一种基于太赫兹波的消肿止痛治疗装置的制作方法

1.本实用新型属于医疗器械技术领域，具体涉及一种基于太赫兹波的消肿止痛治疗装置。


背景技术：

2.肿痛是一种常见的疾病现象，常见的有牙龈肿痛，四肢肿痛，外伤引起的肿痛等。引起肿痛的因素也非常多，免疫疾病或者结缔组织病常引起四肢肿痛，骨质增生、颈椎病和腰椎间盘突出会使末梢神经出现疼痛和压痛，临床表现出四肢肿痛。扭挫伤等外伤造成局部肿痛。牙龈炎症引起牙龈肿痛。某些炎症也会引起身体肿痛。
3.经常会出现一种情况，患者去医院就医后，医生认为疾病已经好了，或者已经开具药物，但是患者认为还没治疗完，肿痛并没有完全恢复。另一种情况是生活中很容易出现疼痛或肿痛，但是上医院进行治疗又不是很有必要。
4.目前的消肿止痛药物以外敷为主，但疗效不够明显。若无他人帮忙，换药也不太方便。
5.太赫兹波跨越远红外和毫米波段，是宏观电子学向微观光子学过渡的重要区域，其频率范围定义为0.1~10thz。太赫兹光子的能量低，频率为1thz的光子能量只有约4毫电子伏特，不会引起生物组织光离化，因此不容易破坏被检测和被作用物质，生物学上的应用也就比较安全。太赫兹对水和氢键等极性物质特别敏感，与之共振，可瞬间升高机体内局部水和体液温度，快速带走机体局部水分，可以起到消除水肿的作用。辐照部位局部升高的体液温度，还可以促进血液微循环，提高机体自愈功能、改善神经功能和恢复免疫力。


技术实现要素：

6.本实用新型的目的在于提供一种基于太赫兹波的消肿止痛治疗装置，该装置有利于产生可向设定方向位置照射的太赫兹波，可用于消肿止痛治疗，结构简单，使用便捷。
7.为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种基于太赫兹波的消肿止痛治疗装置，包括台座、支杆、平台、操作箱、定位调节机构和太赫兹辐射器，所述支杆安装于台座上，所述平台安装于支杆上，所述太赫兹辐射器经定位调节机构安装于平台上，以通过定位调节机构调节固定太赫兹辐射器的位置，所述操作箱安装于支杆上端。
8.进一步地，所述太赫兹辐射器的主频谱在7.5thz~10thz范围内。
9.进一步地，所述太赫兹辐射器主要由扁筒、太赫兹环型水晶发热管、防护网和扁筒旋盖组成，所述扁筒前端开口且中部具有一用于容置太赫兹环型水晶发热管的空腔，所述扁筒内壁套设有一层石墨烯隔热漫射薄片，所述太赫兹环型水晶发热管横置并固定于扁筒的空腔中，所述扁筒旋盖为具有中部通孔的中空结构，所述防护网设置于扁筒旋盖内侧面上，所述扁筒旋盖与扁筒的开口端旋接，以使所述防护网位于太赫兹环型水晶发热管外侧，从而使太赫兹环型水晶发热管发出的太赫兹波可以透过扁筒旋盖和防护网。
10.进一步地，所述空腔内设有悬吊块，所述悬吊块固定于扁筒的后端盖上，所述悬吊
块上设有用于嵌设太赫兹环型水晶发热管的定位槽，所述太赫兹环型水晶发热管放置于定位槽上并通过夹持件固定于悬吊块上，以使太赫兹环型水晶发热管悬置于空腔中央；所述扁筒通过其后端盖的后端面与定位调节机构连接。
11.进一步地，所述太赫兹辐射器配设有多个与扁筒适配但中部通孔尺寸不同的扁筒旋盖，以及多个材质不同的防护网，以根据治疗需要选择使用不同的扁筒旋盖和防护网。
12.进一步地，所述防护网为钢丝网、塑料网或密目阻燃网。
13.进一步地，所述台座下具有移动轮，以使装置易于移动。
14.进一步地，所述平台为圆柱平台，所述定位调节机构安装在圆柱平台的前半圆台面上。
15.进一步地，所述定位调节机构为多杆转角定位调节机构，包括转盘、第一连杆、第二连杆和第三连杆，所述转盘下端安装在平台上，所述第一连杆和第二连杆并联，所述第一连杆和第二连杆的其中一个并联端与转盘上端铰接，另一个并联端与第三连杆一端铰接，所述第三连杆另一端与把持器铰接，并通过把持器与太赫兹辐射器连接。
16.进一步地，所述操作箱上设有微处理器、触摸操控屏、电压表、电源开关、急停开关和电源模块，所述电源模块通过插头连接市电，变压后为太赫兹辐射器和微处理器供电，所述微处理器分别与太赫兹辐射器、触摸操控屏、电压表、电源开关和急停开关连接，以控制太赫兹辐射器工作，同时采集工作电压信息在电压表显示。
17.相较于现有技术，本实用新型具有以下有益效果：提供了一种基于太赫兹波的消肿止痛治疗装置，该装置可以通过太赫兹辐射器产生太赫兹波，并通过定位调节机构调节太赫兹辐射器的位置和照射方向，易于操作，使用便捷，从而可以通过太赫兹辐射器发出的太赫兹波照射患者肿痛处皮肤进行治疗，对于消肿止痛有很好的治疗效果，按照规定使用没有副作用，使用方便，见效快，仪器使用寿命长。
附图说明
18.图1是本实用新型实施例的装置结构主视图。
19.图2是本实用新型实施例的装置结构左视图。
20.图3是本实用新型实施例的装置结构后视图。
21.图4是本实用新型实施例中太赫兹辐射器的爆炸视图。
22.图中：1-台车，2-台座，3-支杆，4-平台，5-操作箱，6-多杆转角定位调节机构，61-转盘，62-第一连杆，63-第二连杆，64-第三连杆，7-太赫兹辐射器，71-扁筒，72-夹持件，73-太赫兹环型水晶发热管，74-悬吊块，75-后端盖，77-防护网，78-垫片，79-扁筒旋盖，8-把持器。
具体实施方式
23.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术的实施例，本领域技术人员在没有做
出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
24.如图1-3所示，本实施例提供了一种基于太赫兹波的消肿止痛治疗装置，包括可自由移动的台车1，台车1主要由台座2、支杆3、平台4、操作箱5、定位调节机构6和太赫兹辐射器7，所述支杆3安装于台座2上，台座2上的支杆3对平台4和操作箱5提供支撑，所述平台4安装于支杆3上，所述太赫兹辐射器7经定位调节机构6安装于平台4上，以通过定位调节机构6调节固定太赫兹辐射器7的位置，所述操作箱5安装于支杆3上端。
25.在本实施例中，所述定位调节机构6为多杆转角定位调节机构，包括转盘61、第一连杆62、第二连杆63和第三连杆64，所述转盘61下端安装在平台4上，所述第一连杆62和第二连杆63并联，所述第一连杆62和第二连杆63的其中一个并联端与转盘61上端铰接，另一个并联端与第三连杆64一端铰接，所述第三连杆64另一端与把持器8铰接，并通过把持器8与太赫兹辐射器连接。所述把持器8是一根连接第三连杆的短螺杆，其螺纹头旋在扁筒的后端盖75上。
26.如图4所示，所述太赫兹辐射器7主要由扁筒71、太赫兹环型水晶发热管73、防护网77和扁筒旋盖79组成，所述扁筒71前端开口且中部具有一用于容置太赫兹环型水晶发热管73的空腔，所述扁筒71内壁套设有一层石墨烯隔热漫射薄片，所述太赫兹环型水晶发热管73横置并固定于扁筒71的空腔中，所述扁筒旋盖79为具有中部通孔的中空结构，所述防护网77设置于扁筒旋盖79的内侧面上，所述扁筒71的开口端上嵌设有垫片78，所述扁筒旋盖79与扁筒71的开口端旋接，以使所述防护网77位于太赫兹环型水晶发热管73外侧，从而使太赫兹环型水晶发热管发出的太赫兹波可以透过扁筒旋盖和防护网。
27.所述空腔内设有悬吊块74，所述悬吊块74固定于扁筒71的后端盖75上，所述悬吊块74上设有用于嵌设太赫兹环型水晶发热管73的定位槽，所述太赫兹环型水晶发热管73放置于定位槽上并通过夹持件72固定于悬吊块74上，以使太赫兹环型水晶发热管悬置于空腔中央；所述扁筒71通过其后端盖75的后端面与定位调节机构连接。
28.在本实施例中，所述太赫兹辐射器配设有多个与扁筒适配但中部通孔尺寸不同的扁筒旋盖，以及多个材质不同的防护网，以根据治疗需要选择使用不同的扁筒旋盖和防护网。较佳地，所述防护网为钢丝网、塑料网或密目阻燃网。不同孔径的扁筒旋盖采用不同吸收率的材质做保护网，目的是最终获得相近强度的辐射能量输出。
29.例如，选择圆形开口的扁筒旋盖及钢丝网防护网，适合大面积的肿痛部位。选择不同开口尺寸的扁筒旋盖及防护网，适合不同面积的肿痛部位。
30.在本实施例中，所述太赫兹辐射器7的主频谱在7.5thz-10thz范围内，工作电压在交流电压13v～20v范围内，太赫兹辐射器出口的表面温度＜55℃。所述太赫兹辐射器7发出的太赫兹波（7.5thz-10thz）属于远红外线波段，远红外线深透力可达肌肉关节深处，通过身体内部温热效应，促进血液微循环，有利氧气及养分交换，消除肿胀的炎性物质，同时激发身体内自然止痛物质的分泌和释放，从而消除肿胀和缓解疼痛。通过太赫兹辐射器发出的太赫兹波照射患者肿痛处皮肤进行治疗，对于消肿止痛有很好的治疗效果，按照规定使用没有副作用，使用方便，见效快，仪器使用寿命长。
31.在本实施例中，所述台座2设置于操作箱5和平台4的最底端，所述台座2下具有4个移动轮，以使装置易于移动。所述平台3为圆柱平台，所述定位调节机构安装在圆柱平台的前半圆台面上。
32.为了实现装置的工作控制和工作状态显示，所述操作箱5上设有微处理器、触摸操控屏、电压表、电源开关、急停开关和电源模块，所述电源模块通过插头连接220v市电，变压后为太赫兹辐射器和微处理器供电，所述微处理器分别与太赫兹辐射器、触摸操控屏、电压表、电源开关和急停开关连接，以控制太赫兹辐射器工作，同时采集工作电压信息在电压表显示。在本实施例中，电源模块通过导线连接一插座，可以为航空插座，插座固定在扁筒71的后端盖75上，插座引出导线连接太赫兹环型水晶发热管73，以为其供电。
33.尽管上文对本实用新型作了详细说明，但本实用新型不限于此，本技术领域的技术人员可以根据本实用新型的原理进行修改，因此，凡按照本实用新型的原理进行的各种修改都应当理解为落入本实用新型的保护范围。