一种水平砷化镓单晶切片用粘结台及粘结装置的制作方法

1.本实用新型属于半导体材料设备技术领域，特别涉及一种水平砷化镓单晶切片用粘结台及粘结装置。


背景技术：

2.砷化镓(gaas)是目前iii—v族化合物半导体中的领军材料，应用相当广泛。gaas目前已经成为一种重要的微电子和光电子基础材料，广泛应用于移动通讯，光纤通讯，汽车电子，卫星通讯和全球定位系统等领域。
3.水平砷化镓单晶采用多线切割机进行切片，切割开始前，需要将单晶粘接在多线切割机的工作台模板上，通过模板将砷化镓单晶固定到多线切割机上进行切片，并通过模板与多线的相对运动完成切片，为了保证晶片晶向的准确性，要求多线的运动平面与单晶晶向基准面平行，这就要求单晶固定在模板上时，晶向不能有偏差，如果出现偏差，所切晶片的晶向与晶向基准面的晶向不同，造成晶片的晶向不合格。
4.但是，目前水平砷化镓单晶多线切割前的粘接装置结构较繁琐，操作较麻烦且耐磨性差。


技术实现要素：

5.本实用新型的目的是为解决以上问题，本实用新型提供一种水平砷化镓单晶切片用粘结台及粘结装置。
6.根据本实用新型的一个方面，提供一种水平砷化镓单晶切片用粘结台，包括表面设有第一导槽的第一导槽台和表面设有第二导槽的第二导槽台，第一导槽和第二导槽均贯穿所在导槽台的相对的两个端面，第二导槽台和第一导槽台导槽、导槽相对地固定连接，且保持第一导槽和第二导槽延伸方向一致，第二导槽台的两个端面与第一导槽台的表面垂直，第二导槽台位于第一导槽台的中部位置，第一导槽台的位于第一导槽一侧的侧端的不与第二导槽台相对的位置间隔设有通向第一导槽的多个校准孔，每个校准孔内匹配有校准螺栓。
7.其中，校准孔的个数为8个，平均分为两组设置于第一导槽台的两侧。
8.其中，第一导槽和第二导槽等宽，第一导槽台和第二导槽台固定连接时，第一导槽和第二导槽在导槽宽度方向对齐。
9.其中，第一导槽台和第二导槽台均为龙门矩形结构，第一导槽台的长度为 500
‑
700mm，宽度为200
‑
400mm，高度为50
‑
70mm；第二导槽台的长度为 200
‑
400mm，宽度为150
‑
250mm，高度为10
‑
30mm。
10.其中，第一导槽台的长度为600mm，宽度为300mm，高度为60mm；第二导槽台的长度为300mm，宽度为200mm，高度为20mm。
11.根据本实用新型的第二方面，提供一种水平砷化镓单晶切片用粘结装置，包括上述水平砷化镓单晶切片用粘结台、光源和模板，模板位于由第一导槽和第二导槽合并的整
体导槽中，并且其底面与槽底贴合定位，其与多个校准孔相背的侧面与所对的整体导槽的内槽壁贴合定位，其与多个校准孔相对的侧面通过校准螺栓锁紧定位，光源设置于水平砷化镓单晶切片用粘结台的上方。
12.其中，水平砷化镓单晶切片用粘结装置还包括多个支撑板，多个支撑板设置于模板的表面，并沿第一导槽的延伸方向间隔设置。
13.本实用新型的水平砷化镓单晶切片用粘结台及粘结装置，具备以下有益效果：
14.1、确保切割的晶片的晶向与晶向基准面的晶向相同，且误差在1分以内。
15.2、结构简单、操作方便，提高生产效率。
16.3、此粘接台可以在一块模板上粘接多根晶体。
17.4、耐磨性好，可以长期使用而免于维护，提高了粘接台的使用。
附图说明
18.通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本实用新型的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
19.图1示出了根据本实用新型实施方式的一种水平砷化镓单晶切片用粘结台的示意图；
20.图2和图3示出了根据本实用新型实施方式的一种水平砷化镓单晶切片用粘结台的两种侧视图；
21.图4示出了根据本实用新型实施方式的一种水平砷化镓单晶切片用粘结装置的示意图。
具体实施方式
22.下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
23.本实用新型的主要目的在于提供一种水平砷化镓单晶切片用粘接台及精准粘接装置，该粘接台采用精度非常高的龙门t型结构，且水平放置的第一导槽矩形台和竖直放置的第二导槽龙门台之间的夹角确保为90
°
，还有导槽及固定装置搭配，结构简单且操作方便，能解决现有技术中用于单晶多线切割前的粘接装置结构较复杂且操作较繁琐的技术问题。
24.为了实现上述目的，根据本实用新型的第一方面，提供了一种水平砷化镓单晶切片用粘接台。
25.如图1
‑
图3所示，该水平砷化镓单晶切片用粘接台的横截面呈龙门t型结构，包括相互连接的第一导槽台10和第二导槽台20，第一导槽和第二导槽均贯穿所在导槽台的相对的两个端面，第二导槽台20和第一导槽台导槽10导槽相对地固定连接，且保持第一导槽和第二导槽延伸方向一致，第二导槽台20的两个端面与第一导槽台10的表面，互成90
°
夹角，且夹角的误差为
±
0.005
°
。
26.第二导槽台20位于第一导槽台10的中部位置，第一导槽台10的位于第一导槽一侧的侧端101的不与第二导槽台20相对的位置间隔设有通向第一导槽的多个校准孔，每个校准孔内匹配有校准螺栓。
27.进一步的，第一导槽台10为导槽矩形结构，第二导槽台20为龙门矩形结构，且第一导槽台10的长度为500
‑
700mm，宽度为200
‑
400mm，高度为50
‑
70mm；第二导槽台20的长度为200
‑
400mm，宽度为150
‑
250mm，高度为10
‑
30mm。
28.进一步的，第一导槽台10的长度为600mm，宽度为300mm，高度为60mm；第二导槽台20的长度为300mm，宽度为200mm，高度为20mm。进一步的，第一导槽台10的承重≥50kg，其材质为铸铁。
29.在本实用新型的一种实施例中，第一导槽台10为导槽矩形结构，第二导槽台20为龙门矩形结构，且第一导槽台10的长度为500
‑
700mm范围内，宽度为 200
‑
400mm范围内，高度为50
‑
70mm范围内；第二导槽台20的长度为 200
‑
400mm范围内，宽度为150
‑
250mm范围内，高度为10
‑
30mm范围内。以确保待切割的水平砷化镓单晶的尺寸与粘接台的各部分尺寸相适应，当然粘接台各部分的尺寸可以根据待切割的水平砷化镓单晶的尺寸相应变化，不作具体限定。作为优选实施例，第一导槽台10的长度为600mm，宽度为300mm，高度为60mm；第二导槽台20的长度为300mm，宽度为200mm，高度为20mm。
30.在本实用新型的一种实施例中，第一导槽台10的承重≥50kg，其材质为铸铁。铸铁材质的第一导槽台10能够确保底座稳定，可以承重50kg以上，且耐磨性好，保证精度。可以长期使用而免于维护，提高了粘接台的使用寿命。
31.如图4所示，为了实现上述目的，根据本实用新型的第二方面，提供了一种精准粘接装置。
32.该精准粘接装置包括光源2、模板3以及上述的水平砷化镓单晶切片用粘接台，模板3的一个侧面与第一导槽台10的导槽内侧面紧靠定位，并且将模板 3的一个侧面用固定螺栓锁紧定位；光源2用于提供照射光。
33.在上述实施例中，模板3用于粘接水平砷化镓单晶6，并且在粘接前需要通过上述的水平砷化镓单晶切片用粘接台进行辅助校准，具体地，模板3的一侧面与第一导槽台10的一个侧面紧靠定位，并且用固定螺栓进行锁死，然后移动水平砷化镓6使得水平砷化镓单晶6的晶向基准面10与切片方向相同，光源 5用于提供照射光；通过精准粘接装置将水平砷化镓单晶6粘接在模板3上，然后将模板3放置在多线切割机的工作台上，最后采用多线切割机对水平砷化镓单晶6进行切片。
34.该水平砷化镓单晶切片用粘结装置还包括多个支撑板4，所述多个支撑板设置于模板3的表面，并沿所述第一导槽的延伸方向间隔设置。
35.采用上述精准粘接装置对水平砷化镓单晶进行多线切割前定向粘胶的操作方法，具体为：
36.(1)先加工水平砷化镓单晶6的一侧基准面和晶向基准面7。
37.(2)采用胶将水平砷化镓单晶6的一侧基准面粘在石墨条8上，待胶风干后备用。
38.(3)将模板3放到粘接台的第一导槽台10的导槽内并穿过第二导槽龙门台20的龙门洞，预留想要粘接单晶长度位置，然后使模板3的侧立面与第一导槽台10的侧立面完成重合，并用固定螺栓锁死。将水平砷化镓单晶6粘有石墨条8的一侧放置在一个支撑板4上和第
二导槽龙门台20紧靠抵接。
39.(4)使水平砷化镓单晶6的晶向基准面7与第二导槽龙门台20的竖直台面紧靠抵接，并用光源2进行强光照射水平砷化镓单晶6的晶向基准面7与第二导槽龙门台20的竖直台面的抵接处，从另外一侧不能看到光线，即为合格。
40.(5)采用胶将粘有水平砷化镓单晶6的石墨条8粘接在该支撑板4上，待胶风干。
41.(6)将固定螺栓打开，然后向外移动模板3，使粘结有水平砷化镓单晶6 的支撑板4外移，直至预留出想要粘接单晶长度位置，然后使模板3侧立面与水平导槽台1侧立面再次完成重合，并用固定螺栓锁死，放上另一个支撑板4，采用胶将第二根粘有水平砷化镓单晶6的石墨条8粘接,另一个支撑板4上，待胶风干。在多线切割机切割范围允许的条件下，可以通过(4)、(5)两个步骤，在模板3粘接多根水平砷化镓单晶6。
42.(7)待胶风干后，放入多线切割机上进行切片工作。
43.以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。