像素和有机发光显示设备的制作方法

像素和有机发光显示设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年6月30日提交的第10
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2020
‑
0080497号韩国专利申请的优先权和权益，出于所有目的，通过引用将上述韩国专利申请并入本文，如同在本文中完全阐述一样。
技术领域
3.本发明的示例性实施例总体上涉及像素和有机发光显示设备。


背景技术：

4.有机发光显示设备包括发光器件，例如有机发光二极管，其亮度根据电流而变化。有机发光显示设备中的一个像素包括：有机发光二极管；驱动晶体管，根据栅极端子和源极端子之间的电压来控制供应到有机发光二极管的电流的量；开关晶体管，被配置为将用于控制有机发光二极管的亮度的数据电压传递到驱动晶体管；以及用于存储数据电压的存储电容器。当存储在存储电容器中的数据电压在一帧内不保持恒定时，有机发光二极管的亮度改变。
5.另外，在将数据电压写入像素之前，向驱动晶体管的栅极施加初始化电压。当在有机发光二极管发光之前向有机发光二极管的阳极施加相同的初始化电压时，由于有机发光二极管的电容器特性，发光可能延迟。
6.在该背景技术部分公开的以上信息仅是为了加强对本发明构思的背景技术的理解，因此其可能包含不构成现有技术的信息。


技术实现要素：

7.根据本发明的示例性实施例构造的装置包括像素、所述像素的布局和包括所述像素的有机发光显示设备，借助于所述像素，通过在不使串扰特性劣化的情况下应用现有的设计规则，可以保持分辨率和像素尺寸，并且可以解决发射延迟问题。
8.本发明构思的附加特征将在随后的描述中进行阐述，并部分地根据该描述将是明显的，或者可以由本发明构思的实践而获知。
9.根据一个或多个示例性实施例，一种像素，接收第一扫描信号、第二扫描信号和第三扫描信号以及数据电压，并且连接到被配置为传送驱动电压的电力线以及被配置为分别传送第一初始化电压和第二初始化电压的第一电压线和第二电压线，所述像素包括：发光器件；驱动薄膜晶体管(tft)，用于根据栅源电压控制从所述电力线流到所述发光器件的电流的大小；存储电容器，位于所述电力线和所述驱动tft的栅极之间；扫描tft，被配置为响应于所述第一扫描信号将所述数据电压传送到所述驱动tft的源极；第一补偿tft和第二补偿tft，响应于所述第一扫描信号而操作，并且彼此串联地连接在所述驱动tft的漏极和所述栅极之间；栅极初始化tft，被配置为响应于所述第二扫描信号将所述第一初始化电压施加到所述驱动tft的所述栅极；阳极初始化tft，被配置为响应于所述第三扫描信号将所述
第二初始化电压施加到所述发光器件的阳极；以及屏蔽电容器，设置在浮置节点和所述电力线或所述第二电压线之间，所述浮置节点位于所述第一补偿tft和所述第二补偿tft之间。
10.所述像素可以包括：半导体层，所述半导体层具有所述第一补偿tft的第一补偿沟道区、所述第二补偿tft的第二补偿沟道区以及位于所述第一补偿沟道区和所述第二补偿沟道区之间的导电区域，所述导电区域作为所述屏蔽电容器的下电极；第一导电层，包括所述第一补偿tft的第一栅极和所述第二补偿tft的第二栅极；以及第二导电层，位于所述第一导电层上，所述第二导电层包括所述屏蔽电容器的与所述半导体层的所述导电区域至少部分地交叠的上电极。
11.所述第一导电层还可以包括所述存储电容器的下电极以及被配置为分别传送所述第一扫描信号、所述第二扫描信号和所述第三扫描信号的第一扫描线、第二扫描线和第三扫描线，所述第二导电层还可以包括所述存储电容器的上电极以及所述第一电压线和所述第二电压线，并且所述第一扫描线、所述第二扫描线和所述第三扫描线以及所述第一电压线和所述第二电压线在第一方向上延伸。
12.所述像素还可以包括：第三导电层，位于所述第二导电层上，所述第三导电层具有所述电力线和被配置为传送所述数据电压的数据线；以及第四导电层，位于所述第三导电层上，所述第四导电层具有所述发光器件的阳极，其中，所述电力线和所述数据线在第二方向上延伸。
13.所述屏蔽电容器的所述上电极可以是所述第二电压线的一部分。
14.所述第三导电层还可以包括第一连接电极，所述第一连接电极将所述屏蔽电容器的在所述第二导电层中的所述上电极与所述存储电容器的在所述第二导电层中的所述上电极连接。
15.所述半导体层还可以包括所述阳极初始化tft的漏极区和所述栅极初始化tft的漏极区，并且所述第三导电层可以包括：第二连接电极，将所述第二导电层的所述第二电压线与所述阳极初始化tft的在所述半导体层中的所述漏极区连接；以及第三连接电极，将所述第二导电层的所述第一电压线与所述栅极初始化tft的在所述半导体层中的所述漏极区连接。
16.所述第二扫描线可以位于所述第一电压线和所述第二电压线之间，并且所述第二电压线可以位于所述第二扫描线和所述第一扫描线之间。
17.所述像素还可以包括：第一发射控制tft，响应于发射控制信号将所述电力线连接到所述驱动tft的所述源极；以及第二发射控制tft，响应于所述发射控制信号将所述驱动tft的所述漏极连接到所述发光器件的所述阳极。
18.所述第二初始化电压的电平可以高于所述第一初始化电压的电平。
19.根据一个或多个示例性实施例，一种像素连接到被配置为分别传送第一扫描信号、第二扫描信号和第三扫描信号的第一扫描线、第二扫描线和第三扫描线、被配置为传送发射控制信号的发射控制线、被配置为传送数据电压的数据线、被配置为传送驱动电压的电力线以及被配置为分别传送第一初始化电压和第二初始化电压的第一电压线和第二电压线。所述像素包括：发光器件，包括阳极和阴极；存储电容器，包括上电极和下电极，所述存储电容器连接到所述电力线；第一薄膜晶体管(tft)，包括连接到所述存储电容器的栅
极、连接到所述电力线的源极以及漏极；第二tft，包括连接到所述第一扫描线的栅极、连接到所述数据线的源极以及连接到所述第一tft的所述源极的漏极；第三tft，包括第一补偿tft和第二补偿tft，所述第一补偿tft包括连接到所述第一扫描线的栅极、连接到浮置节点的源极以及连接到所述第一tft的所述栅极的漏极，所述第二补偿tft包括连接到所述第一扫描线的栅极、连接到所述第一tft的所述漏极的源极以及连接到所述浮置节点的漏极；第四tft，包括连接到所述第二扫描线的栅极、连接到所述第一tft的所述栅极的源极以及连接到所述第一电压线的漏极；第五tft，包括连接到所述发射控制线的栅极、连接到所述电力线的源极以及连接到所述第一tft的所述源极的漏极；第六tft，包括连接到所述发射控制线的栅极、连接到所述第一tft的所述漏极的源极以及连接到所述发光器件的所述阳极的漏极；第七tft，包括连接到所述第三扫描线的栅极、连接到所述发光器件的所述阳极的源极以及连接到所述第二电压线的漏极；以及屏蔽电容器，包括连接到所述浮置节点的下电极和被施加所述第二初始化电压或所述驱动电压的上电极。
20.所述像素还可以包括：半导体层，具有所述第一tft至所述第七tft的有源区以及用作所述屏蔽电容器的所述下电极的导电区域；第一导电层，位于所述半导体层上，所述第一导电层具有所述第一tft至所述第七tft的栅极、所述存储电容器的所述下电极、所述第一扫描线、所述第二扫描线和所述第三扫描线以及所述发射控制线；以及第二导电层，位于所述第一导电层上，所述第二导电层包括所述存储电容器的所述上电极、所述屏蔽电容器的所述上电极以及所述第一电压线和所述第二电压线，其中，所述半导体层的所述导电区域和所述第二导电层中的所述屏蔽电容器的所述上电极彼此交叠。
21.所述像素还可以包括：第三导电层，位于所述第二导电层上，所述第三导电层具有所述电力线和所述数据线；以及第四导电层，位于所述第三导电层上，所述第四导电层具有所述发光器件的所述阳极。
22.所述屏蔽电容器的所述上电极可以是所述第二电压线的一部分。
23.所述第三导电层还可以包括第一连接电极，所述第一连接电极将所述第二导电层中的所述屏蔽电容器的所述上电极与所述第二导电层中的所述存储电容器的所述上电极连接。
24.所述半导体层还可以包括所述第七tft的漏极区，并且所述第三导电层还可以包括第二连接电极，所述第二连接电极将所述第二导电层的所述第二电压线连接到所述半导体层中的所述第七tft的所述漏极区。
25.所述半导体层还可以包括所述第四tft的漏极区，并且所述第三导电层还可以包括第三连接电极，所述第三连接电极将所述第二导电层的所述第一电压线连接到所述半导体层中的所述第四tft的所述漏极区。
26.根据一个或多个示例性实施例，一种显示设备包括：基板，在第一方向和第二方向上延伸；第一扫描线、第二扫描线和第三扫描线，被配置为分别传送第一扫描信号、第二扫描信号和第三扫描信号，所述第一扫描线、所述第二扫描线和所述第三扫描线在所述第一方向上延伸；数据线，被配置为传送数据电压并且在所述第二方向上延伸；电力线，被配置为传送驱动电压；第一电压线和第二电压线，被配置为分别传送第一初始化电压和第二初始化电压，并且在所述第一方向上延伸；以及多个像素，在所述第一方向和所述第二方向上设置在所述基板上。所述多个像素均包括：发光器件；驱动薄膜晶体管(tft)，用于根据栅源
电压控制从所述电力线流到所述发光器件的电流的大小；存储电容器，设置在所述电力线和所述驱动tft的栅极之间；扫描tft，被配置为响应于所述第一扫描信号将所述数据电压传送到所述驱动tft的源极；第一补偿tft和第二补偿tft，彼此串联连接，从而响应于所述第一扫描信号将所述驱动tft的漏极连接到所述驱动tft的所述栅极；栅极初始化tft，被配置为响应于所述第二扫描信号将所述第一初始化电压施加到所述驱动tft的所述栅极；阳极初始化tft，被配置为响应于所述第三扫描信号将所述第二初始化电压施加到所述发光器件的阳极；以及屏蔽电容器，位于浮置节点和所述电力线或所述第二电压线之间，所述浮置节点位于所述第一补偿tft和所述第二补偿tft之间。
27.所述有机发光显示设备可以包括被配置为传送发射控制信号并且在所述第一方向上延伸的发射控制线，其中，所述多个像素均包括：第一发射控制tft，响应于所述发射控制信号将所述电力线连接到所述驱动tft的所述源极；以及第二发射控制tft，响应于所述发射控制信号将所述驱动tft的所述漏极连接到所述发光器件的所述阳极。
28.所述屏蔽电容器可以包括上电极、下电极以及设置在所述上电极和所述下电极之间的介电层，所述下电极可以包括半导体层的导电区域，并且所述上电极可以是所述第二电压线的一部分。
29.应当理解，前面的总体描述和下面的详细描述都是示例性的和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步说明。
附图说明
30.包括附图以提供对本发明的进一步理解，附图并入到本说明书中，并构成本说明书的一部分，附图对本发明的示例性实施例进行举例说明，并与描述一起用于解释本发明构思。
31.图1是根据本发明的示例性实施例的有机发光显示设备的框图。
32.图2是根据本发明的示例性实施例的像素的等效电路图。
33.图3是示出了在基板上实现的图2的像素的示例的平面图。
34.图4a和图4b是沿着线iva
‑
iva'和线ivb
‑
ivb'截取的图3的像素的截面图。
35.图5是根据本发明的另一示例性实施例的像素的等效电路图。
36.图6是示出了在基板上实现的图5的像素的示例的平面图。
37.图7是沿着线vii
‑
vii'截取的图6的像素的截面图。
具体实施方式
38.在下面的描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以提供对本发明的各种示例性实施例或实施方案的透彻理解。如这里所使用的，“实施例”和“实施方案”是可互换的词语，其是采用这里公开的一个或多个发明构思的装置或方法的非限制性示例。然而，显而易见的是，可以在没有这些具体细节的情况下或者利用一个或多个等同布置来实践各种示例性实施例。在其他情况下，以框图形式示出了公知的结构和装置，以避免不必要地模糊各种示例性实施例。此外，各种示例性实施例可以是不同的，但不必是排他性的。例如，在不脱离本发明构思的情况下，示例性实施例的具体形状、构造和特性可以在另一示例性实施例中使用或实现。
39.除非另有说明，否则示出的示例性实施例应被理解为提供可在实践中实施本发明构思的一些方式的不同细节的示例性特征。因此，除非另有说明，否则在不脱离本发明构思的情况下，各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中单独地或统称为“元件”)可以另外组合、分离、互换和/或重新布置。
40.通常提供在附图中使用交叉影线和/或阴影来阐明相邻元件之间的边界。因此，除非另有说明，否则交叉影线或阴影的存在与否都不传达或表示对元件的特定材料、材料性质、尺寸、比例、示出的元件之间的共性和/或任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述的目的，可能夸大了元件的尺寸和相对尺寸。当示例性实施例可以不同地实现时，可以与所描述的顺序不同地执行特定工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。另外，同样的附图标记指示同样的元件。
41.当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在另一元件或层上、直接连接到或直接结合到另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。然而，当元件或层被称作“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。为此，术语“连接”可以指在存在或不存在中间元件的情况下的物理、电气和/或流体连接。此外，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更宽的意思来解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。出于本公开的目的，“x、y和z中的至少一个”和“从由x、y和z组成的组中选择的至少一个”可以解释为只有x、只有y、只有z，或者x、y和z中的两个或多个的任意组合，例如xyz、xyy、yz和zz。如这里使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或多个项的任何组合和所有组合。
42.尽管在这里可使用术语“第一”、“第二”等来描述不同类型的元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件与另一个元件区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可被命名为第二元件。
43.为了描述的目的，在这里可使用空间相对术语，如“在
…
下面”、“在
…
下方”、“在
…
之下”、“下”、“在
…
上方”、“上”、“上方”、“较高”、“侧”(例如，在“侧壁”中)等，由此来描述如图中所示的一个元件与其他元件的关系。空间相对术语意在覆盖除了在附图中描绘的方位之外的设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果在附图中设备被翻转，则描述为在其他元件或特征“下方”或“下面”的元件随后将被定位为“在”其他元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在
…
下方”可涵盖“在
…
上方”和“在
…
下方”两种方位。此外，设备可被另外定位(旋转90度或者在其他方位)，因此相应地解释这里使用的空间相对描述语。
44.这里使用的术语仅是为了描述特定实施例的目的，而不意图是限制性的。如这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式的“一个”、“一种”和“所述(该)”也意图包括复数形式。此外，当在本说明书中使用术语“包含”、“包括”、“具有”和/或“含有”时，说明存在陈述的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或附加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。还指出的是，如这里使用的，术语“基本上”、“大约”和其他类似术语用作为近似的术语而不是程度的术语，这样，用于解释本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或设置值的固有偏差。
45.在此参照作为理想示例性实施例和/或中间结构的示意图的截面图和/或分解图
来描述各种示例性实施例。这样，预计这些图的形状出现由例如制造技术和/或公差而引起的变化。因此，这里公开的示例性实施例不一定要理解为局限于在此示出的区域的具体形状，而应该包括例如由制造导致的形状偏差。以这种方式，在图中示出的区域实际上是示意性的，并且这些区域的形状可能不反映装置的区域的实际形状，因此，未必意图是限制性的。
46.在本领域中作为惯例，在附图中按照功能块、单元和/或模块描述并示出了一些示例性实施例。本领域技术人员将理解，这些块、单元和/或模块通过诸如逻辑电路、分立组件、微处理器、硬连线电路、存储元件、布线连接等的电子(或光学)电路物理地实现，这些电路可以使用基于半导体的制造技术或其他制造技术形成。在由微处理器或其他类似硬件实现的块、单元和/或模块的情况下，可以使用软件(例如，微代码)对它们进行编程和控制，以执行这里所讨论的各种功能，并且可以可选地由固件和/或软件来驱动。还预期的是，每个块、单元和/或模块可以由专用硬件实现，或者实现为执行某些功能的专用硬件和执行其他功能的处理器(例如，一个或多个编程的微处理器和相关电路)的组合。另外，在不脱离本发明构思的范围的情况下，一些示例性实施例的每个块、单元和/或模块可以在物理上分成两个或多个交互的和离散的块、单元和/或模块。此外，在不脱离本发明构思的范围的情况下，一些示例性实施例的块、单元和/或模块可以物理地组合成更复杂的块、单元和/或模块。
47.除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开作为其一部分的领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。除非这里明确定义，否则术语(例如在通用的字典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的意思一致的意思，并且不应解释为理想的或过于形式化的意思。
48.图1是根据本发明的示例性实施例的有机发光显示设备100的框图。
49.参照图1，有机发光显示设备100包括显示器110、栅极驱动器120、数据驱动器130、时序控制器140和电压发生器150。
50.显示器110包括像素px，例如，位于第i行和第j列的像素pxij。为了便于理解，图1仅示出了一个像素pxij，但是可以例如以矩阵形式布置m
×
n个像素px。这里，i是范围为从1到m的自然数，并且j是范围为从1到n的自然数。
51.像素px连接到第一扫描线sl1_1至sl1_m、第二扫描线sl2_1至sl2_m+1、发射控制线eml_1至eml_m和数据线dl_1、dl_2至dl_n(即下文所述的“dl_1至dl_n”)。像素px连接到电力线pl_1至pl_n、第一电压线vl1_1至vl1_m和第二电压线vl2_1至vl2_m。例如，如图1中所示，位于第i行和第j列的像素pxij可以连接到第一扫描线sl1_i、第二扫描线sl2_i、发射控制线eml_i、数据线dl_j、电力线pl_j、第一电压线vl1_i、第二电压线vl2_i和第二扫描线sl2_i+1。第二扫描线sl2_i+1可以相对于像素pxij被称为第三扫描线。可以理解的，附图中为了简洁而没有示出的标号“px”、“pl_1至pl_n”、“vl1_1至vl1_m”、“vl2_1至vl2_m”分别对应于本文中所描述的“pxij”、“pl_j”、“vl1_i”和“vl2_i”。
52.第一扫描线sl1_1至sl1_m、第二扫描线sl2_1至sl2_m+1、发射控制线eml_1至eml_m、第一电压线vl1_1至vl1_m和第二电压线vl2_1至vl2_m可以在第一方向(例如，行方向)上延伸，以连接到同一行中的像素px。数据线dl_1至dl_n和电力线pl_1至pl_n可以在第二方向(例如，列方向)上延伸，以连接到同一列中的像素px。
53.第一扫描线sl1_1至sl1_m被配置为将从栅极驱动器120输出的第一扫描信号gw_1
至gw_m传送到同一行中的像素px，第二扫描线sl2_1至sl2_m被配置为将从栅极驱动器120输出的第二扫描信号gi_1至gi_m传送到同一行中的像素px，并且第二扫描线sl2_2至sl2_m+1被配置为将从栅极驱动器120输出的第三扫描信号gb_1至gb_m传送到同一行中的像素px。图2中的第二扫描信号gi_i和第三扫描信号gb_i
‑
1可以实际上是通过图1中的第二扫描线sl2_i传送的相同的信号。
54.发射控制线eml_1至eml_m被配置为分别将从栅极驱动器120输出的发射控制信号em_1至em_m传送到同一行中的像素px。数据线dl_1至dl_n被配置为分别将从数据驱动器130输出的数据电压d1至dn传送到同一列中的像素px。参见图2，位于第i行和第j列的像素pxij接收第一扫描信号gw_i、第二扫描信号gi_i和第三扫描信号gb_i、数据电压dj以及发射控制信号em_i。
55.电力线pl_1至pl_n被配置为将从电压发生器150输出的第一驱动电压elvdd分别传送到同一列中的像素px。第一电压线vl1_1至vl1_m被配置为将从电压发生器150输出的第一初始化电压vint1分别传送到同一行中的像素px。第二电压线vl2_1至vl2_m被配置为将从电压发生器150输出的第二初始化电压vint2分别传送到同一行中的像素px。
56.参见图1和图2，像素pxij包括基于图2中的数据电压dj(对应于图1中的数据电压d1至dn)控制发光器件和流向发光器件的电流的大小的驱动薄膜晶体管(tft)。数据电压dj从数据驱动器130输出，并且经由数据线dl_j由像素pxij接收。发光器件可以是例如有机发光二极管。当发光器件发射与从驱动tft传输的电流的大小对应的亮度的光时，像素pxij可以表现与数据电压dj对应的灰度。像素px可以对应于能够显示全色图像的单位像素的一部分，例如，子像素。像素pxij还可以包括至少一个开关tft和至少一个电容器。下面将更详细地描述像素pxij。
57.电压发生器150可以生成用于驱动像素pxij的所需的电压。例如，电压发生器150可以生成第一驱动电压elvdd、第二驱动电压elvss、第一初始化电压vint1和第二初始化电压vint2。第一驱动电压elvdd可以具有比第二驱动电压elvss的电平高的电平。第二初始化电压vint2可以具有比第一初始化电压vint1的电平高的电平。第二初始化电压vint2可以具有比第二驱动电压elvss的电平高的电平。第二初始化电压vint2与第二驱动电压elvss之间的差可以小于像素px的发光器件发光所需的阈值电压。
58.尽管在图1中未示出，但是电压发生器150可以生成用于控制像素pxij的开关tft的第一栅极电压和第二栅极电压，并且将电压提供到栅极驱动器120。当第一栅极电压施加到开关tft的栅极时，开关tft截止，并且当第二栅极电压施加到开关tft的栅极时，开关tft导通。第一栅极电压可以被称为栅极截止电压，并且第二栅极电压可以被称为栅极导通电压。像素pxij中的开关tft可以包括p型mosfet，并且第一栅极电压可以具有比第二栅极电压的电平高的电平。尽管在图1中未示出，但是电压发生器150可以生成伽玛参考电压并将伽玛参考电压提供到数据驱动器130。
59.时序控制器140可以通过控制栅极驱动器120和数据驱动器130的操作时序来控制显示器110。显示器110中的像素px在每一帧时段内接收新的数据电压d并且发射与数据电压d对应的亮度的光，然后，可以显示与一帧的图像源数据rgb对应的图像。根据示例性实施例，一个帧时段可以包括栅极初始化时段、数据写入和阳极初始化时段以及发射时段。在栅极初始化时段中，第一初始化电压vint1可以与第二扫描信号gi同步地施加到像素px。在数
据写入和阳极初始化时段中，数据电压d1至dn与第一扫描信号gw同步地提供到像素px，并且第二初始化电压vint2可以与第三扫描信号gb同步地施加到像素px。在发射时段中，显示器110的像素px发光。
60.时序控制器140从外部接收图像源数据rgb和控制信号cont。时序控制器140可以基于显示器110和像素px的特性将图像源数据rgb转换为图像数据data。时序控制器140可以将图像数据data提供到数据驱动器130。
61.控制信号cont可以包括垂直同步信号、水平同步信号、数据使能信号、时钟信号等。时序控制器140可以通过使用控制信号cont来控制栅极驱动器120和数据驱动器130的操作时序。时序控制器140可以通过在一个水平扫描时段期间对数据使能信号进行计数来确定帧时段。在这种情况下，可以省略从外部供应的垂直同步信号和水平同步信号。图像源数据rgb包括像素px的亮度信息。亮度可以具有预设数目的灰度，例如，1024(＝2
10
)、256(＝28)或64(＝26)个灰度。
62.时序控制器140可以生成时序控制信号，时序控制信号包括用于控制栅极驱动器120的操作时序的栅极时序控制信号gdc和用于控制数据驱动器130的操作时序的数据时序控制信号ddc。
63.栅极时序控制信号gdc可以包括栅极开始脉冲(gsp)、栅极移位时钟(gsc)和栅极输出使能(goe)信号。gsp在开始扫描时段的时间时供应到生成第一扫描信号的栅极驱动器120。gsc是公共地输入到栅极驱动器120以使gsp移位的时钟信号。goe信号控制从栅极驱动器120的输出。
64.数据时序控制信号ddc可以包括源开始脉冲(ssp)、源采样时钟(ssc)、源输出使能(soe)信号等。ssp控制数据驱动器130的数据采样开始点，并且在开始扫描时段的时间点时提供到数据驱动器130。ssc是用于基于上升沿或下降沿控制数据驱动器130中的数据采样操作的时钟信号。soe信号控制从数据驱动器130的输出。另外，基于数据传输方法，可以省略供应到数据驱动器130的ssp。
65.栅极驱动器120响应于从时序控制器140供应的栅极时序控制信号gdc，通过使用从电压发生器150提供的第一栅极电压和第二栅极电压顺序地生成第一扫描信号gw_1至gw_m、第二扫描信号gi_1至gi_m和第三扫描信号gb_1至gb_m。
66.数据驱动器130响应于从时序控制器140供应的数据时序控制信号ddc对从时序控制器140供应的图像数据data进行采样并进行锁存，从而将图像数据data转换为并行数据系统的数据。当将图像数据data转换为并行数据系统的数据时，数据驱动器130将图像数据data转换为伽玛参考电压，然后将伽玛参考电压转换为模拟类型的数据电压。数据驱动器130经由数据线dl_1至dl_n将数据电压d1至dn提供到像素px。像素px响应于第一扫描信号gw_1至gw_m接收数据电压d1至dn。
67.图2是根据本发明的示例性实施例的像素pxij的等效电路图。
68.参照图2，像素pxij连接到用于分别传送第一扫描信号gw_i、第二扫描信号gi_i和第三扫描信号gb_i的第一扫描线gwl_i、第二扫描线gil_i和第三扫描线gbl_i、用于传送数据电压dj的数据线dl_j以及用于传送发射控制信号em_i的发射控制线eml_i。像素pxij连接到用于传送第一驱动电压elvdd的电力线pl_j、用于传送第一初始化电压vint1的第一电压线vl1_i和用于传送第二初始化电压vint2的第二电压线vl2_i。像素pxij连接到被施加
第二驱动电压elvss的公共电极。像素pxij可以对应于图1的像素pxij。
69.第一扫描线gwl_i对应于图1的第一扫描线sl1_i，第二扫描线gil_i对应于图1的第二扫描线sl2_i，并且第三扫描线gbl_i对应于图1的第二扫描线sl2_i+1。
70.像素pxij包括发光器件oled、第一tft t1至第七tft t7、存储电容器cst和屏蔽电容器csh。发光器件oled可以包括具有阳极和阴极的有机发光二极管。阴极可以包括被施加第二驱动电压elvss的公共电极。
71.第一tft t1可以为驱动晶体管，其中，漏极电流的大小根据栅源电压来确定，并且第二tft t2至第七tft t7可以是实际上根据栅源电压(例如，栅极电压)而导通/截止的开关晶体管。第三tft t3包括彼此串联连接的第一补偿tft t3a和第二补偿tft t3b。
72.第一tft t1可以被称为驱动tft，第二tft t2可以被称为扫描tft，第三tft t3可以被称为补偿tft，第四tft t4可以被称为栅极初始化tft，第五tft t5可以被称为第一发射控制tft，第六tft t6可以被称为第二发射控制tft，并且第七tft t7可以被称为阳极初始化tft。
73.存储电容器cst连接在电力线pl_j和驱动tft t1的栅极之间。存储电容器cst可以具有连接到电力线pl_j的上电极和连接到驱动tft t1的栅极的下电极。
74.驱动tft t1可以根据栅源电压控制从电力线pl_j流到发光器件oled的驱动电流id的大小。驱动tft t1可以具有连接到存储电容器cst的下电极cst_bot(参见图4a)的栅极、经由第一发射控制tft t5连接到电力线pl_j的源极s和经由第二发射控制tft t6连接到发光器件oled的漏极d。
75.驱动tft t1可以根据栅源电压将驱动电流id输出到发光器件oled。驱动电流id的大小基于驱动tft t1的栅源电压与阈值电压之差来确定。发光器件oled从驱动tft t1接收驱动电流id，并且以根据驱动电流id的大小的亮度发光。
76.扫描tft t2被配置为响应于第一扫描信号gw_i将数据电压dj传送到驱动tft t1的源极s。扫描tft t2可以具有连接到第一扫描线gwl_i的栅极、连接到数据线dl_j的源极s和连接到驱动tft t1的源极的漏极d。
77.第一补偿tft t3a和第二补偿tft t3b串联地连接在驱动tft t1的漏极和栅极之间，并且响应于第一扫描信号gw_i将驱动tft t1的漏极和栅极彼此连接。第一补偿tft t3a和第二补偿tft t3b之间的节点被称为浮置节点fn。第一补偿tft t3a可以具有连接到第一扫描线gwl_i的栅极、连接到浮置节点fn的源极s和连接到驱动tft t1的栅极的漏极d。第二补偿tft t3b可以具有连接到第一扫描线gwl_i的栅极、连接到驱动tft t1的漏极d的源极s和连接到浮置节点fn的漏极d。
78.屏蔽电容器csh连接在浮置节点fn和第二电压线vl2_i之间。屏蔽电容器csh可以具有连接到第二电压线vl2_i的上电极csh_top(参见图4b)和连接到浮置节点fn的下电极。屏蔽电容器csh的上电极可以是第二电压线vl2_i的一部分。
79.当不存在屏蔽电容器csh时，在第一补偿tft t3a和第二补偿tft t3b截止时，浮置节点fn浮置。因此，浮置节点fn的电位可能根据外围信号线中的电压变化而波动，并且存储在存储电容器cst中的电荷可能通过第一补偿tft t3a和第二补偿tft t3b缓慢地泄漏。
80.根据示例性实施例，即使当第一补偿tft t3a和第二补偿tft t3b截止时，第二初始化电压vint2持续地施加到屏蔽电容器csh的上电极csh_top(参见图4b)，因此，浮置节点
t7导通，并且第二初始化电压vint2施加到发光器件oled的阳极。当第二初始化电压vint2施加到发光器件oled的阳极以使发光器件oled处于完全非发射状态时，可以防止发光器件oled响应于下一帧的黑色灰度而细微地发光的现象。
92.第二初始化电压vint2的电平高于第一初始化电压vint1的电平并且低于比第二驱动电压elvss高出了发光器件oled的阈值电压的电压电平。因为发光器件oled具有相对大的尺寸，所以发光器件oled具有大电容。另外，因为第一初始化电压vint1的电平太低，所以发光器件oled在下一帧中经过相当长的延迟之后才发光。然而，根据实施例，发光器件oled的阳极被初始化为具有比第一初始化电压vint1高的电平的第二初始化电压vint2，因此，发光器件oled可以在下一帧中在短时间段内发光。即，可以解决发光延迟。
93.第一扫描信号gw_i和第三扫描信号gb_i可以基本上彼此同步，并且在这种情况下，数据写入时段和阳极初始化时段可以是同一时段。
94.当接收低电平的发射控制信号em_i时，第一发射控制tft t5和第二发射控制tft t6导通，并且驱动tft t1输出与存储在存储电容器cst中的电压(即，从驱动tft t1的源栅电压(elvdd
‑
dj+|vth|)减小了驱动tft t1的阈值电压(|vth|)的电压(elvdd
‑
dj))对应的驱动电流id。然后，发光器件oled可以以与驱动电流id的大小对应的亮度发光。
95.图3是示出了在基板上实现的图2的像素的示例的平面图。图4a和图4b是沿着线iva
‑
iva'和线ivb
‑
ivb'截取的图3的像素的截面图。
96.参照图1、图2、图3、图4a和图4b提供下面的描述。图3示出了在行方向x上彼此相邻的两个像素pxij和pxi(j+1)。像素pxij可以对应于图1和图2的像素pxij。在图3中，行方向x可以被称为第一方向，并且列方向y可以被称为第二方向。图3、图4a和图4b的平面图和截面图示例性地示出了像素pxij，并且可以在一个或多个实施例的范围内进行修改。
97.参照图4a和图4b，有机发光显示设备100(参见图1)包括基板sub、位于基板sub上的半导体层act(参见图3)、位于半导体层act上的第一导电层con1(参见图3)、位于第一导电层con1上的第二导电层con2(参见图3)、位于第二导电层con2上的第三导电层con3(参见图3)和位于第三导电层con3上的第四导电层con4。有机发光显示设备100包括位于半导体层act和第一导电层con1之间的第一绝缘层ins1、位于第一导电层con1和第二导电层con2之间的第二绝缘层ins2、位于第二导电层con2和第三导电层con3之间的第三绝缘层ins3以及位于第三导电层con3和第四导电层con4之间的第四绝缘层ins4。
98.第一导电层con1可以被称为第一栅极层，第二导电层con2可以被称为第二栅极层，第三导电层con3可以被称为第一源/漏极层，并且第四导电层con4可以被称为第一像素电极层。第一绝缘层ins1可以被称为第一栅极绝缘层，第二绝缘层ins2可以被称为第二栅极绝缘层，第三绝缘层ins3可以被称为层间绝缘层，并且第四绝缘层ins4可以被称为平坦化层。
99.有机发光显示设备100包括在行方向x和列方向y上布置在基板sub上的多个像素px。多个像素px包括两个像素pxij和pxi(j+1)。上面参照图1和图2描述了像素pxij，并且省略了对其的详细描述。
100.有机发光显示设备100包括在基板sub上在行方向x上延伸的第一扫描线sl1_1至sl1_m、第二扫描线sl2_1至sl2_m+1、发射控制线eml_1至eml_m、第一电压线vl1_1至vl1_m和第二电压线vl2_1至vl2_m。有机发光显示设备100包括在列方向y上在基板sub上延伸的
数据线dl_1至dl_n和电力线pl_1至pl_n。
101.第一扫描线sl1_1至sl1_m分别对应于第一扫描线gwl_1至gwl_m，第二扫描线sl2_1至sl2_m分别对应于第二扫描线gil_1至gil_m，并且第二扫描线sl2_2至sl2_m+1分别对应于第三扫描线gbl_1至gbl_m。第一扫描线sl1_i可以物理地实现第一扫描线gwl_i的功能，并且第二扫描线sl2_i可以物理地实现第二扫描线gil_i和第三扫描线gbl_i
‑
1的功能。
102.参照图3，示出了第一tft t1至第七tft t7。第一tft t1至第六tft t6被包括在像素pxij中，但是第七tft t7被包括在前一行的像素px(i
‑
1)j中。尽管在图3中未示出，但是像素pxij还包括与像素px(i
‑
1)j的第七tft t7对应的第七tft t7(在图3中未示出)。本领域普通技术人员将认识到，像素pxij的第七tft t7(在图3中未示出)连接到第六tft t6，并且由通过第三扫描线gbl_i(在图3中未示出)传送的第三扫描信号gb_i控制。
103.像素pxij包括第一tft t1至第七tft t7、存储电容器cst和屏蔽电容器csh。像素pxij连接到第一扫描线sl1_i、第二扫描线sl2_i、发射控制线eml_i、第一电压线vl1_i、第二电压线vl2_i、数据线dl_j和电力线pl_j。像素pxij的第七tft t7(在图3中未示出)连接到第三扫描线sl2_i+1(在图3中未示出)和第二电压线vl2_i+1(在图3中未示出)。
104.第一tft t1至第七tft t7沿着半导体层act布置，并且半导体层act以不同方式弯曲。半导体层act可以包括多晶硅或氧化物半导体。氧化物半导体可以包括包含钛(ti)、铪(hf)、锆(zr)、铝(al)、钽(ta)、锗(ge)、锌(zn)、镓(ga)、锡(sn)或铟(in)的氧化物或其复合氧化物。当半导体层act包括氧化物半导体时，可以添加额外的保护层以保护易受诸如高温之类的外部环境影响的氧化物半导体。
105.半导体层act包括第一tft t1至第七tft t7中的每一者中的沟道区、源极区和漏极区。如图4a中所示，半导体层act包括第一tft t1的第一源极区t1s、第一漏极区t1d和位于第一源极区t1s与第一漏极区t1d之间的第一沟道区t1c。
106.如图4b中所示，半导体层act包括第一补偿tft t3a的第一补偿沟道区t3ac、第二补偿tft t3b的第二补偿沟道区t3bc以及位于第一补偿沟道区t3ac和第二补偿沟道区t3bc之间的导电区域cr。导电区域cr包括第一补偿tft t3a的源极区t3as和第二补偿tft t3b的漏极区t3bd，并且可以用作屏蔽电容器csh的下电极csh_bot。半导体层act包括第一补偿tft t3a的漏极区t3ad和第二补偿tft t3b的源极区t3bs。
107.用作驱动tft的第一tft t1的第一沟道区t1c是弯曲的，并且可以具有ω形状。当第一沟道区t1c弯曲时，可以确保第一沟道区t1c的长沟道长度。因此，可以增大施加到第一tft t1的栅极的栅极电压的驱动范围。可以通过改变栅极电压的大小来精细地控制从发光器件oled发射的光的灰度，并且可以改善有机发光显示设备100的分辨率和显示品质。可以不同地修改第一沟道区t1c的形状，例如，“倒s”、“s”、“m”、“w”等。
108.第一导电层con1包括第一扫描线sl1_i、第二扫描线sl2_i、发射控制线eml_i以及用作驱动tft的第一tft t1的第一栅极t1g(参见图4a)。尽管在图3中未示出，但是第一导电层con1包括第三扫描线sl2_i+1。
109.第一扫描线sl1_i包括第二tft t2的栅极、第一补偿tft t3a的第一补偿栅极t3ag(参见图4b)和第二补偿tft t3b的第二补偿栅极t3bg(参见图4b)。第一扫描线sl1_i在行方向x上延伸，并且在列方向y上具有突起。第一扫描线sl1_i的突起可以用作第一补偿tft t3a的第一补偿栅极t3ag。
110.第二扫描线sl2_i包括第一初始化tft t4a的第一初始化栅极、第二初始化tft t4b的第二初始化栅极以及位于前一行的像素px(i
‑
1)j中的第七tft t7的第七栅极。第二扫描线sl2_i在行方向x上延伸。尽管在图3中未示出，但是第三扫描线sl2_i+1包括位于下一行的像素px(i+1)j中的第一初始化tft t4a的第一初始化栅极、位于下一行的像素px(i+1)j中的第二初始化tft t4b的第二初始化栅极和位于像素pxij中的第一tft t7的第七栅极。
111.发射控制线eml_i包括第五tft t5的栅极和第六tft t6的栅极。发射控制线eml_i完全地在行方向x上延伸。
112.第一tft t1至第七tft t7中的每一者中的栅极与第一tft t1至第七tft t7中的每一者的沟道区交叠。如图4a中所示，第一tft t1的第一栅极t1g与第一tft t1的第一沟道区t1c交叠，并且用作存储电容器cst的下电极cst_bot。如图4b中所示，第一补偿tft t3a的第一补偿栅极t3ag和第二补偿tft t3b的第二补偿栅极t3bg分别与第一补偿tft t3a的第一补偿沟道区t3ac和第二补偿tft t3b的第二补偿沟道区t3bc交叠。
113.第二导电层con2包括屏蔽电容器csh的上电极csh_top(参见图4b)。如图4b中所示，屏蔽电容器csh的上电极csh_top至少部分地与半导体层act的导电区域cr交叠。
114.第二导电层con2还包括第一电压线vl1_i、第二电压线vl2_i和存储电容器cst的上电极cst_top(参见图4a)。第一电压线vl1_i可以被配置为传送第一初始化电压vint1并且在行方向x上延伸。
115.第二电压线vl2_i被配置为传送第二初始化电压vint2并且在行方向x上延伸，但是第二电压线vl2_i在列方向y的反方向上包括突起，以与半导体层act的下电极csh_bot交叠。来自第二电压线vl2_i的突起可以用作屏蔽电容器csh的上电极csh_top。
116.如图3和图4a中所示，存储电容器cst的上电极cst_top至少部分地与下电极cst_bot交叠。上电极cst_top在行方向x上延伸以形成第三电压线vl3_i。在列方向y上延伸的电力线pl_1至pl_n和在行方向x上延伸的上电极cst_top可以经由多个第二接触插塞c2彼此连接，以形成网格结构。第一驱动电压elvdd通过网格结构完全供应到显示器110，因此，可以减小施加到像素px的第一驱动电压elvdd的电平变化。
117.包括在第一导电层con1中的第一扫描线sl1_i、第二扫描线sl2_i和发射控制线eml_i在行方向x上延伸，并且包括在第二导电层con2中的第一电压线vl1_i和第二电压线vl2_i也在行方向x上延伸。如图3中所示，第一电压线vl1_i、第二扫描线sl2_i、第二电压线vl2_i、第一扫描线sl1_i和发射控制线eml_i在列方向y上(在图3中向下)顺序地设置。第二扫描线sl2_i在第一电压线vl1_i和第二电压线vl2_i之间在行方向x上延伸，并且第二电压线vl2_i在第二扫描线sl2_i和第一扫描线sl1_i之间在行方向x上延伸。
118.第三导电层con3包括数据线dl_j和电力线pl_j。数据线dl_j完全地在列方向y上延伸，并且电力线pl_j也完全地在列方向y上延伸。数据线dl_j经由第一接触插塞c1电连接到半导体层act中的第二tft t2的源极区。电力线pl_j经由第二接触插塞c2电连接到第二导电层con2的上电极cst_top，并且经由第三接触插塞c3电连接到半导体层act中的第五tft t5的源极区。
119.第三导电层con3包括多个连接电极ce_t1g、ce_t7、ce_t4和ce_oled。如图4a和图4b中所示，栅极连接电极ce_t1g包括第四接触插塞c4和第五接触插塞c5，并且将第一导电
层con1中的第一tft t1的第一栅极t1g与半导体层act中的第一补偿tft t3a的漏极区t3ad电连接。
120.第一初始化连接电极ce_t4包括第八接触插塞c8和第九接触插塞c9，并且将半导体层act中的第四tft t4的漏极区与第二导电层con2中的第一电压线vl1_i电连接。第二初始化连接电极ce_t7包括第六接触插塞c6和第七接触插塞c7，并且将第二导电层con2的第二电压线vl2_i与半导体层act中的第七tft t7的漏极区电连接。中间连接电极ce_oled包括连接到第六tft t6的漏极区的第十接触插塞c10。第十一接触插塞c11连接到中间连接电极ce_oled，并且第十一接触插塞c11将中间连接电极ce_oled与发光器件oled的阳极电极oleda电连接。
121.第四导电层con4包括发光器件oled的阳极电极oleda(参见图4a和图4b)。阳极电极oleda经由第十接触插塞c10和第十一接触插塞c11以及中间连接电极ce_oled电连接到第六tft t6的漏极区。尽管在图中未示出，但是有机发射层和公共电极可以位于发光器件oled的阳极电极oleda上，并且有机发射层可以由于在阳极电极oleda和公共电极之间流动的电流而发光。
122.如图3中所示，半导体层act的导电区域cr与下一列的数据线dl_j+1相邻。因为n个数据电压d1至dn在一帧期间被施加到数据线dl_j+1，所以数据线dl_j+1的电压电平非常快速地波动。数据线dl_j也与导电区域cr相邻，并且数据线dl_j的电压电平也非常快速地改变。即使当在导电区域cr附近的导体的电压电平快速地且很大程度上改变时，导电区域cr的电压电平仍通过屏蔽电容器csh而保持。因此，可以防止或至少减小取决于外围导体的电压波动的第三tft t3中的浮置节点fn的电压电平的改变。
123.图5是根据本发明的另一示例性实施例的像素pxij的等效电路图。
124.参照图5，除了屏蔽电容器csh之外，图5的像素pxij与图2的像素pxij基本上相同。下面将描述与图2的区别，并且将省略关于相同组件的描述。
125.屏蔽电容器csh连接在浮置节点fn和电力线pl_j之间。屏蔽电容器csh可以具有连接到电力线pl_j的上电极和连接到浮置节点fn的下电极。屏蔽电容器csh的上电极可以连接到电力线pl_j。
126.当不存在屏蔽电容器csh时，在第一补偿tft t3a和第二补偿tft t3b截止时，浮置节点fn浮置。因此，浮置节点fn的电位可能根据外围信号线中的电压变化而波动，并且存储在存储电容器cst中的电荷可能通过第一补偿tft t3a和第二补偿tft t3b缓慢地泄漏。
127.根据实施例，即使当第一补偿tft t3a和第二补偿tft t3b截止时，第一驱动电压elvdd持续地施加到屏蔽电容器csh的上电极，因此，浮置节点fn处的电压可以由于屏蔽电容器csh而保持。在浮置节点fn和其他信号线之间存在寄生电容。即使当其他信号线的电压改变时，浮置节点fn的电压的变化可以通过屏蔽电容器csh而显著地减小。
128.图6是示出了在基板上实现的图5的像素pxij的示例的平面图。图7是沿着线vii
‑
vii'截取的图6的像素的截面图。
129.参照图1、图5、图6和图7提供下面的描述。像素pxij可以对应于图1和图5的像素pxij。在图6中，行方向x可以被称为第一方向，并且列方向y可以被称为第二方向。图6的平面图和图7的截面图示例性地示出了像素pxij，并且可以在本公开的范围内修改。
130.参照图7，有机发光显示设备100(参见图1)包括基板sub、位于基板sub上的半导体
层act(参见图6)、位于半导体层act上的第一导电层con1(参见图6)、位于第一导电层con1上的第二导电层con2(参见图6)、位于第二导电层con2上的第三导电层con3(参见图6)和位于第三导电层con3上的第四导电层con4。有机发光显示设备100包括位于半导体层act和第一导电层con1之间的第一绝缘层ins1、位于第一导电层con1和第二导电层con2之间的第二绝缘层ins2、位于第二导电层con2和第三导电层con3之间的第三绝缘层ins3以及位于第三导电层con3和第四导电层con4之间的第四绝缘层ins4。
131.有机发光显示设备100包括在行方向x和列方向y上布置在基板sub上的多个像素px，例如，像素pxij。上面参照图1和图5描述了像素pxij，并且省略了对其的详细描述。
132.有机发光显示设备100包括在基板sub上在行方向x上延伸的第一扫描线sl1_1至sl1_m、第二扫描线sl2_1至sl2_m+1、发射控制线eml_1至eml_m、第一电压线vl1_1至vl1_m和第二电压线vl2_1至vl2_m。有机发光显示设备100包括在基板sub上在列方向y上延伸的数据线dl_1至dl_n和电力线pl_1至pl_n。
133.参照图6，示出了第一tft t1至第七tft t7。第一tft t1至第六tft t6被包括在像素pxij中，但是第七tft t7被包括在前一行的像素px(i
‑
1)j中。尽管在图7中未示出，但是像素pxij包括与像素px(i
‑
1)j的第七tft t7对应的第七tft t7(在图6中未示出)。像素pxij的第七tft t7(在图6中未示出)连接到第六tft t6，并且由通过第三扫描线gbl_i(在图7中未示出)传送的第三扫描信号gb_i控制。
134.像素pxij包括第一tft t1至第七tft t7、存储电容器cst和屏蔽电容器csh。像素pxij连接到第一扫描线sl1_i、第二扫描线sl2_i、发射控制线eml_i、第一电压线vl1_i、第二电压线vl2_i、数据线dl_j和电力线pl_j。像素pxij的第七tft t7(在图6中未示出)连接到第三扫描线sl2_i+1(在图6中未示出)和第二电压线vl2_i+1(在图6中未示出)。
135.第一tft t1至第七tft t7沿着半导体层act布置，并且半导体层act以不同方式弯曲。半导体层act包括第一tft t1至第七tft t7中的每一者的沟道区、源极区和漏极区。如图7中所示，半导体层act包括第一补偿tft t3a的第一补偿沟道区t3ac、第二补偿tft t3b的第二补偿沟道区t3bc以及位于第一补偿沟道区t3ac和第二补偿沟道区t3bc之间的导电区域cr。导电区域cr包括第一补偿tft t3a的源极区t3as和第二补偿tft t3b的漏极区t3bd，并且可以用作屏蔽电容器csh的下电极csh_bot。半导体层act包括第一补偿tft t3a的漏极区t3ad和第二补偿tft t3b的源极区t3bs。
136.第一导电层con1包括第一扫描线sl1_i、第二扫描线sl2_i、发射控制线eml_i和第一tft t1的第一栅极t1g。尽管在图6中未示出，但是第一导电层con1包括连接到像素pxij的第三扫描线sl2_i+1。
137.第一扫描线sl1_i包括第二tft t2的栅极、第一补偿tft t3a的第一补偿栅极t3ag(参见图7)和第二补偿tft t3b的第二补偿栅极t3bg(参见图7)。如图6中所示，第一扫描线sl1_i在行方向x上延伸，并且具有在列方向y上突出的部分，从而用作第一补偿栅极t3ag(参见图7)。
138.第二扫描线sl2_i包括第一初始化tft t4a的第一初始化栅极、第二初始化tft t4b的第二初始化栅极和前一行的像素px(i
‑
1)j中的第七tft t7的第七栅极。尽管在图6中未示出，但是第三扫描线sl2_i+1包括下一行中的像素px(i+1)j的第一初始化栅极和第二初始化栅极以及像素pxij的第七栅极。发射控制线eml_i包括第五tft t5的第五栅极和第
六tft t6的第六栅极。
139.第二导电层con2包括屏蔽电容器csh的上电极csh_top。如图7中所示，屏蔽电容器csh的上电极csh_top至少部分地与半导体层act的导电区域cr交叠。上电极csh_top电连接到电力线pl_j，以接收第一驱动电压elvdd。
140.第二导电层con2还包括第一电压线vl1_i、第二电压线vl2_i和存储电容器cst的上电极cst_top。如图6中所示，存储电容器cst的上电极cst_top至少部分地与下电极cst_bot(即，第一tft t1的第一栅极t1g)交叠。上电极cst_top在行方向x上延伸，以形成在行方向x上延伸的第三电压线vl3_i。在列方向y上延伸的电力线pl_1至pl_n和在行方向x上延伸的第三电压线vl3_i可以经由多个第二接触插塞c2彼此连接，以形成网格结构。
141.第三导电层con3包括数据线dl_j和电力线pl_j。数据线dl_j经由第一接触插塞c1电连接到半导体层act中的第二tft t2的源极区。电力线pl_j经由第二接触插塞c2电连接到第二导电层con2的上电极cst_top，并且经由第三接触插塞c3电连接到半导体层act中的第五tft t5的源极区。
142.第三导电层con3包括多个连接电极ce_t1g、ce_t7、ce_t4、ce_oled和ce_c。栅极连接电极ce_t1g包括第四接触插塞c4和第五接触插塞c5，并且将第一导电层con1中的第一栅极t1g和半导体层act中的第一补偿tft t3a的漏极区t3ad(参见图7)彼此电连接。
143.第一初始化连接电极ce_t4包括第八接触插塞c8和第九接触插塞c9，并且将半导体层act中的第四tft t4的漏极区与第二导电层con2中的第一电压线vl1_i电连接。第二初始化连接电极ce_t7包括第六接触插塞c6和第七接触插塞c7，并且将第二导电层con2的第二电压线vl2_i与半导体层act中的第七tft t7的漏极区电连接。中间连接电极ce_oled包括连接到第六tft t6的漏极区的第十接触插塞c10。第十一接触插塞c11连接到中间连接电极ce_oled，并且第十一接触插塞c11将中间连接电极ce_oled与发光器件oled的阳极电极oleda电连接。
144.电容器连接电极ce_c包括第十二接触插塞c12和第十三接触插塞c13。电容器连接电极ce_c将第二导电层con2中的屏蔽电容器csh的上电极csh_top和第二导电层con2中的存储电容器cst的上电极cst_top彼此电连接。因为存储电容器cst的上电极cst_top经由第二接触插塞c2连接到电力线pl_j，所以屏蔽电容器csh的上电极csh_top也电连接到电力线pl_j。第一驱动电压elvdd总是施加到屏蔽电容器csh的上电极csh_top。
145.第四导电层con4包括发光器件oled的阳极电极oleda(参见图7)。阳极电极oleda经由第十接触插塞c10和第十一接触插塞c11以及中间连接电极ce_oled电连接到第六tft t6的漏极区。尽管在图中未示出，但是有机发射层和公共电极可以位于发光器件oled的阳极电极oleda上，并且有机发射层可以由于在阳极电极oleda和公共电极之间流动的电流而发光。
146.如图6中所示，即使当外围导体的电压电平快速地且很大程度上波动时，半导体层act的导电区域cr可以由于屏蔽电容器csh仍保持电压电平，因此，可以消除或减小根据外围导体的电压变化的第三tft t3的浮置节点fn的电压电平的改变。
147.根据本发明构思的一个或多个示例性实施例，在将数据写入像素中之前，用于使驱动tft的栅极初始化的第一初始化电压被施加到像素，并且在发光器件发光之前，用于使发光器件的阳极初始化的第二初始化电压被施加到像素，因此，可以改善由发光器件的电
容器特性导致的发射延迟。
148.尽管被配置为传送第二初始化电压的第二电压线和被配置为传送第一初始化电压的第一电压线穿过像素，但是在现有设计规则下，在不添加新的导电层的情况下，像素的平面面积并未增加，因此，可以改善分辨率。
149.通过使用驱动电压或第二初始化电压来屏蔽连接在驱动tft的栅极和漏极之间的补偿tft的浮置节点，因此，串扰特性不会劣化。因此，可以改善显示设备的显示品质。
150.尽管这里已经描述了某些示例性实施例和实施方案，但是根据该描述，其他实施例和修改将是明显的。因此，本发明构思不限于这样的实施例，而是限于所附权利要求的较宽范围以及对本领域普通技术人员而言将显而易见的各种明显的修改和等同布置。