显示面板及其制作方法、显示装置与流程

1.本公开涉及显示技术领域，特别是指一种显示面板及其制作方法、显示装置。


背景技术：

2.相关技术中，在显示产品上设置有对环境光进行检测的光感传感器，光感传感器一般位于屏幕上方，在利用光感传感器对环境光进行检测后，可以得到显示产品所处环境的环境光亮度，进而可以根据环境光亮度完成显示产品的屏幕亮度的自动调节，给用户带来最佳视觉效果。


技术实现要素：

3.本公开要解决的技术问题是提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，能够在显示面板上集成感光薄膜晶体管结构，对环境光进行检测。
4.为解决上述技术问题，本公开的实施例提供技术方案如下：
5.一方面，提供一种显示面板，包括一显示基板，所述显示基板包括衬底基板，所述衬底基板具有显示区域和周边区域，所述周边区域设置有感光薄膜晶体管结构，所述感光薄膜晶体管结构包括基准薄膜晶体管单元和感光薄膜晶体管单元，所述基准薄膜晶体管单元包括多个基准薄膜晶体管，所述感光薄膜晶体管单元包括多个感光薄膜晶体管；
6.在所述感光薄膜晶体管结构靠近所述显示面板的显示侧的一侧设置有遮光层，其中，所述基准薄膜晶体管在所述衬底基板上的正投影位于所述遮光层在所述衬底基板上的正投影内，所述感光薄膜晶体管的沟道区在所述衬底基板上的至少部分正投影与所述遮光层在所述衬底基板上的正投影不重叠；
7.所述基准薄膜晶体管与所述感光薄膜晶体管的第一极均与所述感光薄膜晶体管结构的信号输入端连接；所述基准薄膜晶体管的第二极均与所述感光薄膜晶体管结构的第二信号线连接；所述感光薄膜晶体管的第二极均与所述感光薄膜晶体管结构的第三信号线连接；所述基准薄膜晶体管的栅极均与所述感光薄膜晶体管结构的第一控制端连接，所述感光薄膜晶体管的栅极均与所述感光薄膜晶体管结构的第二控制端连接。
8.一些实施例中，所述周边区域包括分别位于所述显示区域相对两侧的第一周边区域和第二周边区域，所述第二周边区域用以绑定电路板，所述感光薄膜晶体管结构设置在所述第一周边区域靠近所述显示区域的位置。
9.一些实施例中，还包括：
10.位于所述基准薄膜晶体管远离所述显示面板的显示侧的第一遮光图形，所述基准薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影位于所述第一遮光图形在所述衬底基板上的正投影内；
11.位于所述感光薄膜晶体管远离所述显示面板的显示侧的第二遮光图形，所述感光薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影位于所述第二遮光图形在所述衬底基板上的正投影内。
12.一些实施例中，所述第一遮光图形与所述基准薄膜晶体管的栅极位于同一层且采用相同的材料；
13.所述第二遮光图形与所述感光薄膜晶体管的栅极位于同一层且采用相同的材料。
14.一些实施例中，所述基准薄膜晶体管单元包括n个基准薄膜晶体管；
15.所述感光薄膜晶体管单元包括n个感光薄膜晶体管，n为大于100的整数。
16.一些实施例中，所述感光薄膜晶体管沟道区的宽长比小于等于5/4。
17.一些实施例中，所述显示区域设置有显示用薄膜晶体管，
18.所述基准薄膜晶体管的栅极、所述感光薄膜晶体管的栅极与所述显示用薄膜晶体管的栅极位于同一层且采用相同的材料；和/或
19.所述基准薄膜晶体管的第一极、所述感光薄膜晶体管的第一极与所述显示用薄膜晶体管的第一极位于同一层且采用相同的材料；和/或
20.所述基准薄膜晶体管的第二极、所述感光薄膜晶体管的第二极与所述显示用薄膜晶体管的第二极位于同一层且采用相同的材料。
21.一些实施例中，所述周边区域包括第一周边区域和第二周边区域，所述第一周边区域和所述第二周边区域分别位于所述显示区域的相对的两侧，所述感光薄膜晶体管结构位于所述第一周边区域，所述第一周边区域设置有第三连接线，所述第二周边区域设置有第一端子，
22.所述基准薄膜晶体管的栅极和所述感光薄膜晶体管的栅极均与所述第三连接线连接，所述第三连接线通过过孔与异层的第三走线连接，所述第三走线通过过孔与异层的第五连接线连接，所述第五连接线延伸至所述第二周边区域与所述第一端子连接，所述第一端子被配置为向所述基准薄膜晶体管的栅极和所述感光薄膜晶体管的栅极输入控制信号。
23.一些实施例中，所述基准薄膜晶体管的栅极与所述第一遮光图形为一体结构，整体呈沿行方向延伸的长条状；
24.所述感光薄膜晶体管的栅极与所述第二遮光图形为一体结构，整体呈沿行方向延伸的长条状；
25.所述第一遮光图形与所述第二遮光图形连接，所述第三连接线与所述第一遮光图形和所述第二遮光图形为同层的一体结构；
26.所述第三连接线的线宽小于所述第一遮光图形和所述第二遮光图形的线宽。
27.一些实施例中，所述周边区域包括第一周边区域和第二周边区域，所述第一周边区域和所述第二周边区域分别位于所述显示区域的相对的两侧，所述感光薄膜晶体管结构位于所述第一周边区域，所述周边区域设置有第二连接线和第四连接线，所述第二周边区域设置有第二端子和第四端子；
28.其中，所述第四连接线与所述第二信号线连接，且与所述第二端子连接；
29.所述第二连接线与所述第三信号线连接，且与所述第四端子连接。
30.一些实施例中，所述第四连接线与所述第二连接线分别位于所述显示区域的两侧。
31.本公开的实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示面板。
32.一些实施例中，还包括：
33.信号输入单元，用于向所述信号输入端输入直流电信号或方波信号；
34.控制单元，用于向所述第一控制端和所述第二控制端分别输入开启信号；
35.电流检测单元，用于分别检测所述第二信号线的第一电流和所述第三信号线的第二电流；
36.处理单元，用于根据所述第一电流和所述第二电流的值确定环境光的强度。
37.一些实施例中，所述开启信号为方波信号。
38.一些实施例中，所述方波信号的一个周期分为两个时间段，其中一个时间段为高电平，另外一个时间段为低电平，所述两个时间段在一个周期内的占比均为50％，所述开启信号的频率与显示画面的刷新频率一致。
39.一些实施例中，所述信号输入单元向所述信号输入端输入方波信号，输入的所述方波信号的频率与所述开启信号的频率一致。
40.本公开的实施例还提供了一种显示面板的制作方法，所述显示面板包括一显示基板，所述显示基板包括衬底基板，所述衬底基板具有显示区域和周边区域，所述制作方法包括：
41.在所述周边区域形成感光薄膜晶体管结构，所述感光薄膜晶体管结构包括基准薄膜晶体管单元和感光薄膜晶体管单元，所述基准薄膜晶体管单元包括多个基准薄膜晶体管，所述感光薄膜晶体管单元包括多个感光薄膜晶体管；
42.在所述感光薄膜晶体管结构靠近所述显示面板的显示侧的一侧形成遮光层，其中，所述基准薄膜晶体管在所述衬底基板上的正投影位于所述遮光层在所述显示衬底上的正投影内，所述感光薄膜晶体管的沟道区在所述衬底基板上的至少部分正投影与所述遮光层在所述衬底基板上的正投影不重叠；
43.所述基准薄膜晶体管与所述感光薄膜晶体管的第一极均与所述感光薄膜晶体管结构的信号输入端连接；所述基准薄膜晶体管的第二极均与所述感光薄膜晶体管结构的第二信号线连接；所述感光薄膜晶体管的第二极均与所述感光薄膜晶体管结构的第三信号线连接；所述基准薄膜晶体管的栅极均与所述感光薄膜晶体管结构的第一控制端连接，所述感光薄膜晶体管的栅极均与所述感光薄膜晶体管结构的第二控制端连接。
44.一些实施例中，所述周边区域包括分别位于所述显示区域相对两侧的第一周边区域和第二周边区域，形成所述感光薄膜晶体管结构包括：
45.在所述第一周边区域靠近所述显示区域的位置形成所述感光薄膜晶体管结构。
46.一些实施例中，还包括：
47.形成位于所述基准薄膜晶体管远离所述显示面板的显示侧的第一遮光图形，所述基准薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影位于所述第一遮光图形在所述衬底基板上的正投影内；
48.形成位于所述感光薄膜晶体管远离所述显示面板的显示侧的第二遮光图形，所述感光薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影位于所述第二遮光图形在所述衬底基板上的正投影内。
49.一些实施例中，通过一次构图工艺形成所述第一遮光图形与所述基准薄膜晶体管的栅极；
50.通过一次构图工艺形成所述第二遮光图形与所述感光薄膜晶体管的栅极。
51.一些实施例中，所述显示区域设置有显示用薄膜晶体管，所述制作方法包括：
52.通过一次构图工艺形成所述基准薄膜晶体管的栅极、所述感光薄膜晶体管的栅极与所述显示用薄膜晶体管的栅极；
53.通过一次构图工艺形成所述基准薄膜晶体管的第一极、所述感光薄膜晶体管的第一极与所述显示用薄膜晶体管的第一极；
54.通过一次构图工艺形成所述基准薄膜晶体管的第二极、所述感光薄膜晶体管的第二极与所述显示用薄膜晶体管的第二极。
附图说明
55.图1为显示面板的区域示意图；
56.图2a和图2b为本公开实施例感光薄膜晶体管结构的示意图；
57.图2c为本公开实施例的显示面板的布线示意图；
58.图3为本公开实施例感光薄膜晶体管结构的电路示意图；
59.图4和图6为本公开实施例显示面板在图2a和图2b中cc’方向的截面示意图；
60.图5和图7为本公开实施例显示面板在图2a和图2b中dd’方向的截面示意图；
61.图8为本公开实施例各信号的示意图；
62.图9为本公开实施例对第二信号线和第三信号线输出的电信号进行检测的电路示意图。
63.附图标记
64.12 基准薄膜晶体管的栅极
65.14 感光薄膜晶体管的栅极
66.15、16 遮光图形
67.21 基准薄膜晶体管的有源层
68.22 感光薄膜晶体管的有源层
69.31 第一信号线
70.32 基准薄膜晶体管的源极
71.33 基准薄膜晶体管的漏极
72.34 感光薄膜晶体管的源极
73.35 感光薄膜晶体管的漏极
74.i1 第二信号线
75.i2 第三信号线
76.g1 第一控制端
77.g2 第二控制端
78.s 信号输入端
79.4 衬底基板
80.5 黑矩阵
81.6 衬底基板
82.7 栅绝缘层
83.8 层间绝缘层
84.9 钝化层
85.10 遮光层
86.sd1 第一走线
87.sd2 第二走线
88.sd3 第三走线
89.sd4 第四走线
90.g11 第一连接线
91.g12 第二连接线
92.g13 第三连接线
93.g14 第四连接线
94.g15 第五连接线
95.d1 第一端子
96.d2 第二端子
97.d3 第三端子
98.d4 第四端子
具体实施方式
99.为使本公开的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
100.本公开的实施例提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，能够在显示面板上集成感光薄膜晶体管结构，对环境光进行检测。
101.本公开的实施例提供一种显示面板，包括一显示基板，所述显示基板包括衬底基板，所述衬底基板具有显示区域和周边区域，显示区域包括阵列排布的多个像素单元，多个像素单元按照行方向和列方向进行排布，所述周边区域设置有感光薄膜晶体管结构，所述感光薄膜晶体管结构包括基准薄膜晶体管单元和感光薄膜晶体管单元，所述基准薄膜晶体管单元包括多个基准薄膜晶体管，所述感光薄膜晶体管单元包括多个感光薄膜晶体管；
102.在所述感光薄膜晶体管结构靠近所述显示面板的显示侧的一侧设置有遮光层，其中，所述基准薄膜晶体管在所述衬底基板上的正投影位于所述遮光层在所述衬底基板上的正投影内，所述感光薄膜晶体管的沟道区在所述衬底基板上的至少部分正投影与所述遮光层在所述衬底基板上的正投影不重叠；
103.所述基准薄膜晶体管与所述感光薄膜晶体管的第一极均与所述感光薄膜晶体管结构的信号输入端连接；所述基准薄膜晶体管的第二极均与所述感光薄膜晶体管结构的第二信号线连接；所述感光薄膜晶体管的第二极均与所述感光薄膜晶体管结构的第三信号线连接；所述基准薄膜晶体管的栅极均与所述感光薄膜晶体管结构的第一控制端连接，所述感光薄膜晶体管的栅极均与所述感光薄膜晶体管结构的第二控制端连接。
104.本实施例中，显示面板的周边区域设置有感光薄膜晶体管结构，感光薄膜晶体管结构包括基准薄膜晶体管单元和感光薄膜晶体管单元，基准薄膜晶体管单元包括多个基准薄膜晶体管，感光薄膜晶体管单元包括多个感光薄膜晶体管，在基准薄膜晶体管远离显示面板的衬底基板一侧设置有对基准薄膜晶体管进行遮挡的遮光层，这样基准薄膜晶体管不
会受到环境光的影响；感光薄膜晶体管的至少部分沟道区未被遮光层遮挡，感光薄膜晶体管能够接收到外界光照；其中，基准薄膜晶体管与感光薄膜晶体管的第一极均与感光薄膜晶体管结构的信号输入端连接；基准薄膜晶体管的第二极均与感光薄膜晶体管结构的第二信号线连接；感光薄膜晶体管的第二极均与感光薄膜晶体管结构的第三信号线连接；基准薄膜晶体管的栅极均与感光薄膜晶体管结构的第一控制端连接，感光薄膜晶体管的栅极均与感光薄膜晶体管结构的第二控制端连接。在进行环境光检测时，向信号输入端输入电信号，通过检测第二信号线和第三信号线的电流，对第二信号线和第三信号线的电流进行比对，可以得到环境光对感光薄膜晶体管的影响，进而可以计算出环境光的亮度。本实施例在显示面板上集成感光薄膜晶体管结构，取代在显示装置上额外设置的光感传感器，在降低显示装置的成本的同时，还能够节省光感传感器占用的空间，增加显示装置的产品竞争力。
105.在利用感光薄膜晶体管对环境光进行检测时，是利用感光薄膜晶体管的沟道区域来检测光线，其中，有源层包括源极区、漏极区以及位于源极区和漏极区之间的沟道区域，源极区为有源层与源极接触的区域，漏极区为有源层与漏极接触的区域，沟道区域对应源极和漏极之间的间隙，为源极区和漏极区之间的部分。因此，至少需要去除沟道区域的靠近显示侧的遮光层以暴露出感光薄膜晶体管的沟道区域。
106.本实施例中，感光薄膜晶体管结构包括基准薄膜晶体管单元和感光薄膜晶体管单元，基准薄膜晶体管单元的基准薄膜晶体管被遮光层遮挡，这样将直流电信号输入基准薄膜晶体管单元，从第二信号线检测到的电流可以作为基准电流；感光薄膜晶体管单元的感光薄膜晶体管的沟道区未被遮光层遮挡，当环境光照射到感光薄膜晶体管单元时，感光薄膜晶体管单元的特性会受到环境光的影响，第三信号线输出的电流会发生变化，将从第三信号线检测到的电流与基准电流进行比对，可以确定环境光对感光薄膜晶体管的影响，从而能够得到环境光的亮度。为了保证检测的精度，感光薄膜晶体管和基准薄膜晶体管的参数应保持一致，感光薄膜晶体管和基准薄膜晶体管的各组成部分(包括栅极、第一极、第二极、有源层)采用相同的材料并且具有相同的尺寸。
107.为了不影响显示面板的显示，感光薄膜晶体管结构设置在显示面板的周边区域。如图1所示，所述周边区域包括分别位于所述显示区域s1相对两侧的第一周边区域s2和第二周边区域s3，所述第二周边区域s3用以绑定电路板，所述感光薄膜晶体管结构设置在所述第一周边区域s2靠近所述显示区域的位置。
108.因为在显示面板应用于显示产品比如手持移动终端时，在用户使用显示产品时，用户不会遮挡显示区域s1上方的第一周边区域s2，因此将感光薄膜晶体管结构设置在所述第一周边区域s2，可以使得感光薄膜晶体管结构接收到环境光，从而进行环境光的检测。另外，第二周边区域s3用以绑定电路板，用于传输显示信号的信号线从第二周边区域s3延伸至显示区域s1，而不会延伸至第一周边区域s2，这样将感光薄膜晶体管结构设置在第一周边区域s2，与信号线不会有发生耦合的风险，感光薄膜晶体管结构的设置不会影响信号线上的信号，进而不会对显示造成影响；另外，信号线上传输的信号也不会影响感光薄膜晶体管结构的检测结果，能够保证感光薄膜晶体管结构的检测结果的准确性。一些实施例中，信号线例如可以是数据信号线。
109.如果将感光薄膜晶体管结构设置在第二周边区域s3，一方面使用显示产品时，用户身体会遮挡部分环境光，导致感光薄膜晶体管结构接收到的环境光与实际的环境光不一
致；另一方面，第二周边区域s3存在信号线，将感光薄膜晶体管结构设置在第一周边区域s2，存在与信号线发生耦合的风险，进一步影响了检测结果的准确性。
110.在制作基准薄膜晶体管和感光薄膜晶体管时，由于工艺的限制，难免出现个体差异，为了降低个体差异对检测结果的影响，可以制作多个基准薄膜晶体管组成基准薄膜晶体管单元，制作多个感光薄膜晶体管组成感光薄膜晶体管单元，感光薄膜晶体管单元包括的感光薄膜晶体管的数量与基准薄膜晶体管单元包括的基准薄膜晶体管的数量一致。具体地，所述基准薄膜晶体管单元可以包括大于100个基准薄膜晶体管，比如300个基准薄膜晶体管；所述感光薄膜晶体管单元可以包括大于100个感光薄膜晶体管，比如300个感光薄膜晶体管，这样可以降低薄膜晶体管个体差异对检测结果的影响。
111.由于基准薄膜晶体管单元包括数百个基准薄膜晶体管，感光薄膜晶体管单元包括数百个感光薄膜晶体管，因此，整个感光薄膜晶体管结构需要在显示面板上占据一定的面积，一些实施例中，感光薄膜晶体管结构在列方向上的宽度可以为5um，在行方向上的长度可以为15mm。
112.另外，感光薄膜晶体管结构与显示区域边缘的最小距离可以为3～5um，需考虑工艺极限，给tft电路预留空间。
113.基准薄膜晶体管单元可以包括成多行多列排布的多个基准薄膜晶体管，感光薄膜晶体管单元可以包括成多行多列排布的多个感光薄膜晶体管，为了方便制作基准薄膜晶体管和感光薄膜晶体管，基准薄膜晶体管和感光薄膜晶体管在衬底基板上的正投影不重叠，基准薄膜晶体管和感光薄膜晶体管可以位于同一层，即基准薄膜晶体管的有源层与感光薄膜晶体管的有源层位于同一层，基准薄膜晶体管的源极和漏极与感光薄膜晶体管的源极和漏极位于同一层，基准薄膜晶体管的栅极与感光薄膜晶体管的栅极位于同一层，基准薄膜晶体管的栅绝缘层与感光薄膜晶体管的栅绝缘层位于同一层，这样可以通过一次构图工艺制作基准薄膜晶体管的有源层与感光薄膜晶体管的有源层，通过一次构图工艺制作基准薄膜晶体管的源极和漏极与感光薄膜晶体管的源极和漏极，通过一次构图工艺基准薄膜晶体管的栅极与感光薄膜晶体管的栅极，通过一次构图工艺制作基准薄膜晶体管的栅绝缘层与感光薄膜晶体管的栅绝缘层，一方面可以节省构图工艺的次数，另一方面基准薄膜晶体管和感光薄膜晶体管除对环境光的接收不同之外，其他受光条件一致性较高，能够提高检测精度。
114.基准薄膜晶体管和感光薄膜晶体管可以在行方向上或列方向上对齐，比如，基准薄膜晶体管单元包括十行十列的基准薄膜晶体管，感光薄膜晶体管单元包括十行十列的感光薄膜晶体管，则基准薄膜晶体管单元的第k行基准薄膜晶体管与感光薄膜晶体管单元的第k行感光薄膜晶体管位于同一直线上，或者，基准薄膜晶体管单元的第j列基准薄膜晶体管与感光薄膜晶体管单元的第j列感光薄膜晶体管位于同一直线上，k，j为大于0小于等于10的整数。基准薄膜晶体管单元包括的基准薄膜晶体管的行数和列数可以与感光薄膜晶体管单元包括的感光薄膜晶体管的行数和列数相同，也可以与感光薄膜晶体管单元包括的感光薄膜晶体管的行数和列数不同。需要说明的是，所述行方向可以与多个像素单元的行方向一致，所述列方向可以与多个像素单元的列方向一致。
115.基准薄膜晶体管单元与感光薄膜晶体管单元可以相对于显示面板的轴线(比如显示面板在列方向上的中轴线)对称，也可以不相对于显示面板的轴线对称，只要保证感光薄
膜晶体管单元能够接收到外界光照即可。
116.对于设置有背光源的显示面板，为了避免薄膜晶体管受到背光源光照的影响，显示面板还包括：
117.位于所述基准薄膜晶体管远离所述显示面板的显示侧的第一遮光图形，所述基准薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影位于所述第一遮光图形在所述衬底基板上的正投影内；
118.位于所述感光薄膜晶体管远离所述显示面板的显示侧的第二遮光图形，所述感光薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影位于所述第二遮光图形在所述衬底基板上的正投影内。
119.在感光薄膜晶体管和基准薄膜晶体管位于显示面板的靠近显示侧的一侧时，第一遮光图形位于基准薄膜晶体管朝向衬底基板的一侧，第二遮光图形位于感光薄膜晶体管朝向衬底基板的一侧；在感光薄膜晶体管和基准薄膜晶体管位于显示面板的远离显示侧的一侧时，第一遮光图形位于基准薄膜晶体管远离衬底基板的一侧，第二遮光图形位于感光薄膜晶体管远离衬底基板的一侧。
120.这样通过第一遮光图形可以避免背光源的光线照射到基准薄膜晶体管上，通过第二遮光图形可以避免背光源的光线照射到感光薄膜晶体管上。可以额外增加一个膜层来制作第一遮光图形和第二遮光图形，也可以利用感光薄膜晶体管结构本身的膜层来制作第一遮光图形和第二遮光图形，这样能够简化感光薄膜晶体管结构和制作流程。
121.第一遮光图形可以与第二遮光图形相互独立，也可以形成为一体结构。第一遮光图形和第二遮光图形为整块的图形，以对背光源的光线进行遮挡。
122.一些实施例中，在基准薄膜晶体管的栅极位于有源层与衬底基板之间时，所述第一遮光图形可以与所述基准薄膜晶体管的栅极位于同一层且采用相同的材料，基准薄膜晶体管的栅极一般采用不透光的金属制作，可以起到遮光作用；在感光薄膜晶体管的栅极位于有源层与衬底基板之间时，所述第二遮光图形可以与所述感光薄膜晶体管的栅极位于同一层且采用相同的材料，感光薄膜晶体管的栅极一般采用不透光的金属制作，可以起到遮光作用。这样无需专门增加一个膜层制作第一遮光图形和第二遮光图形。在第一遮光图形与所述基准薄膜晶体管的栅极位于同一层且采用相同的材料时，第一遮光图形为导电且不透光的材料，第一遮光图形与基准薄膜晶体管的栅极为一体结构，该一体结构既作为基准薄膜晶体管的栅极来控制基准薄膜晶体管的截止与导通，同时又作为第一遮光图形对位于基准薄膜晶体管远离显示面板的显示侧的一侧的光线进行遮挡，例如，可以避免背光源的光线照射到基准薄膜晶体管上；在第二遮光图形与所述感光薄膜晶体管的栅极位于同一层且采用相同的材料时，第二遮光图形为导电材料且不透光，第二遮光图形与感光薄膜晶体管的栅极为一体结构，该一体结构既作为感光薄膜晶体管的栅极来控制感光薄膜晶体管的截止与导通，同时又作为第二遮光图形对位于感光薄膜晶体管远离显示面板的显示侧的一侧的光线进行遮挡，例如，可以避免背光源的光线照射到感光薄膜晶体管上。
123.第一遮光图形和第二遮光图形的尺寸可以根据需要进行设计，只要保证基准薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影位于所述第一遮光图形在所述衬底基板上的正投影内，感光薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影位于所述第二遮光图形在所述衬底基板上的正投影内即可。进一步的，第一遮光图形在所述衬底基板上的正投影区
域面积大于基准薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影区域面积，第二遮光图形在所述衬底基板上的正投影区域面积大于感光薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影区域面积，从而避免光线从感光薄膜晶体管结构远离显示面板的显示侧的一侧，斜向照射至感光薄膜晶体管的有源层和基准薄膜晶体管的有源层，以实现对感光薄膜晶体管结构的有效遮挡。
124.相关技术的显示产品中，显示面板的周边区域未设置感光薄膜晶体管结构，在周边区域或显示面板的彩膜基板或封装盖板会形成遮光层以对周边区域的线路进行遮挡，本实施例的技术方案中，由于感光薄膜晶体管单元需要接收外界光线，因此需要去除感光薄膜晶体管的靠近显示侧的至少部分遮光层，这样可以将感光薄膜晶体管单元的感光薄膜晶体管的沟道区暴露出来，由于感光薄膜晶体管单元的膜层比如栅极、源极、漏极采用金属制作，如果去除的遮光层过多，会存在反光引起的亮线问题。
125.一些实施例中，遮光层位于显示基板上，并且位于感光薄膜晶体管朝向显示面板显示侧的一侧，则需要对遮光层进行局部去除，以使得环境光能够照射到感光薄膜晶体管单元；一些实施例中，遮光层位于显示基板的对向基板上，且对向基板位于显示基板的显示侧，则需要对遮光层进行局部去除，以使得环境光能够照射到感光薄膜晶体管单元；一些实施例中，遮光层包括设置在显示基板上的第一遮光层，还包括设置在对向基板上的第二遮光层，并且第一遮光层与第二遮光层均位于感光薄膜晶体管朝向显示面板显示侧的一侧，此时需要对第一遮光层和第二遮光层均进行局部去除，以使得环境光能够照射到感光薄膜晶体管单元。
126.本实施例中，可以将感光薄膜晶体管沟道区域的宽长比设计为小于等于5/4，如图2a和图2b所示，感光薄膜晶体管的有源层22的沟道区域在行方向上的尺寸为沟道区域的长，感光薄膜晶体管的有源层22的沟道区域在列方向上的尺寸为沟道区域的宽，其中，感光薄膜晶体管的有源层22的沟道区域为有源层22对应源极34和漏极35之间间隙的部分。感光薄膜晶体管单元包括的多个感光薄膜晶体管可以位于同一行，这样可以使得感光薄膜晶体管单元沟道区域在列方向上的宽度仅为5um或者更小，远小于像素的宽度30um，这样周边区域未设置遮光层的部分，即遮光层的开口仅为一狭缝，不会出现因反光引起的亮线问题。需要说明的是，所述行方向可以与多个像素单元的行方向一致，所述列方向可以与多个像素单元的列方向一致。
127.在显示面板的显示区域设置有显示用薄膜晶体管，包括驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管等，所述基准薄膜晶体管的栅极、所述感光薄膜晶体管的栅极与所述显示用薄膜晶体管的栅极位于同一层且采用相同的材料；和/或，所述基准薄膜晶体管的第一极、所述感光薄膜晶体管的第一极与所述显示用薄膜晶体管的第一极位于同一层且采用相同的材料；和/或，所述基准薄膜晶体管的第二极、所述感光薄膜晶体管的第二极与所述显示用薄膜晶体管的第二极位于同一层且采用相同的材料。
128.其中，第一极可以为源极和漏极中的一个，第二极为源极和漏极中的另一个。
129.若所述基准薄膜晶体管的栅极、所述感光薄膜晶体管的栅极与所述显示用薄膜晶体管的栅极位于同一层且采用相同的材料，所述基准薄膜晶体管的第一极、所述感光薄膜晶体管的第一极与所述显示用薄膜晶体管的第一极位于同一层且采用相同的材料，所述基准薄膜晶体管的第二极、所述感光薄膜晶体管的第二极与所述显示用薄膜晶体管的第二极
位于同一层且采用相同的材料，这样可以在制作显示用薄膜晶体管的栅极的同时可以制作所述基准薄膜晶体管的栅极、所述感光薄膜晶体管的栅极，在制作显示用薄膜晶体管的第一极的同时可以制作基准薄膜晶体管的第一极、所述感光薄膜晶体管的第一极，在制作显示用薄膜晶体管的第二极的同时可以制作基准薄膜晶体管的第二极、所述感光薄膜晶体管的第二极，从而可以简化显示面板的制程，降低显示面板的生产成本，提高显示面板的生产效率。
130.一些实施例中，感光薄膜晶体管单元中，多个感光薄膜晶体管沿行方向的设置密度，大于多个所述显示用薄膜晶体管沿行方向的设置密度；和/或，多个感光薄膜晶体管沿列方向的设置密度，大于多个所述显示用薄膜晶体管沿列方向的设置密度。其中，所述多个感光薄膜晶体管沿行方向的设置密度是指，显示基板上沿行方向的单位长度内设置的感光薄膜晶体管的数量；所述多个感光薄膜晶体管沿列方向的设置密度是指，显示基板上沿列方向的单位长度内设置的感光薄膜晶体管的数量；所述多个显示用薄膜晶体管沿行/列方向的设置密度的含义与上述释义同理，此处不再赘述。通过以上设置，使得显示基板的单位面积内，感光薄膜晶体管单元的有效感光面积增加，在避免增加周边区的尺寸的同时，保证检测信号的强度。
131.进一步的，多个基准薄膜晶体管沿行方向的设置密度，等于多个感光薄膜晶体管沿行方向的设置密度；和/或，多个基准薄膜晶体管沿列方向的设置密度，等于多个感光薄膜晶体管沿列方向的设置密度。从而，可以提高基准薄膜晶体管与感光薄膜晶体管在制作工艺过程中的一致性，避免二者因密度不同导致的实际构图结果差异，以提升检测精度。
132.一具体实施例中，如图2a和图2b所示，感光薄膜晶体管结构分为区域a和区域b，在区域a设置有基准薄膜晶体管单元，在区域b设置有感光薄膜晶体管单元，图2a和图2b仅为示意图，图中仅示出了六个薄膜晶体管，本领域技术人员应当得知，基准薄膜晶体管单元和感光薄膜晶体管单元均包括更多个薄膜晶体管。图3为与图2a和图2b对应的电路示意图。
133.如图2a和图2b2所示，基准薄膜晶体管包括第一栅极12、第一有源层21、第一源极32和第一漏极33；感光薄膜晶体管包括第二栅极14、第二有源层22、第二源极34和第二漏极35；其中，多个第一栅极12均与第一控制端g1连接，通过第一控制端g1向第一栅极12输入开启信号，控制基准薄膜晶体管开启；多个第二栅极14均与第二控制端g2连接，通过第二控制端g2向第二栅极14输入开启信号，控制感光薄膜晶体管开启。图2a和图2b仅示出了其中一种控制端的设置方式，并不限定控制端必须如图2a和图2b所示。
134.由于基准薄膜晶体管和感光薄膜晶体管是同时工作的，因此，第一栅极12可以与第二栅极14连接或者与第二栅极14为一体结构；多个第一源极32和多个第二源极34均与第一信号线31连接，通过信号输入端s向第一信号线31输入直流电信号；多个第一漏极33均与第二信号线i1连接，多个第二漏极35均与第三信号线i2连接。
135.如图2a和图2b所示，基准薄膜晶体管的靠近显示侧的一侧设置有遮光层10，感光薄膜晶体管的靠近显示侧的一侧遮光层10有开口，不会对感光薄膜晶体管的有源层的沟道区域进行遮挡；进一步，开口可以扩大至不会对感光薄膜晶体管的有源层进行遮挡；或者，还可以不在感光薄膜晶体管的靠近显示侧的一侧设置遮光层10。
136.其中，第一有源层21在衬底基板上的正投影落入第一栅极12在衬底基板上的正投影内，第二有源层22在衬底基板上的正投影落入第二栅极14在衬底基板上的正投影内；第
一有源层21在衬底基板上的正投影与第一源极32在衬底基板上的正投影部分重叠，第一有源层21在衬底基板上的正投影与第一漏极33在衬底基板上的正投影部分重叠；第二有源层22在衬底基板上的正投影与第二源极34在衬底基板上的正投影部分重叠，第二有源层22在衬底基板上的正投影与第二漏极35在衬底基板上的正投影部分重叠。
137.为了更好地遮挡非显示侧的光线，保证检测的精度，显示面板还包括遮光图形15和16，遮光图形15可以与第一栅极12为一体结构，整体呈沿行方向延伸的长条状；遮光图形16可以与第二栅极14为一体结构，整体呈沿行方向延伸的长条状。
138.图2c为本公开实施例的显示面板的布线示意图，如图2c所示，第一周边区域s2中感光薄膜晶体管单元和基准薄膜晶体管单元的走线通过显示区域s1周边的走线延伸到第二周边区域s3的端子。
139.由于基准薄膜晶体管和感光薄膜晶体管是同时工作的，第一栅极12和第二栅极14可以均与第三连接线g13连接，第三连接线g13可以采用栅金属层制作，为了避让其他走线和/或避免信号干扰，第三连接线g13不能直接延伸到第二周边区域s3，第三连接线g13可以通过过孔与第三走线sd3连接，通过第三走线sd3与第五连接线g15连接，第五连接线g15与第二周边区域s3的第一端子d1连接，通过第一端子d1可以向第一栅极12和第二栅极14输入开启信号。第一端子d1同时作为第一控制端g1和第二控制端g2使用，来自驱动电路(ic)的控制信号经过第一端子d1传递至多个第一栅极12和多个第二栅极14，控制基准tft和感光tft同时工作。其中，第三走线sd3可以采用源漏金属层制作，第五连接线g15可以采用栅金属层制作，第三走线sd3与第五连接线g15通过过孔连接。
140.其中，遮光图形15与第一栅极12为一体结构，整体呈沿行方向延伸的长条状；遮光图形16与第二栅极14为一体结构，整体呈沿行方向延伸的长条状。第三连接线g13的线宽小于遮光图形15和遮光图形16的线宽，遮光图形15的线宽和遮光图形16的线宽可以相等。遮光图形15和遮光图形16可以连接为一体，这样控制信号可以从第一端子d1进入，通过g15、sd3和g13，同时控制多个感光薄膜晶体管和多个基准薄膜晶体管打开或关闭。其中，遮光图形15和16的宽度为遮光图形15和16在垂直于第一栅极12以及第二栅极14的延伸方向上的尺寸。
141.第二信号线i1可以与第四走线sd4连接，通过第四走线sd4与第四连接线g14连接，第四走线sd4可以采用源漏金属层制作，并且进一步的，第四走线sd4与第二信号线i1为一体结构，第四连接线g14可以采用栅金属层制作，第四走线sd4通过过孔与第四连接线g14连接，第四连接线g14延伸至第二周边区域s3，与第二周边区域s3的第二端子d2连接，通过第二端子d2可以检测基准薄膜晶体管单元输出的电信号。其中，在显示区域s1沿行方向的一侧周半区域，第四连接线g14和第五连接线g15同层平行设置，并且第四连接线g14和第五连接线g15沿行方向的距离小于预定阈值，以减少占用布线空间。
142.第一信号线31可以与第一走线sd1连接，通过第一走线sd1与第一连接线g11连接，第一走线sd1可以采用源漏金属层制作，并且进一步的，第一走线sd1与第一信号线31为一体结构，第一连接线g11可以采用栅金属层制作，第一走线sd1通过过孔与第一连接线g11连接，第一连接线g11延伸至第二周边区域s3，与第二周边区域s3的第三端子d3连接，通过第三端子d3可以向第一信号线31输入直流电信号，此时第三端子d3作为所述感光薄膜晶体管结构的信号输入端使用。
143.第三信号线i2可以与第二走线sd2连接，通过第二走线sd2与第二连接线g12连接，第二走线sd2可以采用源漏金属层制作，并且进一步的，第二走线sd2与第三信号线i2为一体结构，第二连接线g12可以采用栅金属层制作，第二走线sd2通过过孔与第二连接线g12连接，第二连接线g12延伸至第二周边区域s3，与第二周边区域s3的第四端子d4连接，通过第四端子d4可以检测感光薄膜晶体管单元输出的电信号。其中，在显示区域s1沿行方向的一侧的周边区域，第二连接线g12和第一连接线g11同层平行设置，并且第二连接线g12和第一连接线g11沿行方向的距离小于预定阈值，以减少占用布线空间。
144.如图2c所示，第二连接线g12和第四连接线g14分别位于显示区域的两侧，相距的距离比较远，这样可以避免感光薄膜晶体管单元输出的电信号与基准薄膜晶体管单元输出的电信号互相干扰，影响检测结果。在第二周边区域s3，第一端子d1、第二端子d2、第三端子d3和第四端子d4可以直接与tddi(touch and display driver integration，触控与显示驱动集成)芯片绑定，该芯片上集成有感光集成电路，并设置有与第一端子d1、第二端子d2、第三端子d3和第四端子d4分别搭接的引脚；或者，第一端子d1、第二端子d2、第三端子d3和第四端子d4可以先与fpc(flexible printed circuit，柔性电路板)搭接，再与tcon(逻辑板)连接，此时可在tcon上设置感光集成电路。
145.图4和图6为本公开实施例显示面板在图2a和图2b中cc’方向的截面示意图；图5和图7为本公开实施例显示面板在图2a和图2b中dd’方向的截面示意图。
146.一具体示例中，遮光层可以为黑矩阵，如图4和图5所示，显示面板还包括一对向基板，对向基板位于显示基板靠近显示面板显示侧的一侧，显示基板的对向基板的衬底基板4上，对应感光薄膜晶体管单元的区域未设置黑矩阵5，对应基准薄膜晶体管单元的区域设置有黑矩阵5，这样外界的环境光不会照射到基准薄膜晶体管上，能够照射到感光薄膜晶体管上，在向第一信号线31输入直流电信号后，通过对比第二信号线i1和第三信号线i2的电流即可确定环境光的强度。图4和图5中，6为衬底基板，7为栅绝缘层，8为层间绝缘层。其中，可以是对应感光薄膜晶体管单元的有源层的沟道区域未设置黑矩阵5，还可以是对应感光薄膜晶体管单元的有源层的全部区域未设置黑矩阵5，还可以是对应感光薄膜晶体管单元的全部区域未设置黑矩阵5。
147.一些实施例中，在衬底基板和栅极之间还可以设置缓冲层。
148.另一具体示例中，如图6和图7所示，显示基板的钝化层9上，对应感光薄膜晶体管单元的区域未设置黑矩阵5，对应基准薄膜晶体管单元的区域设置有黑矩阵5，这样外界的环境光不会照射到基准薄膜晶体管上，能够照射到感光薄膜晶体管上，在向第一信号线31输入直流电信号后，通过对比第二信号线i1和第三信号线i2的电流即可确定环境光的强度。图6和图7中，6为衬底基板，7为栅绝缘层，8为层间绝缘层。其中，可以是对应感光薄膜晶体管单元的有源层的沟道区域未设置黑矩阵5，还可以是对应感光薄膜晶体管单元的有源层的全部区域未设置黑矩阵5，还可以是对应感光薄膜晶体管单元的全部区域未设置黑矩阵5。
149.一些实施例中，在衬底基板和栅极之间还可以设置缓冲层。
150.本实施例中，薄膜晶体管(包括基准薄膜晶体管和感光薄膜晶体管)可以为n型tft或p型tft。如图3所示，感光薄膜晶体管单元和基准薄膜晶体管单元可以由n个tft(例如tft1、tft 2、......、tftn)并列设置形成。
151.本公开的实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示面板。该显示装置包括但不限于：射频单元、网络模块、音频输出单元、输入单元、传感器、显示单元、用户输入单元、接口单元、存储器、处理器、以及电源等部件。本领域技术人员可以理解，上述显示装置的结构并不构成对显示装置的限定，显示装置可以包括上述更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。在本公开实施例中，显示装置包括但不限于显示器、手机、平板电脑、电视机、可穿戴电子设备、导航显示设备等。
152.所述显示装置可以为：电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件，其中，所述显示装置还包括柔性电路板、印刷电路板和背板。
153.另外，显示装置还包括：
154.信号输入单元，用于向所述信号输入端输入直流电信号或方波信号；
155.控制单元，用于向所述第一控制端和所述第二控制端分别输入开启信号；
156.电流检测单元，用于分别检测所述第二信号线的第一电流和所述第三信号线的第二电流；
157.处理单元，用于根据所述第一电流和所述第二电流的值确定环境光的强度。
158.本实施例中，向信号输入端输入直流电信号s，向第一控制端输入开启信号g1，向第二控制端输入开启信号g2，在g1和g2均为高电平或低电平时，基准薄膜晶体管和感光薄膜晶体管开启，可以进行环境光的检测。但如果基准薄膜晶体管和感光薄膜晶体管长期处于开启状态，薄膜晶体管特性曲线会发生偏移，需要进行校正，否则会影响检测的准确性；因此，本实施例中，如图8所示，所述开启信号g1和g2为方波信号，代替直流电压信号，这样薄膜晶体管特性曲线不会发生偏移，不需再加入校正算法，就能够保证检测的准确性。
159.一些实施例中，方波信号的频率可以与显示装置画面的刷新频率一致，比如显示画面每帧画面的显示时间为1/60秒，则方波信号的周期也为1/60秒。在方波信号的一个周期内，分为两个时间段，其中一个时间段信号为低电平，另一个时间段信号为高电平。两个时间段的时间可以相等，也可以不等，若两个时间段的时间相等，也即两个时间段在一个周期内的占比均为50％在两个时间段的时间相等时，在环境光检测时间内，基准薄膜晶体管和感光薄膜晶体管开启和关闭的时间相等，不会因开启时间过短影响检测结果的准确性，也不会因开启时间过长导致薄膜晶体管特性曲线发生偏移，能够保证检测的准确性。
160.其中，基准薄膜晶体管和感光薄膜晶体管可以为p型薄膜晶体管或n型薄膜晶体管，但基准薄膜晶体管和感光薄膜晶体管的类型相同，如果基准薄膜晶体管和感光薄膜晶体管为n型薄膜晶体管，则开启信号为高电平信号；如果基准薄膜晶体管和感光薄膜晶体管为p型薄膜晶体管，则开启信号为低电平信号。
161.在基准薄膜晶体管和感光薄膜晶体管关闭时，基准薄膜晶体管和感光薄膜晶体管不进行检测，因此，在基准薄膜晶体管和感光薄膜晶体管关闭时，如图8所示，也可以向信号输入端输入低电平信号s1，也可以向信号输入端输入与g1和g2同频率的方波信号s2，并不局限于向信号输入端输入直流电信号s。
162.其中，上述低电平信号可以为电压为0的电信号，也可以是电压值低于阈值的电信号。
163.本实施例中，电流检测单元和/或处理单元具体可以利用信号处理模块来实现，可以通过信号处理模块采集第二信号线输出的参考电信号iin1和第三信号线输出的检测电
信号iin2，对参考电信号iin1和检测电信号iin2进行放大处理，以及获取放大处理后的参考电信号iin1和检测电信号iin2之间的第一信号差值vout，根据第一信号差值vout确定环境光的亮度。
164.具体地，信号处理模块可以由任意电路构成，和/或由任意芯片构成。
165.具体地，由于第二信号线输出的参考电信号iin1和第三信号线输出的检测电信号iin2的电流很小，对第二信号线和第三信号线输出的电流处理不便，故通过信号处理模块先对第二信号线和第三信号线输出的电流分别进行放大处理。
166.可选地，如图9所示，信号处理模块可以包括：第一运算放大器op1，第一运算放大器op1的第一输入端与第三信号线连接，第一运算放大器op1的第二输入端接地，第一运算放大器op1被配置为对参考电信号iin1进行放大处理为第一电压v1；第二运算放大器op2，第二运算放大器op2的第一输入端与第二信号线连接，第二运算放大器op2的第二输入端接地，第二运算放大器op2被配置为对检测电信号iin2进行放大处理为第二电压v2；减法器op3，减法器op3的第一输入端与第一运算放大器op1的输出端连接，减法器op3的第二输入端与第二运算放大器op2的输出端连接，减法器op3被配置为对第一电压v1和第二电压v2进行减法处理为第一电压差值，第一电压差值作为第一信号差值vout。
167.在本发明的一个实施例中，如图9所示，信号处理模块还可以包括：第一电阻r1、第二电阻r2、第三电阻r3、第四电阻r4、第五电阻r5、第六电阻r6、第七电阻r7、第八电阻r8、第九电阻r9、第十电阻r10、第十一电阻r11、第十二电阻r12、第十三电阻r13、第十四电阻r14。其中，第一电阻r1的一端与第三信号线连接，第一电阻r1的另一端与第一运算放大器op1的第一输入端连接；第二电阻r2的一端与第一电阻r1的另一端连接，第二电阻r2的另一端接地；第三电阻r3的一端与第一电阻r1的一端连接，第三电阻r3的另一端接地；第四电阻r4的一端与第三电阻r3的另一端连接，第四电阻r4的另一端与第一运算放大器op1的第二输入端连接；第五电阻r5的一端与第四电阻r4的另一端连接，第五电阻r5的另一端与第一运算放大器op1的输出端连接。第六电阻r6的一端与第二信号线连接，第六电阻r6的另一端与第二运算放大器op2的第一输入端连接；第七电阻r7的一端与第六电阻r6的另一端连接，第七电阻r7的另一端接地；第八电阻r8的一端与第六电阻r6的一端连接，第八电阻r8的另一端接地；第九电阻r9的一端与第八电阻r8的另一端连接，第九电阻r9的另一端与第二运算放大器op2的第二输入端连接；第十电阻r10的一端与第九电阻r9的另一端连接，第十电阻r10的另一端与第二运算放大器op2的输出端连接。第十一电阻r11的一端与第一运算放大器op1的输出端连接，第十一电阻r11的另一端与减法器op3的第一输入端连接；第十二电阻r12的一端与第十一电阻r11的另一端连接，第十二电阻r12的另一端接地；第十三电阻r13的一端与第二运算放大器op2的输出端连接，第十三电阻r13的另一端与减法器op3的第二输入端连接；第十四电阻r14的一端与第十三电阻r13的另一端连接，第十四电阻r14的另一端与减法器op3的输出端连接；第一运算放大器op1的电源端、第二运算放大器op2的电源端以及减法器op3的电源端输入第八电压v8，其中，第八电压v8可以由供电模块提供。第三电阻r3将参考电信号iin1转换为电压信号，第八电阻r8将检测电信号iin2转换为电压信号。
168.其中，第一电阻r1的阻值、第四电阻r4的阻值、第六电阻r6的阻值以及第九电阻r9的阻值可以相同，第二电阻r2的阻值、第五电阻r5的阻值、第七电阻r7的阻值以及第十电阻r10的阻值可以相同，第三电阻r3的阻值和第八电阻r8的阻值可以相同。第十一电阻r11的
阻值、第十二电阻r12的阻值、第十三电阻r13的阻值以及第十四电阻r14的阻值可以相同。
169.可选地，第一电阻r1的阻值可以远大于第三电阻r3的阻值，第六电阻r6的阻值可以远大于第八电阻r8的阻值，从而确保第三信号线输出的电流信号均从第三电阻r3上流过，第二信号线输出的电流信号均从第八电阻r8上流过，提高第一电压差值的准确性。在参考电信号iin1与检测电信号iin2过小时，若减法器op3直接对参考电信号iin1与检测电信号iin2进行减法处理，则参考电信号iin1与检测电信号iin2之间的差值同样过小，不利于识别该差值。而通过第一电阻r1、第四电阻r4、第六电阻r6、第九电阻r9，第二电阻r2、第五电阻r5、第七电阻r7、第十电阻r10、第一运算放大器op1以及第二运算放大器op2对参考电信号iin1和检测电信号iin2进行放大后，第一电压差值可以容易的被识别。
170.具体地，第一运算放大器op1的第一输入端电压vin1＝iin1
×
r3，其中，r3为第三电阻的阻值，第二运算放大器op2的第一输入端电压vin2＝iin2
×
r8，其中，r8为第八电阻的阻值。
171.具体地，第一运算放大器op1的输出端电压v1＝(r5/r1)
×
vin1，其中，r5为第五电阻的阻值，r1为第一电阻的阻值，第二运算放大器op2的输出端电压v2＝(r10/r6)
×
vin2，其中，r6为第六电阻的阻值，r10为第十电阻的阻值。减法器op3的第一输入端电压为v1，减法器op3的第二输入端电压为v2，减法器op3的输出端电压为vout。
172.在本发明的一个具体实施例中，第一电阻r1的阻值、第四电阻r4的阻值、第六电阻r6的阻值以及第九电阻r9的阻值可以为100k欧姆，第二电阻r2的阻值、第五电阻r5的阻值、第七电阻r7的阻值以及第十电阻r10的阻值可以为2m欧姆，第三电阻r3的阻值和第八电阻r8的阻值可以为2k欧姆，第十一电阻r11的阻值、第十二电阻r12的阻值、第十三电阻r13的阻值以及第十四电阻r14的阻值可以为100k欧姆，第一运算放大器op1、第二运算放大器op2以及减法器op3可以为芯片opa177。从而第一运算放大器op1可以将参考电信号iin1转换后的电压信号放大20倍，第二运算放大器op2可以将检测电信号iin2转换后的电压信号放大20倍。假设参考电信号iin1为70ua至100ua范围之间的电流，则第一运算放大器op1输出第一电压v1的范围为140mv～200mv。假设参考电信号iin1与检测电信号iin2之间差值的范围为2.5ua至30ua，或参考电信号iin1转换后的电压信号与检测电信号iin2转换后的电压信号之间的差值范围为5mv至60mv。则减法器op3输出的第一电压差值范围为0.1v至1.2v，落入可识别的电压范围。在本发明的一个实施例中，可识别的电压范围可以为0.1v至2.5v。
173.本公开的实施例还提供了一种显示面板的制作方法，所述显示面板包括一显示基板，所述显示基板包括衬底基板，所述衬底基板具有显示区域和周边区域，显示区域包括阵列排布的多个像素单元，多个像素单元按照行方向和列方向进行排布，所述制作方法包括：
174.在所述周边区域形成感光薄膜晶体管结构，所述感光薄膜晶体管结构包括基准薄膜晶体管单元和感光薄膜晶体管单元，所述基准薄膜晶体管单元包括多个基准薄膜晶体管，所述感光薄膜晶体管单元包括多个感光薄膜晶体管；
175.在所述感光薄膜晶体管结构靠近所述显示面板的显示侧的一侧形成遮光层，其中，所述基准薄膜晶体管在所述衬底基板上的正投影位于所述遮光层在所述衬底基板上的正投影内，所述感光薄膜晶体管的沟道区在所述衬底基板上的至少部分正投影与所述遮光层在所述衬底基板上的正投影不重叠；
176.所述基准薄膜晶体管与所述感光薄膜晶体管的第一极均与所述感光薄膜晶体管
结构的信号输入端连接；所述基准薄膜晶体管的第二极均与所述感光薄膜晶体管结构的第二信号线连接；所述感光薄膜晶体管的第二极均与所述感光薄膜晶体管结构的第三信号线连接；所述基准薄膜晶体管的栅极均与所述感光薄膜晶体管结构的第一控制端连接，所述感光薄膜晶体管的栅极均与所述感光薄膜晶体管结构的第二控制端连接。
177.本实施例中，显示面板的周边区域设置有感光薄膜晶体管结构，感光薄膜晶体管结构包括基准薄膜晶体管单元和感光薄膜晶体管单元，基准薄膜晶体管单元包括多个基准薄膜晶体管，感光薄膜晶体管单元包括多个感光薄膜晶体管，在基准薄膜晶体管远离显示面板的衬底基板一侧设置有对基准薄膜晶体管进行遮挡的遮光层，这样基准薄膜晶体管不会受到环境光的影响；感光薄膜晶体管的至少部分沟道区未远离衬底基板的一侧未设置被遮光层遮挡，感光薄膜晶体管能够接收到外界光照；其中，基准薄膜晶体管与感光薄膜晶体管的第一极均与感光薄膜晶体管结构的信号输入端连接；基准薄膜晶体管的第二极均与感光薄膜晶体管结构的第二信号线连接；感光薄膜晶体管的第二极均与感光薄膜晶体管结构的第三信号线连接；基准薄膜晶体管的栅极均与感光薄膜晶体管结构的第一控制端连接，感光薄膜晶体管的栅极均与感光薄膜晶体管结构的第二控制端连接。在进行环境光检测时，向信号输入端输入电信号，通过检测第二信号线和第三信号线的电流，对第二信号线和第三信号线的电流进行比对，可以得到环境光对感光薄膜晶体管的影响，进而可以计算出环境光的亮度。本实施例在显示面板上集成感光薄膜晶体管结构，取代在显示装置上额外设置的光感传感器，在降低显示装置的成本的同时，还能够节省光感传感器占用的空间，增加显示装置的产品竞争力。
178.在利用感光薄膜晶体管对环境光进行检测时，是利用感光薄膜晶体管的沟道区域来检测光线，其中，有源层包括源极区、漏极区以及位于源极区和漏极区之间的沟道区域，源极区为有源层与源极接触的区域，漏极区为有源层与漏极接触的区域，沟道区域对应源极和漏极之间的间隙，为源极区和漏极区之间的部分。因此，至少需要去除沟道区域的靠近显示侧的遮光层以暴露出感光薄膜晶体管的沟道区域。
179.本实施例中，感光薄膜晶体管结构包括基准薄膜晶体管单元和感光薄膜晶体管单元，基准薄膜晶体管单元的基准薄膜晶体管被遮光层遮挡，这样将直流电信号输入基准薄膜晶体管单元，从第二信号线检测到的电流可以作为基准电流；感光薄膜晶体管单元的感光薄膜晶体管的沟道区未被遮光层遮挡，当环境光照射到感光薄膜晶体管单元时，感光薄膜晶体管单元的性能会发生影响，第三信号线输出的电流会发生变化，将从第三信号线检测到的电流与基准电流进行比对，可以确定光照对薄膜晶体管的影响，从而能够得到环境光的亮度。为了保证检测的精度，感光薄膜晶体管和基准薄膜晶体管的参数应保持一致，感光薄膜晶体管和基准薄膜晶体管的各组成部分(包括栅极、第一极、第二极、有源层)采用相同的材料并且具有相同的尺寸。
180.为了不影响显示面板的显示，感光薄膜晶体管结构设置在显示面板的周边区域。如图1所示，所述周边区域包括分别位于所述显示区域s1相对两侧的第一周边区域s2和第二周边区域s3，所述第二周边区域s3用以绑定电路板，所述感光薄膜晶体管结构设置在所述第一周边区域s2靠近所述显示区域的位置。形成所述感光薄膜晶体管结构包括：
181.在所述第一周边区域靠近所述显示区域的位置形成所述感光薄膜晶体管结构。
182.因为在显示面板应用于显示产品比如手持移动终端时，在用户使用显示产品时，
用户不会遮挡显示区域s1上方的第一周边区域s2，因此将感光薄膜晶体管结构设置在所述第一周边区域s2，可以使得感光薄膜晶体管结构接收到环境光，从而进行环境光的检测。另外，第二周边区域s3用以绑定电路板，用于传输显示信号的信号线比如数据线从第二周边区域s3延伸至显示区域s1，而不会延伸至第一周边区域s2，这样将感光薄膜晶体管结构设置在第一周边区域s2，与信号线不会有发生耦合的风险，感光薄膜晶体管结构的设置不会影响信号线上的信号，进而不会对显示造成影响；另外，信号线上传输的信号也不会影响感光薄膜晶体管结构的检测结果，能够保证感光薄膜晶体管结构的检测结果的准确性。
183.如果将感光薄膜晶体管结构设置在第二周边区域s3，一方面使用显示产品时，用户身体会遮挡部分环境光，导致感光薄膜晶体管结构接收到的环境光与实际的环境光不一致；另一方面，第二周边区域s3存在信号线，将感光薄膜晶体管结构设置在第一周边区域s2，存在与信号线发生耦合的风险，进一步影响了检测结果的准确性。
184.在制作基准薄膜晶体管和感光薄膜晶体管时，由于工艺的限制，难免出现个体差异，为了降低个体差异对检测结果的影响，可以制作多个基准薄膜晶体管组成基准薄膜晶体管单元，制作多个感光薄膜晶体管组成感光薄膜晶体管单元，感光薄膜晶体管单元包括的感光薄膜晶体管的数量与基准薄膜晶体管单元包括的基准薄膜晶体管的数量一致。具体地，所述基准薄膜晶体管单元可以包括大于100个基准薄膜晶体管，比如300个基准薄膜晶体管；所述感光薄膜晶体管单元可以包括大于100个感光薄膜晶体管，比如300个感光薄膜晶体管，这样可以降低薄膜晶体管个体差异对检测结果的影响。
185.由于基准薄膜晶体管单元包括数百个基准薄膜晶体管，感光薄膜晶体管单元包括数百个感光薄膜晶体管，因此，整个感光薄膜晶体管结构需要在显示面板上占据一定的面积，一些实施例中，感光薄膜晶体管结构在列方向上的宽度可以为5um，在行方向上的长度可以为15mm。
186.另外，感光薄膜晶体管结构与显示区域边缘的最小距离可以为3～5um，需考虑工艺极限，给tft电路预留空间。
187.基准薄膜晶体管单元可以包括成多行多列排布的多个基准薄膜晶体管，感光薄膜晶体管单元可以包括成多行多列排布的多个感光薄膜晶体管，为了方便制作基准薄膜晶体管和感光薄膜晶体管，基准薄膜晶体管和感光薄膜晶体管在衬底基板上的正投影不重叠，基准薄膜晶体管和感光薄膜晶体管可以位于同一层，即基准薄膜晶体管的有源层与感光薄膜晶体管的有源层位于同一层，基准薄膜晶体管的源极和漏极与感光薄膜晶体管的源极和漏极位于同一层，基准薄膜晶体管的栅极与感光薄膜晶体管的栅极位于同一层，基准薄膜晶体管的栅绝缘层与感光薄膜晶体管的栅绝缘层位于同一层，这样可以通过一次构图工艺制作基准薄膜晶体管的有源层与感光薄膜晶体管的有源层，通过一次构图工艺制作基准薄膜晶体管的源极和漏极与感光薄膜晶体管的源极和漏极，通过一次构图工艺基准薄膜晶体管的栅极与感光薄膜晶体管的栅极，通过一次构图工艺制作基准薄膜晶体管的栅绝缘层与感光薄膜晶体管的栅绝缘层，一方面可以节省构图工艺的次数，另一方面基准薄膜晶体管和感光薄膜晶体管除对环境光的接收不同之外，其他受光条件一致性较高，能够提高检测精度。
188.基准薄膜晶体管和感光薄膜晶体管可以在行方向上或列方向上对齐，比如，基准薄膜晶体管单元包括十行十列的基准薄膜晶体管，感光薄膜晶体管单元包括十行十列的感
光薄膜晶体管，则基准薄膜晶体管单元的第k行基准薄膜晶体管与感光薄膜晶体管单元的第k行感光薄膜晶体管位于同一直线上，或者，基准薄膜晶体管单元的第j列基准薄膜晶体管与感光薄膜晶体管单元的第j列感光薄膜晶体管位于同一直线上，k，j为大于0小于等于10的整数。基准薄膜晶体管单元包括的基准薄膜晶体管的行数和列数可以与感光薄膜晶体管单元包括的感光薄膜晶体管的行数和列数相同，也可以与感光薄膜晶体管单元包括的感光薄膜晶体管的行数和列数不同。需要说明的是，所述行方向可以与多个像素单元的行方向一致，所述列方向可以与多个像素单元的列方向一致。
189.基准薄膜晶体管单元与感光薄膜晶体管单元可以相对于显示面板的轴线(比如显示面板在列方向上的中轴线)对称，也可以不相对于显示面板的轴线对称，只要保证感光薄膜晶体管单元能够接收到外界光照即可。
190.对于设置有背光源的显示面板，为了避免薄膜晶体管受到背光源光照的影响，显示面板的制作方法还包括：
191.形成位于所述基准薄膜晶体管远离所述显示面板的显示侧的第一遮光图形，所述基准薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影位于所述第一遮光图形在所述衬底基板上的正投影内；
192.形成位于所述感光薄膜晶体管远离所述显示面板的显示侧的第二遮光图形，所述感光薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影位于所述第二遮光图形在所述衬底基板上的正投影内。
193.在感光薄膜晶体管和基准薄膜晶体管位于显示面板的靠近显示侧的一侧时，第一遮光图形位于基准薄膜晶体管朝向衬底基板的一侧，第二遮光图形位于感光薄膜晶体管朝向衬底基板的一侧；在感光薄膜晶体管和基准薄膜晶体管位于显示面板的远离显示侧的一侧时，第一遮光图形位于基准薄膜晶体管远离衬底基板的一侧，第二遮光图形位于感光薄膜晶体管远离衬底基板的一侧。
194.这样通过第一遮光图形可以避免背光源的光线照射到基准薄膜晶体管上，通过第二遮光图形可以避免背光源的光线照射到感光薄膜晶体管上。可以额外增加一个膜层来制作第一遮光图形和第二遮光图形，也可以利用感光薄膜晶体管结构本身的膜层来制作第一遮光图形和第二遮光图形，这样能够简化感光薄膜晶体管结构和制作流程。
195.第一遮光图形可以与第二遮光图形相互独立，也可以形成为一体结构。第一遮光图形和第二遮光图形为整块的图形，以对背光源的光线进行遮挡。
196.一些实施例中，在基准薄膜晶体管的栅极位于有源层与基底之间时，所述第一遮光图形可以与所述基准薄膜晶体管的栅极位于同一层且采用相同的材料，通过一次构图工艺形成所述第一遮光图形与所述基准薄膜晶体管的栅极，基准薄膜晶体管的栅极一般采用不透光的金属制作，可以起到遮光作用；在感光薄膜晶体管的栅极位于有源层与基底之间时，所述第二遮光图形可以与所述感光薄膜晶体管的栅极位于同一层且采用相同的材料，通过一次构图工艺形成所述第二遮光图形与所述感光薄膜晶体管的栅极，感光薄膜晶体管的栅极一般采用不透光的金属制作，可以起到遮光作用。这样无需专门增加一个膜层制作第一遮光图形和第二遮光图形。
197.在第一遮光图形与所述基准薄膜晶体管的栅极位于同一层且采用相同的材料时，第一遮光图形为导电且不透光的材料，第一遮光图形与基准薄膜晶体管的栅极为一体结
构，该一体结构既作为基准薄膜晶体管的栅极来控制基准薄膜晶体管的截止与导通，同时又作为第一遮光图形对位于基准薄膜晶体管远离显示面板的显示侧的一侧的光线进行遮挡，例如，可以避免背光源的光线照射到基准薄膜晶体管上；在第二遮光图形与所述感光薄膜晶体管的栅极位于同一层且采用相同的材料时，第二遮光图形为导电材料且不透光，第二遮光图形与感光薄膜晶体管的栅极为一体结构，该一体结构既作为感光薄膜晶体管的栅极来控制感光薄膜晶体管的截止与导通，同时又作为第二遮光图形对位于感光薄膜晶体管远离显示面板的显示侧的一侧的光线进行遮挡，例如，可以避免背光源的光线照射到感光薄膜晶体管上。第一遮光图形和第二遮光图形的尺寸可以根据需要进行设计，只要保证基准薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影位于所述第一遮光图形在所述衬底基板上的正投影内，感光薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影位于所述第二遮光图形在所述衬底基板上的正投影内即可。进一步的，第一遮光图形在所述衬底基板上的正投影区域面积大于基准薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影区域面积，第二遮光图形在所述衬底基板上的正投影区域面积大于感光薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影区域面积，从而避免光线从感光薄膜晶体管结构远离显示面板的显示侧的一侧，斜向照射至感光薄膜晶体管的有源层和基准薄膜晶体管的有源层，以实现对感光薄膜晶体管结构的有效遮挡。
198.相关技术的显示产品中，显示面板的周边区域未设置感光薄膜晶体管结构，在周边区域或显示基板的对向基板会形成遮光层以对周边区域的线路进行遮挡，本实施例的技术方案中，由于感光薄膜晶体管单元需要接收外界光线，因此需要去除感光薄膜晶体管的靠近显示侧的至少部分遮光层，这样可以将感光薄膜晶体管单元的感光薄膜晶体管的沟道区暴露出来，由于感光薄膜晶体管单元的膜层比如栅极、源极、漏极采用金属制作，如果去除的遮光层过多，会存在反光引起的亮线问题。一些实施例中，遮光层位于显示基板上，并且位于感光薄膜晶体管朝向显示面板显示侧的一侧，则需要对遮光层进行局部去除，以使得环境光能够照射到感光薄膜晶体管单元；一些实施例中，遮光层位于显示基板的对向基板上，且对向基板位于显示基板的显示侧，则需要对遮光层进行局部去除，以使得环境光能够照射到感光薄膜晶体管单元；一些实施例中，遮光层包括设置在显示基板上的第一遮光层，还包括设置在对向基板上的第二遮光层，并且第一遮光层与第二遮光层均位于感光薄膜晶体管朝向显示面板显示侧的一侧，此时需要对第一遮光层和第二遮光层均进行局部去除，以使得环境光能够照射到感光薄膜晶体管单元。
199.本实施例中，可以将感光薄膜晶体管沟道区域的宽长比设计为小于等于5/4，如图2a和图2b所示，感光薄膜晶体管的第二有源层22的沟道区域在行方向上的尺寸为沟道区域的长，感光薄膜晶体管的第二有源层22的沟道区域在列方向上的尺寸为沟道区域的宽，其中，感光薄膜晶体管的第二有源层22的沟道区域为第二有源层22对应第二源极34和第二漏极35之间间隙的部分。感光薄膜晶体管单元包括的多个感光薄膜晶体管可以位于同一行，这样可以使得感光薄膜晶体管单元沟道区域在列方向上的宽度仅为5um或者更小，远小于像素的宽度30um，这样周边区域未设置遮光层的部分，即遮光层的开口仅为一狭缝，不会出现因反光引起的亮线问题。需要说明的是，所述行方向可以与多个像素单元的行方向一致，所述列方向可以与多个像素单元的列方向一致。
200.显示面板的显示区域设置有显示用薄膜晶体管，包括驱动薄膜晶体管和开关薄膜
晶体管等，所述基准薄膜晶体管的栅极、所述感光薄膜晶体管的栅极与所述显示用薄膜晶体管的栅极位于同一层且采用相同的材料；和/或，所述基准薄膜晶体管的第一极、所述感光薄膜晶体管的第一极与所述显示用薄膜晶体管的第一极位于同一层且采用相同的材料；和/或，所述基准薄膜晶体管的第二极、所述感光薄膜晶体管的第二极与所述显示用薄膜晶体管的第二极位于同一层且采用相同的材料。
201.其中，第一极可以为源极和漏极中的一个，第二极为源极和漏极中的另一个。
202.一些实施例中，显示面板的制作方法包括：
203.通过一次构图工艺形成所述基准薄膜晶体管的栅极、所述感光薄膜晶体管的栅极与所述显示用薄膜晶体管的栅极；
204.通过一次构图工艺形成所述基准薄膜晶体管的第一极、所述感光薄膜晶体管的第一极与所述显示用薄膜晶体管的第一极；
205.通过一次构图工艺形成所述基准薄膜晶体管的第二极、所述感光薄膜晶体管的第二极与所述显示用薄膜晶体管的第二极。
206.这样可以简化显示面板的制程，降低显示面板的生产成本，提高显示面板的生产效率。
207.需要说明，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于实施例而言，由于其基本相似于产品实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见产品实施例的部分说明即可。
208.除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
209.可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
210.在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
211.以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。