一种增强大型效应物内场强的基于介质基底结构的辐照腔的制作方法

本发明涉及一种辐照腔，具体涉及一种增强大型非金属效应物内场强的基于介质基底结构的辐照腔。

背景技术：

由毛细血管和微血管的内皮细胞、周细胞、基膜及星形胶质细胞终足共同组成的血脑屏障(blood-brainbarrier，bbb)结构是脑内结构最为复杂、作用最为重要的屏障之一。bbb结构对循环血液中的各种物质具有严格的选择通透机制，以保证脑内环境的高度稳定性以利于中枢神经系统的机能活动。然而bbb在阻止异物(包括微生物、病毒等)入侵脑组织而取得保护作用的同时，也阻止治疗药物进入脑病变区域(kangchuli等人发表在《bioelectromagnetics》期刊2018年第39卷第60页，“emp-inducedbbb-disruptionenhancesdrugdeliverytogliomaandincreasestreatmentefficacyinrats”)。因此对于中枢神经系统疾病而言，药物有效吸收因bbb的存在而很难实现，严重制约了脑疾患的药物治疗的有效实施。而根据多年的研究可知，强电磁脉冲的辐照可以产生明显的生物效应(mingjuanyang等人发表在“theriogenology”期刊2013年第80卷第18页，“effectsofelectromagneticpulseonpolydactylyofmousefetuses”)，可以打开bbb结构从而完成病变区域的药物吸收(王琦等人发表在《疾病控制杂志》期刊2003年第7卷第5期第404页，“脉冲式电磁辐射对大鼠血脑屏障影响的量效关系”)。

另一方面，结构与有界波模拟器(周璧华等人发表在《电波科学学报》期刊2011年第26卷第6期第1034页，“雷电电磁脉冲电场仪的标定研究”)相同的辐照腔可以在工作空间提供均匀的场。考虑到人脑与大动物(如猪、牛等)的大脑的有些脑部疾病(如胶质瘤及阿尔茨海默症等)的病变区域不是脑部一点点区域，很可能分布在脑部的很大一块区域，因此为了打开这很大块病变区域的bbb结构，整个很大块病变区域都需要接受强电磁脉冲辐照。此外，考虑到放置在辐照腔工作空间内的人脑或者大动物的大脑与小动物(如老鼠、兔子等)的大脑相比，属于大型非金属效应物，因此，为实现辐照腔内大型非金属效应物内部场强的增强，有必要对辐照腔进行改进设计。

目前，除了“减小辐照腔工作空间上、下金属板的间距”、“增加辐照腔激励源的电压峰值”等常规辐照腔改进手段外，陈昌华等人还提出了“在辐照腔内使用‘具有特定绝缘介质参数和特定尺寸’的绝缘介质块和绝缘介质套”来进行辐照腔的改进(陈昌华等人，专利号为zl201811527792.2，发明名称为“一种辐照腔中大型非金属效应物内部场强全局增强的装置”)。

其中，采用简单的“减小辐照腔工作空间上、下金属板的间距”来进行辐照腔的改进时，工作空间上、下金属板间距的减小会受到效应物的最大高度所限制；通过“增加辐照腔激励源的电压峰值”来进行改进时，则会增加电压源的设计难度；而采用陈昌华等人提出的“在辐照腔内使用‘具有特定绝缘介质参数和特定尺寸’的绝缘介质块和绝缘介质套的方式”来进行改进时，绝缘介质块的高度会受到效应物的最大高度所限制。

技术实现要素：

本发明的目的是提供一种增强大型效应物内场强的基于介质基底结构的辐照腔，克服“为提高辐照腔内大型非金属效应物内部场强、而采用常规的辐照腔改进手段及采用陈昌华等人提出的‘在辐照腔内使用具有特定绝缘介质参数和特定尺寸的绝缘介质块和绝缘介质套’的辐照腔改进方式”可行性较低的问题。

本发明的构思是：

在“入射电磁波的电场方向与金属导线方向垂直时，入射电磁波将全部透过金属导线”、“电磁波在金属细导体表面的电场局部增强”及“电磁波在金属表面会发生全反射，而在绝缘介质表面会发生反射和折射”等理论的基础上，进行“以增强大型非金属效应物内场强为目的”的辐照腔改进时发现，在辐照腔中“效应物面向激励源”的一侧放置“有长方体或正方体形状的凹槽且槽内带有‘与辐照腔宽度方向平行’的长方体形状的金属条”的左侧介质基底结构，以及在“效应物背向激励源”的一侧放置“有圆柱体形状的凹槽且槽内填充满金属”的右侧介质基底结构时，大型非金属效应物内部的场出现了增强的现象，而且场强增强实施的可行性在一定程度上要好于“减小辐照腔工作空间上、下金属板的间距”、“增加辐照腔激励源的电压峰值”等常规辐照腔改进手段，也好于陈昌华等人提出的“在辐照腔内使用‘具有特定绝缘介质参数和特定尺寸’的绝缘介质块和绝缘介质套”的辐照腔改进方式，从而给出了“能增强大型非金属效应物内场强的、基于介质基底结构的辐照腔改进设计”的新思路。本发明同样适用于辐照腔中大型效应物的材质为各向异性时的情形。

本发明的技术解决方案是提供一种增强大型非金属效应物内场强的基于介质基底结构的辐照腔，包括相互平行的上金属板与下金属板，其特殊之处在于：

定义位于上金属板与下金属板之间、且位于辐照腔内部的空间为辐照腔工作空间；

定义从辐照腔激励源到辐照腔工作空间的水平方向为长度方向，即+x方向，上金属板与下金属板的相对方向为高度方向，即±z方向，与上述长度方向和高度方向均垂直的方向为宽度方向，即±y方向；定义“在长度方向上、效应物靠近激励源”的一侧为效应物左侧，对应的远离激励源的一侧为效应物右侧；

还包括左侧绝缘介质基底与右侧绝缘介质基底；

上述左侧绝缘介质基底为放置在辐照腔工作空间内、与上金属板及下金属板均正交且位于效应物左侧的绝缘介质平板；

设辐照腔工作空间中位于高度中心上方的z>0的区域为上工作空间，下方的z<0区域为下工作空间；

定义上述左侧绝缘介质基底面向激励源一侧的表面为左侧绝缘介质基底的左表面，在该左表面上开设若干个长方体或者正方体形状的第一凹槽；其中一部分第一凹槽均布在左侧绝缘介质基底的z>0的上半部分，即位于上工作空间；另一部分第一凹槽均布在左侧绝缘介质基底的z<0的下半部分，即位于下工作空间；

设第一凹槽内与上金属板及下金属板平行的上壁面为槽顶，下壁面为槽底；

位于上工作空间内的第一凹槽槽顶及位于下工作空间内的第一凹槽槽底上均贴有长方体形状的金属条；长方体形状的金属条长度方向的尺寸及宽度方向的尺寸分别与第一凹槽长度方向及宽度方向的尺寸相等，高度方向的尺寸小于第一凹槽高度方向的尺寸；

上述右侧绝缘介质基底为放置在辐照腔工作空间内、与上金属板及下金属板均正交且位于效应物右侧的绝缘介质平板；

定义上述右侧绝缘介质基底面向激励源一侧的表面为右侧绝缘介质基底的左表面，在该左表面上开设若干个圆柱体形状的第二凹槽；其中一部分第二凹槽均布于右侧绝缘介质基底的z>0的上半部分，即位于上工作空间；另一部分第二凹槽均布于右侧绝缘介质基底的z<0的下半部分，即位于下工作空间；

上述第二凹槽内填充有与第二凹槽形状及尺寸相同的金属圆柱体。

进一步地，上述左侧绝缘介质基底的宽度方向尺寸与上金属板及下金属板的宽度相同，高度方向尺寸与上金属板和下金属板之间的间距相同；

上述右侧绝缘介质基底的宽度方向尺寸与上金属板及下金属板的宽度相同，高度方向尺寸与上金属板和下金属板之间的间距相同。

进一步地，刻槽后的左侧绝缘介质基底长度方向最大处的尺寸为20～22mm，最小处的尺寸为8～10mm。

进一步地，刻槽后的右侧绝缘介质基底长度方向最大处的尺寸为28～32mm，最小处的尺寸为20mm～25mm。

进一步地，上述左侧绝缘介质基底及右侧绝缘介质基底的中心均位于x轴上，上述效应物z方向中心尽量放置在上述左、右两侧绝缘介质基底中心的连线上，即x轴上；

定义左侧绝缘介质基底面向效应物一侧的表面为左侧绝缘介质基底的右表面，该右表面与效应物之间的最小间距为15～20mm；右侧绝缘介质基底的左表面与效应物之间的最小间距为15～20mm。

进一步地，上述长方体形状的金属条高度方向的尺寸为3～5mm。

进一步地，上述第一凹槽与第二凹槽的排布方式为二维阵列排布。

进一步地，定义位于上工作空间的相邻第一凹槽的中心在宽度方向及高度方向的间距分别为dy1及dz1；位于下工作空间的相邻第一凹槽的中心在宽度方向及高度方向的间距也分别为dy1及dz1；

定义“关于z＝0平面对称、且最靠近z＝0平面”的上、下两排相邻第一凹槽的中心在z方向的间距为lz1；

则lz1﹥dz1；

定义位于上工作空间的相邻第二凹槽的中心在宽度方向及高度方向的间距分别为dy2及dz2；位于下工作空间的相邻第二凹槽的中心在宽度方向及高度方向的间距也分别为dy2及dz2；

定义“关于z＝0平面对称、且最靠近z＝0平面”的上、下两排相邻第二凹槽的中心在z方向的间距为lz2；

则lz2﹥dz2。

进一步地，定义“在左侧绝缘介质基底的左表面上开设第一凹槽、并在第一凹槽内贴有长方体形状的金属条”的混合结构为左侧介质基底结构；定义“在右侧绝缘介质基底的左表面上开设第二凹槽、并在第二凹槽内填充金属圆柱体”的混合结构为右侧介质基底结构；

左侧绝缘介质基底与右侧绝缘介质基底的相对介电常数相同且均为εr，其最优解由“左侧介质基底结构所包含的第一凹槽的形状和尺寸”、dy1、dz1、lz1、“右侧介质基底结构所包含的第二凹槽的尺寸”、dy2、dz2、lz2及输入的电磁脉冲源共同确定。

进一步地，上述“在左侧绝缘介质基底的左表面上开设第一凹槽后的结构”与“在右侧绝缘介质基底的左表面上开设第二凹槽后的结构”均由与其形状相同的塑料模具所构成，模具内部充满且封装甘油；长方体形状的金属条通过粘接的方式固定在第一凹槽内，金属圆柱体镶嵌入第二凹槽内。

本发明的有益效果是：

(1)考虑到“入射电磁波的电场方向与金属导线方向垂直时，入射电磁波将全部透过金属导线”、“电磁波在金属细导体表面的电场局部增强”、及“电磁波在金属表面会发生全反射，而在绝缘介质表面会发生反射和折射”，在辐照腔中“效应物面向激励源”的一侧放置“有长方体或正方体形状的凹槽且槽内带有‘与辐照腔宽度方向平行’的长方体形状的金属条”的左侧介质基底结构，以及在辐照腔中“效应物背向激励源”的一侧放置“有圆柱体形状的凹槽且槽内填充满金属”的右侧介质基底结构，实现了大型非金属效应物内部的场强增强，从而完成了辐照腔结构的改进；

(2)根据输入的电磁脉冲源对“左侧介质基底结构所包含的凹槽的形状和尺寸”、“左侧介质基底结构所包含的、位于辐照腔的‘上工作空间’或‘下工作空间’中的相邻凹槽的中心在宽度方向及高度方向的间距”、“在左侧介质基底结构上、关于其高度中心对称且分别最靠近该高度中心的上、下两排相邻凹槽的中心在高度方向的间距”、“右侧介质基底结构所包含的凹槽的尺寸”、“右侧介质基底结构所包含的、位于辐照腔的‘上工作空间’或‘下工作空间’中的相邻凹槽的中心在宽度方向及高度方向的间距”及“在右侧介质基底结构上、关于其高度中心对称且分别最靠近该高度中心的上、下两排相邻凹槽的中心在高度方向的间距”进行扫描优化计算后，再对介质参数相同的两个绝缘介质基底的介质参数进行扫描优化计算，得到最优解。两者结合，更进一步地，增强了辐照腔内大型非金属效应物内部的场强，完成了辐照腔的改进；

(3)当大型效应物为各向异性材质时，本发明同样适用。

附图说明

图1是带有大型非金属效应物及左、右两侧介质基底结构的辐照腔在xoz平面上的投影图。

图中：a、b、c及d分别为效应物内部位于xoz平面上的4个测点位置。

图2是左侧介质基底结构面向激励源一侧的表面在yoz平面上的投影图。

图中：dy1为位于该投影平面上、且位于辐照腔的“上工作空间”或“下工作空间”的相邻的第一凹槽的中心在宽度方向(即±y方向)的间距；dz1为位于该投影平面上的、上述相邻的第一凹槽的中心在高度方向(即±z方向)的间距；lz1为“关于z＝0平面对称、且最靠近z＝0平面”的上、下两排相邻第一凹槽的中心在z方向的间距。

图3是右侧介质基底结构面向激励源一侧的表面在yoz平面上的投影图。

图中：dy2为位于该投影平面上、且位于辐照腔的“上工作空间”或“下工作空间”的相邻的第二凹槽的中心在宽度方向(即±y方向)的间距；dz2为位于该投影平面上的、上述相邻第二凹槽的中心在高度方向(即±z方向)的间距；lz2为“关于z＝0平面对称、且最靠近z＝0平面”的上、下两排相邻第二凹槽的中心在z方向的间距。

图中附图标记为：1-辐照腔激励源所在的位置，2-上金属板，3-下金属板，4-辐照腔的前倾斜段，5-辐照腔后过渡段，6-大型非金属效应物，7-左侧绝缘介质基底，8-长方体形状的金属条，9-空气区域，10-右侧绝缘介质基底，11-金属圆柱体。

具体实施方式

为了实现“以增强大型非金属效应物内场强为目的”而进行的辐照腔改进，本发明在辐照腔中放置了具有特定相对介电常数的绝缘介质基底，并在绝缘介质基底上刻上特定形状和尺寸的凹槽、然后再填上特定形状及尺寸的金属材质，实现了能增强大型非金属效应物内场强的、基于介质基底结构的辐照腔的改进设计。下面结合附图，通过实施例对本发明进一步说明。

图1是本发明实施例所示的有大型非金属效应物及左、右两侧介质基底结构存在时辐照腔在xoz平面上的投影图。具体如图1所示：辐照腔的结构包括上金属板2、下金属板3、辐照腔的前倾斜段4及辐照腔后过渡段5。大型非金属效应物6位于辐照腔工作空间内。图中附图标记1为辐照腔激励源所在的位置。

在辐照腔内建立空间坐标系，坐标原点o位于辐照腔工作空间的中心位置；从辐照腔激励源到辐照腔工作空间的水平方向为+x方向，可定义为长度方向；辐照腔相互平行的上金属板2、下金属板3的相对方向为±z方向，可定义为高度方向；与所述x方向与z方向均垂直的方向为±y方向，定义为宽度方向。本实施例中，辐照腔工作空间y方向宽度为500mm，x方向的长度为500mm，z方向的高度为410mm；大型非金属效应物6由半径104mm、y方向尺寸为200mm的绝缘介质圆柱构成，大型非金属效应物6的y方向中心位于y＝0的位置；大型非金属效应物6的相对介电常数为50。在大型非金属效应物6靠近激励源的一侧，有“左侧介质基底结构”存在；定义左侧绝缘介质基底7面向激励源一侧的表面为左侧绝缘介质基底7的左表面，在该左表面上刻上凹槽，并将该凹槽定义为第一凹槽；在位于z>0的上方区域的第一凹槽槽顶，贴有长方体形状的金属条8，而在位于z<0的下方区域的第一凹槽槽底，贴有长方体形状的金属条8。图中附图标记9为第一凹槽内填上长方体形状的金属条8后剩余的空气区域9。在大型非金属效应物6远离激励源的一侧，有“右侧介质基底结构”存在；定义右侧绝缘介质基底10面向激励源一侧的表面为右侧绝缘介质基底10的左表面，在该左表面刻上圆柱体形状的凹槽，并将该凹槽定义为第二凹槽，并用金属圆柱体11填满；a、b、c及d为大型非金属效应物6内部位于xoz平面上的4个测点的位置。

图2是本发明实施例所示的左侧介质基底结构面向激励源一侧的表面在yoz平面上的投影图。具体如图2所示：多个长方体或者正方体形状的第一凹槽，在左侧绝缘介质基底7上二维排布；贴于第一凹槽槽顶和槽底的长方体形状的金属条8在x方向和y方向的尺寸均分别与第一凹槽的x方向和y方向的尺寸相等；高度方向尺寸小于第一凹槽高度方向尺寸，使得固定长方体形状的金属条8后，保留空气区域9。位于yoz投影平面上、且位于辐照腔的“上工作空间”或“下工作空间”的相邻的第一凹槽中心在宽度方向(即y方向)及高度方向(即z方向)的间距分别为dy1及dz1，在左侧绝缘介质基底7上“关于z＝0平面对称、且最靠近z＝0平面”的上、下两排相邻第一凹槽的中心在z方向的间距为lz1。

图3是本发明实施例所示的右侧介质基底结构面向激励源一侧的表面在yoz平面上的投影图。具体如图3所示：若干圆柱体形状的第二凹槽二维排布在右侧绝缘介质基底10上，且这些第二凹槽均被金属圆柱体11填满；位于yoz投影平面上、且位于辐照腔的“上工作空间”或“下工作空间”的相邻第二凹槽的中心在宽度方向(即y方向)及高度方向(即z方向)的间距分别为dy2及dz2，在右侧绝缘介质基底10上“关于z＝0平面对称、且最靠近z＝0平面”的上、下两排相邻第二凹槽的中心在z方向的间距为lz2。

分别选择xoy平面上大型非金属效应物6中的a、b、c及d这4个测点为测试点，以及y＝80mm的平面上分别与a、b、c及d这4个测点对应的a′、b′、c′及d′点为测试点。考虑到整个模型关于y＝0的平面对称，因此y＝80mm的平面上的场与y＝-80mm的平面上相同。在辐照腔的前端加上最高频率约为120mhz的高斯脉冲，脉冲的峰值为200mv。

具体环节介绍如下：

(1)定义从辐照腔激励源到辐照腔工作空间的水平方向(即+x方向)为长度方向，辐照腔工作空间相互平行的上金属板2、下金属板3的相对方向(即±z方向)为高度方向，与所述长度方向与高度方向均垂直的方向为宽度方向(即±y方向)；将大型非金属效应物6的z方向中心尽量放置在辐照腔工作空间高度方向的中心位置附近。

(2)设在长度方向上，大型非金属效应物6靠近激励源的一侧为其左侧，对应的远离激励源的一侧为其右侧。在辐照腔工作空间内、大型非金属效应物6左侧放置一块绝缘介质平板(称为“左侧绝缘介质基底7”)，该绝缘介质平板的宽度与上金属板2及下金属板3的宽度相同，高度与上述上金属板2和下金属板3之间的间距相同。基于该左侧绝缘介质基底7，构造“左侧介质基底结构”的方案如下：

(a)将左侧绝缘介质基底7尽可能地靠近效应物左侧放置；定义左侧绝缘介质基底7面向效应物一侧的表面为左侧绝缘介质基底的右表面，该右表面与效应物之间的最小x向间距为15～20mm。

(b)定义左侧绝缘介质基底7面向激励源一侧的表面为左侧绝缘介质基底7的左表面，在该左表面上，从左侧绝缘介质基底7的高度中心(z＝0)的附近开始，分别向z>0的上方及z<0的下方均匀刻上凹槽，并将该凹槽定义为第一凹槽；

设辐照腔工作空间高度中心上方的z>0的区域为上工作空间，下方的z<0的区域为下工作空间；

第一凹槽的形状为长方体或者正方体，槽口位于左侧绝缘介质基底7的左表面上；在yoz投影平面上，位于“上工作空间”或“下工作空间”的相邻的第一凹槽中心在宽度方向(即±y方向)及高度方向(即±z方向)的间距分别为dy1及dz1，“关于z＝0平面对称、且最靠近z＝0平面”的上、下两排相邻第一凹槽的中心在z方向的间距为lz1；刻槽后的左侧绝缘介质基底7在x方向最大处的尺寸约为20～22mm，最小处的尺寸约为8～10mm。

(c)分别设第一凹槽内与上金属板2及下金属板3平行的上槽壁为槽顶，下槽壁为槽底，分别对左侧绝缘介质基底7上的位于“上工作空间”内的槽顶及“下工作空间”内的槽底贴上与宽度方向平行的长方体形状的金属条8。长方体形状的金属条8长度方向的尺寸及宽度方向的尺寸均分别与第一凹槽长度和宽度方向的尺寸一致，高度方向的尺寸小于第一凹槽的尺寸，约为3～5mm。

(3)在大型非金属效应物6的右侧加上绝缘介质平板(称为“右侧绝缘介质基底10”)。该绝缘介质平板的宽度与上金属板2及下金属板3的宽度相同，高度与上述上金属板2和下金属板3之间的间距相同。基于该右侧绝缘介质基底10，构造“右侧介质基底结构”的方案如下：

(a)将右侧绝缘介质基底10尽可能地靠近效应物右侧放置；定义右侧绝缘介质基底10面向效应物一侧的表面为右侧绝缘介质基底10的左表面，该左表面与效应物之间的最小x向间距为15～20mm。

(b)在右侧绝缘介质基底10的左表面上，从右侧绝缘介质基底10的高度中心z＝0的位置附近开始，分别向z>0的上方及z<0的下方均匀刻上凹槽，并将该凹槽定义为第二凹槽；第二凹槽的形状为圆柱体，槽口位于右侧绝缘介质基底10的左表面上；在yoz投影平面上，位于“上工作空间”或“下工作空间”中相邻第二凹槽中心在宽度方向(即±y方向)及高度方向(即±z方向)的间距分别为dy2及dz2，“关于z＝0平面对称、且最靠近z＝0平面”的上、下两排相邻第二凹槽的中心在z方向的间距为lz2；刻槽后的右侧绝缘介质基底10在x方向最大处的尺寸约为28～32mm，最小处的尺寸约为20mm～25mm。

(c)在上述第二凹槽内填上与凹槽形状及尺寸相同的金属圆柱体11，以保证金属圆柱体11正好填满第二凹槽、且金属圆柱体11的外表面与右侧绝缘介质基底10的左表面在同一平面上。

(4)令左侧绝缘介质基底7及右侧绝缘介质基底10的相对介电常数相等且均为εr，先根据输入的电磁脉冲源对“左侧介质基底结构所包含的第一凹槽的形状和尺寸”、dy1、dz1、lz1、“右侧介质基底结构所包含的第二凹槽的尺寸”、dy2、dz2及lz2进行扫描优化计算后，再对左、右侧绝缘介质基底的相对介电常数εr进行扫描优化计算，并结合实际中存在的介质的相对介电常数，可获得大型非金属效应物内部场强增加的最优解。

根据扫描优化计算，可在左侧绝缘介质基底7的左表面上刻上长方体形状的第一凹槽，并令所刻的第一凹槽在x方向、y方向及z方向的尺寸分别为10mm、30mm及35mm，且可取dy1＝dz1＝45mm，lz1＝95mm；在右侧绝缘介质基底10的左表面上所刻的圆柱体形状的第二凹槽的圆柱底部半径可取为20mm，第二凹槽在x方向的尺寸可取为10mm，且可取dy2＝dz2＝45mm，lz2＝90mm。在此基础上，当左侧绝缘介质基底7及右侧绝缘介质基底10的相对介电常数相等且均为εr时，若改变εr的值，得到yoz平面上的a、b、c及d这4个测点场峰值与无介质基底结构情形(即未使用本发明)时的比值如表1所示。

表1

当左侧绝缘介质基底7及右侧绝缘介质基底10的相对介电常数相等且均为εr时，若改变εr的值，得到y＝80mm平面上分别与a、b、c及d这4个测点位置对应的a′、b′、c′及d′测点的场峰值与无介质基底结构情形(即未使用本发明)时的比值如表2所示。

表2

根据表1和表2，并考虑到甘油(丙三醇)的相对介电常数为42.5、导电率为1×10^-8s/m，可选择42.5为εr的最优解。此时，采用本发明得到的大型非金属效应物6内各测点的电场峰值与未采用发明时的结果之比为1.52～2.07。实际操作时，可将甘油分别充满并封装于与上述“在左侧绝缘介质基底7的左表面上开设第一凹槽后的结构”和“在右侧绝缘介质基底10的左表面上开设第二凹槽后的结构”的形状相同的塑料模具里，再分别在两个模具上粘接长方体形状的金属条8及镶嵌金属圆柱体11，来实现大型非金属效应物6内场强的增强，从而完成辐照腔的改进。

此外，为提高辐照腔内大型非金属效应物内部场强、而采用简单的“减小辐照腔工作空间上、下金属板的间距”来进行辐照腔的改进时，工作空间上、下金属板间距的减小会受到效应物的最大高度所限制；通过“增加辐照腔激励源的电压峰值”来进行改进时，则会增加电压源的设计难度；而采用陈昌华等人提出的“在辐照腔内使用‘具有特定绝缘介质参数和特定尺寸’的绝缘介质块和绝缘介质套的方式”来进行改进时，绝缘介质块的高度会受到效应物的最大高度所限制。因此，本发明工程实施时的可行性在一定程度上优于上述两种常规辐照腔改进手段，也优于陈昌华等人提出的辐照腔改进方式。本发明的说明书已经对发明内容给出了充分的说明，各组件的具体参数可以根据实际需求设定，普通技术人员足以通过本发明说明书的内容加以实施。在权利要求的框架下，任何基于本发明思路的改进都属于本发明的权利范围。