显示装置的制作方法

显示装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年2月19日提交的第10
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2020
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0020310号韩国专利申请的优先权以及从中产生的所有权益，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
技术领域
3.本公开涉及显示装置。


背景技术：

4.随着信息技术的发展，作为用户与信息之间的连接媒介的显示装置的重要性被强调。因此，诸如液晶显示装置、有机发光显示装置和等离子显示装置的显示装置的使用一直在增加。
5.显示装置可以包括多个像素，并且当与灰度级相对应的电流流到像素时，多个像素中的每个像素可以发射各种颜色和亮度的光，从而显示各种图像。


技术实现要素：

6.在各图像中，在其中在各像素中的设置在显示装置的一个区域中的像素以相对高的亮度发射光并且设置在显示装置的另一区域中的像素以相对低的亮度发射光的图像的情况下，上述电流会集中到设置在任意一个区域中的像素。在这种情况下，相对高的电流流向设置在任意一个区域中的像素，并且因此会在像素中发生劣化。
7.本公开的目的在于提供一种显示装置，其能够防止由过电流导致的像素的劣化或走火现象。
8.本公开的另一目的在于提供一种显示装置，其能够仅使用晶体管而无需单独的感测电阻器来感测块电流。
9.本公开的又一目的在于提供一种显示装置，其能够通过感测块电流而无需增加单独的感测电阻器来降低制造成本。
10.本公开的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员将从下面的描述中清楚地理解未被描述的其它技术目的。
11.为了解决上述目的，根据本公开的实施例的显示装置包括：显示电路，包括划分为多个块的像素；电力接口，其基于第一电源的电压和控制电压将与所述块相对应的块电流分别输出到第一电源线；电流传感器，其感测所述块电流并输出所述块电流的感测值；以及块电流控制器，其基于图像数据分别计算与所述块相对应的块灰度级值，基于所述块灰度级值和所述感测值检测劣化块，并且将所述控制电压输出到用于控制供给到所述劣化块的块电流的控制线。所述电力接口包括多个晶体管，所述多个晶体管各自包括连接到所述第一电源的第一电极、连接到所述第一电源线的第二电极和连接到所述控制线的栅电极。
12.在实施例中，可以基于导通的晶体管的所述第一电极与所述第二电极之间的电势差和所述导通的晶体管的等效电阻器的电阻值来计算所述感测值。
13.在实施例中，当通过导通电平的参考控制电压来导通所述晶体管时，可以基于所述导通的晶体管的所述等效电阻器的电势差和与预设的参考块灰度级值相对应的参考电流来计算所述电阻值。
14.在实施例中，所述劣化块的块灰度级值可以大于所述块中的除所述劣化块之外的剩余块的块灰度级值中的任意块灰度级值，并且从所述劣化块获得的感测值可以大于从所述剩余块获得的感测值。
15.在实施例中，可以基于施加到与所述劣化块相对应的晶体管的栅电极的控制电压的变化量来确定提供给所述劣化块的所述块电流的变化量，并且可以基于所述劣化块的所述块灰度级值与所述剩余块的所述块灰度级值中的任意一个块灰度级值之间的第一差值和所述劣化块的所述感测值与所述剩余块的所述感测值中的任意一个感测值之间的第二差值中的至少一个，来计算所述控制电压的所述变化量。
16.在实施例中，所述任意一个块灰度级值可以是所述剩余块的所述块灰度级值中的最小的最小块灰度级值，并且所述任意一个感测值可以是所述剩余块的所述感测值中的最小的最小感测值。
17.在实施例中，所述劣化块的所述块灰度级值可以大于所述块中的除所述劣化块之外的剩余块的块灰度级值中的任意块灰度级值，并且从所述劣化块获得的所述感测值可以大于预设的参考感测值。
18.在实施例中，可以基于施加到与所述劣化块相对应的晶体管的栅电极的控制电压的变化量来确定提供给所述劣化块的所述块电流的变化量，并且可以基于所述劣化块的所述块灰度级值与所述剩余块的所述块灰度级值中的任意一个块灰度级值之间的第一差值和所述劣化块的所述感测值与所述参考感测值之间的第二差值中的至少一个，来计算所述控制电压的所述变化量。
19.在实施例中，所述块电流控制器可以使用其中所述块灰度级值的和等于或小于预设的参考灰度级值的情况作为开始条件，开始所述劣化块的检测操作。
20.在实施例中，所述块灰度级值可以是包括在所述块中的各个像素的灰度级值的代表值、包括在所述块中的各个像素的灰度级值的和、以及包括在所述块中的各个像素的所述灰度级值的所述和的平均值中的任意一个。
21.在实施例中，控制供给到所述劣化块的所述块电流的所述控制电压可以为与所述劣化块相对应的晶体管截止的截止电平的电压。
22.在实施例中，所述电力接口还可以包括多个感测电阻器，所述多个感测电阻器各自具有连接到所述第一电源的第一端子和连接到所述晶体管的所述第一电极的第二端子。
23.在实施例中，可以基于连接到所述第一电源和所述第一端子的节点的电压与连接到所述第一电极和所述第二端子的节点的电压之间的电势差以及所述感测电阻器的电阻值，来计算所述感测值。
24.在实施例中，所述电力接口还可以包括多个感测晶体管，所述多个感测晶体管各自包括连接到与所述第一电源线不同的第二电源线的第一电极、连接到具有低于所述第一电源的电压的电压的第二电源的第二电极、以及连接到所述控制线的栅电极。
25.在实施例中，所述感测晶体管可以通过所述控制线接收截止电平的控制信号，并且可以在感测时段中截止，并且施加到连接有所述第二电源线和所述感测晶体管的所述第
一电极的节点的电压可以高于所述第一电源的所述电压。
26.根据本公开的另一实施例的显示装置包括：显示电路，包括划分为多个块的像素；电力接口，其基于第一电源的电压和控制电压将与所述块相对应的块电流分别输出到第一电源线；电流传感器，其感测所述块电流并输出所述块电流的感测值；以及块电流控制器，其基于图像数据分别计算与所述块相对应的块灰度级值，基于所述块灰度级值和所述感测值检测劣化块，并且将所述控制电压输出到用于控制供给到所述劣化块的块电流的控制线。所述电力接口包括多个晶体管，所述多个晶体管各自包括连接到第二电源线的第一电极、连接到具有低于所述第一电源的所述电压的电压的第二电源的第二电极以及连接到所述控制线的栅电极。
27.在实施例中，可以基于导通的晶体管的所述第一电极与所述第二电极之间的电势差和所述导通的晶体管的等效电阻器的电阻值来计算所述感测值。
28.在实施例中，当通过导通电平的参考控制电压来导通所述晶体管时，可以基于所述导通的晶体管的所述等效电阻器的电势差和与预设的参考块灰度级值相对应的参考电流来计算所述电阻值。
29.在实施例中，所述劣化块的块灰度级值可以大于所述块中的除所述劣化块之外的剩余块的块灰度级值中的任意块灰度级值，并且从所述劣化块获得的感测值可以大于从所述剩余块获得的感测值中的任意感测值。
30.在实施例中，所述块电流控制器可以使用其中所述块灰度级值的和等于或小于预设的参考灰度级值的情况作为开始条件，开始所述劣化块的检测操作。
31.在实施例中，控制供给到所述劣化块的所述块电流的所述控制电压可以为与所述劣化块相对应的晶体管截止的截止电平的电压。
32.在实施例中，所述电力接口还可以包括多个感测电阻器，所述多个感测电阻器各自具有连接到所述第一电源的第一端子和连接到所述第一电源线的第二端子。
33.其它实施例的细节包括在详细描述和附图中。
34.如上所述，本公开的实施例提供能够防止由过电流导致的像素的劣化或走火现象的显示装置。
35.另外，本公开的实施例可以提供能够仅使用晶体管而无需单独的感测电阻器来感测块电流的显示装置。
36.另外，本公开的实施例可以提供能够通过感测块电流而无需增加单独的感测电阻器来降低制造成本的显示装置。
37.根据实施例的效果不受以上示出的内容的限制，在本说明书中包括更多各种效果。
附图说明
38.通过参照附图进一步详细描述本公开的实施例，本公开的以上和其它特征将变得更加明显，在附图中：
39.图1是示意性地示出根据本公开的实施例的显示装置的图；
40.图2是示出根据本公开的实施例的其中包括在显示电路中的像素被划分为多个块的实施例的图；
41.图3和图4是用于描述根据本公开的实施例的驱动像素的方法的电路图；
42.图5是用于描述包括在图1中示出的显示装置中的电力接口的实施例的图；
43.图6是用于描述其中电流传感器感测块电流的实施例的图；
44.图7是用于描述其中计算导通的晶体管的等效电阻器的电阻值的实施例的图；
45.图8是用于描述其中检测劣化块的实施例的图；
46.图9是用于描述其中调节供给到检测到的劣化块的块电流的实施例的图；
47.图10是用于描述包括在图5中示出的电力接口中的感测电阻器的实施例的图；
48.图11是用于描述其中电流传感器感测块电流的另一实施例的图；
49.图12是用于描述包括在图1中示出的显示装置中的电力接口的另一实施例的图；
50.图13是用于描述包括在图12中示出的电力接口中的感测电阻器的实施例的图；
51.图14是用于描述包括在图1中示出的显示装置中的电力接口的又一实施例的图；以及
52.图15是用于描述其中在感测时段中驱动图14中示出的电力接口的实施例的图。
具体实施方式
53.参考下面详细描述的实施例以及附图，本公开的优点和特征以及实现本公开的优点和特征的方法变得明显。然而，本公开不限于下面公开的实施例，并且可以以各种不同的形式实现。提供本实施例，使得本公开将是彻底和完整的，并且本公开所属领域的技术人员可以完全地理解本公开的范围。
54.在将附图标记添加到每个附图的组件中时，即使在不同的附图中示出相同的组件，相同的组件也可以尽可能具有相同的附图标记。另外，在描述本公开中，当确定相关的公知配置或功能的详细描述可能使本公开的主旨不清楚时，可以省略其详细描述。
55.在描述本公开的组件中，可以使用第一、第二、a、b、(a)和(b)等术语。这些术语仅用于将组件与其它组件区分开，并且相应组件的性质、转向、顺序或数量等不受其术语限制。在其中组件被描述为“连接”或“耦接”到另一组件的情况下，该组件可以直接连接到或耦接到另一组件。然而，将理解的是，另一组件可以“介于”每个组件之间，或者每个组件可以通过另一组件“连接”或“耦接”。除非上下文另外明确指出，否则单数形式包括复数形式。本文中所使用的术语仅是为了描述特定实施例的目的，而不意图是限制性的。如本文中所使用的，除非内容另外明确指出，否则单数形式“一”、“一个(种)”和“该(所述)”旨在包括复数形式，包括“至少一个(种)”。“至少一个(种)”不被解释为限于“一”或“一个(种)”。“或”表示“和/或”。如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。还将理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括(comprises和/或comprising)”或“包含(includes和/或including)”说明存在所陈述的特征、区域、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其它特征、区域、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
56.图1是示意性地示出根据本公开的实施例的显示装置的图。
57.参照图1，根据本公开的实施例的显示装置1可以包括时序控制器10、扫描驱动器20、数据驱动器30、显示电路40、感测电路50、补偿器60、电力接口70、电流传感器80和块电流控制器90等。
58.时序控制器10可以从外部处理器(未示出)接收针对每个图像帧的各种灰度级值(或灰度级数据)和控制信号。时序控制器10可以渲染灰度级值以对应于显示装置1的规格。例如，外部处理器可以为每个单元点提供红色灰度级值、绿色灰度级值和蓝色灰度级值。然而，例如，当显示电路40为pentile结构时，由于相邻的单元点共享像素，因此像素可以不一对一地对应于各个灰度级值，并且因此需要渲染灰度级值。当像素一对一地对应于各个灰度级值时，可以不需要渲染灰度级值。可以将已渲染的或未渲染的灰度级值提供给数据驱动器30。时序控制器10可以将适合于每种规格的控制信号提供给数据驱动器30和扫描驱动器20以显示帧。时序控制器10可以将适合于规格的控制信号提供给感测电路50以命令感测操作。
59.扫描驱动器20可以从时序控制器10接收时钟信号和扫描起始信号等，并且可以基于时钟信号和扫描起始信号等来生成要提供给第一扫描线sl11、sl21、sli1和sln1的第一扫描信号以及要提供给第二扫描线sl12、sl22、sli2和sln2的第二扫描信号。这里，n可以是自然数，并且i可以是等于或小于n的自然数。
60.扫描驱动器20可以将具有导通电平的脉冲的第一扫描信号顺序地供给到第一扫描线sl11、sl21、sli1和sln1。另外，扫描驱动器20可以将具有导通电平的脉冲的第二扫描信号顺序地供给到第二扫描线sl12、sl22、sli2和sln2。在这种情况下，像素pxij由水平线单元(即，同一行中的所有像素)选择。
61.尽管未示出，但是扫描驱动器20可以包括连接到第一扫描线sl11、sl21、sli1和sln1的第一扫描驱动器以及连接到第二扫描线sl12、sl22、sli2和sln2的第二扫描驱动器。第一扫描驱动器和第二扫描驱动器中的每一个可以包括以移位寄存器的形式配置的级。第一扫描驱动器和第二扫描驱动器中的每一个可以以在时钟信号的控制下将作为导通电平的脉冲形式的扫描起始信号顺序地传输到下一级的方法来生成扫描信号。
62.根据实施例，第一扫描信号和第二扫描信号可以相同。在这种情况下，连接到每个像素pxij的第一扫描线和第二扫描线可以连接到相同的节点。在这种情况下，扫描驱动器20可以不被划分为第一扫描驱动器和第二扫描驱动器，而是可以配置为单个扫描驱动器。
63.数据驱动器30可以使用灰度级值和要与从扫描驱动器20提供的扫描信号同步的控制信号来生成要提供给数据线dl1、dl2、dlj和dlm的数据电压。例如，数据驱动器30可以使用时钟信号对灰度级值进行采样并且可以以像素的行单元将与灰度级值相对应的数据电压施加到数据线dl1、dl2、dlj和dlm。这里，m可以是自然数，并且j可以是等于或小于m的自然数。
64.显示电路40可以包括像素pxij。像素pxij可以由数据线和扫描线限定。也就是说，像素pxij中的每一个可以连接到对应的数据线、扫描线和感测线。
65.当供给扫描信号时选择像素pxij中的每一个，充入与数据信号相对应的电压，并且在将与充电后电压相对应的驱动电流供给到发光二极管(未示出)的同时产生预定亮度的光。
66.如稍后参照图2所描述的，像素pxij可以被划分为多个块。
67.像素pxij中的每一个可以以各种电路结构实现。如稍后参照图3和图4所描述的，例如，像素pxij中的每一个可以以包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和电容器的结构实现。
68.感测电路50可以从时序控制器10接收控制信号，并且可以通过感测线il1、il2、ilk和ilp中的每一条接收感测信号。感测电路50可以通过感测线il1、il2、ilk和ilp连接到像素pxij。这里，p可以是自然数，并且可以与上述m相同。另外，k可以是小于p的自然数，并且可以与上述j相同。
69.例如，在感测时段期间，扫描驱动器20将扫描信号顺序地供给到扫描线，连接到扫描线的像素pxij被以水平线单元(即，同一行中的所有像素)选择，并且数据驱动器30与扫描信号同步，以将用于感测感测信号的感测数据信号(或感测数据电压)提供给数据线dl1、dl2、dlj和dlm。接下来，生成在选择的像素pxij中生成的感测电流(或感测电压)。这里，感测电路50可以通过感测线il1、il2、ilk和ilp接收与感测电流(或感测电压)相对应的感测信号。
70.这里，感测时段可以表示，例如，帧与帧之间的空白时段或显示装置1关闭后的预定时段等。然而，本公开不限于此。
71.感测电路50可以感测感测电流(或感测电压)并且输出用于感测电流(或感测电压)的感测值。这里，感测值(或感测数据)可以表示作为数字值的针对感测电流的感测电流值(或针对感测电压的感测电压值)。
72.如本实施例中所公开的，数据驱动器30和感测电路50可以被分开地配置。然而，在另一实施例中，数据驱动器30和感测电路50可以一体地形成。
73.尽管未示出，但是感测电路50可以包括连接到感测线il1、il2、ilk和ilp的感测通道。例如，感测线il1、il2、ilk和ilp以及感测通道可以一对一地对应。
74.如本实施例中所公开的，数据驱动器30和感测电路50可以被分开地配置。然而，在另一实施例中，数据驱动器30和感测电路50可以一体地形成。
75.补偿器60可以基于感测电路50的感测值针对像素pxij中的每一个计算补偿值。
76.在实施例中，例如，补偿器60可以通过使用从感测电路50输出的感测值补偿从外部输入的输入灰度级值来生成输出灰度级值。输入灰度级值是从外部处理器输入的灰度数据，并且可以表示用于图像帧的灰度级数据。另外，输出灰度级值可以表示在由补偿器60补偿输入灰度级值之后输入到数据驱动器30的灰度级数据。
77.补偿器60可以包括查找表(未示出)。查找表可以以数据形式存在或者可以以物理形式存在。在图1的显示装置1的制造过程中，查找表可以预先存储与感测值和感测值的变化量等相对应的补偿量数据。
78.电力接口70可以接收第一电源vdd的电压和控制电压(未示出)，并且可以基于第一电源vdd的电压和控制电压来输出块电流。这里，控制电压可以是从将稍后描述的块电流控制器90供给的电压。
79.块电流可以是流过包括在如稍后所描述的电力接口70中的晶体管的电流。这里，流过晶体管的电流可以是在显示时段中生成的驱动电流，或者可以是在感测时段中生成的感测电流。然而，本公开不限于此。当块的数量等于或大于两个时，块电流的数量也可以等于或大于两个。尽管未示出，但是，例如，当块的数量为两个时，块电流的数量也可以为两个。
80.电力接口70可以另外地接收第二电源vss的电压。另外，电力接口70可以基于第一电源vdd的电压、第二电源vss的电压和控制电压来输出块电流。这里，第二电源vss的电压
可以小于(或低于)第一电源vdd的电压。然而，在特殊情况下，诸如其中防止包括在像素pxij中的发光二极管(未示出)的光发射的情况下，第二电源vss的电压可以设置为大于(或高于)第一电源vdd的电压。
81.电流传感器80可以通过测量线vl感测从电力接口70输出的块电流，并且可以输出与感测到的块电流相对应的感测值。这里，感测值可以表示感测到的块电流的数字值。这里，测量线vl的数量可以是一条或多条，并且如稍后所描述的，多条测量线vl可以分别连接到提供在电力接口70中的电阻器的两个端子(或两个节点)。
82.电流传感器80可以测量提供在电力接口70中的电阻器的两个端子(或两个节点)之间的电势差(即，电压差)，并且可以通过使用电阻器的电阻值和电势差来感测块电流。例如，电流传感器80可以通过计算电阻器的电势差与电阻值的比率来计算与块电流相对应的感测值。这里，电阻器可以是用于感测块电流的感测电阻器，并且可以表示晶体管等的等效电阻器。这里，电阻器的电阻值可以在制造过程中限定在存储器中，或者可以在使用产品的过程中被主动地重新限定。稍后将参照图7描述其详细描述。
83.块电流控制器90可以接收图像数据并计算与块相对应的块灰度级值。这里，块灰度级值可以是，例如，针对包括在特定块中的每个像素的灰度级值的和。作为另一示例，块灰度级值可以是针对包括在特定块中的每个像素的灰度级值的平均灰度级值。作为又一示例，块灰度级值可以是包括在特定块中的像素的灰度级值中的任意一个代表灰度级值。
84.在实施例中，例如，通常由于图像数据包括包括在显示电路40中的像素pxij的灰度级值，因此块电流控制器90可以计算图像数据中的包括在特定块中的像素的灰度级值的和，并且可以计算其结果作为特定块的块灰度级值。
85.当块的数量为多个时，块电流控制器90可以接收图像数据并分别计算与块相对应的块灰度级值。
86.在实施例中，例如，当块的数量为两个时，块电流控制器90可以接收图像数据并分别计算与第一块(未示出)相对应的第一块灰度级值和与第二块(未示出)相对应的第二块灰度级值。
87.块电流控制器90可以接收分别与感测到的块电流相对应的感测值，并且可以基于块灰度级值和感测值来检测劣化块。稍后将参照图8和图9描述其详细描述。
88.当检测到劣化块时，块电流控制器90可以将用于调节块电流的控制电压输出到控制线cl。这里，控制电压可以表示用于分别控制与块相对应的块电流的电压。这里，控制线cl的数量可以是一条或多条，并且如稍后所描述的，多条控制线cl中的每一条可以连接到包括在电力接口70中的各个晶体管的栅电极。
89.控制块电流可以表示块电流被减小或切断。稍后将参照图8和图9描述其详细描述。
90.如本实施例中所公开的，时序控制器10和块电流控制器90可以被分开地配置。然而，在另一实施例中，时序控制器10和块电流控制器90可以一体地形成。
91.尽管未示出，但是显示装置1还可以包括存储器。
92.在下文中，将描述包括在图1中示出的显示装置1中的显示电路40的实施例。
93.图2是示出根据本公开的实施例的其中包括在显示电路40中的像素被划分为多个块的实施例的图。
94.在图2中，为了便于描述，示出了四个块作为示例。
95.参照图1和图2，包括在根据实施例的显示电路40中的像素pxij可以被划分为多个块b1、b2、b3和b4。
96.块用于限定针对多个像素的控制单元，是虚拟元件，而不是物理组件。块可以被写入存储器以在制造过程中被限定，或者可以在使用产品的过程中被主动地重新限定。
97.在实施例中，例如，像素pxij的第一像素px1可以包括在第一块b1中，像素pxij的第二像素px2可以包括在第二块b2中，像素pxij的第三像素px3可以包括在第三块b3中，并且像素pxij的第四像素px4可以包括在第四块b4中。
98.作为实施例，块灰度级值可以是包括在特定块中的多个像素的灰度级值的和。例如，第一块灰度级值可以是包括在第一块b1中的多个像素(例如，第一像素px1)的灰度级值的和，第二块灰度级值可以是包括在第二块b2中的多个像素(例如，第二像素px2)的灰度级值的和，第三块灰度级值可以是包括在第三块b3中的多个像素(例如，第三像素px3)的灰度级值的和，并且第四块灰度级值可以是包括在第四块b4中的多个像素(例如，第四像素px4)的灰度级值的和。
99.块b1、b2、b3和b4中的每一个可以包括相同数量的像素，并且块b1、b2、b3和b4可以彼此不重叠。在另一实施例中，块b1、b2、b3和b4可以包括不同数量的像素。在又一实施例中，块b1、b2、b3和b4可以共享至少一些像素(也就是说，与至少一些像素重叠)。
100.尽管未示出，但是如稍后所描述的，可以针对块中的每一个设置电源线。
101.图3和图4是用于描述根据本公开的实施例的驱动像素的方法的电路图。
102.参照图3，像素pxij可以包括晶体管t1、t2和t3、存储电容器cst以及发光二极管ld。
103.在实施例中，晶体管t1、t2和t3可以由p型晶体管配置。在另一实施例中，晶体管t1、t2和t3可以由n型晶体管配置。在又一实施例中，晶体管t1、t2和t3可以由n型晶体管和p型晶体管的组合配置。
104.p型晶体管广泛地指其中当栅电极和源电极之间的电压差在负方向上增加时传导的电流量增加的晶体管。n型晶体管广泛地指其中当栅电极和源电极之间的电压差在正方向上增加时传导的电流量增加的晶体管。晶体管可以以诸如薄膜晶体管(tft)、场效应晶体管(fet)和双极结型晶体管(bjt)的各种形式配置。
105.在下文中，为了便于描述，晶体管t1、t2和t3示出为n型晶体管。
106.第一晶体管t1可以基于数据电压(或数据信号)来控制上述驱动电流。第一晶体管t1的栅电极可以连接到第一节点n1，第一晶体管t1的第一电极可以连接到第一电源线pl1，并且第一晶体管t1的第二电极可以连接到第二节点n2。第一晶体管t1可以被称为驱动晶体管。电源线中的第一电源线pl1可以连接到第一电源vdd，并且第一电源vdd的电压可以通过第一电源线pl1供给到第一晶体管t1的第一电极。
107.当具有导通电平的脉冲的第一扫描信号被供给到第一扫描线sli1时，第二晶体管t2可以导通以选择像素pxij。第二晶体管t2的栅电极可以连接到第一扫描线sli1，第二晶体管t2的第一电极可以连接到数据线dlj，并且第二晶体管t2的第二电极可以连接到第一节点n1。第二晶体管t2可以被称为扫描晶体管。
108.当具有导通电平的脉冲的第二扫描信号被供给到第二扫描线sli2时，第三晶体管
t3可以导通以将感测信号供给到感测线ilk。第三晶体管t3的栅电极可以连接到第二扫描线sli2，第三晶体管t3的第一电极可以连接到第二节点n2，并且第三晶体管t3的第二电极可以连接到感测线ilk。这里，感测线ilk可以连接到初始化电源(未示出)。
109.存储电容器cst可以充入与第一节点n1的电压和第二节点n2的电压之间的电势差相对应的电荷量。存储电容器cst的第一电极可以连接到第一节点n1，并且存储电容器cst的第二电极可以连接到第二节点n2。
110.发光二极管ld可以以预定亮度发射光。发光二极管ld的阳极可以连接到第二节点n2，并且发光二极管ld的阴极可以连接到第二电源线pl2。电源线中的第二电源线pl2可以连接到第二电源vss，并且第二电源vss的电压可以通过第二电源线pl2供给到发光二极管ld的阴极。
111.通常，第一电源vdd的电压可以大于第二电源vss的电压。然而，在特殊情况下，诸如其中防止包括发光二极管ld的光发射的情况下，第二电源vss的电压可以设置为大于第一电源vdd的电压。
112.在显示时段期间，第一电源vdd的电压可以大于第二电源vss的电压。另外，可以通过水平周期单元将数据电压顺序地施加到数据线dlj。可以在相应的水平周期中将导通电平(例如，高电平)的扫描信号施加到第一扫描线sli1。另外，可以与第一扫描线sli1同步地将截止电平(例如，低电平)的扫描信号施加到第二扫描线sli2，或者可以在显示时段期间，将截止电平的扫描信号连续地施加到第二扫描线sli2。
113.在实施例中，例如，当导通电平的扫描信号被施加到第一扫描线sli1并且截止电平的扫描信号被施加到第二扫描线sli2时，第二晶体管t2可以导通并且第三晶体管t3可以截止。因此，施加到第一节点n1的数据电压和与第二节点n2相对应的电压之间的电压差被写入像素pxij的存储电容器cst。
114.在像素pxij中，根据第一晶体管t1的栅电极和源电极(例如，第一晶体管t1的第二电极)之间的电压差，驱动电流idpx流过连接第一电源vdd、第一电源线pl1、第一晶体管t1、发光二极管ld、第二电源线pl2和第二电源vss的驱动路径。另外，可以根据驱动电流idpx确定发光二极管ld的发光亮度。
115.此后，当截止电平的扫描信号被施加到第一扫描线sli1和第二扫描线sli2时，第二晶体管t2和第三晶体管t3可以截止。因此，不管数据线dlj的电压变化如何，都可以通过存储电容器cst保持第一晶体管t1的栅电极和源电极之间的电压差，并且可以保持发光二极管ld的发光亮度。
116.当像素pxij包括在特定块中时，类似于像素pxij，驱动电流可以分别流过包括在特定块的像素中的除像素pxij之外的剩余像素，包括在剩余像素中的发光元件也发射光，并且因此可以以特定块单位显示图像。此时，分别流过包括在特定块中的像素的驱动电流的和可以近似于块电流。
117.参照图4，在实施例中，在感测时段期间，为了防止发光二极管ld的光发射，施加到第二电源线pl2(或连接到第二电源线pl2的发光二极管ld的阴极)的电压可以设置为大于第一电源vdd的电压。在另一实施例中，在感测时段期间，第二电源vss的电压可以设置为大于第一电源vdd的电压。另外，可以将感测电压(未示出)施加到数据线dlj。另外，当导通电平的扫描信号被与感测电压同步地施加到第一扫描线sli1和第二扫描线sli2时，第二晶体
管t2和第三晶体管t3可以导通。这里，可以在将感测电压施加到数据线dlj之前，通过感测线ilk将初始化电压(未示出)施加到第二节点n2。
118.当感测电压被施加到像素pxij的第一节点n1并且第一晶体管t1导通时，感测电流ispx流过连接第一电源vdd、第一电源线pl1、第一晶体管t1和第三晶体管t3的感测路径。
119.当像素pxij包括在特定块中时，如上所述，在感测时段中，感测电流可以分别流过包括在特定块中的像素中的除像素pxij之外的剩余像素。这里，分别流过包括在特定块中的像素的感测电流的和可以近似于块电流。
120.像素pxij可以是红色、绿色和蓝色中的任意一个的子像素，或者可以是包括红色、绿色和蓝色的子像素的单位像素(或点)。当像素pxij包括三个不同的子像素时，以特定图案包括在像素pxij中的子像素的发射组合可以是白色的。
121.图3和图4中示出的像素pxij是示例性的，并且图3和图4中示出的像素pxij的实施例可以应用于另一电路的像素。例如，具有更复杂电路的像素可以进一步接收发射控制信号，并且因此可以调整发射时段。
122.在下文中，将详细描述包括在根据本公开的实施例的显示装置1中的电力接口70的实施例。在下文中，为了便于描述，将示出与图2中示出的四个块相对应的四条第一电源线和四条第二电源线。
123.图5是用于描述包括在图1中示出的显示装置中的电力接口的实施例的图。
124.在图5中，为了便于描述，示出了四个晶体管和四条控制线。
125.参照图5，根据实施例的电力接口70a可以包括多个晶体管m1、m2、m3和m4。
126.第一晶体管m1可以控制提供给第一块b1的第一块电流i1(见图6)。第一晶体管m1的第一电极可以连接到第一节点n1，第一晶体管m1的第二电极可以连接到第二节点n2，并且第一晶体管m1的栅电极可以连接到控制线cl1。
127.第二晶体管m2可以控制提供给第二块b2的第二块电流i2(见图6)。第二晶体管m2的第一电极可以连接到第一节点n1，第二晶体管m2的第二电极可以连接到第三节点n3，并且第二晶体管m2的栅电极可以连接到控制线cl2。
128.第三晶体管m3可以控制提供给第三块b3的第三块电流i3(见图6)。第三晶体管m3的第一电极可以连接到第一节点n1，第三晶体管m3的第二电极可以连接到第四节点n4，并且第三晶体管m3的栅电极可以连接到控制线cl3。
129.第四晶体管m4可以控制提供给第四块b4的第四块电流i4(见图6)。第四晶体管m4的第一电极可以连接到第一节点n1，第四晶体管m4的第二电极可以连接到第五节点n5，并且第四晶体管m4的栅电极可以连接到控制线cl4。
130.第一电源vdd可以连接到第一节点n1，第一电源线pl11可以连接到第二节点n2，第一电源线pl12可以连接到第三节点n3，第一电源线pl13可以连接到第四节点n4，并且第一电源线pl14可以连接到第五节点n5。第一电源线pl11至pl14可以在电力接口70a的外部彼此连接。例如，第一电源线pl11至pl14可以在显示电路40中彼此连接。
131.多个第二电源线pl21、pl22、pl23和pl24中的每一条可以连接到第六节点n6。另外，第二电源vss可以连接到第六节点n6。第二电源线pl21、pl22、pl23和pl24可以在电力接口70a的外部彼此连接。例如，第二电源线pl21、pl22、pl23和pl24可以在显示电路40中彼此连接。例如，第二电源线pl21、pl22、pl23和pl24可以共同地连接到显示电路40中的金属板。
132.图6是用于描述其中电流传感器感测块电流的实施例的图，并且图7是用于描述其中计算导通的晶体管的等效电阻器的电阻值的实施例的图。
133.在图6和图7中，类似于图5，为了便于描述，示出了四个晶体管和四条控制线。
134.根据实施例的电力接口70a可以基于第一电源vdd和从块电流控制器90输出的控制电压将块电流i1、i2、i3和i4分别输出到第一电源线pl11、pl12、pl13和pl14。
135.这里，块电流可以表示流过包括在电力接口70a中的晶体管的电流。例如，第一块电流i1可以是流过导通的第一晶体管m1的电流，第二块电流i2可以是流过导通的第二晶体管m2的电流，第三块电流i3可以是流过导通的第三晶体管m3的电流，并且第四块电流i4可以是流过导通的第四晶体管m4的电流。
136.参照图5和图6，例如，当块电流控制器90将导通电平的控制电压分别输出到控制线cl1、cl2、cl3和cl4，并且导通电平的控制电压被施加到晶体管m1、m2、m3和m4的各个栅电极时，晶体管m1、m2、m3和m4导通。
137.当晶体管m1、m2、m3和m4导通时，块电流i1、i2、i3和i4如以上参照图2和图3所描述地流动。这里，块电流i1、i2、i3和i4分别通过第一电源线pl11、pl12、pl13和pl14供给到显示电路40。另外，由于包括在块b1、b2、b3和b4中的像素pxij以所需的亮度发射光，因此块b1、b2、b3和b4以与其相应块灰度级值相对应的灰度级显示图像。
138.这里，块灰度级值可以是包括在块中的各个像素的灰度级值的代表值、包括在块中的各个像素的灰度级值的和、以及包括在块中的各个像素的灰度级值的和的平均值中的任意一个。在下文中，为了便于描述，假定块灰度级值是包括在块中的各个像素的灰度级值的和。
139.这里，当块灰度级值大(高)时，根据块灰度级值的块电流也可以是大的。参照图4和图6，例如，当第三块b3的第三块灰度级值是最高灰度级值(例如，白色灰度级)，并且第一块b1的第一块灰度级值、第二块b2的第二块灰度级值和第四块b4的第四块灰度级值是最低灰度级值(例如，黑色灰度级)和最高灰度级值(例如，白色灰度级)之间的灰度级值时，由于包括在第三块b3中的像素(例如，第三像素px3)以与作为最高灰度级值的第三灰度级值相对应的灰度级值发射光，并且包括在各个第一块b1、第二块b2和第四块b4中的像素(例如，第一像素px1、第二像素px2和第四像素px4)以最低灰度级值(例如，黑色灰度级)和最高灰度级值(例如，白色灰度级)之间的灰度级值发射光，第三块b3的第三块电流i3可以是块电流i1、i2、i3和i4中最大的。
140.分别供给到块b1、b2、b3和b4的块电流i1、i2、i3和i4可以通过相应的第二电源线pl21、pl22、pl23和pl24流到第二电源vss。
141.电流传感器80可以通过测量线vl1、vl2、vl3、vl4和vl5感测块电流i1、i2、i3和i4。
142.在实施例中，例如，电流传感器80可以通过连接到第一节点n1的测量线vl1和连接到第二节点n2的测量线vl2感测通过驱动第一晶体管m1产生的第一块电流i1。
143.在实施例中，例如，电流传感器80可以通过连接到第一节点n1的测量线vl1和连接到第三节点n3的测量线vl3感测通过驱动第二晶体管m2产生的第二块电流i2。
144.在实施例中，例如，电流传感器80可以通过连接到第一节点n1的测量线vl1和连接到第四节点n4的测量线vl4感测通过驱动第三晶体管m3产生的第三块电流i3。
145.在实施例中，例如，电流传感器80可以通过连接到第一节点n1的测量线vl1和连接
到第五节点n5的测量线vl5感测通过驱动第四晶体管m4产生的第四块电流i4。
146.电流传感器80可以输出分别与感测到的块电流i1、i2、i3和i4相对应的感测值。这里，电流传感器80可以通过测量感测电流所需的感测电阻器的两个端子之间的电势差来输出电流作为感测值。这里，由于可以用等效电阻器表示导通的晶体管m1、m2、m3和m4，因此具有可以用感测电阻器替换与等效电阻器相对应的导通的晶体管m1、m2、m3和m4的优点。也就是说，电流传感器80可以基于导通的晶体管(晶体管m1、m2、m3和m4中的任意一个)的第一电极与第二电极之间的电势差和等效电阻器(晶体管m1、m2、m3和m4中的任意一个)的电阻值来输出与块电流(块电流i1、i2、i3和i4中的任意一个)相对应的感测值。
147.在实施例中，例如，电流传感器80可以基于导通的第一晶体管m1的第一电极与第二电极之间的电势差和导通的第一晶体管m1的等效电阻器的电阻值来输出与第一块电流i1相对应的第一感测值。然而，本公开不限于此，并且上述实施例可以类似地应用于第二晶体管m2、第三晶体管m3和第四晶体管m4。
148.在实施例中，可以根据欧姆定律将感测值计算为导通的晶体管的第一电极和第二电极之间的电势差与导通的晶体管的等效电阻器的电阻值的比率。
149.为了使电流传感器80用感测电阻器代替导通的晶体管以计算感测值，需要用于导通的晶体管m1、m2、m3和m4中的每一个的等效电阻器的电阻值。
150.在实施例中，例如，可以基于当导通电平的参考控制电压输入到栅电极并且晶体管导通时测量的等效电阻器的电势差以及与预设的参考块灰度级值相对应的参考电流，来计算等效电阻器的电阻值。
151.具体地，当在显示电路40上显示参考图案时，还可以计算各个块b1、b2、b3和b4的参考块灰度级值以显示参考图案，并且还可以计算用于以与参考块灰度级值相对应的灰度级发射光的用于包括在各个块b1、b2、b3和b4中的像素的针对各个参考电流it1、it2、it3和it4的参考电流值。
152.当导通电平的参考电压被提供给各个晶体管m1、m2、m3和m4的栅电极时，晶体管m1、m2、m3和m4导通。当测量与各个导通的晶体管m1、m2、m3和m4相对应的等效电阻器的电势差时，可以使用电势差和参考电流值针对导通的晶体管m1、m2、m3和m4中的每一个计算用于导通的晶体管的等效电阻器的电阻值。这里，参考图案可以是，例如，其中包括在显示电路40中的所有像素以最高灰度级值发射光的全白图案，并且参考块灰度级值可以是最高灰度级值(或白色灰度级)。参考电流it1、it2、it3和it4中的每一个可以表示与用于包括在块b1、b2、b3和b4中的每一个中的多个像素的电流的和相对应的电流，以以最高灰度级值(例如白色灰度级)发射光。另外，参考电流值可以表示参考电流的数字值。然而，本公开不限于此。
153.参照图6和图7，例如，当参考图案是全白图案时，由于包括在块b1、b2、b3和b4中的所有像素以最高灰度级值发射光，因此也可以将各个块b1、b2、b3和b4的所有参考块灰度级值计算为最高灰度级值。这里，还可以计算与作为最高灰度级值的参考块灰度级值相对应的参考电流it1、it2、it3和it4。
154.当块电流控制器90将导通的参考控制电压供给到晶体管(例如，第一晶体管m1)的栅电极时，晶体管(例如，第一晶体管m1)可以导通，并且导通的晶体管(例如，第一晶体管m1)可以用等效电阻器(例如，第一等效电阻器rdson1)代表。另外，当在显示电路40(例如，
块b1、b2、b3和b4)上显示全白图案时，电流传感器80可以测量等效电阻器(例如，第一等效电阻器rdson1)的电势差(例如，第一电势差vt1)。接下来，电流传感器80可以根据欧姆定律将等效电阻器(例如，第一等效电阻器rdson1)的电阻值计算为电势差(例如，第一电势差vt1)和与参考块灰度级值相对应的参考电流(例如，第一参考电流it1)(或参考电流值)的比率。上述示例是基于导通的第一晶体管m1的第一等效电阻器rdson1的实施例，但是不限于此。其它等效电阻器rdson2、rdson3和rdson4的相应电阻值也可以类似地计算为相应电势差vt2、vt3和vt4和相应参考电流it2、it3和it4的比率。
155.如上所述地计算的等效电阻器rdson1、rdson2、rdson3和rdson4的电阻值可以写入存储器以在制造过程中限定，或者可以在使用产品的过程中被主动地重新限定。
156.根据上述实施例，具有可以仅使用晶体管而无需单独的感测电阻器来感测块电流的效果。
157.另外，根据上述实施例，具有可以通过感测块电流而无需添加单独的感测电阻器来降低制造成本的效果。
158.图8是用于描述其中检测劣化块的实施例的图。
159.在图8中，类似于图5至图7，为了便于描述，示出了四个晶体管。
160.参照图1、图5和图8，块电流控制器90可以将导通电平的控制电压vc1、vc2、vc3和vc4分别输出到控制线cl1、cl2、cl3和cl4。另外，当通过控制电压vc1、vc2、vc3和vc4使晶体管m1、m2、m3和m4导通时，可以将块驱动电流id1、id2、id3和id4提供给显示电路40。这里，图8中示出的块驱动电流id1、id2、id3和id4中的每一个可以表示与用于包括在块b1、b2、b3和b4中的每一个中的多个相应像素的电流的和相对应的电流以以所需的亮度发射光。
161.在实施例中，例如，当块电流控制器90将导通电平的第一控制电压vc1输出到控制线cl1，并且第一控制电压vc1被供给到第一晶体管m1的栅电极时，第一晶体管m1可以导通，并且可以将与包括在第一块b1中的像素的驱动电流的和近似地相对应的第一块驱动电流id1供给到第一块b1。
162.由于块驱动电流id1、id2、id3和id4被分别提供给块b1、b2、b3和b4，因此包括块b1、b2、b3和b4的显示电路40可以根据图像数据显示图像。
163.当特定块(例如，第三块b3)的块灰度级值大于其它块b1、b2和b4的块灰度级值中的每一个时，提供给特定块(例如，第三块b3)的块驱动电流(例如，第三块驱动电流id3)的大小可以大于提供给其它块b1、b2和b4的块驱动电流id1、id2和id4的大小中的任意大小。
164.在这种情况下，当相对大的块驱动电流(例如，第三块驱动电流id3)被提供给特定块(例如，第三块b3)时，在与特定块(例如，第三块b3)相对应的区域中可能发生劣化。如上所述，其中预期发生劣化的特定块可以被称为劣化块。
165.劣化块的块灰度级值可以大于块中的除劣化块之外的剩余块的块灰度级值中的每一个。作为实施例，从劣化块获得的感测值(例如，块电流)可以大于从剩余块获得的感测值中的每一个。作为另一实施例，从劣化块获得的感测值可以大于预设的参考感测值。这里，参考感测值可以在制造过程中通过实验等写入存储器。然而，本公开不限于此，并且即使在制造过程之后，参考感测值也可以被更新。
166.随着特定块(例如，第三块b3)的块灰度级值与其它块b1、b2和b4的块灰度级值中的每一个之间的差增大，提供给特定块(例如，第三块b3)的块驱动电流(例如，第三块驱动
电流id3)的大小与提供给其它块b1、b2和b4的块驱动电流id1、id2和id4的大小中的每一个之间的差可能增大。由于由电流导致的劣化现象与电流值的平方成正比，因此在特定块(例如，第三块b3)中发生的劣化可能会更加集中。
167.因此，为了防止这种情况，需要通过控制施加到晶体管(例如，第三晶体管m3)的栅电极的控制电压(例如，第三控制电压vc3)来调节提供给劣化块(例如，第三块b3)的块电流(例如，第三块驱动电流id3)。
168.当块b1、b2、b3和b4的所有块灰度级值均相对高，并且因此块驱动电流id1、id2、id3和id4的大小之间的差相对小时，由于特定块中的劣化的可能性低，因此块电流控制器90可以使用其中块灰度级值的和等于或小于预设的参考灰度级值的情况作为开始条件来开始劣化块的检测操作。这里，可以在制造过程中通过实验将预设的参考灰度级值写入存储器。然而，本公开不限于此，并且即使在制造过程之后，预设的参考灰度级值也可以被更新。
169.例如，块电流控制器90将第一块b1的第一块灰度级值、第二块b2的第二块灰度级值、第三块b3的第三块灰度级值和第四块b4的第四块灰度级值的全部相加，并且将块灰度级值的相加与参考灰度级值进行比较。当块灰度级值的相加等于或小于参考灰度级值时，块电流控制器90可以开始劣化块的检测操作。
170.当开始劣化块的检测操作时，块电流控制器90可以比较块b1、b2、b3和b4的块灰度级值。例如，块电流控制器90可以比较第一块b1的第一块灰度级值、第二块b2的第二块灰度级值、第三块b3的第三块灰度级值和第四块b4的第四块灰度级值。
171.如图8中所示，当包括在第三块b3中的像素以最高灰度级值发射光时，第三块b3的第三块灰度级值可以大于其它块b1、b2和b4的块灰度级值中的任意块灰度级值。在这种情况下，块电流控制器90可以将关于第三块b3的信息写入存储器。
172.当关于第三块b3的信息被存储时，块电流控制器90接收从电流传感器80感测到的针对块驱动电流id1、id2、id3和id4的感测值，并且比较针对块驱动电流id1、id2、id3和id4的感测值。另外，当提供给第三块b3的针对第三块驱动电流id3的感测值大于提供给其它块b1、b2和b4的块驱动电流id1、id2和id4中的任意块驱动电流时，块电流控制器90可以将第三块b3检测为劣化块。
173.图9是用于描述其中调节供给到检测到的劣化块的块电流的实施例的图。
174.在图9中，类似于图5至图8，为了便于描述，示出了四个晶体管和四个控制电压。
175.参照图8和图9，当检测到劣化块(例如，第三块b3)时，块电流控制器90改变施加到与劣化块(例如，第三块b3)相对应的晶体管(例如，第三晶体管m3)的栅电极的控制电压，并且将改变后的控制电压供给到与劣化块(例如，第三块b3)相对应的晶体管(例如，第三晶体管m3)的栅电极。这里，用于调节供给到劣化块的块电流的控制电压可以为与劣化块相对应的晶体管截止的截止电平的电压。例如，第三控制电压vc3’可以是能够使第三晶体管m3截止的截止电平的电压。
176.当图9中示出的第三控制电压vc3’被施加到第三晶体管m3的栅电极时，第三晶体管m3可以截止，并且块电流(例如，第三块驱动电流id3)可以不流过第三晶体管m3。
177.尽管未示出，但是由于第一电源线pl11、pl12、pl13和pl14以及第二电源线pl21、pl22、pl23和pl24可以分别连接在显示电路40中，因此提供给与劣化块相邻的块的块电流
中的一些可以流过包括在显示电路40中的劣化块中的像素，并且因此与劣化块相对应的像素中的每一个可以以所需的亮度发射光。
178.块电流控制器90可以基于施加到与劣化块(例如，第三块b3)相对应的晶体管(例如，第三晶体管m3)的栅电极的控制电压的变化量来确定提供给劣化块(例如，第三块b3)的块电流(例如，第三块驱动电流id3)的变化量。此时，与图8的第三控制电压vc3的电压不同，第三控制电压vc3’是保持第三晶体管m3的导通状态的导通电平的电压。然而，第三控制电压vc3’可以是低于图8中示出的(当第三晶体管m3是nmos时的)第三控制电压vc3的电压。此时的控制电压的变化量可以是与第三控制电压vc3和第三控制电压vc3’之间的差值相对应的变化量。
179.尽管没有清楚地示出，但是在实施例中，块电流控制器90可以基于劣化块的块灰度级值与剩余块的块灰度级值中的任意一个之间的第一差值来计算控制电压的变化量。这里，块灰度级值中的任意一个可以是剩余块的块灰度级值中的最小的最小块灰度级值。
180.具体地，例如，当图8中示出的块b1、b2、b3和b4中的具有最小块灰度级值的块是第二块b2时，块电流控制器90计算作为劣化块的第三块b3的第三块灰度级值和第二块b2的第二块灰度级值之间的第一差值，通过将第一差值反映到图8中示出的第三控制电压vc3来校正第三控制电压vc3，并且将校正后的第三控制电压vc3’施加到第三晶体管m3的栅电极。这里，(当第三晶体管m3是nmos时)第一差值越大，校正后的第三控制电压vc3’越小。
181.当校正后的第三控制电压vc3’被施加到第三晶体管m3的栅电极时，可以将改变后的第三块驱动电流提供给第三块b3。这里，(当第三晶体管m3是nmos时，)校正后的第三控制电压vc3’可以小于图8中示出的第三控制电压vc3。
182.尽管没有清楚地示出，但是在另一实施例中，块电流控制器90可以基于劣化块的感测值与剩余块的感测值中的任意一个之间的第二差值来计算控制电压的变化量。这里，任意一个感测值可以是剩余块的感测值中的最小的最小感测值。
183.具体地，例如，当图8中示出的块b1、b2、b3和b4中的具有最小感测值的块是第二块b2时，块电流控制器90计算作为劣化块的第三块b3的感测值(例如，与图8中示出的第三块驱动电流id3相对应的感测值)与第二块b2的感测值(例如，与图8中示出的第二块驱动电流id2相对应的感测值)的第二差值，通过将第二差值反映到图8中示出的第三控制电压vc3来校正第三控制电压vc3，并且将校正后的第三控制电压vc3’施加到第三晶体管m3的栅电极。这里，(当第三晶体管m3是nmos时，)第二差值越大，校正后的第三控制电压vc3’越小。
184.在又一实施例中，块电流控制器90可以基于劣化块的块灰度级值与剩余块的块灰度级值中的任意一个之间的第一差值以及劣化块的感测值与剩余块的感测值中的任意一个之间的第二差值来计算控制电压的变化量。
185.由于从劣化块获得的感测值可以大于预设的参考感测值，因此块电流控制器90可以使用劣化块的感测值与参考感测值之间的第二差值而不是劣化块的感测值与上述剩余块的感测值中的任意一个之间的第二差值来确定控制电压的变化量。
186.在实施例中，例如，当劣化块是第三块b3时，计算第三块b3的感测值(例如，与图8中示出的第三块驱动电流id3相对应的感测值)与参考感测值之间的第二差值，通过将第二差值反映到图8中示出的第三控制电压vc3来计算校正后的第三控制电压vc3’，并且将校正后的第三控制电压vc3’施加到第三晶体管m3的栅电极。
187.参照第三块b3描述了上述示例，但是不限于此。上述实施例也可以应用于其它块b1、b2和b4中的每一个。
188.根据上述实施例，具有可以防止由过电流导致的像素的劣化或走火现象的效果。
189.另外，具有可以通过最小化在显示电路40中产生的劣化来改善显示装置1的寿命的效果。
190.代替用于晶体管m1、m2、m3和m4的等效电阻器的电阻值，可以使用用于感测电流的感测电阻器。
191.图10是用于描述包括在图5中示出的电力接口中的感测电阻器的实施例的图，并且图11是用于描述其中电流传感器感测块电流的另一实施例的图。
192.在图10和图11中，为了便于描述，示出了四个感测电阻器。在图10和图11中，相同的附图标记被分配给与图5中示出的组件相同的组件，并且将省略其详细描述。
193.参照图10，电力接口70a还可以包括多个感测电阻器r1、r2、r3和r4。
194.感测电阻器r1、r2、r3和r4中的每一个可以是用于感测块电流的电阻器。各个感测电阻器r1、r2、r3和r4的第一端子可以连接到第一电源vdd，并且各个感测电阻器r1、r2、r3和r4的第二端子可以连接到相应的晶体管m1、m2、m3和m4的第一电极。
195.在实施例中，例如，第一感测电阻器r1的第一端子可以连接到第一节点n1，并且第一感测电阻器r1的第二端子可以连接到第七节点n7。这里，第一电源vdd可以连接到第一节点n1，并且第一晶体管m1的第一电极可以连接到第七节点n7。
196.例如，第二感测电阻器r2的第一端子可以连接到第一节点n1，并且第二感测电阻器r2的第二端子可以连接到第八节点n8。这里，第一电源vdd可以连接到第一节点n1，并且第二晶体管m2的第一电极可以连接到第八节点n8。
197.例如，第三感测电阻器r3的第一端子可以连接到第一节点n1，并且第三感测电阻器r3的第二端子可以连接到第九节点n9。这里，第一电源vdd可以连接到第一节点n1，并且第三晶体管m3的第一电极可以连接到第九节点n9。
198.例如，第四感测电阻器r4的第一端子可以连接到第一节点n1，并且第四感测电阻器r4的第二端子可以连接到第十节点n10。这里，第一电源vdd可以连接到第一节点n1，并且第四晶体管m4的第一电极可以连接到第十节点n10。
199.这里，各个第一感测电阻器r1、第二感测电阻器r2、第三感测电阻器r3和第四感测电阻器r4的电阻值可以在制造过程中写入存储器，并且可以是相同的值或不同的值。
200.参照图10和图11，当感测电阻器r1、r2、r3和r4包括在电力接口70a中时，各条测量线vl1、vl2、vl3、vl4和vl5可以连接到相应感测电阻器r1、r2、r3、r4的两个端子，电流传感器80可以测量相应感测电阻器r1、r2、r3、r4中的每个感测电阻器的两个端子之间的电势差，并且可以使用电势差和相应感测电阻器r1、r2、r3和r4的电阻值来计算与块电流i1、i2、i3和i4相对应的感测值。
201.也就是说，可以基于连接有各个感测电阻器r1、r2、r3和r4的第一端子的节点(例如，第一节点n1)的电压与连接有各个感测电阻器r1、r2、r3和r4的第二端子的相应节点(例如，第七节点n7、第八节点n8、第九节点n9和第十节点n10)的电压之间的电势差以及各个感测电阻器r1、r2、r3和r4的电阻值来计算感测值。
202.例如，电流传感器80可以通过经由连接到第一节点n1的测量线vl1和连接到第七
节点n7的测量线vl2测量第一感测电阻器r1的电势差并根据欧姆定律计算第一感测电阻器r1的电势差与电阻值的比率，来计算与第一块电流i1相对应的感测值。
203.例如，电流传感器80可以通过经由连接到第一节点n1的测量线vl1和连接到第八节点n8的测量线vl3测量第二感测电阻器r2的电势差并根据欧姆定律计算第二感测电阻器r2的电势差与电阻值的比率，来计算与第二块电流i2相对应的感测值。
204.例如，电流传感器80可以通过经由连接到第一节点n1的测量线vl1和连接到第九节点n9的测量线vl4测量第三感测电阻器r3的电势差并根据欧姆定律计算第三感测电阻器r3的电势差与电阻值的比率，来计算与第三块电流i3相对应的感测值。
205.例如，电流传感器80可以通过经由连接到第一节点n1的测量线vl1和连接到第十节点n10的测量线vl5测量第四感测电阻器r4的电势差并根据欧姆定律计算第四感测电阻器r4的电势差与电阻值的比率，来计算与第四块电流i4相对应的感测值。
206.根据上述实施例，在制造过程中不将用于晶体管m1、m2、m3和m4的等效电阻器的电阻值写入存储器，并且通过使用简单的感测电阻器来测量块电流。因此，具有可以减少存储器的使用量并且可以提高计算速度的效果。
207.图12是用于描述包括在图1中示出的显示装置中的电力接口的另一实施例的图。
208.在图12中，相同的附图标记被分配给与图5中示出的组件相同的组件，并且将省略其详细描述。另外，在图12中，与图5相同，为了便于说明，示出了四个块、四个晶体管、四条第一电源线和四条第二电源线。
209.参照图12，根据本公开的另一实施例的电力接口70b可以包括多个晶体管m1、m2、m3和m4，除图12中示出的晶体管m1、m2、m3和m4设置的位置与图5中示出的晶体管m1、m2、m3和m4设置的位置彼此不同之外，所述多个晶体管m1、m2、m3和m4与图5中示出的电力接口70a的多个晶体管m1、m2、m3和m4相同。
210.第一晶体管m1的第一电极可以连接到第二电源线pl21，第一晶体管m1的第二电极可以连接到第六节点n6，并且第一晶体管m1的栅电极可以连接到控制线cl1。
211.第二晶体管m2的第一电极可以连接到第二电源线pl22，第二晶体管m2的第二电极可以连接到第六节点n6，并且第二晶体管m2的栅电极可以连接到控制线cl2。
212.第三晶体管m3的第一电极可以连接到第二电源线pl23，第三晶体管m3的第二电极可以连接到第六节点n6，并且第三晶体管m3的栅电极可以连接到控制线cl3。
213.第四晶体管m4的第一电极可以连接到第二电源线pl24，第四晶体管m4的第二电极可以连接到第六节点n6，并且第四晶体管m4的栅电极可以连接到控制线cl4。
214.第二电源线pl21可以连接到第十一节点n11，第二电源线pl22可以连接到第十二节点n12，第二电源线pl23可以连接到第十三节点n13，并且第二电源线pl24可以连接到第十四节点n14。
215.多条第一电源线pl11、pl12、pl13和pl14中的每一条可以连接到第一节点n1。另外，第二电源vss可以连接到第六节点n6。
216.图13是用于描述包括在图12中示出的电力接口中的感测电阻器的实施例的图。
217.参照图13，图12中示出的电力接口70b可以包括与图5中示出的电力接口70a的多个感测电阻器r1、r2、r3和r4相同的多个感测电阻器r1、r2、r3和r4。
218.例如，第一感测电阻器r1可以设置在第一电源线pl11和第一电源vdd之间，第一感
测电阻器r1的第一端子可以连接到第一节点n1，并且第一感测电阻器r1的第二端子可以连接到第二节点n2。
219.例如，第二感测电阻器r2可以设置在第一电源线pl12和第一电源vdd之间，第二感测电阻器r2的第一端子可以连接到第一节点n1，并且第二感测电阻器r2的第二端子可以连接到第三节点n3。
220.例如，第三感测电阻器r3可以设置在第一电源线pl13和第一电源vdd之间，第三感测电阻器r3的第一端子可以连接到第一节点n1，并且第三感测电阻器r3的第二端子可以连接到第四节点n4。
221.例如，第四感测电阻器r4可以设置在第一电源线pl14和第一电源vdd之间，第四感测电阻器r4的第一端子可以连接到第一节点n1，并且第四感测电阻器r4的第二端子可以连接到第五节点n5。
222.由于图13中示出的感测电阻器r1、r2、r3和r4的描述与上面参照图10描述的相同，因此将省略其描述。
223.图14是用于描述包括在图1中示出的显示装置中的电力接口的又一实施例的图。
224.参照图14，根据本公开的又一实施例的电力接口70c可以具有与图10中示出的电力接口70a的结构相似的结构，并且还可以包括晶体管m5、m6、m7和m8。
225.第五晶体管m5的第一电极可以连接到第十一节点n11，第五晶体管m5的第二电极可以连接到第六节点n6，并且第五晶体管m5的栅电极可以连接到控制线cl5。
226.第六晶体管m6的第一电极可以连接到第十二节点n12，第六晶体管m6的第二电极可以连接到第六节点n6，并且第六晶体管m6的栅电极可以连接到控制线cl6。
227.第七晶体管m7的第一电极可以连接到第十三节点n13，第七晶体管m7的第二电极可以连接到第六节点n6，并且第七晶体管m7的栅电极可以连接到控制线cl7。
228.第八晶体管m8的第一电极可以连接到第十四节点n14，第八晶体管m8的第二电极可以连接到第六节点n6，并且第八晶体管m8的栅电极可以连接到控制线cl8。
229.如图13中所示，第二电源线pl21可以连接到第十一节点n11，第二电源线pl22可以连接到第十二节点n12，第二电源线pl23可以连接到第十三节点n13，并且第二电源线pl24可以连接到第十四节点n14。
230.晶体管m5、m6、m7和m8可以在显示时段中导通并且可以在感测时段中截止。作为实施例，晶体管m5、m6、m7和m8中的每一个可以由块电流控制器90控制。作为另一实施例，晶体管m5、m6、m7和m8中的每一个可以通过其中块电流控制器90和时序控制器10被集成的配置来控制。晶体管m5、m6、m7和m8中的每一个可以被称为感测晶体管。在下文中，将描述其中在感测时段中驱动作为感测晶体管的晶体管m5、m6、m7和m8的实施例。
231.图15是用于描述其中在感测时段中驱动图14中示出的电力接口的实施例的图。
232.参照图15，在感测时段中，作为感测晶体管的晶体管m5、m6、m7和m8可以通过控制线接收截止电平的控制信号并且可以截止。
233.在这种情况下，尽管未示出，但是如以上参照图4所描述的，为了防止包括在像素pxij中的每一个中的发光二极管ld的光发射，施加到第二电源线(例如，图13中示出的第二电源线pl21、pl22、pl23和pl24)的电压可以高于第一电源vdd的电压。
234.参照图15，例如，施加到连接有图13中示出的第二电源线pl21和第五晶体管m5的
第一电极的第十一节点n11的电压可以高于第一电源vdd的电压。
235.参照图15，例如，施加到连接有图13中示出的第二电源线pl22和第六晶体管m6的第一电极的第十二节点n12的电压可以高于第一电源vdd的电压。
236.参照图15，例如，施加到连接有图13中示出的第二电源线pl23和第七晶体管m7的第一电极的第十三节点n13的电压可以高于第一电源vdd的电压。
237.参照图15，例如，施加到连接有图13中示出的第二电源线pl24和第八晶体管m8的第一电极的第十四节点n14的电压可以高于第一电源vdd的电压。
238.当晶体管m5、m6、m7和m8截止时，感测电流is1、is2、is3和is4不会流到第二电源vss，而是可以提供给感测电路50。因此，补偿器60可以计算补偿值。
239.尽管已经参照附图描述了本公开的实施例，但是本公开所属领域的技术人员将理解的是，实施例可以以其它特定形式来实现而不改变本公开的技术精神和基本特征。因此，应当理解的是，上述实施例在所有方面均是示例性的而不是限制性的。