栅极用端子153连接。此外，保护电路261b中的非线性元件2611的阳极和非线性元件2612的阴极，与同该一个栅极用端子153相邻的其他栅极用端子153连接。也就是说，与栅极用端子153连接的各保护电路261b被级联，且未设置有第一实施方式的共用布线17b(参照图4b)。

在未对栅极线11施加扫描电压时，非线性元件2611、2612成为反向偏压状态。

在所述第一实施方式中，gnd端子171a与gnd端子171b为相同电位，因此有时gnd端子171a与gnd端子171b连接。在该状态下，当与gnd端子171b相比电位大的静电从栅极线11进入时，静电从共用布线17b流向gnd端子171b，且电流从gnd端子171b流向gnd端子171a。此时，当gnd端子171a的电位上升至数据线10的电位以上时，存在有非线性元件161a成为正偏压状态且电流流过数据线10的可能性。

另一方面，在本实施方式中是栅极线11与gnd端子171a未连接的构成。因此，在非扫描时，即使比电位vgl大的静电从栅极线11进入，连接于该栅极线11的非线性元件2612也会成为正偏压，且由静电产生的电流也会流过与该栅极线11相邻的其他栅极线11。由此，在本实施方式中，即使静电从栅极线11进入，数据线10也会不受静电的影响而可靠地摄像。

[第四实施方式]

图8为表示连接于本实施方式中的数据用端子151以及偏压用端子152的保护电路的构成的图。在图8中，对与第一实施方式同样的构成标注与第一实施方式相同的附图标记。以下，主要对与第一实施方式不同的构成进行说明。

如图8所示，本实施方式中的有源矩阵基板1c具有与数据用端子151连接的保护电路部26a。保护电路部26a作为保护电路，除与第一实施方式同样的非线性元件161a以外，还具有非线性元件162a。

此外，有源矩阵基板1c具有与非线性元件162a连接的共用布线27a和与共用布线27a连接的共用端子271a。

非线性元件162a的阳极与数据用端子151连接，非线性元件162a的阴极与共用布线27a连接。

共用端子271a从外部供给比数据线10例如高1v左右的电位。非线性元件162a以反向偏压状态连接在数据用端子151与共用布线27a之间。

而且，有源矩阵基板1c具有连接于偏压用端子152的保护电路部26c和与保护电路部26c连接的端子271b。

保护电路部26c作为保护电路，除与第一实施方式同样的非线性元件161c以外，还具有非线性元件162c。

非线性元件162c的阳极与端子271b连接，非线性元件162c的阴极与偏压用端子152连接。

端子271b从外部供给比偏压用端子152例如低1v左右的电位。非线性元件162c以反向偏压状态连接在偏压用端子152与端子271b之间。

通过如此构成，即使比端子271b低的电位的静电从偏压布线13进入，非线性元件162c虽成为正偏压状态，但非线性元件161c也会成为反向偏压状态。因此，能够将电流从端子271b流向偏压用端子152，并能够保护像素内的tft21免受静电的损害。

此外，即使比共用端子271a高的电位的静电进入至数据线10，经由该数据线10和数据用端子151连接的非线性元件162a虽成为正偏压状态，但非线性元件161a也会成为反向偏压状态。因此，能够将静电从数据用端子151经由非线性元件162a流向共用端子271a，能够保护像素内的tft21免受静电的损害。

以上，对本发明的实施方式进行了说明，但上述的实施方式只不过是用于实施本发明的例示。由此，本发明并不限定于上述的实施方式，在不脱离其主旨的范围内能够将上述的实施方式适当变形并实施。以下，对本发明的变形例进行说明。

(1)也可以在第一、第二以及第四实施方式中，应用第三实施方式的保护电路261b的构成。也就是说，也可以在第一、第二以及第四实施方式中以如下方式构成为：将保护电路261b与栅极用端子153级联，且不设置共用布线17b以及gnd端子171b。

(2)在上述的第一至第四实施方式中，对设置有闪烁器的所述的有源矩阵基板进行了说明，但也可以在有源矩阵基板的一个面侧设置有闪烁器的x射线摄像面板中应用上述的实施方式的构成。另外，闪烁器配置在照射x射线的有源矩阵基板的面侧。

此外，在该x射线摄像面板中也可以连接用于对栅极线11进行扫描的驱动电路、和从光电转换元件22经由数据线10读出与由闪烁器转换的荧光对应的电荷的读出电路。

(3)也可以在上述的第一至第四实施方式中的有源矩阵基板作为x射线摄像面板被制造之后，将有源矩阵基板中的保护电路部与摄像区域ra之间切断。保护电路部也可以作为至少在设置闪烁器之前的有源矩阵基板的制造过程中的摄像检査期间，用于降低漏电流、静电的影响。

附图标记说明

1、1a～1c…有源矩阵基板；10…数据线；11…栅极线；13…偏压布线；15a、15b…端子部；16a、16b、16c、26a、26c…保护电路部；17a、17b、27a…共用布线；21…tft；22…光电转换元件；151…数据用端子；152…偏压用端子；153…栅极用端子；161a、161b、161c、162a、1611、1612、2611、2612…非线性元件；171a、171b…gnd端子；271b…端子；271a…共用端子。