长链非编码rna分子snhg18在制备治疗脑胶质瘤的药物的应用
【技术领域】
[0001] 本发明涉及长链非编码RNA分子SNHG18的新用途，尤其是涉及SNHG18在制备治 疗脑胶质瘤的药物的应用。
【背景技术】
[0002] 脑胶质瘤是人类最常见的颅内肿瘤。恶性脑胶质瘤治疗上采用综合疗法，包括手 术切除、放射治疗及化学治疗等。大量临床研宄表明，恶性脑胶质瘤术后辅以放射治疗可明 显提高患者生存率，放疗在恶性胶质瘤的治疗中有重要地位。但是综合治疗后的恶性胶质 瘤仍然极易复发，疗效难以令人满意。进一步探索提高恶性胶质瘤治疗的新机制和新途径 是当前恶性胶质瘤研宄的重要内容。
[0003] 肿瘤放射治疗是一个多步骤、多阶段的复杂生物过程，每一阶段都涉及多个相关 基因的表达和功能变化。最近，一类长片段非编码RNA分子（长链非编码RNA)在肿瘤发 生发展和治疗反应各环节中承担的关键调控作用已引起人们的广泛关注。长链非编码 RNA(LncRNA)是一类重要的细胞功能调控分子，研宄显示LncRNA参与肿瘤的发生、发展及 治疗反应。
[0004] 长链非编码RNA分子SNHG18位于人染色体chr5:9546311-9550409,最初是1996 年美国学者在分离人全长cDNA中被首次发现。但到目前为止，对于它的功能及结构特征尚 未见进一步的研宄报道。
【发明内容】
[0005] 本发明的目的在于提供长链非编码RNA分子SNHG18的新的应用。
[0006] 本发明所述的应用是长链非编码RNA分子SNHG18在制备治疗脑胶质瘤的药物的 应用。
[0007] 根据本发明所述的应用的进一步特征，所述治疗脑胶质瘤的药物是增强脑胶质瘤 细胞辐射敏感性的药物。
[0008] 根据本发明所述的应用的进一步特征，提供了所述增强脑胶质瘤细胞辐射敏感性 的药物是抑制脑胶质瘤细胞增殖的药物。
[0009] 根据本发明所述的应用的进一步特征，提供了所述增强脑胶质瘤细胞辐射敏感性 的药物是促进脑胶质瘤细胞凋亡的药物。
[0010] 本发明的实验证实，长链非编码RNA分子SNHG18胶质瘤细胞增殖及放射敏感性相 关。本发明应用IncRNA芯片从不同放射敏感性人恶性胶质瘤细胞系中筛选获得的与胶质 瘤放射敏感相关的一种IncRNA，即SNHG18。本发明利用转染、干扰及构建动物模型等方法 从体内体外两个方面明确SNHG18在胶质瘤增殖及放射抵抗中的作用。本发明的研宄发现， SNHG18在具有辐射抗性的脑胶质细胞中高表达，抑制SNHG18后可抑制脑胶质瘤细胞的增 殖，并提高脑胶质瘤细胞对辐射的敏感性。本发明从IncRNA这个新视野为阐明恶性胶质瘤 恶性增殖及放射抵抗的分子机制提供新依据与新思路，以及提供药物靶点方面提供了一定 的应用价值。因此，可以将SNHG18用于制备治疗脑胶质瘤的药物，尤其是用于制备增强脑 胶质瘤细胞辐射敏感性的药物。
【附图说明】
[0011] 图1是qRT-PCR实验检测SNHG18的相对表达量，该图显示，SNHG18在辐射抵抗的 脑胶质瘤细胞系M059K和U87中表达量比放射敏感株M059J和U118显著升高。
[0012] 图2A是通过qRT-PCR检测转染SNHG18siRNA后M059K细胞中SNHG18的相对表达 量，以验证转染效率，该图显示，干扰SNHG18表达后M059K细胞的SNHG18表达水平明显降 低。
[0013] 图2B是通过qRT-PCR检测转染SNHG18siRNA后U87细胞中SNHG18的相对表达量， 以验证转染效率，该图显示，干扰SNHG18表达后U87细胞的SNHG18表达水平明显降低。
[0014] 图2C是通过qRT-PCR检测转染SNHG18质粒后M059J细胞中SNHG18的相对表达 量，以验证转染效率，该图显示，过表达SNHG18后M059J细胞的SNHG18表达水平明显升高。
[0015] 图2D是通过qRT-PCR检测转染SNHG18质粒后U118细胞中SNHG18的相对表达量， 以验证转染效率，该图显示，过表达SNHG18后U118细胞的SNHG18表达水平明显升高。
[0016] 图3A是通过MTT检测转染SNHG18siRNA后不同时间点M059K细胞的存活分数，该 图显示，干扰SNHG18表达后M059K细胞增殖明显受到抑制。
[0017] 图3B是通过MTT检测转染SNHG18siRNA后不同时间点U87细胞的存活分数，该图 显示，干扰SNHG18表达后U87细胞增殖明显受到抑制。
[0018] 图3C是通过MTT检测转染SNHG18质粒后不同时间点M059J细胞的存活分数，该 图显示，过表达SNHG18后促进了 M059J细胞的增殖。
[0019] 图3D是通过MTT检测转染SNHG18质粒后不同时间点U118细胞的存活分数，该图 显示，过表达SNHG18后促进了 Ul 18细胞的增殖。
[0020] 图4A是用流式细胞仪检测转染SNHG18siRNA后48h的M059K细胞进行AnnexinV/ PI染色后的荧光强度，以检测凋亡率。该图显示，干扰SNHG18表达后M059K细胞凋亡明显 减少。（*P< 0.05)
[0021] 图4B是用流式细胞仪检测转染SNHG18siRNA后48h的U87细胞进行AnnexinV/PI 染色后的荧光强度，以检测凋亡率。该图显示，干扰SNHG18表达后U87细胞凋亡明显减少。 (*P < 0· 05)
[0022] 图5A是用克隆形成实验检（colon assay)测转染SNHG18siRNA后M059K细胞在 不同照射剂量下的存活分数，并用单击多靶模型捏合存活曲线。该图显示，干扰SNHG18表 达后M059K细胞接受X-ray照射后的存活率明显减少。
[0023] 图5B是用克隆形成实验检（colon assay)检测转染SNHG18siRNA后U87细胞在 不同照射剂量下的存活分数，并用单击多靶模型捏合存活曲线。该图显示，干扰SNHG18表 达后U87细胞接受X-ray照射后的存活率明显减少。
[0024] 图5C是用克隆形成实验检（colon assay)检测转染SNHG18质粒后M059J细胞在 不同照射剂量下的存活分数，并用单击多靶模型捏合存活曲线。该图显示，过表达SNHG18 后诱导了 M059J细胞对X-ray的抵抗。
[0025] 图是用克隆形成实验检（colon assay)检测转染SNHG18质粒后U118细胞在 不同照射剂量下的存活分数，并用单击多靶模型捏合存活曲线。该图显示，过表达SNHG18 后诱导了 Ul 18细胞对X-ray的抵抗。
【具体实施方式】
[0026] 下面将结合具体实例进一步阐述本发明。这些实例仅用于阐述本发明，而不用于 限制本发明的范围。下列实例中未注明具体实验条件的实验方法，通常按照常规条件，或按 照制造厂商所建议的条件。
[0027] 本发明米用 Arraystar Human LncRNA Microarray V3. 0 芯片，对来源于同一亲 本、具有不同放射敏感性的脑胶质瘤细胞株M059J (敏感株）及M059K(抵抗株）33进行 LncRNA表达谱分析，获得一系列差异表达LncRNA，通过生物信息学分析以及对芯片结果实 验验证，从差异表达LncRNA中筛选出在放射抵抗的胶质瘤M059K细胞中表达明显升高的 SNHG18作为一个调控脑胶质瘤放射敏感性的新靶点开展进一步研宄。
[0028] 首先，采用Trizol试剂提前细胞总RNA，进行反转录，利用qRT-PCR检测SNHG18在 脑胶质瘤细胞株中的表达。研宄发现，SNHG18在辐射抵抗的脑胶质瘤细胞系M059K和U87 中表达量比放射敏感株M059J和Ul 18显著升高。
[0029] 第二步，利用MTT技术检测干扰SNHG18表达后M059K和U87细胞，以及过表达 SNHG18后M059J和U118的增殖情况的变化。分别在细胞转染后24h，48h，72h进行MTT染 色及OD值检测，绘制生长曲线，结果表明干扰SNHG18表达后M059K和U87细胞增殖明显受 到抑制。而过表达SNHG18后促进了 M059J和U118细胞的增殖。
[0030] 第三步，利用流式细胞仪技术检测干扰SNHG18表达后M059K和U87细胞，以及过 表达SNHG18后M059J和U118的凋亡情况的变化。用AnnexinV/PI试剂盒对转染后48h的 细胞进