一种耳鼻综合治疗设备的制作方法

文档序号:19868061发布日期:2020-02-08 05:32阅读:157来源:国知局
一种耳鼻综合治疗设备的制作方法

本发明涉及耳道疾病治疗设备领域,尤其涉及一种耳鼻综合治疗设备。



背景技术:

中耳炎是累及中耳,包括咽鼓管、鼓室、鼓窦及乳突气房全部或者部分结构的炎性病变,好发于儿童,主要表现为耳痛、流脓、鼓膜穿孔以及听力下降等症状,中耳炎会导致不同程度的耳聋。如果鼓室内有积水,或者身体免疫力差容易感冒,中耳炎会反复发作,给病人带来极大的痛苦。传统中医理论认为耳道发炎是因肝胆湿热、火邪气盛、肝经不调引起。细菌感染、耳道进水、长时间大音量使用耳机都会引发中耳炎。另外,由于鼻腔通过咽鼓管与耳道相通,鼻腔有炎症时,鼻窦的引流方向如果改变,细菌可能通过咽鼓管到达并感染中耳,从而引发分泌性中耳炎,有研究表明,将近半数的中耳炎与鼻腔炎症有直接关系。

现有中耳炎的治疗主要以药物疗法为主,治疗方针是清除病灶,鼓膜打孔或穿刺,排出积液,防止继发感染。但是,中耳炎不是由一种病因引起的疾病,如果只针对耳部进行治疗,很难达到应有的治疗效果。如果能对鼻腔和耳道、耳膜进行综合性的治疗,必将对中耳炎的反复发作起到较好的预防效果。



技术实现要素:

有鉴于此,本发明提出了一种能同时对鼻腔和耳道进行综合治疗的耳鼻综合治疗设备。

本发明的技术方案是这样实现的:本发明提供了一种耳鼻综合治疗设备,包括两路半导体激光器驱动子电路(1)、两路半导体激光器(11)、耳垂刺激子电路(2)、耳道刺激子电路(3)、穴位刺激子电路(4)和电源(5),半导体激光器驱动子电路(1)、耳垂刺激子电路(2)、耳道刺激子电路(3)、穴位刺激子电路(4)均与电源(5)电性连接;其中:

半导体激光器驱动子电路(1)的输出端与半导体激光器(11)的输入端连通,并使半导体激光器(11)受激发光并照射耳道或者鼻腔内部;

耳垂刺激子电路(2)具有两个输入端,该两个输入端分别接入两路反相的pmw信号,且耳垂刺激子电路(2)输出端输出脉冲信号刺激耳垂处的毛细血管;

耳道刺激子电路(3)的输入端与耳垂刺激子电路(2)其中一个输入端共用一路pmw信号,且耳道刺激子电路(3)输出端输出脉冲信号刺激耳道内的毛细血管;

穴位刺激子电路(4)输出脉冲信号对鼻翼两侧的迎香穴进行刺激。

在以上技术方案的基础上,优选的,所述半导体激光器驱动子电路(1)包括光耦合器、第一运输放大器a1、第二运算放大器a2和三极管q1,光耦合器的引脚1通过开关k0与+3.3v电源电性连接;光耦合器的引脚2置为低电平;光耦合器的引脚3接地,光耦合器的引脚4与第一运算放大器a1的同相输入端电性连接;第一运算放大器a1的输出端与电阻r2的一端电性连接,电阻r2的另一端与三极管q1的基极电性连接,三极管q1的集电极与电容c3的一端电性连接,电容c3的另一端与+5v电源电性连接;半导体激光器(11)并联在电容c3的两端;三极管q1的发射极分别与电阻r3的一端和第二运算放大器a2的同相输入端并联,电阻r3与电阻r4串联后并联在第二运算放大器a2的同相输入端与反相输入端之间,电阻r3与电阻r4的连接端接地;第二运算放大器a2的输出端与第一运算放大器a1的反相输入端电性连接,第二运算放大器a2的输出端与其反相输入端之间还并联有电阻r5和电容c2;第一运算放大器a1的反相输入端与输出端之间并联有电容c1;半导体激光器(11)的两端反向并联有瞬态抑制二极管d1。

进一步优选的,所述耳垂刺激子电路(2)包括第一输入端、第二输入端、三极管q2、q3、q4、q5和插座j1,第一输入端和第二输入端分别接入两路反相的pmw信号;三极管q2的基极通过电阻r6与其第一输入端电性连接,三极管q3的基极通过电阻r7与其第二输入端电性连接;三极管q2和q3的发射极均接地;三极管q2的集电极一方面通过电阻r8与三极管q4的基极电性连接,三极管q2的集电极还与三极管q5的集电极电性连接;三极管q3的集电极一方面通过电阻r9与三极管q5的基极电性连接,三极管q3的集电极还与三极管q4的集电极电性连接;三极管q4的基极通过电阻r10与其发射极并联,三极管q5的基极通过电阻r11与其发射极并联;三极管q4和q5的发射极均与+5v电源电性连接;三极管q4和q5的集电极还分别通过电阻r12和电阻r13与插座j1的引脚1和引脚2电性连接。

更进一步优选的,所述耳道刺激子电路(3)包括第三运算放大器a3、第四运算放大器a4、三极管q7、三极管q8和插座j2,耳道刺激子子电路(3)的输入端分别与耳垂刺激子电路(2)的第一输入端和第三运算放大器a3的同相输入端电性连接,第三运算放大器a3的输出端通过电阻r16与三极管q7的基极电性连接,三极管q7的集电极串联电阻r17后接地,三极管q7的集电极还与第三运算放大器a3的反相输入端电性连接;三极管q7的发射极分别与电阻r18的一端和第四运算放大器a4的同相输入端电性连接,电阻r18的另一端与电阻r19的一端并联后与电源电性连接,电阻r19的另一端与第四运算放大器a4的反相输入端电性连接;第四运算放大器a4的输出端通过电阻r20与三极管q8的基极电性连接,三极管q8的发射极与第四运算放大器a4的反相输入端电性连接;插座j2分别与三极管q8的集电极和地线电性连接。

再进一步优选的,所述穴位刺激子电路(4)包括脉冲频率芯片tl494、三极管q9、第一变压器t1和插座j3,脉冲频率芯片tl494的引脚2和引脚3之间与电阻r22的两端并联,电阻r22的两端还并联有电阻r21和电容c7串联的支路,引脚2还与电阻r23的一端并联,引脚14分别与电阻r23的另一端电性连接,引脚14和引脚15之间并联有电阻r25,引脚15还通过电阻r26接地;引脚5与电容c9的一端电性连接,引脚6与电阻r27的一端电性连接,电容c9和电阻r27的另一端并联后接地;引脚8和引脚11并联后与三极管q9的基极电性连接,三极管q9的发射极与电源和引脚12并联,三极管q9的基极和发射极之间还并联有电阻r28,三极管q9的集电极分别与电感l2的一端和二极管d4的负极并联,二极管d4的正极接地,电感l2的另一端分别与第一变压器t1的原边的一端、电阻r24的一端和电容c8的一端并联,电阻r24的另一端与脉冲频率芯片tl494的引脚1电性连接,电容c8的另一端接地,第一变压器t1的原边的另一端接地;脉冲频率芯片的引脚4、引脚7、引脚9、引脚10、引脚13和引脚16均并联后接地;插座j3并联在第一变压器t2的副边。

更进一步的优选的,还包括mcu,mcu为stm32f103单片机,mcu的输出端分别与光耦合器的引脚2、耳垂刺激子电路(2)的第一输入端和第二输入端以及耳道刺激子子电路(3)的输入端电性连接,mcu与电源(5)的输出端电性连接。

再进一步的优选的,还包括箱体(8)和耳塞(9),箱体(8)内部中空,两半导体激光器驱动子电路(1)、耳垂刺激子电路(2)、耳道刺激子电路(3)、穴位刺激子电路(4)和电源(5)均固定设置在箱体(8)内部;耳塞(9)内部中空,耳塞(9)上开设有第一通孔(91),半导体激光器(11)嵌设在耳塞(9)的通孔(91)内,半导体激光器(11)的发光部穿过第一通孔(91)中并向外延伸;箱体(8)侧壁设置有若干第二通孔(81),半导体激光器(11)的输入端穿过耳塞(9)和第二通孔(81)伸入箱体(8)内并与半导体激光器驱动子电路(1)的输出端电性连接;插座j1、j2和j3均嵌设在第二通孔(81)内。

再进一步的优选的,还包括一对鼻夹(10),鼻夹(10)内部中空,半导体激光器(11)嵌设在鼻夹(10)内,鼻夹(10)远离箱体(8)的一端设置有可透光的导光套(101),导光套(101)与鼻夹(10)可拆卸连接。

再进一步的优选的,还包括耳垂电极贴片(21)、可插入耳道的耳道电极(31)和穴位贴片(41);

耳垂电极贴片(21)与插座j1电性连接;耳道电极(31)与插座j2电性连接;穴位贴片(41)与插座j3电性连接;耳道电极(31)包括柔性本体(311)和若干环形导电片(312),环形导电片(312)环绕柔性本体(311)设置,且各环形导电片(312)均与插座j2电性连接。

本发明提供的一种耳鼻综合治疗设备,相对于现有技术,具有以下有益效果:

(1)本发明通过将半导体激光器照射、交变脉冲刺激耳垂、耳道电极刺激以及穴位刺激进行有机结合,激光可直接照射在鼻腔和耳道内的患处,改善患处的血氧条件,加快病灶的治疗,改善中耳炎相关症状;

(2)半导体激光器驱动子电路可以稳定的驱动半导体激光器输出,保证其输出功率稳定;

(3)耳垂刺激子电路通过交变的两个输入不断切换,实现高频穴位和神经刺激;

(4)耳道刺激子电路利用脉冲信号刺激耳道内的皮肤进行充分接触;

(5)穴位刺激子电路能用稳定的电信号刺激鼻翼旁的迎香穴;

(6)mcu能方便的实现对各主要子电路的输入端的控制和使能切换;

(7)本发明通过将激光照射及电脉冲理疗进行有机结合,针对中耳炎发病的相关部位针对性的进行刺激和治疗,可以对中耳炎,尤其是鼻炎引发的中耳炎带来较好的疗效,缩短治疗时间,并预防复发。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明一种耳鼻综合治疗设备的电路框图;

图2为本发明一种耳鼻综合治疗设备的半导体激光器驱动子电路的接线图;

图3为本发明一种耳鼻综合治疗设备的耳垂刺激子电路的接线图;

图4为本发明一种耳鼻综合治疗设备的耳道刺激子电路的接线图;

图5为本发明一种耳鼻综合治疗设备的穴位刺激子电路的接线图;

图6为本发明一种耳鼻综合治疗设备的mcu与按键输入子电路的接线图;

图7为本发明一种耳鼻综合治疗设备的mcu与显示输出子电路的接线图;

图8为本发明一种耳鼻综合治疗设备的箱体与耳塞和鼻夹的组合状态立体图;

图9为本发明一种耳鼻综合治疗设备的箱体与耳垂电极贴片、耳道电极和穴位贴片的组合状态后视图;

图10为本发明一种耳鼻综合治疗设备的鼻夹的半剖前视图;

图11为本发明一种耳鼻综合治疗设备的另一种结构的立体图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施方式,对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施方式仅仅是本发明一部分实施方式,而不是全部的实施方式。基于本发明中的实施方式,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式,都属于本发明保护的范围。

如图1结合图2所示,本发明提供了一种耳鼻综合治疗设备,包括两路半导体激光器驱动子电路1、两路半导体激光器11、耳垂刺激子电路2、耳道刺激子电路3、穴位刺激子电路4、电源5、按键输入子电路6、显示输出子电路7、箱体8、耳塞9、鼻夹10、耳垂电极贴片21、可插入耳道的耳道电极31和穴位贴片41;其中半导体激光器驱动子电路1、耳垂刺激子电路2、耳道刺激子电路3、穴位刺激子电路4均与电源5电性连接;

其中半导体激光器驱动子电路1的输出端与半导体激光器11的输入端连通,并使半导体激光器11受激发光并照射耳道或者鼻腔内部;耳垂刺激子电路2具有两个输入端,该两个输入端分别接入两路反相的pmw信号,且耳垂刺激子电路2输出端输出脉冲信号刺激耳垂处的毛细血管;耳道刺激子电路3的输入端与耳垂刺激子电路2其中一个输入端共用一路pmw信号,且耳道刺激子电路3输出端输出脉冲信号刺激耳道内的毛细血管;穴位刺激子电路4输出脉冲信号对鼻翼两侧的迎香穴进行刺激。本发明通过将激光照射及电脉冲理疗进行有机结合,挺高耳道或者鼻腔激光照射、耳垂电刺激、耳道电刺激和迎香穴电刺激等多种工作模式,各功能即可结合使用可对耳道或者鼻腔内的炎症进行干预治疗。

如图2所示,半导体激光器驱动子电路1包括光耦合器、第一运输放大器a1、第二运算放大器a2和三极管q1,光耦合器的引脚1通过开关k1与+3.3v电源电性连接;光耦合器的引脚2置为低电平;光耦合器的引脚3接地,光耦合器的引脚4与第一运算放大器a1的同相输入端电性连接;第一运算放大器a1的输出端与电阻r2的一端电性连接,电阻r2的另一端与三极管q1的基极电性连接,三极管q1的集电极与电容c3的一端电性连接,电容c3的另一端与+5v电源电性连接;半导体激光器11并联在电容c3的两端;三极管q1的发射极分别与电阻r3的一端和第二运算放大器a2的同相输入端并联,电阻r3与电阻r4串联后并联在第二运算放大器a2的同相输入端与反相输入端之间,电阻r3与电阻r4的连接端接地;第二运算放大器a2的输出端与第一运算放大器a1的反相输入端电性连接,第二运算放大器a2的输出端与其反相输入端之间还并联有电阻r5和电容c2;第一运算放大器a1的反相输入端与输出端之间并联有电容c1;半导体激光器11的两端反向并联有瞬态抑制二极管d1。

图2中,第一运输放大器a1的同相输入端与输出端为电压跟随关系。三极管q1导通后,发射极的电流流入电阻r3,电阻r3两端的电压施加到第二运算放大器a2的同相输入端,电阻r5构成了第二运算放大器a2的反馈回路;电阻r3、电阻r4、电阻r5、第二运算放大器a2和三极管q1又构成了运输放大器a1的负反馈回路;以上负反馈回路能抑制三极管q1的发射极电流的变化趋势,使得三极管q1稳定工作在饱和放大区,从而使三极管q1的集电极电流恒定,连接在三极管q1的集电极上的半导体激光器11,各ld1均能稳定工作。本发明中半导体激光器驱动子电路1为2组,对应的半导体激光器11为4个,可同时插入耳道和鼻腔中进行照射。在半导体激光器11的两端还反向并联有瞬态抑制二极管d1,瞬态抑制二极管d1能吸收三极管q1开启和关断时的大电流冲击。电容c1和电容c2可以起到滤波作用,消除干扰信号。本发明的半导体激光器11采用的是能发生650-660nm的红光半导体激光器,其输出功率为1-1000mw,能量稳定性高,适合长期使用,优选为660nm。该波长的半导体激光对人体组织穿透较深,其照射部位的毛细血管会增加通透性,并改善局部血液循环,增加局部营养物质的输送,增强代谢并促进受损神经组织的恢复,改善耳鸣症状和听力水平。本发明的半导体激光器可选用美国thorlabs公司的lp660—sf50。

如图3所示,耳垂刺激子电路2包括第一输入端、第二输入端、三极管q2、q3、q4、q5和插座j1,第一输入端和第二输入端分别接入两路反相的pmw信号;三极管q2的基极通过电阻r6与其第一输入端电性连接,三极管q3的基极通过电阻r7与其第二输入端电性连接;三极管q2和q3的发射极均接地;三极管q2的集电极一方面通过电阻r8与三极管q4的基极电性连接,三极管q2的集电极还与三极管q5的集电极电性连接;三极管q3的集电极一方面通过电阻r9与三极管q5的基极电性连接,三极管q3的集电极还与三极管q4的集电极电性连接;三极管q4的基极通过电阻r10与其发射极并联,三极管q5的基极通过电阻r11与其发射极并联;三极管q4和q5的发射极均与+5v电源电性连接;三极管q4和q5的集电极还分别通过电阻r12和电阻r13与插座j1的引脚1和引脚2电性连接。+5v电源端还串联有电感l1和二极管d3,二极管d3的负极与地之间还并联有滤波电容c4,电感l1和二极管d3可防止电压突变。

图3所示的耳垂刺激子电路2,三极管q2、q3、q4和q5构成了h桥式的放大电路,当三极管q2的基极输入高电平,三极管q3的基极输入低电平时,位于h桥同一侧的三极管q4导通,插座j1的引脚1输入高电平;反之亦然,当三极管q2的基极输入低电平,三极管q3的基极输入高电平时,位于h桥同一侧的三极管q5导通,插座j1的引脚2输入高电平。即插座j1上的电压是周期翻转的,可以模拟传统中医的针刺、敲击或者按摩的功能。

如图4所示,耳道刺激子电路3包括第三运算放大器a3、第四运算放大器a4、三极管q7、三极管q8和插座j2,耳道刺激子子电路3的输入端分别与耳垂刺激子电路2的第一输入端和第三运算放大器a3的同相输入端电性连接,第三运算放大器a3的输出端通过电阻r16与三极管q7的基极电性连接,三极管q7的集电极串联电阻r17后接地,三极管q7的集电极还与第三运算放大器a3的反相输入端电性连接;三极管q7的发射极分别与电阻r18的一端和第四运算放大器a4的同相输入端电性连接,电阻r18的另一端与电阻r19的一端并联后与电源电性连接,电阻r19的另一端与第四运算放大器a4的反相输入端电性连接;第四运算放大器a4的输出端通过电阻r20与三极管q8的基极电性连接,三极管q8的发射极与第四运算放大器a4的反相输入端电性连接;插座j2分别与三极管q8的集电极和地线电性连接。

图4中电阻r17和r18需要精确匹配,阻值性能完全相同。第三运算放大器a3起到电压跟随的作用,其输出的电压经过r16变为电流信号,经三极管q7放大后,使电阻r17与r18上的电压相同,第四运算放大器a4及其外围电路形成电流采样功能,电阻r19可以起到电流采样的功能。输出的脉冲电压经插座j2输出至耳道。

如图5所示,穴位刺激子电路4包括脉冲频率芯片tl494、三极管q9、第一变压器t1和插座j3,脉冲频率芯片tl494的引脚2和引脚3之间与电阻r22的两端并联,电阻r22的两端还并联有电阻r21和电容c7串联的支路,引脚2还与电阻r23的一端并联,引脚14分别与电阻r23的另一端电性连接,引脚14和引脚15之间并联有电阻r25,引脚15还通过电阻r26接地;引脚5与电容c9的一端电性连接,引脚6与电阻r27的一端电性连接,电容c9和电阻r27的另一端并联后接地;引脚8和引脚11并联后与三极管q9的基极电性连接,三极管q9的发射极与电源和引脚12并联,三极管q9的基极和发射极之间还并联有电阻r28,三极管q9的集电极分别与电感l2的一端和二极管d4的负极并联,二极管d4的正极接地,电感l2的另一端分别与第一变压器t1的原边的一端、电阻r24的一端和电容c8的一端并联,电阻r24的另一端与脉冲频率芯片tl494的引脚1电性连接,电容c8的另一端接地,第一变压器t1的原边的另一端接地;脉冲频率芯片的引脚4、引脚7、引脚9、引脚10、引脚13和引脚16均并联后接地;插座j3并联在第一变压器t2的副边。

脉冲频率芯片tl494是一种输出频率极低的芯片,该芯片的输出频率可以由引脚5和引脚6上的电容c9和电阻r27决定,如将电阻r27更换位可调电位器,如包括10k欧姆、15k欧姆、22k欧姆、47k欧姆等档位,则输出频率可调节,但不宜超过50hz。输入电源对引脚12和引脚7供电,引脚13为输出控制端,引脚1和引脚2与引脚15和引脚16分别对应两个误差放大器的输入;引脚3控制输出脉冲的宽度;电容c7、电阻r21和r22可提高脉冲频率芯片tl494的稳定性。引脚8和引脚11可驱动pnp管q9启动,输出的脉冲电压由第一变压器t1升压后输出至插座j3中。

本发明采用的电源5可以采用变压器、桥式整流电路降压整流后由稳压芯片如lm7812或者lm7805输出得到。

如图2、图3和图4所示,为了更好的实现各子电路的功能切换、按键输入和显示输出等功能,本发明还包括mcu、按键输入子电路6和显示输出子电路7,mcu的通用输入输出端分别与按键输入子电路6和显示输出子电路7电性连接。mcu为stm32f103单片机,mcu的输出端分别与光耦合器的引脚2、耳垂刺激子电路2的第一输入端和第二输入端以及耳道刺激子子电路3的输入端电性连接,mcu与电源5的输出端电性连接。如图所示,mcu的pa6端口通过电阻r14与三极管q6的基极电性连接,三极管q6的集电极与电感l1的一端电性连接,当pa6端口输出低电平,pb0和pb1端口输出反向pmw波形,耳垂刺激子电路2可正常工作,当当pa6端口输出高电平时,耳垂刺激子电路2停止工作。pb0端口同时也是耳道刺激子电路3的输入端口,该端口可并联上拉电阻r15。

如图6所示,按键输入子电路6包括按键k3、k4、k5和k6,按键k3、k4、k5和k6的引脚1和引脚4均浮空,引脚2均接地;按键k3、k4、k5和k6的引脚3分别与mcu的通用输入输出端口电性连接。各按键可实现子电路使能、子电路定时的功能。

如图7所示,显示输出子电路7包括电平转换芯片max232a、支持rs232协议的lcd屏幕和插座j4,电平转换芯片max232a的引脚11和引脚12分别与mcu的串行端口电性连接,电平转换芯片max232a的引脚13和引脚14与插座j4的引脚2和引脚3电性连接,插座j4的引脚1接地,插座j4的引脚4浮空,插座j4的引脚5与+5v电源电性连接,lcd屏幕通过排线与插座j4电性连接。电平转换芯片max232a引脚1与引脚3并联在电容c10两端,引脚4与引脚5之间并联有电容c11,引脚2与引脚16之间并联有电容c12,引脚6与引脚15之间并联有电容c13,引脚16还与+5v电源电性连接,引脚15接地。

如图8和图9所示,为了对电路部分提供防护,便于各子电路输出,本发明还包括箱体8和耳塞9,箱体8内部中空,两半导体激光器驱动子电路1、耳垂刺激子电路2、耳道刺激子电路3、穴位刺激子电路4和电源5均固定设置在箱体8内部;耳塞9内部中空,耳塞9上开设有第一通孔91,半导体激光器11嵌设在耳塞9的通孔91内,半导体激光器11的发光部穿过第一通孔91中并向外延伸;箱体8侧壁设置有若干第二通孔81,半导体激光器11的输入端穿过耳塞9和第二通孔81伸入箱体8内并与半导体激光器驱动子电路1的输出端电性连接;插座j1、j2和j3均嵌设在第二通孔81内,箱体8上表面设置有窗口82,显示输出子电路7的lcd平面嵌设在窗口82处,进行显示输出。如图11所示,为便于本发明的移动,可将本发明固定设置在小车上。

如图8和10所示,本发明还包括一对鼻夹10,用于对鼻腔进行激光照射。鼻夹10内部中空,半导体激光器11嵌设在鼻夹10内,鼻夹10远离箱体8的一端设置有可透光的导光套101,导光套101与鼻夹10可拆卸连接。两鼻夹10中部铰连接,可分别插入鼻腔中,导光套101可部分透光或者对激光进行漫反射,以实现不同的照射需求。可拆卸的导光套便于清洁和更换。

箱体8上还设置有耳垂电极贴片21、可插入耳道的耳道电极31和穴位贴片41;耳垂电极贴片21与插座j1电性连接;耳道电极31与插座j2电性连接;穴位贴片41与插座j3电性连接;耳垂电极贴片21可以采用亲肤的无纺布或者硅胶材,内含与皮肤直接接触的电极。为保证刺激效果,每个耳垂电极贴片21单独配备一耳垂刺激子电路2。耳道电极31包括柔性本体311和若干环形导电片312,环形导电片312环绕柔性本体311设置,且各环形导电片312均与插座j2电性连接。耳垂电极贴片21、耳道电极31和穴位贴片41可分别贴合对应治疗部位的皮肤。针对迎香穴的治疗能抑制和降低毛细血管和细胞壁的通透性,减少炎症渗出,改善鼻通气,对鼻炎有很好的治疗效果。低频电刺激可加强肌肉活动,增加组织间的相对运动,可使轻度的粘连松解。同时当肌肉强烈收缩时,其中的静脉和淋巴管及被挤压排空,肌肉松弛时,静脉和淋巴管随之扩张和充盈,因此用电刺激肌肉产生有节律的收缩,可改善血液和淋巴循环,促进静脉的淋巴的回流。耳内激光照射对人体组织穿透较深,其照明能使内耳的毛细血管扩张,通透性增加,,改善局部血液循环,增加局部营养物质的氧和交换,增强代谢作用,促进血管再生机受损神经组织的恢复,同时能刺激各种因子,增加其活性,直接刺激神经末梢以及由于生物体活性酶的影响,从而促进神经冲动传导加快,有利于听觉的恢复。交替换向的脉冲对耳垂进行刺激,直接作用于耳穴位,神经,使其因听觉系统异常兴奋,迎起的放电得到快速的恢复。从而迅速修复受损耳蜗内毛细胞组织,改善病灶血液微循环,增加血液供氧量,促进耳蜗酶毛细胞再生。在以上各功能的共同作用下,可以缩短治疗时间,减少病人痛苦,并抑制中耳炎再发。

本发明的优选的使用方法是,首先将半导体激光器11和耳垂电极贴片21分别对耳道进行激光照射和耳垂刺激,同时将鼻夹10插入鼻腔中,在迎香穴贴上穴位贴片41;然后取出耳道中的半导体激光器11,再将耳道电极31插入耳道内进行耳道理疗。

为验证本发明的治疗效果,选取了分泌性中耳炎患者95例进行治疗,年龄为8—65岁,将其分为两组,一组50例进行耳鼻综合治疗设备进行治疗,采用鼓膜下象限处打孔,排出积液后每天照射20分钟;另一组45例采用常规鼓膜穿刺,室内注射地塞米松针,且服用抗生素,连续观察三个月,采用耳鼻综合治疗设备总有效率96%,对照组治疗效果71%。治疗效果差异明显。

以上所述仅为本发明的较佳实施方式而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

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