显示设备和电子设备的制作方法

本公开涉及一种显示设备和一种电子设备，具体地，涉及一种平板显示设备以及一种包括该显示设备的电子设备，在该平板显示设备中，分别包括发光单元的像素布置成矩阵图案。

背景技术：

作为一个平板(平板面板)显示设备，例如，具有一种有机EL显示设备，当通过使用有机材料的电致发光(EL)来对有机薄膜施加电场时，该显示设备将使用发光现象的有机EL设备用作发光单元(发光装置)。

在以该有机EL显示设备为代表的平板显示设备中，当驱动发光单元的驱动晶体管的特性(阈值电压、迁移率等)对于各个像素不同时，流过驱动晶体管的电流值在像素之间变化。结果，即使当在像素之间对驱动晶体管的栅电极施加相同的电压时，发光单元的发光亮度在像素之间变化，这损害了屏幕的均匀性。

因此，以有机EL显示设备为代表的平板显示设备的各个像素具有阈值电压校正功能，用于以像素为单位校正驱动发光单元的驱动晶体管的特性的变化，例如，阈值电压Vth的变化(例如，参考专利文献1)。

引文列表

专利文献

专利文献1：日本专利申请公开号2008-287141。

技术实现要素：

技术问题

在校正驱动晶体管的特性的变化的上述校正功能中，以像素为单位执行校正。在根据相关技术的这种校正功能中，例如，难以实现对于屏幕均匀性的部分劣化的充分改进效果。

本公开的目的在于，提供一种显示设备和包括该显示设备的电子设备，其能够改进以像素为单位执行的校正功能无法处理的均匀性的部分劣化。

解决问题的方法

为了实现上述目的，根据本公开的显示设备的特征在于包括：

像素阵列单元，像素布置在像素单元中，各个像素包括驱动晶体管，驱动晶体管包括多个栅电极并且响应于施加到多个栅电极中的一个栅电极的视频信号来驱动发光单元；以及

控制单元，控制驱动晶体管的不同栅电极的栅极电压。此外，为了实现上述目的，根据本公开的电子设备的特征在于包括具有上述配置的显示设备。

在具有上述配置的显示设备或电子设备中，可以通过控制驱动晶体管的不同栅电极的栅极电压来校正驱动晶体管的阈值电压。因此，可以在用于驱动晶体管的阈值电压的屏幕中实现部分校正。

发明的有益效果

根据本公开，由于可以对于驱动晶体管的阈值电压实现屏幕中的部分校正，因此可以改进以像素为单位执行的校正功能无法处理的均匀性的部分劣化。

应该注意的是，在此处描述的效果不一定是限制性的，并且可以是本公开中描述的任何效果。此外，在本文中描述的效果仅仅是示例并且不受限制，并且可以提供额外效果。

附图说明

图1是示意性示出应用了本公开的技术的有源矩阵型显示设备的具体配置的系统配置图；

图2是示出应用了本公开的技术的有源矩阵型显示设备中的像素的电路示例的电路图；

图3A是由倾斜离子注入引起的奇数/偶数像素行的效果的说明图，图3B是屏幕中的均匀性的部分劣化的说明图，例如，由于奇数/偶数像素行之间的亮度差异而出现的水平条纹；

图4A是示出具有神经元MOS结构的晶体管的等效电路图，图4B是将具有神经元MOS结构的晶体管用作驱动晶体管的像素的电路图；

图5是示出根据示例1的有机EL显示设备的主要部分的电路配置的电路图；

图6是示出根据示例2的有机EL显示设备的主要部分的电路配置的电路图；

图7是示出根据示例3的有机EL显示设备的主要部分的电路配置的电路图；

图8是示出根据示例4的有机EL显示设备的主要部分的电路配置的电路图；

图9是示出应用了示例5的有源矩阵型显示设备中的像素的电路示例的电路图；

图10是示出双栅TFT的横截面结构的一个示例的截面图；

图11是示出根据示例5的有机EL显示设备的主要部分的电路配置的电路图；

图12是可更换镜头和单镜头反射型数码相机的外观图，图12A示出了其正视图，并且图12B示出了其后视图；以及

图13是头戴式显示器的外观图。

具体实施方式

在下文中，将参考附图，详细描述用于执行本公开的技术的实施方式(在下文中，称为“实施方式”)。本公开的技术不限于这些实施方式，并且实施方式中的各种数值、材料等仅仅是示例。在以下描述中，具有相同功能的一个或多个相同部件将由相同的附图标记表示，并且将省略重复描述。注意，将按以下顺序进行描述。

1、根据本公开的显示设备和电子设备、一般描述

2、应用本公开的技术的显示设备

2-1、系统配置

2-2、像素电路

2-3、基本电路操作

2-4、屏幕均匀性的部分劣化

3、本公开的实施方式

3-1、具有神经元MOS结构的晶体管

3-1-1、装置结构

3-1-2、操作原理

3-2、示例1(水平条纹的对策的示例：使用神经元MOS的示例)

3-3、示例2(示例1的变形例)

3-4、示例3(示例1/示例2的变形例)

3-5、示例4(示例1的变形例：控制背删的示例)

3-6、示例5(示例1的变形例：控制双栅中的一个的示例)

4、变形例

5、电子设备

5-1、具体示例1(数码相机的示例)

5-2、具体示例2(头戴式显示器的示例)

6、本公开的配置

<根据本公开的显示设备和电子设备、一般描述>

在根据本公开的显示设备和电子设备中，控制单元可以被配置为通过控制不同栅电极的栅极电压来控制驱动晶体管的阈值电压。此外，控制单元可以将预定的直流电压施加到不同栅电极，作为控制电压。不同栅电极可以是背栅或双栅结构的栅电极中的一个。

在包括上述有利配置的根据本公开的显示设备和电子设备中，控制单元可以被配置为以像素阵列单元的像素行为单位控制不同栅电极的栅极电压。此外，分别包括包含多个栅电极的驱动晶体管的像素布置在像素阵列单元的偶数像素行、奇数像素行或全部像素行中，并且控制单元可以被配置为仅在偶数像素行或奇数行中或在全部像素行中控制不同栅电极的栅极电压。

此外，在包括上述有利配置的根据本公开的显示设备和电子设备中，像素可以均具有阈值电压校正功能，用于将驱动晶体管的向其施加视频信号的栅电极的初始电压用作基准，并且将驱动晶体管的源电压改变为通过从初始电压中减去驱动晶体管的阈值电压所获得的电压。此外，发光单元可以包括有机电致发光装置。

<应用本公开的技术的显示设备>

[系统配置]

首先，将描述应用本公开的技术的显示设备，更具体地，将描述有源矩阵型显示设备。图1是示意性地示出应用本公开的技术的有源矩阵型显示设备的具体配置的系统配置图。

有源矩阵型显示设备是通过设置在包括电光装置的像素电路中的有源装置(例如，绝缘栅场效应晶体管)来控制流过电光装置的电流的显示设备。绝缘栅场效应晶体管的典型示例包括MOS晶体管和TFT(薄膜晶体管)。

在此处，将描述使用有机EL装置的有源矩阵有机EL显示设备，作为像素电路的发光单元(发光装置)的示例。有机EL装置是电流驱动型电光装置(自发光装置)，其中，发光亮度根据流过该装置的电流值而改变。

如图1所示，应用本发明的技术的有机EL显示设备10包括：像素阵列单元30，其中，分别包括有机EL装置的多个像素20二维设置为矩阵图案；以及驱动电路单元，位于像素阵列单元30周围。驱动电路单元包括：例如安装在包括像素阵列单元30的显示面板80上的写入扫描单元40、第一驱动扫描单元50、第二驱动扫描单元60、信号输出单元70等，并驱动像素阵列单元30的各个像素20。注意，一写入扫描单元40、第一驱动扫描单元50、第二驱动扫描单元60和信号输出单元70中的部分或全部可以设置在显示面板80的外部。

在此处，在有机EL显示设备10支持彩色显示的情况下，作为用于形成彩色图像的单元的一个像素(单元像素)包括多个子像素。在这种情况下，各个子像素对应于图1中的像素20。更具体地，在支持彩色显示的显示设备中，一个像素包括例如三个子像素，即，发射红色(R)光的子像素、发射绿色(G)光的子像素和发射蓝色(B)光的子像素。

然而，一个像素不限于三种原色(RGB)的子像素的组合，并且可以通过将一种颜色的子像素或多种颜色的子像素添加到三种原色的子像素中来配置一个像素。更具体地，例如，可以通过添加发射白色(W)光的子像素来配置一个像素，以改进亮度，或者可以通过添加发射互补色光的至少一个子像素来配置一个像素，以便扩大色彩再现范围。

在像素阵列单元30中，对于m行n列的像素20的排列，扫描线31(311至31m)、第一驱动线32(321至32m)以及第二驱动线33(331至33m)沿着行方向(像素行中的像素的排列方向)配线以对应像素行。此外，对于m行n列的像素20的排列，信号线34(341至34n)沿着列方向(像素列中的像素的排列方向)配线以对应像素列。

扫描线311至31m分别连接至写入扫描单元40的对应行中的输出端。第一驱动线321至32m分别连接至第一驱动扫描单元50的对应行中的输出端。第二驱动线331至33m分别连接至第二驱动扫描单元60的对应行中的输出端。信号线341至34n分别连接至信号输出单元70的对应列中的输出端。

写入扫描单元40包括移位寄存器电路等。该写入扫描单元40在将视频信号的信号电压写入像素阵列单元30的各个像素20时执行所谓的线顺序扫描，该扫描通过向扫描线31(311至31m)依次提供写入扫描信号WS(WS1至WSm)来按顺序以行为单位扫描像素阵列单元30的各个像素20。

类似于写入扫描单元40，第一驱动扫描单元50包括移位寄存器电路等。该第一驱动扫描单元50通过与由写入扫描单元40执行的线顺序扫描同步地向第一驱动线32(321至32m)提供第一控制信号DS(DS1至DSm)，来控制像素20的发光/不发光(关闭)。

与写入扫描单元40类似，第二驱动扫描单元60包括移位寄存器电路等。该第二驱动扫描单元60通过与由写入扫描单元40执行的线顺序扫描同步地向第二驱动线33(331至33m)提供第二控制信号AZ(AZ1至AZm)，来执行控制使得像素20在非发光周期内不发光。

信号输出单元70选择性地输出参考电压Vofs和取决于从信号供应源(未示出)提供的亮度信息的视频信号的信号电压Vsig(在下文中，在一些情况下，简称为“信号电压”)。在此处，参考电压Vofs是作为视频信号的信号电压Vsig或与其接近的电压的参考的电压(例如，与视频信号的黑电平对应的电压)，并且该电压用作稍后描述的阈值电压校正操作中的初始电压。

从信号输出单元70交替输出的信号电压Vsig/参考电压Vofs以由写入扫描单元40执行的线顺序扫描选择的像素行为单位，经由信号线34(341至34n)写入像素阵列单元30的像素20中。即，信号输出单元70采用线顺序写入的驱动模式，其中，以像素行(线)为单位写入信号电压Vsig。

[像素电路]

图2是示出应用本公开的技术的有源矩阵型显示设备中的像素(像素电路)20的电路示例的电路图。像素20的发光单元包括作为自发光装置的有机EL装置(有机电致发光装置)21。

如图2所示，像素20包括有机EL装置21和通过向有机EL装置21施加电流来驱动有机EL装置21的驱动电路。有机EL装置21的阴极连接到作为公共电源线的阴极配线35，该公共电源线为所有像素20共同配线。

有机EL装置21的驱动电路包括驱动晶体管22、写入晶体管23、发光控制晶体管24、开关晶体管25、保持电容26和辅助电容27。在此处，作为一个示例，在半导体衬底(例如，硅单晶衬底)上形成构成像素20的装置，即，有机EL装置21、驱动晶体管22、写入晶体管23、发光控制晶体管24、开关晶体管25、保持电容26和辅助电容27。

驱动晶体管22、写入晶体管23、发光控制晶体管24和开关晶体管25分别包括P沟道晶体管，并且具有不是三个(即，源极/栅极/漏极)端子而是四个(即，源极/栅极/漏极/背栅)端子的结构。另外，对晶体管22至25的背栅施加电源电压Vcc。

在具有上述配置的像素20中，写入晶体管23通过对经由信号线34从信号输出单元70提供的信号电压Vsig进行采样，来将信号电压Vsig写入到驱动晶体管22的栅电极。发光控制晶体管24连接在电源电压Vcc的电源线和驱动晶体管22的源极之间，并且在第一控制信号DS的驱动下，控制有机EL装置21的发光/不发光。开关晶体管25连接在驱动晶体管22的漏极和电流放电目的地节点(current discharge destination node)(例如，阴极配线35)之间，并且在第二控制信号AZ的驱动下，执行控制使得有机EL装置21在非发光周期内不发光。

保持电容26连接在驱动晶体管22的栅电极和源极之间，并且保持由写入晶体管23写入的信号电压Vsig。驱动晶体管22通过对有机EL装置21施加取决于保持电容26的保持电压的驱动电流来驱动有机EL装置21。辅助电容27连接在驱动晶体管22的源极和具有固定电位的节点(例如，电源电压Vcc的电源线)之间。

[基本电路操作]

现在，将描述具有上述配置的有源矩阵型有机EL显示设备10中的像素20的基本电路操作。

注意，因为写入晶体管23、发光控制晶体管24和开关晶体管25均是P沟道晶体管，所以写入扫描信号WS、第一控制信号DS和第二控制信号AZ的低电平状态和高电平状态分别是活动状态和非活动状态。此外，当写入扫描信号WS、第一控制信号DS和第二控制信号AZ分别处于活动状态和非活动状态时，写入晶体管23、发光控制晶体管24和开关晶体管25均处于导通状态和非导通状态。

首先，当参考电压Vofs从信号输出单元70输出到信号线34时，写入扫描信号WS变为活动状态，并且写入晶体管23变为导通状态，使得参考电压Vofs写入到栅电极。因此，驱动晶体管22的栅极电压Vg变成参考电压Vofs。

此外，在写入参考电压Vofs时，第一控制信号DS处于低电平状态并且发光控制晶体管24处于导通状态。结果，驱动晶体管22的源电压Vs变成电源电压Vcc。此时，驱动晶体管22的栅极-源极电压Vgs满足关系Vgs＝Vofs-Vcc。

在此处，为了执行稍后描述的阈值电压校正操作(阈值电压校正处理)，驱动晶体管22的栅极-源极电压Vgs需要大于驱动晶体管的阈值电压Vth。为此，设置各个电压值，使得满足关系|Vgs|＝|Vofs-Vcc|>|Vth|。

如上所述，将驱动晶体管22的栅极电压Vg设置为参考电压Vofs并且将驱动晶体管22的源电压Vs设置为电源电压Vcc的初始化操作是在执行下一个阈值电压校正操作之前的准备(阈值电压校正准备)操作。因此，参考电压Vofs和电源电压Vcc分别是驱动晶体管22的栅极电压Vg的初始电压和驱动晶体管22的源电压Vs的初始电压。

接下来，当第一控制信号DS变为非活动状态并且发光控制晶体管24变为非导通状态时，驱动晶体管22的源极变为浮动状态，并且在驱动晶体管22的栅极电压Vg保持为参考电压Vofs的同时，开始阈值电压校正操作。即，驱动晶体管22的源电压Vs开始朝着通过从驱动晶体管22的栅极电压Vg(＝Vofs)中减去阈值电压Vth而获得的电压(Vg-Vth)减小。

如上所述，通过将驱动晶体管22的栅电极的初始电压Vofs用作基准来将驱动晶体管22的源电压Vs改变为通过从初始电压Vofs中减去驱动晶体管22的阈值电压Vth而获得的电压(Vofs-Vth)的操作是阈值电压校正操作。当进行该阈值电压校正操作时，驱动晶体管22的栅极-源极电压Vgs最终会聚成驱动晶体管22的阈值电压Vth。对应于阈值电压Vth的该电压保持在保持电容26中。

然后，写入扫描信号WS变为非活动状态并且写入晶体管23变为非导通状态，使得阈值校正周期结束。此后，视频信号的信号电压Vsig从信号输出单元70输出到信号线34，并且信号线34的电位从参考电压Vofs切换到信号电压Vsig。

接下来，写入扫描信号WS变为活动状态，使得写入晶体管23变为导通状态，对信号电压Vsig进行采样，然后，将采样的信号电压Vsig写入像素20。通过写入晶体管23对信号电压Vsig的这样的写入操作，驱动晶体管22的栅极电压Vg变成信号电压Vsig。

在写入视频信号的信号电压Vsig时，连接在驱动晶体管22的源极和电源电压Vcc的电源线之间的辅助电容27用于抑制驱动晶体管22的源电压Vs的变化。然后，在通过视频信号的信号电压Vsig驱动该驱动晶体管22时，驱动晶体管22的阈值电压Vth被与保持在保持电容26中的阈值电压Vth对应的电压抵消。

此时，根据信号电压Vsig而打开(增加)驱动晶体管22的栅极-源极电压Vgs。然而，驱动晶体管22的源电压Vs仍然处于浮动状态。为此，存储在保持电容26中的电荷根据驱动晶体管22的特性而放电。然后，通过此时流过驱动晶体管22的电流，有机EL装置21的等效电容的充电开始。

由于有机EL装置21的等效电容充电，所以驱动晶体管22的源电压Vs随着时间的流逝而逐渐减小。此时，已抵消各个像素的驱动晶体管22的阈值电压Vth的变化，并且驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids取决于构成驱动晶体管22的沟道的半导体薄膜的迁移率μ(在下文中，简称为“迁移率μ”)。

在此处，驱动晶体管22的源电压Vs的减小量用于使存储在保持电容26中的电荷放电。换言之，已经通过驱动晶体管22的源电压Vs的减小量(变化量)施加负反馈到保持电容26内。因此，驱动晶体管22的源电压Vs的减小量成为负反馈的反馈量。

如上所述，通过根据流过驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids通过反馈量向保持电容26施加负反馈，可以抵消驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids对迁移率μ的依赖性。该抵消操作(抵消处理)是校正各个像素的驱动晶体管22的迁移率μ的变化的迁移率校正操作(迁移率校正处理)。

更具体地，由于写入到驱动晶体管22的栅电极的视频信号的信号幅度Vin(＝Vsig-Vofs)越大，漏极-源极电流Ids就越大，所以负反馈的反馈量的绝对值也增大。因此，执行取决于视频信号的信号幅度Vin(即，发光亮度级别)的迁移率校正处理。此外，在视频信号的信号幅度Vin保持恒定的情况下，由于驱动晶体管22的迁移率μ越大，负反馈的反馈量的绝对值就增大，所以可以去除各个像素的迁移率μ的变化。

然后，写入扫描信号WS变为非活动状态并且写入晶体管23变为非导通状态，从而完成写入信号电压并校正迁移率的操作(处理)。此后，第一控制信号DS变为非活动状态并且发光控制晶体管24变为导通状态，使得电流从电源电压Vcc的电源线经由发光控制晶体管24提供到驱动晶体管22。

此时，由于写入晶体管23处于非导通状态，所以驱动晶体管22的栅电极与信号线34电断开并处于浮动状态。在此处，在驱动晶体管22的栅电极处于浮动状态的情况下，由于保持电容26连接在驱动晶体管22的栅极/源极之间，所以栅极电压Vg与驱动晶体管22的源电压Vs的变化同步地改变。

即，驱动晶体管22的源电压Vs和栅极电压Vg增加，同时保持在保持电容26中所保持的栅极-源极电压Vgs。然后，驱动晶体管22的源电压Vs增加到取决于晶体管的饱和电流的有机EL装置21的发光电压Voled。

如上所述，驱动晶体管22的栅极电压Vg与源电压Vs的变化同步地改变的操作是自举操作(bootstrap operation)。换言之，自举操作是一种操作，其中，驱动晶体管22的栅极电压Vg和源电压Vs改变，同时保持在保持电容26中所保持的栅极-源极电压Vgs，即，在保持电容26的两端之间的电压。

然后，驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids开始流向有机EL装置21，使得有机EL装置21的阳极电压Vano根据电压Ids而增加。当有机EL装置21的阳极电压Vano最终超过有机EL装置21的阈值电压Vthel时，驱动电流开始流向有机EL装置21。因此，有机EL装置21开始发光。

同时，在有机EL装置21的非发光周期中，第二驱动扫描单元60使第二控制信号AZ处于活动状态并且使开关晶体管25处于导通状态。由于开关晶体管25变成导通状态，所以经由开关晶体管25，驱动晶体管22的漏极(有机EL元件21的阳极电极)和作为电流放电目的地节点的阴极配线35电短路。

在此处，开关晶体管25的导通电阻比有机EL装置21的导通电阻小得多。因此，在有机EL装置21的非发光周期中，可以迫使电流流向驱动晶体管22，以流向阴极配线35，使得电流不流向有机EL装置21。顺便提及，在执行阈值电压校正和信号写入的一个水平周期中，第二控制信号AZ变为活动状态。然而，在随后的发光周期中，第二控制信号AZ处于非活动状态。

将作为自发光装置的有机EL装置21用作像素20的发光单元的上述有机EL显示设备10具有以下特性。即，由于与作为相同的平板显示设备的液晶显示设备相比，具有优异的图像质量(对比度)、薄型化的优点、对于透明显示器和柔性显示器的应用和开发等，所以有机EL显示设备10作为下一代显示器具有很高的期望。此外，通过在诸如硅单晶衬底等半导体衬底上配置有机EL，已经开始应用于数码相机的电取景器、作为超小型显示设备的头戴式显示器。

同时，在有机EL显示设备10中，像素20的构成装置的数量大于液晶显示设备的构成装置的数量。例如，图2所示的像素20包括四个晶体管(22至25)和两个电容装置(26和27)，作为构成装置。当像素20的构成装置的数量大时，对于高清晰度是不利的。从这种观点出发，特别是在半导体衬底上形成的有机EL显示设备中，提供新情况，以使得在像素排列中的相邻像素行之间，即，在奇数像素行和偶数像素行之间共享用于驱动像素20的配线等。因此，压缩显示区域(像素阵列单元30)的空间，以实现高清晰度。

[屏幕均匀性的部分劣化]

如上所述，在使得在奇数像素行和偶数像素行之间共享配线等的情况下，采用一种镜像反转结构，其中，奇数行和偶数行的像素结构相对于奇数行和偶数行之间的边界线是对称的。当如上所述，奇数行的像素结构和偶数行的像素结构均是镜像反转结构时，出现以下现象a)和b)。

a)在生产过程中，通常使用图3A所示的倾斜离子注入。在生产过程中由于离子注入的偏差而发生在奇数行/偶数行之间的驱动晶体管22的特性(阈值电压、迁移率等)的差异(奇数行/偶数行之间的驱动晶体管22的特性差异)。

b)例如，由于掩模偏差等引起的奇数行的像素结构和偶数行的像素结构之间的形状差异，耦合电位在奇数行和偶数行之间不同(根据像素结构的形状的耦合差异)。

如上所述，在一般有机EL显示设备10中，像素20具有以像素为单位校正诸如阈值电压Vth和迁移率μ等晶体管特性的功能，并且通过使用该校正功能，改进了均匀性，例如，垂直条纹。然而，通过仅以像素为单位进行校正的功能，不足以改进在奇数行/偶数行之间的驱动晶体管22的上述特性差异和根据像素结构的形状的上述耦合差异的效果的均匀性。结果，如图3B所示，存在屏幕均匀性的部分劣化的问题，例如，由于奇数行/偶数行之间的亮度差异而导致的水平条纹。

<本公开的实施方式>

在本公开的实施方式中，为了使得可以处理以像素为单位执行的校正功能无法处理的均匀性的部分劣化，包括多个栅电极的晶体管用作像素20的驱动晶体管22。另外，通过向驱动晶体管22的多个栅电极中的一个栅电极施加视频信号来驱动有机EL装置21，同时通过控制驱动晶体管的不同栅电极的栅极电压来校正驱动晶体管22的阈值电压Vth。

包括多个栅电极的晶体管的示例包括晶体管，该晶体管具有神经元MOS结构以及MOS晶体管或TFT(薄膜晶体管)的背栅单元中的双栅结构。

[具有神经元MOS结构的晶体管]

现在，将描述具有神经元MOS结构的晶体管。图4A示出了具有神经元MOS结构的晶体管的等效电路。在图4A中，左侧示出了P沟道神经元MOS，右侧示出了N沟道神经元MOS。此外，作为驱动晶体管22，在图4B中示出了使用具有P沟道神经元MOS结构的晶体管的像素电路。

(装置结构)

如图4A所示，在具有神经元MOS结构的晶体管中，栅电极处于电浮动状态，多个栅电极(在该示例中为两个栅电极G1和G2)设置在与沟道相反的侧边，并且这些栅电极G1和G2与浮动栅极Gf电容耦合。

此外，如图4B所示，在具有神经元MOS结构的晶体管用作驱动晶体管22的情况下，假设施加信号电压Vsig作为一个栅电极G1的栅极电压V1，并且施加控制电压Vcont作为另一栅电极G2的栅极电压V2。

(操作原理)

通常，通过与浮动栅极Gf电容耦合的多个栅电极G1、G2、...、Gn的栅极电压V1、V2、...、Vn的加权线性和给出具有神经元MOS结构的晶体管的浮动栅极Gf的电压(浮动栅极电压)ΦF，如以下公式(1)所示。

即，假设浮动栅极Gf与栅电极G1、G2、...、Gn之间的电容是C1、C2、...、Cn，则浮动栅极电压ΦF满足以下关系。

注意，Ctotal表示浮动栅极Gf与栅电极G1、G2、...、Gn之间的电容和。

图4A中示出假设两个端子(栅电极)的输入栅极，公式(1)表示为以下公式(2)。

当该浮动栅极电压ΦF超过晶体管的阈值电压Vth时，具有神经元MOS结构的晶体管变为导通状态。因此，公式(2)可以表示为以下公式(3)。

当针对栅极电压V1求解该公式(3)时，满足以下关系。

注意，在具有神经元MOS结构的晶体管是N沟道晶体管的情况下，满足公式(3)和公式(4)。

此外，假设从栅极电压V1的栅电极G1观测的晶体管的阈值电压是Vth1，建立以下关系。

这表明当任意电压可以作为栅极电压V2施加到栅电极G2时，可以自由地控制从栅极电压V1的栅电极G1观测的晶体管的阈值电压Vth1。

在下文中，将描述在屏幕中实现部分校正的具体示例，以便能够处理以像素为单位执行的校正功能无法处理的均匀性的部分劣化。

[示例1]

示例1是对由于奇数行/偶数行之间的亮度差异和根据像素结构的形状的耦合差异而引起的水平条纹的对策的示例，奇数行/偶数行之间的亮度差异是由奇数行/偶数行之间的驱动晶体管22的特性差异所产生的。在图5中示出了根据示例1的有机EL显示设备的主要部分的电路配置的电路图。在图5中，为了简化附图，示出了像素阵列单元30的两行三列的像素布置中的像素20。这也适用于稍后描述的示例。

在示例1中，在像素阵列单元30的像素布置中，在奇数行的像素20的驱动晶体管22包括例如其中设置两个栅电极的具有神经元MOS结构的晶体管。在偶数行的像素20的驱动晶体管22包括普通P沟道晶体管。

此外，在奇数行的像素20中，视频信号的信号电压Vsig作为栅极电压V1施加到包括神经元MOS的驱动晶体管22的一个栅电极。此外，作为预定直流电压的控制电压Vcont作为栅极电压V2经由控制线36从控制单元90施加到驱动晶体管22的不同栅电极。控制线36在控制单元90和在奇数行的像素20之间共同配线。

由于在奇数行/偶数行之间的驱动晶体管22的特性差异和根据像素结构的形状的耦合差异，控制单元90将消除亮度差异的这种电压值的直流电压作为控制电压Vcont提供给在奇数行的像素20的驱动晶体管22的不同栅电极，亮度差异是在奇数行/偶数行之间发生的。考虑到各个有机EL显示设备10的在奇数行/偶数行之间的驱动晶体管22的特性差异和根据像素结构的形状的耦合差异，控制电压Vcont的电压值被设置为使得奇数行/偶数行之间的亮度差异变小的这样的值，有利地为零。

如上所述，通过将神经元MOS用作在奇数行的像素20的驱动晶体管22并通过控制电压Vcont控制不同栅电极的栅极电压V2，可以控制驱动晶体管22的阈值电压Vth，从公式(5)可以明显看出。因此，由于可以对屏幕中的各个区域(在该示例中为各个奇数行)进行亮度调整，所以可以防止由于由奇数行/偶数行之间的驱动晶体管22的特性差异所产生的奇数行/偶数行之间的亮度差异和根据像素结构的形状的耦合差异而引起的水平条纹。结果，可以改进以像素为单位执行的校正功能无法处理的均匀性的部分劣化。

因此，采用在奇数行和偶数行之间共享用于驱动像素20的配线等并且奇数行的像素结构和偶数行的像素结构均是镜像反转结构的配置，不会导致均匀性的劣化，例如，水平条纹。结果，通过在奇数行和偶数行之间共享用于驱动像素20的配线等，可以压缩显示区域的空间，这有助于高清晰度。

[示例2]

示例2是示例1的变形例。图6示出了根据示例2的有机EL显示设备的主要部分的电路配置的电路图。在示例1中，采用对奇数行共同执行亮度调整的配置。然而，在示例2中，采用对偶数行共同执行亮度调整的配置。

在示例2中，在像素阵列单元30的像素布置中，在偶数行的像素20的驱动晶体管22包括例如其中设置两个栅电极的具有神经元MOS结构的晶体管。在奇数行的像素20的驱动晶体管22包括具有单栅极结构的P沟道晶体管。

在偶数行的像素20中，视频信号的信号电压Vsig作为栅极电压V1施加到包括神经元MOS的驱动晶体管22的一个栅电极。此外，作为预定直流电压的控制电压Vcont作为栅极电压V2经由控制线36从控制单元90施加到驱动晶体管22的不同栅电极。控制线36在控制单元90和在偶数行的像素20之间共同配线。

由于在奇数行/偶数行之间的驱动晶体管22的特性差异和根据像素结构的形状的耦合差异，控制单元90将消除亮度差异的这种电压值的直流电压作为控制电压Vcont提供给偶数行中的像素20的驱动晶体管22的不同栅电极，亮度差异是在奇数行/偶数行之间发生的。类似于示例1，控制电压Vcont的电压值被设置为使得在奇数行/偶数行之间的亮度差异变小的这样值，有利地为零。

根据具有上述配置的示例2，可以实现与示例1的操作和效果相同的操作和效果。即，可以防止由于由奇数行/偶数行之间的驱动晶体管22的特性差异所产生的奇数行/偶数行之间的亮度差异和根据像素结构的形状的耦合差异而引起的水平条纹，并且改进以像素为单位执行的校正功能无法处理的均匀性的部分劣化。

[示例3]

示例3是示例1/示例2的变形例。图7示出了根据示例3的有机EL显示设备的主要部分的电路配置的电路图。在示例1中，采用对奇数行共同执行亮度调整的配置。在示例2中，采用对偶数行共同执行亮度调整的配置。同时，在示例3中，采用对奇数行/偶数行这两者共同执行亮度调整的配置。

在示例3中，在像素阵列单元30的像素布置中，作为所有像素20的各个驱动晶体管22，例如，使用其中设置两个栅电极的具有神经元MOS结构的晶体管。在驱动晶体管22包括神经元MOS的像素布置中，控制电压Vcont1作为栅极电压V2经由控制线36从控制单元91施加到奇数行的驱动晶体管22的不同栅电极。此外，控制电压Vcont2作为栅极电压V2经由控制线37从控制单元92施加到偶数行的驱动晶体管22的不同栅电极。

考虑到各个有机EL显示设备10的在奇数行/偶数行之间的驱动晶体管22的特性差异和根据像素结构的形状的耦合差异，控制电压Vcont1和控制电压Vcont2的各个电压值被设置为使得在奇数行/偶数行之间的亮度差异变小的这样的值，有利地为零。

同样根据具有上述配置的示例3，可以实现与示例1/示例2的操作和效果相同的操作和效果。即，可以防止由于由奇数行/偶数行之间的驱动晶体管22的特性差异所产生的奇数行/偶数行之间的亮度差异和根据像素结构的形状的耦合差异而引起的水平条纹，并且改进以像素为单位执行的校正功能无法处理的均匀性的部分劣化。此外，根据示例3，由于可以在奇数行/偶数行这两者中调整驱动晶体管22的阈值电压Vth，所以可以增大在奇数行/偶数行这两者中的亮度的调整范围。

[示例4]

示例4是示例1的变形例。图8示出了根据示例4的有机EL显示设备的主要部分的电路配置的电路图。示例1是以下示例，其中，具有神经元MOS结构的晶体管用作驱动晶体管22，将视频信号的信号电压Vsig施加到一个栅电极，并且控制不同栅电极的栅极电压V2。

然而，示例4是在驱动晶体管22中控制背栅的电压的示例，该驱动晶体管包括具有包含背栅的结构的晶体管。具体地，在奇数行的像素20中，作为预定直流电压的控制电压Vcont作为背栅电压经由控制线36从控制单元90施加到具有包括背栅的结构的驱动晶体管22的背栅。控制线36在控制单元90和在奇数行的像素20之间共同配线。

与示例1的情况类似，控制单元90将消除亮度差异的这种电压值的直流电压作为控制电压Vcont提供给在奇数行的像素20的驱动晶体管22的背删，亮度差异是在奇数行/偶数行之间发生的。考虑到各个有机EL显示设备10的在奇数行/偶数行之间的驱动晶体管22的特性差异和根据像素结构的形状的耦合差异，控制电压Vcont的电压值被设置为使得在奇数行/偶数行之间的亮度差异变小的这样的值，有利地为零。

同样根据具有上述配置的示例4，可以实现与示例1的操作和效果相同的操作和效果。即，可以防止由于由奇数行/偶数行之间的驱动晶体管22的特性差异所产生的奇数行/偶数行之间的亮度差异和根据像素结构的形状的耦合差异而引起的水平条纹，并且改进以像素为单位执行的校正功能无法处理的均匀性的部分劣化。

在对奇数行共同执行亮度调整的示例4中，作为其变形例，可以采用对偶数行共同执行亮度调整的配置，类似于示例2，或者对奇数行/偶数行这两者共同执行亮度调整的配置，类似于示例3。

[示例5]

示例5是示例1的变形例。图9示出了应用示例5的有源矩阵型显示设备中的像素的电路示例。而且，在该示例中，作为一个示例，将描述有源矩阵有机EL显示设备，该设备将有机EL装置用作像素电路的发光单元(发光装置)。

如图9所示，像素20包括有机EL装置21和通过向有机EL装置21施加电流来驱动有机EL装置21的驱动电路。有机EL装置21的驱动电路包括驱动晶体管22、写入晶体管23和保持电容26。

作为驱动晶体管22和写入晶体管23中的每一个，可以使用N沟道TFT。注意，在本文中示出的驱动晶体管22和写入晶体管23的导电类型的组合仅是示例，并且不限于此。在此处，作为一个示例，假设有机EL装置21、驱动晶体管22和保持电容26形成在诸如玻璃衬底等绝缘体上。

在驱动晶体管22中，一个电极(源极/漏极)连接到有机EL装置21的阳极，并且不同电极(源极/漏极)连接到电源供应线38。在此处，一个电极表示电连接到一个源极/漏极区域的金属配线，并且不同电极表示电连接到不同源极/漏极区域的金属配线。此外，根据一个电极和不同电极之间的电位关系，在一些情况下一个电极是源极或漏极，并且在一些情况下不同电极是漏极或源极。

电源电位DS与写入扫描单元40的线顺序扫描同步地从电源供应扫描单元41提供到与驱动晶体管22的不同电极连接的电源供应线38，电源电位DS可以在第一电源电位Vccp和低于第一电源电位Vccp的第二电源电位Vini之间切换。通过切换该电源电位DS，控制像素20的发光/不发光(关闭)。

注意，尽管在此处示出了2Tr1C的电路配置作为有机EL装置21的驱动电路，但是驱动电路不限于此，2Tr1C的电路配置包括驱动晶体管22和写入晶体管23这两个晶体管(Tr)以及保持电容26的一个电容装置(C)。

在具有上述配置的有机EL显示设备中，示例5是双栅TFT用作驱动晶体管22并控制双栅中的一个的示例。

在图10中示出了用作驱动晶体管22的双栅TFT的横截面结构的示例。双栅TFT以所陈述的顺序包括例如下部栅电极82、第一栅极绝缘膜83、半导体层84、第二栅极绝缘膜85和上部栅电极86。此外，在半导体层84中夹在下部栅电极82和上部栅电极86之间的区域是沟道区域841，并且其两端的区域是源极区域842和漏极区域843。源极87电连接到源极区域842，漏极88电连接到漏极区域843。

示例5是控制包括双栅TFT的驱动晶体管22的一个栅电极(例如，下部栅电极82)的电压的示例。在图11中示出了根据示例5的有机EL显示设备的主要部分的电路配置。

如图11所示，在奇数行的像素20中，作为预定直流电压的控制电压Vcont作为栅极电压从控制单元90经由控制线36施加到包括双栅TFT的驱动晶体管22的一个栅电极。控制线36在控制单元90和在各个奇数行的像素20之间共同配线。在偶数行的像素20的驱动晶体管22包括普通N沟道TFT。

与示例1的情况类似，控制单元90将消除亮度差异的这种电压值的直流电压作为控制电压Vcont提供给在奇数行的像素20的驱动晶体管22(包括双栅TFT)的不同栅电极，亮度差异是在奇数行/偶数行之间产生的。考虑到各个有机EL显示设备10的在奇数行/偶数行之间的驱动晶体管22的特性差异和根据像素结构的形状的耦合差异，控制电压Vcont的电压值被设置为使得在奇数行/偶数行之间的亮度差异变小的这样的值，有利地为零。

同样根据具有上述配置的示例5，可以实现与示例1的操作和效果相同的操作和效果。即，可以防止由于由奇数行/偶数行之间的驱动晶体管22的特性差异所产生的奇数行/偶数行之间的亮度差异和根据像素结构的形状的耦合差异而引起的水平条纹，并且改进以像素为单位执行的校正功能无法处理的均匀性的部分劣化。

在对奇数行共同执行亮度调整的示例5中，作为其变形例，可以采用对偶数行共同执行亮度调整的配置，类似于示例2，或者对奇数行/偶数行这两者共同执行亮度调整的配置，类似于示例3。

<变形例>

本公开的技术不限于上述实施方式，并且可以在不脱离本公开的本质的情况下进行各种修改。例如，在示例1至示例4中，描述将本公开的技术应用于在诸如硅单晶衬底等半导体衬底上形成构成像素20的装置的显示设备的情况作为一个示例。然而，本公开的本技术也可以类似地应用于在诸如玻璃衬底等绝缘体上形成构成像素20的装置的显示设备。

<电子设备>

根据本公开的上述显示设备可以用作各个领域中的电子设备的显示单元(显示设备)，其中，显示输入到电子设备的视频信号或在电子设备中产生的视频信号，作为图像或视频。电子设备的示例包括电视机、膝上型个人计算机、数码相机、诸如移动电话等便携式终端设备以及头戴式显示器。然而，电子设备不限于此。

通过如上所述将根据本公开的显示设备用作各个领域中的电子设备的显示单元，可以实现以下效果。即，根据本公开的显示设备，由于可以改进以像素为单位执行的校正功能无法处理的均匀性的部分劣化(例如，由于在奇数行/偶数行之间的亮度差异而引起的水平条纹)，所以可以改进显示单元的图像质量。另外，由于可以防止发生由于奇数行/偶数行之间的亮度差异而引起的水平条纹，所以可以共享用于驱动奇数行和偶数行之间的像素的配线等，并且可以压缩显示区域的空间，从而实现显示单元的高清晰度。

本公开的显示设备包括具有密封配置的模块形状的显示设备。通过示例，通过将由透明玻璃等形成的面对部分附接到像素阵列单元而形成的显示模块对应于显示设备。注意，显示模块可以包括用于从外部向像素阵列单元输入/输出信号等的电路单元、柔性印刷电路(FPC)等。在下文中，作为使用本公开的显示设备的电子设备的具体示例，例示了数码相机和头戴式显示器。应该注意的是，在本文中描述的具体示例仅仅是说明性的，并且本公开不限于此。

(具体示例1)

图12是可更换镜头和单镜头反射型数码相机的外观图，其中，图12A示出了其正视图，图12B示出了其后视图。可更换镜头和单镜头反射型数码相机包括例如位于相机主体部分(相机主体)111的正面的右侧的可更换成像镜头单元(可更换镜头)112以及位于其正面的左侧的供摄影师抓握的抓握部分113。

此外，显示器114设置在相机主体部分111的背面的大致中心处。电子取景器(目镜窗口)115设置在显示器114的上方。摄影者可以在视觉上识别出从成像镜头单元112导出的对象的光学图像，然后，通过查看电子取景器115来确定构图。

在具有上述配置的可更换镜头和单镜头反射型数码相机中，本公开的显示设备可以用作数码相机的电子取景器115。换言之，通过将本公开的显示设备用作数字相机的电子取景器115，来生产根据该示例的可更换镜头和单镜头反射型数码相机。

(具体示例2)

图13是头戴式显示器的外观图。头戴式显示器包括例如位于眼镜形显示单元211的两侧的镜腿部分212。镜腿部分212用于安装到用户的头部。在该头戴式显示器中，本公开的显示设备可以用作头戴式显示器的显示单元211。换言之，通过将本公开的显示设备用作头戴式显示器的显示单元211，来生产根据该示例的头戴式显示器。

<本发明的配置>

应该注意的是，本技术可以采取以下配置。

[1]一种显示设备，包括：

像素阵列单元，像素被布置在像素阵列单元中，像素包括驱动晶体管，驱动晶体管包括多个栅电极并且响应于施加到多个栅电极中的一个栅电极的视频信号来驱动发光单元；以及

控制单元，控制驱动晶体管的其他栅电极的栅极电压。

[2]根据上述[1]所述的显示设备，其中，

控制单元通过控制其他栅电极的栅极电压来校正驱动晶体管的阈值电压。

[3]根据上述[1]或[2]所述的显示设备，其中，

控制单元将预定的直流电压作为控制电压施加到其他栅电极。

[4]根据上述[1]至[3]中任一项所述的显示设备，其中，

其他栅电极是背栅。

[5]根据上述[1]至[3]中任一项所述的显示设备，其中，

其他栅电极是双栅结构的栅电极中的一个。

[6]根据上述[1]至[5]中任一项所述的显示设备，其中，

控制单元以像素阵列单元的像素行为单位控制其他栅电极的栅极电压。

[7]根据上述[6]所述的显示设备，其中，

在像素阵列单元的偶数像素行、奇数像素行或全部像素行中布置包括包含多个栅电极的驱动晶体管的所述像素，并且

控制单元仅在偶数像素行、仅在奇数像素行或在全部像素行中控制其他栅电极的栅极电压。

[8]根据上述[1]至[7]中任一项所述的显示设备，其中，

像素具有阈值电压校正功能：将驱动晶体管的被施加视频信号的栅电极的初始电压用作基准，并且将驱动晶体管的源电压改变为通过从初始电压中减去驱动晶体管的阈值电压而所获得的电压。用作基准

[9]根据上述[1]至[8]中任一项所述的显示设备，其中，

发光单元包括有机电致发光装置。

[10]一种电子设备，包括：

显示设备，显示设备包括

像素阵列单元，像素被布置在像素阵列单元中，像素包括驱动晶体管，驱动晶体管包括多个栅电极并且响应于施加到多个栅电极中的一个栅电极的视频信号来驱动发光单元；以及

控制单元，控制驱动晶体管的其他栅电极的栅极电压。

附图标记列表

10 有机EL显示设备

20 像素

21 有机EL装置

22 驱动晶体管

23 写入晶体管

24 发光控制晶体管

25 开关晶体管

26 保持电容

27 辅助电容

30 像素阵列单元

31 (311至31m)扫描线

32 (321至32m)第一驱动线

33 (331至33m)第二驱动线

34 (341至34n)信号线

35 阴极配线

36、37 控制线

38 电源供应线

40 写入扫描单元

41 电源供应扫描单元

50 第一驱动扫描单元

60 第二驱动扫描单元

70 信号输出单元

80 显示面板

90、91、92 控制单元。