上电控制电路及背光启动电路的制作方法

本实用新型涉及液晶驱动技术领域，特别是涉及一种上电控制电路及背光启动电路。

背景技术：

背光作为一种照明形式，常应用在液晶显示上。传统的应用背光方式的液晶显示器一般使用恒流升压电路进行驱动。

其中，由于低温环境会导致电容容量下降，导致电容等效串联电阻值增大。在使用恒流升压电路在低温启动时，电路存在较大的电流纹波，影响电路的稳定性。传统的消除电流纹波的方式是增大背光电解的容量，但背光电解增大背光电解容量会大幅增加成本。因此，在传统的应用背光方式的液晶显示器中，难以平衡电路成本与电流纹波。

技术实现要素：

基于此，有必要针对在传统的应用背光方式的液晶显示器中，难以平衡电路成本与电流纹波的问题，提供一种上电控制电路及背光启动电路。

一种上电控制电路，包括恒定上电控制模块和温控上电控制模块；

恒定上电控制模块的第一端和温控上电控制模块第一端分别用于连接背光控制芯片的补偿端；

恒定上电控制模块的第二端和温控上电控制模块第二端均用于连接基准信号源；

温控上电控制模块用于在环境温度小于预设温度值时，降低背光控制模块的补偿端的上电速度。

在其中一个实施例中，恒定上电控制模块包括第一充电模块；

第一充电模块串联在第一支路中；第一支路为背光控制模块的补偿端、恒定上电控制模块与基准信号源所构成的支路。

在其中一个实施例中，恒定上电控制模块还包括限流模块；

限流模块串联在第一支路中。

在其中一个实施例中，第一充电模块包括第一电容；

第一电容串联在第一支路中。

在其中一个实施例中，温控上电控制模块包括热敏模块和第二充电模块；

热敏模块与第二充电模块均串联在第二支路中；第二支路为背光控制模块的补偿端、温控上电控制模块与基准信号源所构成的支路。

在其中一个实施例中，热敏模块包括热敏电阻；

热敏电阻串联在第二支路中。

在其中一个实施例中，热敏电阻为正温度系数的热敏电阻。

在其中一个实施例中，热敏模块包括温控开关；

温控开关串联在第二支路中；其中，温控开关在环境温度小于预设温度值时导通，否则关断。

在其中一个实施例中，第二充电模块包括第二电容；

第二电容串联在第二支路中。

一种背光启动电路，包括背光控制芯片和上述的上电控制电路；

恒定上电控制模块的第一端和温控上电控制模块第一端分别连接背光控制芯片的补偿端；

恒定上电控制模块的第二端和温控上电控制模块第二端均用于连接基准信号源；

背光控制芯片的门控制端和过压保护端分别用于连接背光恒流电路；

温控上电控制模块用于在环境温度小于预设温度值时，降低背光控制芯片的补偿端的上电速度。

上述的上电控制电路及背光启动电路，在环境温度小于预设温度值时，通过温控上电控制模块降低背光控制芯片的补偿端的上电速度，以使背光电压电流缓慢上升，降低背光纹波电流；在环境温度大于预设温度值时，温控上电控制模块不进行上电控制，恒定上电控制模块为背光控制芯片的补偿端提供稳定快速的上电控制。基于此，无需增大背光电解的容量即可降低低温时的背光纹波电流，有效地平衡成本与电路稳定性。

附图说明

图1为上电控制电路模块结构图；

图2为一实施方式的恒定上电控制模块结构图；

图3为一具体应用例的上电控制电路图；

图4为另一实施方式的恒定上电控制模块结构图；

图5为一实施方式的温控上电控制模块结构图；

图6为另一具体应用例的上电控制电路图；

图7为背光启动电路模块结构图。

具体实施方式

为了更好地理解本实用新型的目的、技术方案以及技术效果，以下结合附图和实施例对本实用新型进行进一步的讲解说明。同时声明，以下所描述的实施例仅用于解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

本实用新型提供一种上电控制电路；

图1为上电控制电路模块结构图，如图1所示，上电控制电路包括恒定上电控制模块100和温控上电控制模块101；

恒定上电控制模块100的第一端和温控上电控制模块101第一端分别用于连接背光控制芯片的补偿端COMP；

恒定上电控制模块100的第二端和温控上电控制模块101第二端均用于连接基准信号源；

恒定上电控制模块100的第一端和温控上电控制模块101的第一端均连接背光控制芯片的补偿端COMP。其中，恒定上电控制模块100在工作时用于对补偿端COMP提供稳定快速的上电控制。温控上电控制模块101在工作时则降低补偿端COMP的上电速度。在其中一种实施方式中，温控上电控制模块101在工作后取代恒定上电控制模块100，控制补偿端COMP进行缓慢的上电，以此降低上电速度。

其中，在上电后基准电压源与补偿端COMP存在电位差，且基准电压源的电位低于补偿端COMP的电位。一般地，基准电压源为接地端。

图2为一实施方式的恒定上电控制模块结构图，如图2所示，恒定上电控制模块包括第一充电模块200；

第一充电模块200串联在第一支路中；第一支路为背光控制模块的补偿端 COMP、恒定上电控制模块100与基准信号源所构成的支路。

其中，在上电时，补偿端COMP的电位升高，与基准电压源存在电位差。此时第一充电模块200快速充电至稳定，使补偿端COMP的电位达到一个稳定值，完成上电。

图3为一具体应用例的上电控制电路图，如图3所示，第一充电模块200 包括第一电容C1；第一电容C1串联在第一支路中。

在上电时，补偿端COMP的电位升高，与基准电压源存在电位差。通过该电位差为第一电容C1充电，使补偿端COMP的电位达到一个稳定值，完成上电。

在其中一种实施方式中，第一电容C1为第一极性电容；第一极性电容的正极连接补偿端COMP，负极连接基准电压源。通过极性电容，提高补偿端COMP电位的稳定性。

图4为另一实施方式的恒定上电控制模块结构图，如图4所示，恒定上电控制模块100还包括限流模块300；

限流模块300串联在第一支路中。

通过限流模块300限制补偿端COMP对第一充电模块200的充电电流，提高充电电路的稳定性。

在其中一种实施方式，如图3所示，限流模块300包括限流电阻R1。

温控上电控制模块101用于在环境温度小于预设温度值时，降低的上电速度。

图5为一实施方式的温控上电控制模块结构图，如图5所示，温控上电控制模块101包括热敏模块400和第二充电模块401；

热敏模块400与第二充电模块401均串联在第二支路中；第二支路为背光控制模块的补偿端COMP、温控上电控制模块101与基准信号源所构成的支路。

在上电时，上电补偿端COMP的电位升高，与基准电压源存在电位差。热敏模块400在环境温度低于预设温度值时使第二充电模块401工作，以使该电位差为第二充电模块401充电，使补偿端COMP的电位达到一个稳定值，完成上电。其中，第二充电模块401的充电速度缓慢，以降低补偿端COMP的上电速度。

其中，环境温度为上电控制电路的工作环境温度。

在其中一个实施例中，如图3所示，热敏模块400包括热敏电阻PTC；

热敏电阻PTC串联在第二支路中。

在环境温度低于预设温度值时，热敏电阻PTC阻值较小，使得热敏电阻PTC 对第二充电模块401的影响较小，第二充电模块401处于工作状态。其中，由于补偿端COMP同时对第一充电模块200和第二充电模块401充电，第二充电模块401的充电速度缓慢使得补偿端COMP电位上升缓慢。

在其中一个实施例中，如图3所示，第二充电模块401包括第二电容C2；

第二电容C2串联在第二支路中。

其中，第二电容C2的电容值远大于第一电容C1。在其中一个较优的实施方式中，第二电容C2的电容值比第一电容C1大两个数量级。

在其中一种实施方式中，第二电容C2为第二极性电容；第二极性电容的正极连接补偿端COMP，负极连接基准电压源。通过极性电容，提高补偿端COMP电位的稳定性。

在其中一个实施例中，图6为另一具体应用例的上电控制电路图，如图6 所示，热敏模块400包括温控开关K1；温控开关K1串联在第二支路中；其中，温控开关K1在环境温度小于预设温度值时导通，否则关断。

在上电时，上电补偿端COMP的电位升高，与基准电压源存在电位差。温控开关在环境温度低于预设温度值时导通，使第二充电模块401接通充电，以使该电位差为第二充电模块401充电，使补偿端COMP的电位达到一个稳定值，完成上电。其中，第二充电模块401的充电速度缓慢，以降低补偿端COMP的上电速度。在环境温度大于预设温度值时，温控开关K1断开，第二充电概念模块401 断开充电回路。

本实用新型还提供一种背光启动电路：

图7为背光启动电路模块结构图，如图7所示，背光启动电路包括背光控制芯片500和上述任一实施例的上电控制电路；

恒定上电控制模块100的第一端和温控上电控制模块101第一端分别连接背光控制芯片500的补偿端COMP；

恒定上电控制模块100的第二端和温控上电控制模块101第二端均用于连接基准信号源；

背光控制芯片500的门控制端GATE和过压保护端OVP分别用于连接背光恒流电路；

温控上电控制模块101用于在环境温度小于预设温度值时，降低背光控制芯片500的补偿端COMP的上电速度。

上述的上电控制电路及背光启动电路，在环境温度小于预设温度值时，通过温控上电控制模块101降低背光控制芯片的补偿端的上电速度，以使背光电压电流缓慢上升，降低背光纹波电流；在环境温度大于预设温度值时，温控上电控制模块101不进行上电控制，恒定上电控制模块100为背光控制芯片的补偿端提供稳定快速的上电控制。基于此，无需增大背光电解的容量即可降低低温时的背光纹波电流，有效地平衡成本与电路稳定性。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。