的终端部即位置N4及N3之间提高。由此，可减轻终端部以外的负荷，且可容易引发位置N2的龟裂线CL的形成。
[0080]根据本实施方式，可更确切地利用沟槽线TL形成龟裂线CL。推理理由是，刀尖51的构成(图9(A)及(B))及其使用方法，最适于对玻璃层4赋予容易引发龟裂线CL的内部应力。另外，与实施方式1?3同样地，可以抑制分断时的切割粉尘的产生。
[0081]此外，本实施方式所参照的图中，玻璃层4的缘的边EDI及ED2 (第1及第2边)为长方形的短边，但它们也可以为长方形的长边。另外，缘的形状并不限定于长方形，例如也可以为正方形。另外，第1及第2边并不限定于直线状，也可以是曲线状。另外，在图中硅晶片3的主面S1是平坦的，但也可以弯曲。对应于此，玻璃层4的表面SF可以平坦也可以弯曲。
[0082](实施方式5)
[0083]下面，使用图14?图16来说明本实施方式的单晶基板的分断方法。
[0084]参照图14，在本实施方式中，是在形成沟槽线TL之前形成辅助线AL。辅助线AL的形成方法自身与图10(B)(实施方式4)相同。
[0085]参照图15，接下来，将刀尖51压抵于表面SF，然后形成沟槽线TL。沟槽线TL的形成方法自身与图10(A)(实施方式4)相同。辅助线AL及沟槽线TL在位置N2相互交叉。
[0086]参照图16，接下来，通过对玻璃层4施加产生弯曲力矩等的外力的普通断开步骤，沿着辅助线AL将玻璃层4分断。由此，开始与实施方式4相同的龟裂线CL的形成(图中参照虚线箭头)。
[0087]此外，关于所述以外的构成，与所述实施方式4的构成大体相同。
[0088]参照图17，在第1变化例中，通过辅助线AL及划线SL在位置N2相互交叉而开始龟裂线CL的形成。
[0089]参照图18，在第2变化例中，形成各沟槽线TL时，刀尖51在位置N2以比位置N1大的力，压抵于玻璃层4的表面SF。具体来说，将位置N4作为位置N1及N2之间的位置，在沟槽线TL的形成到达位置N4的时间点，提高刀尖51的负荷。换句话说，刀尖51的负荷为与位置N1相比，在沟槽线TL的终端部即位置N4及N3之间提高。由此，可减轻终端部以外的负荷，且可容易引发位置N2的龟裂线CL的形成。
[0090](实施方式6)
[0091]参照图19，在本实施方式的各沟槽线TL的形成中，使刀尖51从位置N1越过边ED2而滑动。当刀尖51通过边ED2时，沟槽线TL正下方的基板内部产生的应力的应变被释放，龟裂线从位于边ED2上的沟槽线TL的端向位置N1伸展。
[0092]形成沟槽线TL时对刀尖51施加的负荷可固定，刀尖51从位置N1向位置N2移位时，也可以增大在位置N2对刀尖51施加的负荷。例如，将负荷增大50%左右。施加了增大后的负荷的刀尖51越过边ED2而滑动。换句话说，在沟槽线TL的终端部增大刀尖51的负荷。若刀尖51到达边ED2，则龟裂线从位于边ED2上的沟槽线TL的端经过位置N2而向位置N1伸展。这样，在增大负荷的情况下，应力的应变也增大，当刀尖51通过边ED2时此应力的应变容易释放，因此，可更确切地形成龟裂线。
[0093]此外，关于所述以外的构成，与所述实施方式4的构成大体相同。
[0094](实施方式7)
[0095]参照图20(A)，在本实施方式的单晶基板的分断方法中，形成从位置N1经过位置N2后到达边ED2的沟槽线TL。
[0096]参照图20 (B)，接下来对位置N2与边ED2之间，施加使沟槽线TL附近的内部应力的应变释放的应力。由此，引发沿着沟槽线TL的龟裂线的形成。作为应力的施加，具体来说，在表面SF上在位置N2与边ED2之间(图中虚线及边ED2之间的区域)使压抵的刀尖51滑动。该滑动进行至到达边ED2为止。刀尖51优选以与最初形成的沟槽线TL的轨道交叉的方式滑动，更优选以与最初形成的沟槽线TL的轨道重叠的方式滑动。该再次滑动的长度为例如0.5_左右。另外，该再次滑动可以在形成多个沟槽线TL(图20(A))后对多个沟槽线TL分别进行，或者也可以对每一沟槽线TL依次进行一个沟槽线TL的形成及再次滑动。
[0097]作为变化例，为了对位置N2与边ED2之间施加应力，也可以代替所述刀尖51的再次滑动，而对表面SF上的位置N2与边ED2之间照射激光束。由此，利用产生的热应力，也能释放沟槽线TL附近的内部应力的应变，由此可引发龟裂线的形成开始。
[0098]此外，关于所述以外的构成，与所述实施方式4的构成大体相同。
[0099](实施方式8)
[0100]参照图21 (A)，在本实施方式的单晶基板的分断方法中，使刀尖51从位置N1向位置N2移位，进一步向位置N3移位，由此形成远离表面SF的缘的沟槽线TL。沟槽线TL的形成方法自身与图10(A)(实施方式4)大体相同。
[0101]参照图21 (B)，进行与图20⑶(实施方式7或其变化例)相同的应力施加。由此，引发沿着沟槽线TL的龟裂线的形成。
[0102]此外，关于所述以外的构成，与所述实施方式4的构成大体相同。
[0103]参照图22，作为图21 (A)的步骤的变化例，在形成沟槽线TL时，也可以使刀尖51从位置N3向位置N2移位，然后从位置N2向位置N1移位。
[0104](实施方式9)
[0105]参照图23(A)及(B)，在所述各实施方式中，也可以代替刀尖51 (图9(A)及(B))，而使用刀尖51v。刀尖51v具有含顶点及圆锥面SC的圆锥形状。刀尖51v的突起部PPv是由顶点构成。刀尖的侧部PSv是从顶点沿着在圆锥面SC上延伸的假想线(图23(B)的虚线)而构成。由此，侧部PSv具有呈线状延伸的凸形状。
[0106][符号的说明]
[0107]3硅晶片(单晶基板)
[0108]4玻璃层
[0109]11构件
[0110]51、51v 刀尖
[0111]AL 辅助线
[0112]CL 龟裂线
[0113]FC 表面龟裂
[0114]S1 主面(第1主面)
[0115]S2 主面(第2主面)
[0116]SF 表面
[0117]SL 划线
[0118]TL 沟槽线
【主权项】
1.一种单晶基板的分断方法，具备以下步骤:准备单晶基板，具有第1主面及与所述第1主面相反的第2主面； 在所述单晶基板的所述第1主面上形成表面龟裂； 在所述单晶基板的所述第1主面上，设置覆盖所述表面龟裂的玻璃层；及 形成在所述玻璃层的表面上延伸的龟裂线；且形成所述龟裂线的步骤包含: 将刀尖压抵于所述玻璃层的表面上的步骤；及 在所述玻璃层的表面上使压抵的所述刀尖移位的步骤；且所述单晶基板的分断方法还具备如下步骤: 通过对设有所述玻璃层的所述单晶基板施加应力，沿着所述龟裂线将所述单晶基板分断。2.根据权利要求1所述的单晶基板的分断方法，其中形成所述表面龟裂的步骤是使用喷射法进行。3.根据权利要求1所述的单晶基板的分断方法，其中所述单晶基板包含硅基板。4.根据权利要求1所述的单晶基板的分断方法，在分断所述单晶基板的步骤之前，还具备在所述单晶基板的所述第2主面上设置构件的步骤，所述构件包含相互隔开的第1区域及第2区域，通过分断所述单晶基板的步骤，而将所述单晶基板分断成设有所述第1区域的部分及设有所述第2区域的部分。5.根据权利要求1至4中任一项所述的单晶基板的分断方法，通过使所述刀尖移位的步骤，在所述玻璃层产生塑性变形，由此在所述玻璃层的所述表面上形成具有槽形状的沟槽线(TL)，且 所述龟裂线是在形成所述沟槽线的同时形成。6.根据权利要求1至4中任一项所述的单晶基板的分断方法，其中使所述刀尖移位的步骤包含在所述玻璃层的所述表面上使所述刀尖滑动的步骤，通过使所述刀尖滑动的步骤，在所述玻璃层产生塑性变形，由此在所述玻璃层的所述表面上，形成具有槽形状的沟槽线，且使所述刀尖滑动的步骤是以如下方式进行，即，在所述沟槽线的正下方，所述玻璃层获得在与所述沟槽线交叉的方向上连续相连的状态即无龟裂状态， 形成所述龟裂线的步骤包含如下步骤，即，以在所述沟槽线的正下方，在与所述沟槽线交叉的方向上所述玻璃层的连续相连部分断开的方式，使所述玻璃层的龟裂沿着所述沟槽线伸展。7.一种单晶基板，具有第1主面及与所述第1主面相反的第2主面， 在所述单晶基板的所述第1主面上形成表面龟裂， 在所述单晶基板的所述第1主面上具有覆盖所述表面龟裂的玻璃层。8.根据权利要求7所述的单晶基板，其中所述单晶基板包含硅基板。
【专利摘要】本申请发明涉及一种单晶基板的分断方法及单晶基板。本申请发明抑制切割粉尘的产生。在单晶基板(3)的第1主面(S1)上形成表面龟裂(FC)。在单晶基板(3)的第1主面(S1)上，设有覆盖表面龟裂(FC)的玻璃层(4)。形成在玻璃层(4)的表面(SF)上延伸的龟裂线(CL)。形成龟裂线(CL)的步骤包含：将刀尖压抵于玻璃层(4)的表面(SF)上的步骤；及在玻璃层(4)的表面(SF)上使压抵的刀尖移位的步骤。通过对设有玻璃层(4)的单晶基板(3)施加应力，而沿着龟裂线(CL)将单晶基板(3)分断。
【IPC分类】B28D5/00
【公开号】CN105313231
【申请号】CN201510272140
【发明人】曾山浩
【申请人】三星钻石工业股份有限公司
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2015年5月25日