显示设备及其操作方法与流程

文档序号:17544253发布日期:2019-04-29 15:08阅读:324来源:国知局
显示设备及其操作方法与流程

本申请要求2017年10月18日递交至韩国知识产权局的韩国专利申请第10-2017-0135135号的优先权,该韩国专利申请的全部公开通过引用合并于此。

技术领域涉及显示设备和显示设备的操作方法。



背景技术:

诸如有机发光显示设备的显示设备可以使用通过电子和空穴的结合产生光的有机发光二极管来显示图像。有机发光显示设备可以具有高的响应速度,并且可以以低功耗操作。

有机发光显示设备可以通过在每个像素中提供数据电压以使对应的有机发光二极管根据该数据电压发光来显示目标图像。



技术实现要素:

实施例可以涉及能够以调光控制器的最小开关功耗表示与目标调光等级类似的调光等级的显示设备。实施例可以涉及显示设备的驱动方法(即,操作方法)。

实施例可以涉及具有令人满意的数量的可表示的调光等级并且包括低分辨率显示面板的显示设备。实施例可以涉及显示设备的驱动方法。

根据实施例,显示设备可以包括以下元件:包括多个像素的像素单元;发射控制驱动器,被配置为供给用于确定多个像素的发射周期的发射控制信号;以及时序控制器,被配置为使用配置有m个位的占空比位流确定发射控制信号的占空比,其中时序控制器在n个帧期间确定包括m-k个最高有效位(msb)和具有固定值的k个最低有效位(lsb)的占空比位流,其中k为1或大于1的自然数,并且n和m为2或大于2的自然数。

n可以为2k

n个帧中的第一组的帧可以被发射控制,以与作为第一占空比位流的占空比位流对应,n个帧中的第二组的帧可以被发射控制,以与作为第二占空比位流的占空比位流对应,并且第一占空比位流和第二占空比位流不同。

第二占空比位流可以具有通过向第一占空比位流的值增加2k而获得的值。

第一组的帧和第二组的帧可以按时分交替布置。

在n个帧期间,占空比位流的平均值的m-k个msb可以与第一占空比位流的m-k个msb对应。

根据实施例,显示设备可以包括以下元件:包括多个像素的像素单元;发射控制驱动器,被配置为供给用于确定多个像素的发射周期的发射控制信号;以及时序控制器,被配置为使用配置有m+k个位的占空比位流确定发射控制信号的占空比,其中时序控制器在n个帧期间确定包括取代k个lsb的k个最高扩展位、m-k个msb以及具有固定值的k个lsb的占空比位流,其中k为1或大于1的自然数,并且n和m为2或大于2的自然数。

n可以为2k

n个帧中的第一组的帧可以被发射控制,以与作为第一占空比位流的占空比位流对应,n个帧中的第二组的帧可以被发射控制,以与作为第二占空比位流的占空比位流对应,并且第一占空比位流和第二占空比位流不同。

第二占空比位流可以具有通过向第一占空比位流的值增加2k而获得的值。

第一组的帧和第二组的帧可以按时分交替布置。

在n个帧期间,占空比位流的平均值的除了k个lsb之外的其它位可以与第一占空比位流的最高扩展位和msb对应。

根据实施例,用于驱动/操作显示设备的方法可以包括以下步骤:通过时序控制器将与第一占空比位流对应的控制信号供给到发射控制驱动器;通过发射控制驱动器将具有与第一占空比位流对应的占空比的发射控制信号供给到像素单元;通过时序控制器将与第二占空比位流对应的控制信号供给到发射控制驱动器,其中第二占空比位流具有通过向第一占空比位流的值增加2k而获得的值;以及通过发射控制驱动器将具有与第二占空比位流对应的占空比的发射控制信号供给到像素单元。

对应于第一占空比位流被发射控制的第一组的帧的数量与对应于第二占空比位流被发射控制的第二组的帧的数量的和可以为n。k可以是1或大于1的自然数,并且n可以是2或大于2的自然数。

n可以为2k

第一组的帧和第二组的帧可以按时分交替布置。

第一占空比位流的k个lsb可以为0,并且第二占空比位流的k个lsb可以为0。

附图说明

图1是图示根据实施例的显示设备的图(例如,框图)。

图2是图示根据实施例的时序控制器的图(例如,框图)。

图3是图示根据实施例的像素的图(例如,电路图)。

图4是图示根据实施例的图3中的像素的操作的时序图。

图5是图示根据实施例的发射控制驱动器的图(例如,框图)。

图6是图示根据实施例的图5中的发射控制驱动器的一个级的图(例如,电路图)。

图7是图示根据实施例的图6中的级的第一驱动器的驱动阶段的图。

图8是图示根据实施例的图6中的级的第三驱动器的驱动阶段的图。

图9是图示根据实施例的包括图5中的发射控制驱动器的时序控制器的图。

图10是图示根据实施例的发射控制的图。

图11是图示根据实施例的发射控制的图。

具体实施方式

参考附图具体描述示例实施例。可实施的实施例可以以各种形式来实现,并且不限于示例实施例。

虽然本文可能使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件,但这些元件不应受这些术语限制。这些术语可用于将一个元件与另一元件区分。因此,第一元件可以被称为第二元件,而不背离一个或多个实施例的教导。将元件描述为“第一”元件可不要求或暗示存在第二元件或其他元件。本文也可以使用术语“第一”、“第二”等来区分不同类别或集合的元件。为了简明扼要,术语“第一”、“第二”等可分别代表“第一类型(或第一集合)”、“第二类型(或第二集合)”等。

相同或相似的组成元件将由相同的附图标记表示。

术语“耦接”可意味着“电连接”或“不通过中间晶体管电连接”。

图1是图示根据实施例的显示设备的图。

参考图1,显示设备9包括时序控制器10、扫描驱动器20、发射控制驱动器30、数据驱动器40和像素单元50。

时序控制器10通过转换从外部供给的控制信号和图像信号r、g和b以适合于显示设备9的规格,而将控制信号cont1供给到扫描驱动器20,将控制信号cont3供给到发射控制驱动器30,以及将控制信号cont2和图像信号r'、g'和b'供给到数据驱动器40。时序控制器10所接收的控制信号可以包括水平同步信号hsync和垂直同步信号vsync。

扫描驱动器20通过接收控制信号cont1产生要被供给到多条扫描线s1、s2、……和sn的扫描信号。在实施例中,扫描驱动器20可以将扫描信号依次供给到多条扫描线s1、s2、……和sn。例如,控制信号cont1可以包括栅启动脉冲和多个栅时钟信号,并且扫描驱动器20可以以移位寄存器的形式被配置,来以在栅时钟信号的控制下依次将栅启动脉冲传递到下一级电路的方式产生扫描信号。

数据驱动器40通过接收控制信号cont2和图像信号r'、g'和b'产生要被供给到多条数据线d1、d2、……和dm的数据电压。以像素行为单位产生的数据电压可以根据包含在控制信号cont2中的输出控制信号被同时施加到多条数据线d1、d2、……和dm。

像素单元50可以包括多个像素电路px11、px12、……、px1m、px21、px22、……、px2m、……、pxn1、pxn2、……和pxnm。各个像素可以具有基本相同的像素电路结构。每个像素电路可以耦接到相应的数据线和相应的扫描线,并且接收对应于扫描信号而输入的数据电压。发射控制驱动器30可以将用于确定多个像素电路px11、px12、……、px1m、px21、px22、……、px2m、……、pxn1、pxn2、……和pxnm的发射周期的发射控制信号供给到发射控制线e1、e2、……和en。例如,每个像素电路可以包括发射控制晶体管,并且电流通过有机发光二极管的流动可以根据发射控制晶体管的导通/截止来确定,使得有机发光二极管的发射被控制。

图2是图示根据实施例的时序控制器的图。

参考图2,时序控制器10可以包括调光控制器110和信号转换器120。

调光控制器110可以使用占空比位流duty[7:0]确定发射控制信号的占空比。在图2以下的附图中,为了便于描述,假定占空比位流duty[7:0]具有8个位。在实施例中,占空比位流可以被配置有m个位,从而被表示为duty[(m–1):0]。这里,m可以是2或大于2的自然数。

调光控制器110可以包括耦接到每条位信号线的晶体管,以表示每个位的二进制等级,即0或1。例如,当晶体管要被导通时,二进制等级1可以用施加到对应的位信号线的特定电压来表示。当晶体管要被截止时,二进制等级0可以用对应的位信号线的另一电压来表示。现有的漏极开路和集电极开路结构可以被应用为晶体管和位信号线的耦接结构。上拉电阻器或下拉电阻器可以耦接到该结构。本领域技术人员可以重新设计调光控制器110的晶体管和位信号线的各种耦接关系。

在实施例中,调光控制器110可以消耗所有八个晶体管的开关控制电力来表示占空比位流duty[7:0]。

根据实施例,占空比位流duty[7:0]中的k个最低有效位(lsb)在n个帧期间可以保持在单个/恒定等级/值。k个lsb被固定为单个/恒定等级/值可意味着k个lsb被维持在二进制等级0,使调光控制器110中的与这k个lsb相对应的晶体管在n个帧期间持续截止(即,保持截止)。在实施例中,k可以是1或大于1的自然数,并且n可以是2或大于2的自然数。在实施例中,n可以为2k

例如,在图2的实施例中,k可以为2并且n可以为4。在实施例中,与lsb对应的b1和b0在四个帧期间可以为二进制等级0。

也就是说,时序控制器10在n个帧期间可以确定包括(m-k)个最高有效位(msb)和具有固定值的k个lsb的占空比位流。

因此,不对与lsb对应的晶体管分别执行开关控制,使得调光控制器110的功耗可以降低。虽然不对与lsb对应的晶体管分别执行开关控制,但是msb被部分地改变,使得发射控制可以被执行,以表示与目标调光等级相等或近似的调光等级。

信号转换器120转换接收的占空比位流duty[7:0]以适合于发射控制驱动器30的规格,并且将转换后的占空比位流作为控制信号cont3的一部分供给到发射控制驱动器30。例如,信号转换器120可以是串行器。

发射控制驱动器30可以基于所接收的控制信号cont3产生具有与占空比位流duty[7:0]对应的占空比的发射控制信号,并且将产生的发射控制信号(的实例/副本)供给到发射控制线e1、e2、……和en。

在实施例中,对于n个帧,时序控制器10可以确定包括取代k个lsb的k个最高扩展位、(m-k)个msb以及具有固定值的k个lsb的占空比位流。在该实施例中,占空比位流可以配置为(m+k)个位。

例如,时序控制器10可以使用与占空比位流duty[7:0]中的k个lsb对应的位信号线来表示k个最高扩展位,并且k个lsb在n个帧期间可以被假定为0。

参考图2,占空比位流duty[7:0]的第一msb为b7,但是lsbb1和b0可以被使用,好像它们是作为最高扩展位的b9和b8一样。在实施例中,lsbb1和b0可以被假定为0。在实施例中,调光控制器110的八个晶体管全部被使用,使得可表示的调光等级的数量可以增加,而不降低开关控制电力。具体地,这相对于低分辨率的显示面板是有效的。

在实施例中,对于n个帧,k个lsb可以被假定为0。

图3是图示根据实施例的像素的图。图4是图示根据实施例的图3的像素的时序图。

参考图3,像素pxij可以包括多个晶体管t1、t2和t3、存储电容器cst以及有机发光二极管oled。

在实施例中,像素pxij的电路被配置有p型晶体管。在实施例中,电路可以包括n型晶体管。

晶体管t2的一端可以耦接到数据线dj,并且晶体管t2的栅极端子可以耦接到扫描线si。晶体管t2可以被称为扫描晶体管。

晶体管t1的栅极端子可以耦接到晶体管t2的另一端,并且晶体管t1的一端可以耦接到电压源elvdd。晶体管t1可以被称为驱动晶体管。

存储电容器cst可以将晶体管t1的栅极端子与一端连接。

晶体管t3的一端可以耦接到晶体管t1的另一端,晶体管t3的栅极端子可以耦接到发射控制线ei,并且晶体管t3的另一端可以耦接到有机发光二极管oled的阳极。晶体管t3可以被称为发射控制晶体管。

有机发光二极管oled的阴极可以耦接到电压源elvss。

参考图4,当具有低电平的扫描信号通过扫描线si被供给时,晶体管t2被导通,并且施加到数据线dj的数据电压data通过导通的晶体管t2被施加到晶体管t1的栅极端子。

存储电容器cst存储与数据电压data与电压源elvdd之间的差对应的电压。由于晶体管t3处于截止状态,因此即使当晶体管t1被导通时,也没有电流流过有机发光二极管oled。

当具有低电平的发射控制信号通过发射控制线ei被供给时,驱动电流从电压源elvdd通过晶体管t1和晶体管t3流向有机发光二极管oled。因此,有机发光二极管oled发射具有与驱动电流的大小成比例的亮度的光。在实施例中,驱动电流的大小与由存储电容器cst维持的电压成比例。

发射控制信号的占空比可以是具有低电平的发射控制信号流过发射控制线ei的时间(或持续时间)与具有高电平的发射控制信号流过发射控制线ei的时间(或持续时间)的比。例如,随着发射控制信号的占空比变得越高,具有低电平的发射控制信号流动以允许发射控制晶体管t3导通的时间可以变得越长。随着发射控制信号的占空比变得越低,具有高电平的发射控制信号流动以允许发射控制晶体管t3截止/保持截止的时间可以变得越长。

在实施例中,发射控制信号的占空比可以与帧相关联。

图5是图示根据实施例的发射控制驱动器的图。

参考图5,发射控制驱动器30'接收多个时钟信号clk1、clk2和clk3以及两个启动信号sp1和sp2作为控制信号cont3,并且包括多个级321、322、323、324、325、……。

多个级321、322、323、324、325、……可以分别耦接到发射控制线e1、e2、e3、e4、e5、……。

级322、323、324、325、……中的每一个接收从其前一级输出的输出信号os1和os2作为启动信号。

在实施例中,时钟信号clk2被供给到级321、322、323、324、325、……中的全部,时钟信号clk1被供给到奇数级321、323、325、……,并且时钟信号clk3被供给到偶数级322、324、……。

时钟信号clk1、clk2和clk3可以被设置成具有相同的周期,并且第一启动信号sp1和第二启动信号sp2在一个帧周期期间可以被供给一次或多次。

根据实施例,发射控制信号的宽度可以对应于第一启动信号sp1与第二启动信号sp2之间的宽度(或间隔/距离)(即,在第一启动信号sp1具有低电平之后直到第二启动信号sp2具有低电平的时间)来确定。例如,随着第一启动信号sp1与第二启动信号sp2之间的宽度被设置得越宽,发射控制信号的占空比可以变得越低。例如,随着第一启动信号sp1与第二启动信号sp2之间的宽度被设置得越窄,发射控制信号的占空比可以变得越高。

从第一级321输出的第一输出信号os1与第二输出信号os2之间的宽度可以对应于第一启动信号sp1与第二启动信号sp2之间的宽度。因此,其他级322、323、324、325、……可以都具有和与第一级321相关联的发射控制信号的占空比相同的发射控制信号的占空比。

图6是图示根据实施例的图5的发射控制驱动器的一个级的图。图7是图示根据实施例的图6的级中的第一驱动器的驱动/操作阶段的图。图8是图示根据实施例的图6的级中的第三驱动器的驱动/操作阶段的图。

参考图6,图示了发射控制驱动器30'的第一级321的电路。除了与输入信号有关的连接之外,其他级322、323、324、325、……的电路配置可以与第一级321的电路配置基本相同,并且因此第一级321被描述为全部这些级的示例。

第一级321可以包括第一驱动器3211、第二驱动器3212和第三驱动器3213。

第一驱动器3211可以使用时钟信号clk1和clk2以及第一启动信号sp1生成第一输出信号os1。

第二驱动器3212可以使用时钟信号clk1和clk2以及第二启动信号sp2生成第二输出信号os2。第二驱动器3212的电路配置可以与第一驱动器3211的电路配置相同。

第三驱动器3213可以使用第一输出信号os1和第二输出信号os2生成发射控制信号。

第一驱动器3211输出电压源vdd的电压或时钟信号clk1作为第一输出信号os1。在实施例中,第一驱动器3211包括六个晶体管m11至m16以及两个电容器c11和c12。

电压源vdd被设置成比电压源vss的电压高的电压。例如,电压源vdd可以被设置成晶体管能够被截止的电压,并且电压源vss可以被设置成晶体管能够被导通的电压。

晶体管m15的一端耦接到电压源vdd,并且晶体管m15的另一端耦接到输出端子out1。另外,晶体管m15的栅极端子耦接到节点n11。

晶体管m16的一端耦接到输出端子out1,并且晶体管m16的另一端耦接到输入端子36。另外,晶体管m16的栅极端子耦接到节点n12。输入端子36被供给有时钟信号clk1。

晶体管m14的一端耦接到节点n11,并且晶体管m14的另一端耦接到电压源vss。另外,晶体管m14的栅极端子耦接到输入端子35。输入端子35被供给有时钟信号clk2。

晶体管m13的一端耦接到电压源vdd,并且晶体管m13的另一端耦接到节点n12。另外,晶体管m13的栅极端子耦接到节点n11。

晶体管m12的一端耦接到电压源vdd,并且晶体管m12的另一端耦接到节点n11。另外,晶体管m12的栅极端子耦接到输入端子33。输入端子33被供给有第一启动信号sp1。

晶体管m11的一端耦接到节点n12,并且晶体管m11的另一端耦接到电压源vss。另外,晶体管m11的栅极端子耦接到输入端子33。

电容器c11耦接在晶体管m15的栅极端子与电压源vdd之间。电容器c11充有与晶体管m15的导通或截止对应的电压。

电容器c12耦接在晶体管m16的栅极端子与输出端子out1之间。电容器c12充有与晶体管m16的导通或截止对应的电压。

在实施例中,第二驱动器3212的配置与第一驱动器3211的配置相同,除了第二启动信号sp2被供给到输入端子33'之外。因此,第一驱动器3211和第二驱动器3212共同的描述不再重复。

图7是图示根据实施例的第一驱动器3211的操作过程的图。

参考图6和图7描述操作过程。当以低电平供给第一启动信号sp1时,晶体管m11和晶体管m12被导通。

当晶体管m11被导通时,电压源vss的电压被供给到节点n12。当电压源vss的电压被供给到节点n12时,晶体管m16被导通。当晶体管m16被导通时,输入端子36耦接到输出端子out1。另外,与晶体管m16的导通对应的电压被充在电容器c12中。

在实施例中,当晶体管m12被导通时,电压源vdd的电压被供给到节点n11。当电压源vdd的电压被供给到节点n11时,晶体管m13和晶体管m15被截止。

随后,以高电平供给第一启动信号sp1。当以高电平供给第一启动信号sp1时,晶体管m11和晶体管m12被截止。此时,由于充在电容器c12中的电压,晶体管m16维持导通状态。在晶体管m16维持导通状态的时段期间,时钟信号clk1被供给到输出端子out1。

当时钟信号clk1被供给之后,时钟信号clk2被供给。当时钟信号clk2被供给时,晶体管m14被导通。当晶体管m14被导通时,电压源vss的电压被供给到节点n11。当电压源vss的电压被供给到节点n11时,晶体管m13和晶体管m15被导通。

当晶体管m13被导通时,电压源vdd耦接到节点n12。因此,晶体管m16被截止。当晶体管m15被导通时,电压源vdd耦接到输出端子out1。此时,电容器c11充有与晶体管m15的导通对应的电压。在实施例中,晶体管m15将电压源vdd的电压供给到输出端子out1,直到晶体管m12被下一个第一启动信号sp1导通为止。

如上所述,在第一启动信号sp1被供给之后,第一驱动器3211将下一个时钟信号clk1(低电平)供给到输出端子out1。类似地,当第二启动信号sp2被供给时,第二驱动器3212将下一个时钟信号clk1供给到输出端子out2。因此,分别从第一驱动器3211和第二驱动器3212输出的第一输出信号os1与第二输出信号os2之间的间隔对应于第一启动信号sp1与第二启动信号sp2之间的间隔。

参考图6描述第三驱动器3213的配置。

在第三驱动器3213中,对应于第一输出信号os1和第二输出信号os2,电压源vdd或电压源vss耦接到输出端子out3。在实施例中,第三驱动器3213包括六个晶体管m1至m6以及两个电容器c1和c2。

晶体管m1的一端耦接到电压源vdd,并且晶体管m1的另一端耦接到输出端子out3。另外,晶体管m1的栅极端子耦接到节点n1。

晶体管m2的一端耦接到输出端子out3,并且晶体管m2的另一端耦接到电压源vss。另外,晶体管m2的栅极端子耦接到节点n2。

晶体管m3的一端耦接到电压源vdd,并且晶体管m3的另一端耦接到节点n1。另外,晶体管m3的栅极端子耦接到节点n2。

电容器c1耦接在晶体管m2的栅极端子与输出端子out3之间。电容器c1存储与晶体管m2的导通或截止对应的电压。

电容器c2耦接在晶体管m1的栅极端子与电压源vdd之间。电容器c2充有与晶体管m1的导通或截止对应的电压。

晶体管m5的一端耦接到电压源vdd,并且晶体管m5的另一端耦接到节点n2。另外,晶体管m5的栅极端子耦接到输入端子37。输入端子37被供给有第一输出信号os1。

晶体管m6的一端耦接到节点n2,并且晶体管m6的另一端耦接到电压源vss。另外,晶体管m6的栅极端子耦接到输入端子38。输入端子38被供给有第二输出信号os2。

晶体管m4的一端耦接到节点n1,并且晶体管m4的另一端耦接到电压源vss。另外,晶体管m4的栅极端子耦接到输入端子37。第四晶体管m4与供给到输入端子37的电压对应地导通或截止。

图8是图示根据实施例的第三驱动器3213的操作过程的图。

当具有低电平的第一输出信号os1被供给到输入端子37时,晶体管m4和晶体管m5被导通。此时,由于输入端子38被供给有高电平电压,因此晶体管m6被截止。

当晶体管m5被导通时,电压源vdd的电压被供给到节点n2。在实施例中,耦接到节点n2的晶体管m2和晶体管m3被截止。

当晶体管m4被导通时,电压源vss的电压被供给到节点n1。在实施例中,耦接到节点n1的晶体管m1被导通。当晶体管m1被导通时,电压源vdd的电压被供给到输出端子out3。因此,具有高电平的发射控制信号被供给到耦接到输出端子out3的发射控制线e1。

在实施例中,电容器c2充有与晶体管m1的导通对应的电压,并且电容器c1充有与晶体管m2的截止对应的电压。因此,随着高电平电压被供给到输入端子37,即使当晶体管m4和m5被截止时,电压源vdd的电压被供给到输出端子out3,同时晶体管m1被维持在导通状态,并且晶体管m2被维持在截止状态。

随后,随着具有低电平的第二输出信号os2被供给到输入端子38,晶体管m6被导通。此时,随着高电平电压被供给到输入端子37,晶体管m4和晶体管m5处于截止状态。

当晶体管m6被导通时,电压源vss的电压被供给到节点n2。在实施例中,耦接到节点n2的晶体管m3和晶体管m2被导通。

当晶体管m3被导通时,电压源vdd的电压被供给到节点n1。在实施例中,耦接到节点n1的晶体管m1被截止。当晶体管m2被导通时,电压源vss的电压被供给到输出端子out3。因此,具有低电平的发射控制信号被供给到耦接到输出端子out3的发射控制线e1。

图9是图示根据实施例的包括参考图5讨论的发射控制驱动器的时序控制器的图。

参考图9,和图2一样,时序控制器10包括调光控制器110和信号转换器120'。信号转换器120'被配置成适合于发射控制驱动器30'的配置。

信号转换器120'可以供给具有低电平的第二启动信号sp2,使得发射控制信号的占空比与占空比位流duty[7:0]对应。如上所述,通过控制具有低电平的第一启动信号sp1与具有低电平的第二启动信号sp2之间的间隔,可以控制发射控制信号的占空比。

由调光控制器110执行的对占空比位流duty[7:0]的控制可以具有与参考图2讨论的特征基本相同或类似的特征,并且因此相关描述不再重复。

图10是图示根据实施例的发射控制的图。

参考图10,帧可以基于垂直同步信号vsync被分开。发射控制驱动器30可以以移位寄存器的形式被实现,并且具有与来自第一级321的发射控制信号的脉冲形式基本相同的脉冲形式的发射控制信号可以依次从下一级输出。参考图5至图8描述的发射控制驱动器30'可以是发射控制驱动器30的示例。

参考图10,时序控制器10使用占空比位流duty[7:0]的lsb和msb中的全部来确定占空比。在图10中,lsb集由2'b10(即,b1=1并且b0=0)表示。

由于需要与占空比位流duty[7:0]的所有位有关的信息,因此需要驱动耦接到调光控制器110的相应位信号线的所有晶体管,并且调光控制器110的开关电力没有减少。

图11是图示根据实施例的发射控制的图。

在实施例中,k为2,并且n为4。

参考图11,时序控制器10使用占空比位流duty[7:0]中的(m-k)个msb而不使用k个lsb来确定占空比。也就是说,时序控制器10使用六个msb而不使用两个lsb来确定占空比。

调光控制器110不控制耦接到与两个lsb对应的位信号线的晶体管的开关。在实施例中,与二进制等级0对应的默认电压可以被施加到与lsb对应的位信号线。因此,可以减小时序控制器10中与lsb对应的晶体管的开关控制功耗。

由于时序控制器10不使用lsb,因此与图10中的占空比等效/相等的占空比将仅使用msb来表示。在实施例中,msb可以使用彼此不同的第一占空比位流duty1[7:0]和第二占空比位流duty2[7:0]来表示与图10的占空比相等或近似的占空比。

可以根据第一占空比位流duty1[7:0]对n个帧中的第一组的帧进行发射控制,并且可以根据第二占空比位流duty2[7:0]对n个帧中的第二组的帧进行发射控制。

为了降低开关功耗,第一占空比位流duty1[7:0]和第二占空比位流duty2[7:0]的lsb不被使用,并且因此,每个lsb可以被设置为0。

对于n个帧,如果与图11相关联的总发射时间和总非发射时间等于或接近与图10相关联的总发射时间和总非发射时间,则可以用与图11相关联的配置来表示等于或接近图10的整体占空比的整体占空比。也就是说,当对于图11所示的四个帧来说发射控制晶体管被第一占空比位流duty1[7:0]截止的时间(c*2)与发射控制晶体管被第二占空比位流duty2[7:0]截止的时间(b*2)的总和等于对于图10所示的四个帧来说发射控制晶体管被占空比位流duty[7:0]截止的时间(a*4)时,相同的调光等级可被表示。也就是说,在n个帧期间,占空比位流的平均值的(m-k)个msb可以与第一占空比位流的(m-k)个msb对应,并且调光等级等于或接近图10的调光等级。

在实施例中,第二占空比位流duty2[7:0]可以具有通过向第一占空比位流duty1[7:0]的值增加2k而获得的值。由于占空比位流具有k个lsb,因此即使增加2k(十进制数表示),lsb的值也不改变。在与图11相关联的配置中,由于k为2,因此第二占空比位流duty2[7:0]具有通过向第一占空比位流duty1[7:0]的值增加4(十进制数表示)而获得的值。

在实施例中,第二占空比位流duty2[7:0]可以具有通过向第一占空比位流duty1[7:0]的值增加大于2k的值而获得的值。

在实施例中,第一组的帧和第二组的帧可以按时分交替布置/排列。因此,抖动被实现,并且因此能够提供由对亮度变化敏感的用户流畅地观看的图像。

在实施例中,lsb集为2'b10(即,b1=1并且b0=0),并且对于四个帧,两个第二占空比位流duty2[7:0]和两个第一占空比位流duty1[7:0]可以被提供。

在实施例中,lsb集为2'b11(即,b1=1并且b0=1),并且对于四个帧,三个第二占空比位流duty2[7:0]和一个第一占空比位流duty1[7:0]可以被提供。

在实施例中,lsb集为2'b01(即,b1=0并且b0=1),并且对于四个帧,一个第二占空比位流duty2[7:0]和三个第一占空比位流duty1[7:0]可以被提供。

在实施例中,lsb集为2'b00(即,b1=0并且b0=0),并且对于四个帧,零个第二占空比位流duty2[7:0]和四个第一占空比位流duty1[7:0]可以被提供,并且与图10的配置相关联的占空比位流可以等同于与图11的配置相关联的占空比位流。

作为示例给出参数值k=2,n=4以及m=8。可以根据具体实施例(例如,具体产品和/或操作环境)配置参数值。

在根据实施例的显示设备及其驱动方法中,可以以调光控制器的最小开关功耗表示与目标调光等级类似的调光等级。

在根据实施例的显示设备及其驱动/操作方法中,在低分辨率显示面板中可表示的调光等级的数量可以最大化。

已经描述了示例实施例。尽管使用了特定的术语,但它们以一般和描述性的意义被解释,而不是为了限制的目的。在某些情况下,结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用,或者可以和结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用,除非另有明确说明。在不背离所附权利要求中阐述的精神和范围的情况下,可以对所描述的实施例进行形式和细节上的各种改变。

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