边皮料的切割方法与流程

本发明涉及边皮料的切割方法。

背景技术：

单晶硅片由单晶硅棒切割而成，一般先将单晶硅棒进行切方，得到长度方向与硅棒长度方向一致的长方体状硅块，再将硅块切片成单晶硅片。

单晶硅棒切方会产生边皮料，而边皮料一般都是回炉或用作高效多晶铸锭籽晶等使用，造成单晶硅棒的利用率较低。

将边皮料切割成硅片，可以提高单晶硅棒的利用率。

边皮料一般包括：长方形底面，与底面相背的弧面，以及分设于底面长度方向两端的一对端面；以底面和弧面的结合部为尖角部；以弧面位于边皮料两侧尖角部之间的部分为弧形凸起部。

将边皮料切割成硅片，需要采用金刚线切除两侧尖角部以及切除弧形凸起部。目前一般沿边皮料的长度方向切除两侧尖角部，并沿边皮料的长度方向切除弧形凸起部。金刚线在边皮料长度方向上与边皮料相对位移，金刚线与边皮料的接触时间（即切割时间）较长，尖角部和弧形凸起部的切割效率有待提高。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种边皮料的切割方法，其能提高尖角部和弧形凸起部的切割效率。

为实现上述目的，本发明提供一种边皮料的切割方法，所述边皮料为单晶硅棒切方产生的边皮料；边皮料包括：长方形底面，与底面相背的弧面，以及分设于底面长度方向两端的一对端面；以底面和弧面的结合部为尖角部；以弧面位于边皮料两侧尖角部之间的部分为弧形凸起部；所述切割方法包括：切除两侧尖角部以及切除弧形凸起部；沿边皮料的厚度方向切除两侧尖角部，且沿边皮料底面的宽度方向切除弧形凸起部。

本发明沿边皮料的厚度方向切除两侧尖角部，并沿边皮料底面的宽度方向切除弧形凸起部，可以减少尖角部和弧形凸起部的切割时间，提高尖角部和弧形凸起部的切割效率。

本发明还提供上述边皮料切割方法的一种具体方案，包括如下具体步骤：

a1）截断边皮料：对边皮料进行截断，得到边皮料小段；

a2）切除边皮料小段的两侧尖角部和弧形凸起部：沿边皮料小段的厚度方向切除边皮料小段的两侧尖角部，且沿边皮料小段底面的宽度方向切除边皮料小段的弧形凸起部，得到长方体状硅块；

a3）硅块切片：沿平行于硅块底面的方向对硅块进行切片，得到单晶硅片。

本发明提供先截断，再切除尖角部和弧形凸起部，最后切片的方案，该方案可将边皮料切割成单晶硅片，可提高单晶硅棒的利用率。

优选的，步骤a3）中，沿硅块底面的宽度方向对硅块进行切片，得到单晶硅片。

为了将硅块切割出单晶硅片，目前一般沿硅块底面的长度方向对硅块进行切片，切片时间较长，切片效率有待提高。

本发明沿硅块底面的宽度方向对硅块进行切片，可减少硅块的切片时间，提高硅块的切片效率。

优选的，步骤a1）中，采用带锯截断机或金刚线截断机来截断边皮料。

优选的，步骤a2）中，采用带锯截断机或金刚线截断机切除边皮料小段的两侧尖角部和弧形凸起部。

优选的，步骤a3）中，采用切片机进行硅块切片。

优选的，步骤a1）中，边皮料小段底面的长度为100～250mm。

本发明还提供上述边皮料切割方法的另一种具体方案，包括如下具体步骤：

b1）切除边皮料的两侧尖角部和弧形凸起部：沿边皮料的厚度方向切除边皮料的两侧尖角部，且沿边皮料底面的宽度方向切除边皮料的弧形凸起部，得到长方体状硅块；

b2）截断硅块：对硅块进行截断，得到硅块小段；

b3）硅块小段切片：沿平行于硅块小段底面的方向对硅块小段进行切片，得到单晶硅片。

本发明还提供先切除尖角部和弧形凸起部，再截断，最后切片的方案，该方案也可将边皮料切割成单晶硅片，也可提高单晶硅棒的利用率。

优选的，步骤b3）中，沿硅块小段底面的宽度方向对硅块小段进行切片，得到单晶硅片。

为了将硅块小段切割出单晶硅片，目前一般沿硅块小段底面的长度方向对硅块小段进行切片，切片时间较长，切片效率有待提高。

本发明沿硅块小段底面的宽度方向对硅块小段进行切片，可减少硅块小段的切片时间，提高硅块小段的切片效率。

优选的，步骤b1）中，采用带锯截断机或金刚线截断机切除边皮料的两侧尖角部和弧形凸起部。

优选的，步骤b2）中，采用带锯截断机或金刚线截断机来截断硅块。

优选的，步骤b3）中，采用切片机进行硅块小段切片。

优选的，步骤b2）中，硅块小段底面的长度为100～250mm。

本发明的优点和有益效果在于：提供一种边皮料的切割方法，其能减少尖角部和弧形凸起部的切割时间，提高尖角部和弧形凸起部的切割效率；还能减少切片时间，提高切片效率。

附图说明

图1是边皮料的示意图；

图2是沿边皮料的厚度方向切除两侧尖角部的示意图；

图3是沿边皮料底面的宽度方向切除弧形凸起部的示意图；

图4是实施例1中边皮料的示意图；

图5是实施例1中边皮料小段的示意图；

图6是实施例1中硅块的示意图；

图7是实施例2中边皮料的示意图；

图8是实施例2中硅块的示意图；

图9是实施例2中硅块小段的示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。

如图1所示，本发明要切割的边皮料1为单晶硅棒切方产生的边皮料；边皮料1包括：长方形底面11，与底面11相背的弧面12，以及分设于底面11长度方向两端的一对端面；该对端面与底面11垂直；以底面11和弧面12的结合部为尖角部2；以弧面12位于边皮料1两侧尖角部2之间的部分为弧形凸起部3。

如图2和图3所示，本发明提供一种边皮料的切割方法，沿边皮料的厚度方向切除两侧尖角部；且沿边皮料底面的宽度方向切除弧形凸起部。

本发明沿边皮料的厚度方向切除两侧尖角部，并沿边皮料底面的宽度方向切除弧形凸起部，可以减少尖角部和弧形凸起部的切割时间，提高尖角部和弧形凸起部的切割效率。

本发明的具体实施例如下：

实施例1

如图4至图6所示，本发明提供上述边皮料切割方法的一种具体方案，包括如下具体步骤：

a1）截断边皮料：对边皮料进行截断，得到边皮料小段；

a2）切除边皮料小段的两侧尖角部和弧形凸起部：沿边皮料小段的厚度方向切除边皮料小段的两侧尖角部，且沿边皮料小段底面的宽度方向切除边皮料小段的弧形凸起部，得到长方体状硅块；

a3）硅块切片：沿平行于硅块底面的方向对硅块进行切片，得到单晶硅片。

本发明提供先截断，再切除尖角部和弧形凸起部，最后切片的方案，该方案可将边皮料切割成单晶硅片，可提高单晶硅棒的利用率。

沿边皮料小段的厚度方向切除边皮料小段的两侧尖角部，并沿边皮料小段底面的宽度方向切除边皮料小段的弧形凸起部，可以减少尖角部和弧形凸起部的切割时间，提高尖角部和弧形凸起部的切割效率。

优选的，步骤a3）中，沿硅块底面的宽度方向对硅块进行切片，得到单晶硅片。

为了将硅块切割出单晶硅片，目前一般沿硅块底面的长度方向对硅块进行切片，切片时间较长，切片效率有待提高。

本发明沿硅块底面的宽度方向对硅块进行切片，可减少硅块的切片时间，提高硅块的切片效率。

优选的，步骤a1）中，采用带锯截断机或金刚线截断机来截断边皮料。

优选的，步骤a2）中，采用带锯截断机或金刚线截断机切除边皮料小段的两侧尖角部和弧形凸起部。

优选的，步骤a3）中，采用切片机进行硅块切片。

优选的，步骤a1）中，边皮料小段底面的长度为100～250mm。

实施例2

如图7至图9所示，本发明还提供上述边皮料切割方法的另一种具体方案，包括如下具体步骤：

b1）切除边皮料的两侧尖角部和弧形凸起部：沿边皮料的厚度方向切除边皮料的两侧尖角部，且沿边皮料底面的宽度方向切除边皮料的弧形凸起部，得到长方体状硅块；

b2）截断硅块：对硅块进行截断，得到硅块小段；

b3）硅块小段切片：沿平行于硅块小段底面的方向对硅块小段进行切片，得到单晶硅片。

本发明还提供先切除尖角部和弧形凸起部，再截断，最后切片的方案，该方案也可将边皮料切割成单晶硅片，也可提高单晶硅棒的利用率。

沿边皮料的厚度方向切除边皮料的两侧尖角部，并沿边皮料底面的宽度方向切除边皮料的弧形凸起部，可以减少尖角部和弧形凸起部的切割时间，提高尖角部和弧形凸起部的切割效率。

优选的，步骤b3）中，沿硅块小段底面的宽度方向对硅块小段进行切片，得到单晶硅片。

为了将硅块小段切割出单晶硅片，目前一般沿硅块小段底面的长度方向对硅块小段进行切片，切片时间较长，切片效率有待提高。

本发明沿硅块小段底面的宽度方向对硅块小段进行切片，可减少硅块小段的切片时间，提高硅块小段的切片效率。

优选的，步骤b1）中，采用带锯截断机或金刚线截断机切除边皮料的两侧尖角部和弧形凸起部。

优选的，步骤b2）中，采用带锯截断机或金刚线截断机来截断硅块。

优选的，步骤b3）中，采用切片机进行硅块小段切片。

优选的，步骤b2）中，硅块小段底面的长度为100～250mm。

综上可知，本发明能减少尖角部和弧形凸起部的切割时间，提高尖角部和弧形凸起部的切割效率；本发明还能减少切片时间，提高切片效率。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。