本发明涉及复合材料真空镀膜的
技术领域：
，尤其是一种在纤维布上制备杀菌膜的方法。
背景技术：
：随着社会的发展，工业的稳定的发展，生产技术更趋完善，生产水平进一步提高，特别是高新技术获得了广泛的应用，应用领域更为宽广。随着经济全球化、市场国际化，材料技术的开发与进步，人们的物质生活水平越来越高，对材料的性能要求也越来越高，而纤维布作为一种常用的生活材料，其应用非常广泛，特别在医疗防领域，其往往作为一次性材料用于制成口罩等防护物品，作用非常大，但是传统的纤维布除了用途广，在功能上往往很单一，比如它并不具有防菌功能，制成的物品如果需要进行再次使用必须用专用器材进行杀菌消毒后方可使用，对使用者的使用造成不便及对资源的浪费。技术实现要素：本发明的主要目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种在纤维布上制备杀菌膜的方法解决因传统的纤维布功能单一，不卫生环保，浪费资源的问题。为实现上述目的，按照本发明提供的技术方案是：所述在纤维布上制备杀菌膜的方法包括如下步骤：(1)预处理：将卷轴纤维布清洁干净并低温烘干；(2)真空处理：将卷轴纤维布放入真空炉内，真空炉内抽真空至1x10-3pa；(3)杀菌膜层镀制：开启电源调至30-40v，占空比为20％-30％，通入氩气使真空度达到0.3pa时启动碳化硅靶及银靶，然后启动卷轴纤维布，卷轴纤维布前进的线速度为0.1-0.3米/秒，碳化硅靶电流密度为6a,银靶为0.4a。炉温调至摄氏4c度。按照纤维布前进方向，硅靶按碳化硅、银、碳化硅、银、碳化硅、银的顺序依次排列并同时溅射。使纤维布表面形成碳化硅和银做成的杀菌膜层；(4)镀膜完成：先关闭碳化硅靶和银靶，然后关闭氩气体，待5-10分钟降温，然后将真空炉分段放空气至大气压，取出卷轴纤维布，完成镀膜。作为本发明进一步的方案，所述步骤(1)中卷轴纤维布清洁为表面灰尘及气体的吸附清除处理，吹干温度不超过60℃。作为本发明进一步的方案，所述步骤(2)中氩气的流量为100-250sccm，电镀时间为1-3分钟。综上所述，使用上述技术方案在纤维布上进行杀菌膜的镀制，整个过程不需加化学处理，在不损伤纤维布的表面前提下镀膜，使用碳化硅靶及银靶进行杀菌膜层镀制，纤维的主要成分包含大量的碳原子，和镀膜內的碳原子具有良好的结合力，加之银靶溅射，使具有杀菌效果的银均匀分布在纤维布中，形成具有杀菌效果的杀菌膜，另外在镀膜过程中纤维布匀速前进，使溅射过程成膜更为均匀，并且能够避免局部温度过高损伤纤维布。健康，环保，既保留原纤维布的各种特性、外型、又起到了杀菌的功效，制作较为方便，设备投资较小，应用广泛。具体实施方式下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。一种在纤维布上制备杀菌膜的方法包括如下步骤：(1)预处理：将卷轴纤维布清洁干净并低温烘干；对纤维布进行清洁有多种方式，使纤维布在镀膜前保持干净干燥的表面，利于提高膜层的结合力，从而提高杀菌膜的镀膜质量。(2)真空处理：将卷轴纤维布放入真空炉内，真空炉内抽真空至1x10-3pa；(3)杀菌膜层镀制：开启电源调至30-40v，占空比为20％-30％，通入氩气使真空度达到0.3pa时启动碳化硅靶及银靶，然后启动卷轴纤维布，卷轴纤维布前进的线速度为0.1-0.3米/秒，碳化硅靶电流密度为6a,银靶为0.4a。炉温调至摄氏4c度。按照纤维布前进方向，硅靶按碳化硅、银、碳化硅、银、碳化硅、银的顺序依次排列并同时溅射。使纤维布表面形成碳化硅和银做成的杀菌膜层；(4)镀膜完成：先关闭碳化硅靶和银靶，然后关闭氩气体，待5-10分钟降温，然后将真空炉分段放空气至大气压，取出卷轴纤维布，完成镀膜。在其中一个实施例中，所述步骤(1)中卷轴纤维布清洁为表面灰尘及气体的吸附清除处理，吹干温度不超过60℃。在其中一个实施例中，所述步骤(2)中氩气的流量为100-250sccm，电镀时间为1-3分钟。实施例1一种在纤维布上制备杀菌膜的方法包括如下步骤：(1)预处理：将卷轴纤维布清洁干净并低温烘干；对纤维布进行清洁有多种方式，使纤维布在镀膜前保持干净干燥的表面，利于提高膜层的结合力，从而提高杀菌膜的镀膜质量。(2)真空处理：将卷轴纤维布放入真空炉内，真空炉内抽真空至1x10-3pa；(3)杀菌膜层镀制：开启电源调至30v，占空比为20％-30％，通入氩气使真空度达到0.3pa时启动碳化硅靶及银靶，然后启动卷轴纤维布，卷轴纤维布前进的线速度为0.1-0.3米/秒，碳化硅靶电流密度为6a,银靶为0.4a。炉温调至摄氏4c度。按照纤维布前进方向，硅靶按碳化硅、银、碳化硅、银、碳化硅、银的顺序依次排列并同时溅射。使纤维布表面形成碳化硅和银做成的杀菌膜层；(4)镀膜完成：先关闭碳化硅靶和银靶，然后关闭氩气体，待5分钟降温，然后将真空炉分段放空气至大气压，取出卷轴纤维布，完成镀膜。实施例2一种在纤维布上制备杀菌膜的方法包括如下步骤：(1)预处理：将卷轴纤维布清洁干净并低温烘干；对卷轴纤维布进行清洁有多种方式，使纤维布在镀膜前保持干净干燥的表面，利于提高膜层的结合力，从而提高杀菌膜的镀膜质量。(2)真空处理：将卷轴纤维布放入真空炉内，真空炉内抽真空至1x10-3pa；(3)杀菌膜层镀制：开启电源调至32v，占空比为32％，通入氩气使真空度达到0.3pa时启动碳化硅靶及银靶，然后启动卷轴纤维布，卷轴纤维布前进的线速度为0.1-0.3米/秒，碳化硅靶电流密度为6a,银靶为0.4a。炉温调至摄氏4c度。按照纤维布前进方向，硅靶按碳化硅、银、碳化硅、银、碳化硅、银的顺序依次排列并同时溅射。使纤维布表面形成碳化硅和银做成的杀菌膜层；(4)镀膜完成：先关闭碳化硅靶和银靶，然后关闭氩气体，待6分钟降温，然后将真空炉分段放空气至大气压，取出卷轴纤维布，完成镀膜。实施例3一种在纤维布上制备杀菌膜的方法包括如下步骤：(1)预处理：将卷轴纤维布清洁干净并低温烘干；对纤维布进行清洁有多种方式，使纤维布在镀膜前保持干净干燥的表面，利于提高膜层的结合力，从而提高杀菌膜的镀膜质量。(2)真空处理：将卷轴纤维布放入真空炉内，真空炉内抽真空至1x10-3pa；(3)杀菌膜层镀制：开启电源调至36v，占空比为35％，通入氩气使真空度达到0.3pa时启动碳化硅靶及银靶，然后启动卷轴纤维布，卷轴纤维布前进的线速度为0.1-0.3米/秒，碳化硅靶电流密度为6a,银靶为0.4a。炉温调至摄氏4c度。按照纤维布前进方向，硅靶按碳化硅、银、碳化硅、银、碳化硅、银的顺序依次排列并同时溅射。使纤维布表面形成碳化硅和银做成的杀菌膜层；(4)镀膜完成：先关闭碳化硅靶和银靶，然后关闭氩气体，待7分钟降温，然后将真空炉分段放空气至大气压，取出卷轴纤维布，完成镀膜。实施例4一种在纤维布上制备杀菌膜的方法包括如下步骤：(1)预处理：将卷轴纤维布清洁干净并低温烘干；对纤维布进行清洁有多种方式，使纤维布在镀膜前保持干净干燥的表面，利于提高膜层的结合力，从而提高杀菌膜的镀膜质量。(2)真空处理：将卷轴纤维布放入真空炉内，真空炉内抽真空至1x10-3pa；(3)杀菌膜层镀制：开启电源调至38v，占空比为37％，通入氩气使真空度达到0.3pa时启动碳化硅靶及银靶，然后启动卷轴纤维布，卷轴纤维布前进的线速度为0.1-0.3米/秒，碳化硅靶电流密度为6a,银靶为0.4a。炉温调至摄氏4c度。按照纤维布前进方向，硅靶按碳化硅、银、碳化硅、银、碳化硅、银的顺序依次排列并同时溅射。使纤维布表面形成碳化硅和银做成的杀菌膜层；(4)镀膜完成：先关闭碳化硅靶和银靶，然后关闭氩气体，待8分钟降温，然后将真空炉分段放空气至大气压，取出卷轴纤维布，完成镀膜。实施例5一种在纤维布上制备杀菌膜的方法包括如下步骤：(1)预处理：将卷轴纤维布清洁干净并低温烘干；对纤维布进行清洁有多种方式，使纤维布在镀膜前保持干净干燥的表面，利于提高膜层的结合力，从而提高杀菌膜的镀膜质量。(2)真空处理：将卷轴纤维布放入真空炉内，真空炉内抽真空至1x10-3pa；(3)杀菌膜层镀制：开启电源调至40v，占空比为30％，通入氩气使真空度达到0.3pa时启动碳化硅靶及银靶，然后启动卷轴纤维布，卷轴纤维布前进的线速度为0.1-0.3米/秒，碳化硅靶电流密度为6a,银靶为0.4a。炉温调至摄氏4c度。按照纤维布前进方向，硅靶按碳化硅、银、碳化硅、银、碳化硅、银的顺序依次排列并同时溅射。使纤维布表面形成碳化硅和银做成的杀菌膜层；(4)镀膜完成：先关闭碳化硅靶和银靶，然后关闭氩气体，待10分钟降温，然后将真空炉分段放空气至大气压，取出卷轴纤维布，完成镀膜。实施例6对实施例1-5所得杀菌膜的纤维布的膜层结合力进行实验数据测量，结果如下表所示：实施例12345结合力(n)60.56263.56567由实验结果可知，使用本技术方案得到的纤维布表面的杀菌膜的膜层结合力均大于60n，则说明膜层结合力较优，能满足普通纤维布产品需求。实施例7实施例1-5的纤维布均为相同材质的防护口罩，取普通常用与实施例1-5相同材质的防护口罩为对比组，合计六组样品在相同使用环境下分别测量5小时和10小时后表面的菌落数，结果如下表所示：由实验结果可知，使用本技术方案的具有杀菌膜的防护口罩和普通防护口罩相比，其防菌效果显著，具有很高的实际使用价值。以上详细说明针对本发明之一可行实施例之具体说明，惟实施例并非用以限制本发明的专利范围，凡未脱离本发明技艺精神所为之等效实施或变更，均应包含于本案之专利范围中。当前第1页12