1.一种光能波石墨烯发热芯片，其特征在于，包括：
薄形金属板，具有二个相对的外表面；
二层绝缘层，分别披覆于所述薄形金属板的二个外表面；
二层电热薄膜，均为导电材料，且分别均匀地披覆于二层所述绝缘层的外表面；
二层石墨烯层，分别形成于二层所述电热薄膜的外表面，所述石墨烯层可与所述的薄形金属板、绝缘层及电热薄膜共同形成具半导电性的芯片，且二层所述石墨烯层上分别形成有正极接点及负极接点，可供电性连接直流电源。
2.根据权利要求1所述的光能波石墨烯发热芯片，其特征在于，所述薄形金属板为低碳钢板及珐琅钢板中任一者。
3.根据权利要求1所述的光能波石墨烯发热芯片，其特征在于，所述绝缘层由陶瓷材料构成。
4.根据权利要求1所述的光能波石墨烯发热芯片，其特征在于，所述电热薄膜的厚度介于3μ至300μmm。