1.一种经颅磁刺激设备，包括：
-至少两个线圈(130，140)，
-用于每个线圈(130，140)的输入通道(150，160)，
-控制单元(170)，
-至少一个储能器(120)，存储用于所述至少两个线圈(130，140)的能量，
其中，所述控制单元(170)被配置为：
确定通过由所述至少两个线圈(130，140)中的至少一个线圈(130，140)生成磁场而旨在目标中生成的至少一个刺激强度，
确定存储在所述至少一个储能器(120)中的能量等级，
确定每个线圈(130，140)的调制模式，所述调制模式用于通过所述至少两个线圈(130，140)中的所述至少一个线圈(130，140)生成磁场，由所述至少一个线圈(130，140)生成的磁场引起所述目标中的预期的刺激强度，
根据所确定的调制模式生成用于控制所述至少两个线圈(130，140)中的所述至少一个线圈(130，140)的输入通道的至少一个控制信号，以便控制来自所述至少一个能量存储(120)的每个线圈(130，140)的输入。
2.根据权利要求1所述的经颅磁刺激设备，其中，所述至少一个储能器(120)以以下方式中的一个布置：用于多个线圈(130，140)的至少一个公共储能器(120)、用于每个线圈(130，140)的至少一个专用储能器(120)、用于多个线圈(130，140)的至少一个公共储能器(120)和用于每个线圈(130，140)的至少一个专用储能器(120)、用于多个线圈(130，140)的至少一个公共储能器(120)以及用于至少一个线圈(130，140)的至少一个专用储能器(120)。
3.根据前述权利要求中任一项所述的经颅磁刺激设备，其中，所述至少一个储能器(120)包括至少一个电容器。
4.根据前述权利要求中任一项所述的经颅磁刺激设备，其中，所述控制单元(170)还被配置为通过测量所述至少一个储能器(120)的电压等级来确定存储在所述至少一个储能器(120)中的能量等级。
5.根据前述权利要求中任一项所述的经颅磁刺激设备，其中，所述控制单元(170)被配置为响应于检测到存储在所述至少一个储能器(120)中的所述能量等级低于利用所述至少一个线圈(130，140)生成磁场所需的能量等级，启动对所述至少一个储能器(120)的充电，所述至少一个线圈(130，140)利用所确定的调制模式引起所述目标中的所述预期的刺激强度。
6.根据前述权利要求中任一项所述的经颅磁刺激设备，其中，所述控制单元(170)被配置为确定用于利用所述至少一个线圈(130，140)生成多个连续磁场的所述调制模式。
7.根据前述权利要求中任一项所述的经颅磁刺激设备，其中，所生成的至少一个控制信号被配置为控制至少一个输入通道(150，160)中的至少一个开关设备的导通状态。
8.根据权利要求7所述的经颅磁刺激设备，其中，所述开关设备是以下中的至少一个：绝缘栅双极晶体管，igbt；金属氧化物半导体场效应晶体管，mosfet。
9.根据前述权利要求中任一项所述的经颅磁刺激设备，其中，所述控制单元(170)被配置为利用基于脉宽调制的控制信号来控制所述每个线圈(130，140)的输入。
10.根据前述权利要求中任一项所述的经颅磁刺激设备，其中，所述控制单元(170)被配置为以阶跃方式来控制所述每个线圈(130，140)的输入。
11.一种用于控制经颅磁刺激设备的多个线圈的输入的方法，所述经颅磁刺激设备包括：
-至少两个线圈(130，140)，
-用于每个线圈(130，140)的输入通道(150，160)，
-控制单元(170)，
-至少一个储能器(120)，存储用于所述至少两个线圈(130，140)的能量，
其中，所述方法包括：
确定通过由所述至少两个线圈(130，140)中的至少一个线圈(130，140)生成磁场而旨在目标中生成的至少一个刺激强度(910)，
确定存储在所述至少一个储能器(120)中的能量等级(920)，
确定每个线圈(130，140)的调制模式(930)，所述调制模式用于通过所述至少两个线圈(130，140)中的所述至少一个线圈(130，140)生成磁场，由所述至少一个线圈(130，140)生成的磁场引起所述目标中的预期的刺激强度，
根据所确定的调制模式生成用于控制所述至少两个线圈(130，140)中的所述至少一个线圈(130，140)的输入通道的至少一个控制信号(940)，以便控制来自所述至少一个储能器(120)的每个线圈(130，140)的输入。