一种用于大脑枕叶成像的的制作方法

一种用于大脑枕叶成像的
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p磁共振表面线圈
技术领域
1.本实用新型涉及磁共振领域，具体是一种用于大脑枕叶成像的
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p磁共振表面线圈。


背景技术：

2.大脑枕叶负责处理语言、动作感觉、抽象概念及视觉信息，为视觉皮质中枢，枕叶病损时不仅发生视觉障碍，并且出现记忆缺陷和运动知觉障碍等症状，以视觉症状为主。磁共振成像(mri)具有高分辨率、无电离辐射等优势，可准确进行病变定位，在临床诊断和科研中发挥着越来越重要的作用，可用来检测大脑枕叶的病变情况。在众多可产生磁共振现象的原子核中，1h由于在生物体中含量高、信号强，成为mri的主要成像核素。然而其它非质子核在生命科学相关研宄中同样具有不可替代的独特性，磷是机体极为重要的元素之一，在细胞的核糖核酸和脱氧核糖核酸中均有分布，是生物体遗传代谢、生长发育、能量供应等方面不可或缺的元素。基于
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p的mri可检测生物体内能量代谢情况、细胞膜的变化以及肿瘤细胞的变化等。然而与质子相比，
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p在生物体内的含量低，mri信号弱，具有较低的mr敏感性，在低场条件下其mri信噪比低，以致应用困难。随着磁场强度的提高，成像的灵敏度、分辨率都有很大程度的提升，这使得基于
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p的mri研究成为可能。
3.实现
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p mri的另一个必要硬件条件是具备相应的磁共振射频线圈，rf线圈可直接影响mri的信号灵敏度、图像snr以及均匀度等。本专利基于3t磁共振系统设计了一种用于大脑枕叶成像的
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p磁共振表面线圈，该线圈在
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p的拉莫尔频率工作，实现
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p磁共振信号的激发和接收。表面线圈的设计靠近大脑枕叶表层，提高了
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p磁共振成像的信噪比。
4.当前对大脑枕叶进行mri成像，大多数是使用头线圈进行传统的1h成像。一方面头线圈多为容积线圈，用其接收大脑枕叶信号，会因fov过大而导致接收的噪声较多，降低枕叶mri图像的信噪比，影像图像质量。另一方面，传统的1h成像无法检测到人体的代谢情况，通过
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p mri成像可以可检测生物体内能量代谢情况、细胞膜的变化以及肿瘤细胞的变化等，对于组织的疾病检测和诊断具有重要意义。
5.因此，本领域技术人员提供了一种用于大脑枕叶成像的
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p磁共振表面线圈，以解决上述背景技术中提出的问题。


技术实现要素：

6.本实用新型的目的在于提供一种用于大脑枕叶成像的
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p磁共振表面线圈，以解决上述背景技术中提出的问题。
7.为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
8.一种用于大脑枕叶成像的
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p磁共振表面线圈，包括头托、蝶形线圈卡槽和环形线圈卡槽，所述蝶形线圈卡槽和环形线圈卡槽设置在头托上，且蝶形线圈卡槽内设置有蝶形线圈，环形线圈卡槽内设置有环形线圈，环形线圈上设置有谐振元件和辅助电路。
9.作为本实用新型进一步的方案：所述头托的四个侧边分别设置嵌合开口一、嵌合
开口二、嵌合开口三和嵌合开口四。
10.作为本实用新型再进一步的方案：所述头托侧边设计有弧度，弧度与人体形态相对应，头托四周为空心的支撑结构。
11.与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
12.本专利提出的大脑枕叶成像的
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p磁共振表面线圈结构简单，成本可控，表面线圈的设计贴近大脑枕叶，改善了使用容积线圈成像fov过大造成的局部信噪比低的问题，正交双通道结构的设计避免了通道间耦合，符合人脑弧度的设计可以提高被试的舒适性，
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p核素的成像可有效地检查大脑枕叶是否有异常情况。
附图说明
13.图1为一种用于大脑枕叶成像的
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p磁共振表面线圈的结构示意图。
14.图2为一种用于大脑枕叶成像的
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p磁共振表面线圈中头托的结构示意图。
15.图3为一种用于大脑枕叶成像的
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p磁共振表面线圈的仿真电路示意图。
16.图中：1-头托、2-蝶形线圈卡槽、3-环形线圈卡槽、5-嵌合开口一、6-嵌合开口二、7-嵌合开口三、8-嵌合开口四、9-环形线圈、10-蝶形线圈、11-谐振元件、12-辅助电路。
具体实施方式
17.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
18.请参阅图1～3，本实用新型实施例中，一种用于大脑枕叶成像的
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p磁共振表面线圈，包括头托1、蝶形线圈卡槽2和环形线圈卡槽3，所述蝶形线圈卡槽2和环形线圈卡槽3设置在头托1上，且蝶形线圈卡槽2内设置有蝶形线圈10，环形线圈卡槽3内设置有环形线圈9，环形线圈10上设置有谐振元件11和辅助电路12；
19.所述头托1的四个侧边分别设置嵌合开口一5、嵌合开口二6、嵌合开口三7和嵌合开口四8。
20.所述头托1侧边设计有弧度，弧度与人体形态相对应，头托1四周为空心的支撑结构；在支架背面设计了内外两通道线圈(2、3)的卡槽，作为线圈轨迹参考。嵌合开口一5、嵌合开口二6、嵌合开口三7和嵌合开口四8用于线圈与mri床体的嵌合和线缆的连接。
21.为提高mri成像的信噪比，该大脑枕叶成像的
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p磁共振表面线圈设计为正交双通道表面线圈结构。两通道采用弧度设计，契合大脑枕叶的形状，贴近成像部位，增强接收的磁共振信号强度，提高信噪比。外围环形线圈提供垂直于头托方向的射频场，内部的蝶形线圈产生与头托表面平行，与环形线圈磁场垂直的射频场，均与3t磁共振系统主磁场方向垂直。为避免通道之间相互耦合影响成像效果，两通道采用了正交结构，且相隔一定距离，弱化通道之间的耦合效应。蝶形线圈结构使得其中央交叉部分产生的射频磁场最强，会在一定程度上造成mri图像的不均匀，因此设计时采用较大地交叉，尽可能地削弱由此带来的局部过亮影响。表面线圈地设计可以聚焦于大脑枕叶部位的局部成像，降低其他组织成像带来的噪声信号。
22.本专利提出的大脑枕叶成像的
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p磁共振表面线圈结构简单，成本可控，表面线圈的设计贴近大脑枕叶，改善了使用容积线圈成像fov过大造成的局部信噪比低的问题，正交双通道结构的设计避免了通道间耦合，符合人脑弧度的设计可以提高被试的舒适性，
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p核素的成像可有效地检查大脑枕叶是否有异常情况。
23.以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。