数据驱动电路、控制器和显示装置的制作方法

数据驱动电路、控制器和显示装置
1.对相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年10月16日提交的韩国专利申请第10-2020-0134537号的优先权，为了所有目的将其通过引用并入于此，就像在本文中完全阐述一样。
技术领域
3.本公开内容的实施方式涉及数据驱动电路、控制器和显示装置。


背景技术：

4.信息社会的发展导致对图像显示装置的需求增加以及各种类型的显示装置例如液晶显示器、有机发光显示器等的使用。
5.显示装置可以包括具有多个子像素以及用于驱动子像素的各种驱动电路的显示面板。此外，可以在多个子像素的每一个中设置至少一个电路元件。


技术实现要素：

6.发明人已认识到，随着显示装置的驱动时间随时间的推移而累积，设置在子像素中的电路元件可能劣化。对于每个不同子像素中的电路元件，劣化程度可能不同。这种劣化程度的差异可能会引起子像素间的非均匀驱动，从而导致显示质量不佳。实施方式提供了用于防止由于上述原因导致的子像素中的电路元件的劣化和显示质量的劣化的方法。
7.根据本公开内容的实施方式，提供了一种用于在显示装置被驱动时实时补偿设置在显示面板的子像素中的电路元件的劣化的方法。
8.根据本公开内容的实施方式，提供了一种用于在增强在显示装置被驱动时实时执行的劣化补偿的准确性的同时执行有益于显示面板的劣化补偿的方法。
9.根据本公开内容的实施方式，提供了一种显示装置，包括：多个发光子像素，多个发光子像素设置在显示面板的有源区域中并包括发光元件和驱动晶体管；至少一个虚拟子像素，至少一个虚拟子像素设置在显示面板的非有源区域中并包括建模晶体管；数据驱动电路，数据驱动电路向至少一个虚拟子像素和多个发光子像素中的至少一个供应数据电压；以及控制器，控制器控制数据驱动电路。
10.数据驱动电路可以在显示驱动时段期间向多个发光子像素中的至少一个供应驱动数据电压，并且在显示驱动时段期间向至少一个虚拟子像素供应大于驱动数据电压的虚拟数据电压。
11.数据驱动电路可以在感测时段期间感测接收虚拟数据电压的虚拟子像素中包括的建模晶体管的劣化程度。
12.数据驱动电路可以包括：第一数据驱动电路，第一数据驱动电路向多个发光子像素供应驱动数据电压；以及第二数据驱动电路，第二数据驱动电路向至少一个虚拟子像素供应虚拟数据电压，并且感测至少一个虚拟子像素中包括的建模晶体管的劣化程度。
13.在数据驱动电路感测到建模晶体管的劣化程度的情况下，控制器可以生成或更新
包括与驱动晶体管的应力值对应的补偿值的补偿表。
14.根据本公开内容的实施方式，提供了一种数据驱动电路，包括：驱动数据电压供应单元，驱动数据电压供应单元在显示驱动时段期间向设置在有源区域中的多个发光子像素供应驱动数据电压；虚拟数据电压供应单元，虚拟数据电压供应单元在显示驱动时段期间向设置在非有源区域中的至少一个虚拟子像素供应大于驱动数据电压的虚拟数据电压；以及感测单元，感测单元在与显示驱动时段分开的感测时段期间感测至少一个虚拟子像素中包括的建模晶体管的劣化程度。
15.根据本公开内容的实施方式，提供了一种控制器，包括：控制单元，控制单元接收图像数据信号，向数据驱动电路输出驱动数据信号，并且从数据驱动电路接收劣化程度感测数据；以及存储器，存储器存储补偿表，补偿表包括根据驱动数据信号的输出而增大的第一应力值、在劣化程度感测数据被接收到的情况下增大的第二应力值以及与第一应力值对应的补偿值。
16.在控制单元接收到劣化程度感测数据的情况下，可以改变存储在存储器中的补偿表。
17.根据本公开内容的实施方式，可以通过预先存储包括与子像素的应力值对应的补偿值的补偿表并且在子像素的应力值增大的情况下基于补偿表补偿子像素的劣化来在显示装置被驱动时实时补偿子像素的劣化。
18.根据本公开内容的实施方式，可以通过在显示装置被驱动时加速设置在虚拟子像素中的电路元件的劣化并且基于从设置在虚拟子像素中的电路元件获得的劣化程度感测数据更新补偿表来增强基于补偿表的劣化补偿的准确性。
附图说明
19.从以下结合附图进行的详细描述中将更清楚地理解本公开内容的上述和其他目的、特征和优点，在附图中：
20.图1是示意性地示出根据本公开内容的实施方式的显示装置的配置的视图；
21.图2是示出根据本公开内容的实施方式的显示装置中包括的子像素的示例电路结构的视图；
22.图3是示出根据本公开内容的实施方式的用于补偿显示装置中包括的子像素的劣化的示例方法的视图；
23.图4是示出根据本公开内容的实施方式的显示装置中包括的发光子像素和虚拟子像素的示例的视图；
24.图5是示出根据本公开内容的实施方式的用于在显示装置的显示驱动时段期间驱动发光子像素的示例方法的视图；
25.图6是示出根据本公开内容的实施方式的用于在显示装置的显示驱动时段期间驱动虚拟子像素的示例方法的视图；
26.图7是示出根据本公开内容的实施方式的用于在显示装置的劣化程度感测时段期间驱动虚拟子像素的示例方法的视图；
27.图8a和图8b是示出根据本公开内容的实施方式的被供应给显示装置中包括的发光子像素的驱动数据电压的范围和被供应给显示装置中包括的虚拟子像素的虚拟数据电
压的范围的示例的视图；
28.图9是示出根据本公开内容的实施方式的显示装置中包括的控制器的示例配置的视图；
29.图10是示出根据本公开内容的实施方式的显示装置中包括的发光子像素的应力值和虚拟子像素的应力值随时间变化的示例的视图；
30.图11是示出根据本公开内容的实施方式的用于由显示装置中包括的控制器更新补偿表的示例方法的视图；以及
31.图12是示出根据本公开内容的实施方式的显示装置中包括的数据驱动电路的示例配置的视图。
具体实施方式
32.在本公开内容的示例或实施方式的以下描述中，将参照附图，其中通过说明的方式示出了可以实现的具体示例或实施方式，并且其中相同的附图标记和符号可以用来表示相同或类似的部件，即使它们在彼此不同的附图中示出。此外，在本公开内容的示例或实施方式的以下描述中，当确定描述可能使本公开内容的一些实施方式中的主题相当不清楚时，将省略对并入本文的公知功能和部件的详细描述。本文使用的诸如“包括”、“具有”、“包含”、“构成”、“组成”和“由
……
形成”的术语通常旨在允许添加其他部件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。如本文所使用的，单数形式旨在包括复数形式，除非上下文另有明确指示。
33.在本文中可以使用诸如“第一”、“第二”、“a”、“b”、“(a)”或“(b)”的术语来描述本公开内容的元件。这些术语中的每一个都不用于定义元件的本质、顺序、序列或数量等，而仅用于将相应元件与其他元件区分开。
34.当提到第一元件“连接或耦接至”第二元件、“与第二元件接触或交叠”等时，应解释为，不仅第一元件可以“直接连接或耦接至”第二元件或“直接与第二元件接触或交叠”，而且第三元件也可以“置于”在第一元件与第二元件之间，或者第一元件和第二元件可以经由第四元件“彼此连接或耦接”、“彼此接触或交叠”等。在此，第二元件可以包括在“彼此连接或耦接”、“彼此接触或交叠”等的两个或更多个元件中的至少一个中。
35.当使用诸如“在
……
之后”、“继
……
之后”、“接下来”、“在
……
之前”等的时间相关术语来描述元件或配置的过程或操作、或操作、处理、制造方法中的流程或步骤时，这些术语可以用于描述非连续或非顺序的过程或操作，除非一起使用术语“直接”或“紧接”。
36.另外，当提及任何尺寸、相对大小等时，应考虑元素或特征的数值或相应信息(例如，水平、范围等)包括即使未指定相关描述也可能由各种因素(例如，过程因素、内部或外部影响、噪音等)引起的容差或误差范围。此外，术语“可以”完全涵盖术语“能够”的所有含义。
37.图1是示意性地示出根据本公开内容的各种实施方式的显示装置100的配置的视图。
38.参照图1，显示装置100可以包括显示面板110和用于驱动显示面板110的栅极驱动电路120、数据驱动电路130和控制器140。
39.显示面板110可以包括其中设置有多个子像素sp的有源区域aa和定位在有源区域
aa外部的非有源区域na。
40.显示面板110可以包括多条栅极线gl、多条数据线dl以及在栅极线gl和数据线dl的交叉处的子像素sp。
41.栅极驱动电路120可以由控制器140控制以将扫描信号依次输出至设置在显示面板110中的多条栅极线gl，从而控制子像素sp的驱动时序。
42.栅极驱动电路120可以包括一个或更多个栅极驱动器集成电路(gdic)。取决于驱动方案，栅极驱动电路120可以定位在显示面板110的仅一侧上或显示面板110的两个相对侧中的每一个上。
43.每个栅极驱动器集成电路(gdic)可以以带式自动键合(tab)或玻璃上芯片(cog)方案连接至显示面板110的接合焊盘，或者可以以面板内栅极(gip)类型实现为直接设置在显示面板110中，或者在一些情况下，可以集成在显示面板110中。每个栅极驱动器集成电路(gdic)也可以以膜上芯片(cof)方案实现为安装在连接至显示面板110的膜上。
44.数据驱动电路130从控制器140接收图像数据并将图像数据转换成模拟数据电压vdata。数据驱动电路130根据经由栅极线gl施加扫描信号的时序向每条数据线dl输出数据电压vdata，从而使得每个子像素sp根据图像数据表现亮度。
45.数据驱动电路130可以包括一个或更多个源极驱动器集成电路(sdic)。
46.每个源极驱动器集成电路(sdic)可以包括例如移位寄存器、锁存电路、数模转换器和输出缓冲器。
47.每个源极驱动器集成电路(sdic)可以以tab或cog方案连接至显示面板110的接合焊盘，或者可以直接设置在显示面板110中，或者在一些情况下，可以集成在显示面板110中。每个源极驱动器集成电路(sdic)可以以cof方案实现，在这种情况下，每个源极驱动器集成电路(sdic)可以安装在连接至显示面板110的膜上并且经由膜上的布线与显示面板110电连接。
48.控制器140向栅极驱动电路120和数据驱动电路130供应各种控制信号并且控制栅极驱动电路120和数据驱动电路130的操作。
49.控制器140可以安装在印刷电路板或柔性印刷电路上，并且可以通过印刷电路板或柔性印刷电路与栅极驱动电路120和数据驱动电路130电连接。
50.控制器140使得栅极驱动电路120能够根据实现每一帧的时序输出扫描信号，转换从外部接收的图像数据以满足数据驱动电路130所使用的数据信号格式，并且将所得的图像数据输出至数据驱动电路130。
51.除了图像数据以外，控制器140从外部(例如，主机系统)接收各种时序信号，包括垂直同步信号vsync、水平同步信号hsync、输入数据使能信号de和时钟信号。
52.控制器140可以使用从外部接收的时序信号生成多种控制信号，并且将控制信号输出至栅极驱动电路120和数据驱动电路130。
53.作为示例，为了控制栅极驱动电路120，控制器140输出各种栅极控制信号gcs，包括栅极起始脉冲gsp、栅极移位时钟gsc和栅极输出使能信号goe。
54.栅极起始脉冲gsp控制构成栅极驱动电路120的一个或更多个栅极驱动器集成电路gdic的操作起始时序。栅极移位时钟gsc是共同输入至一个或更多个栅极驱动器集成电路gdic的时钟信号并且控制扫描信号的移位时序。栅极输出使能信号goe指定关于一个或
更多个栅极驱动器集成电路gdic的时序信息。
55.为了控制数据驱动电路130，控制器140输出各种数据控制信号dcs，包括例如源极起始脉冲ssp、源极采样时钟ssc和源极输出使能信号soe。
56.源极起始脉冲ssp控制构成数据驱动电路130的一个或更多个源极驱动器集成电路sdic的数据采样起始时序。源极采样时钟ssc是用于控制每个源极驱动器集成电路(sdic)中的数据的采样时序的时钟信号。源极输出使能信号soe控制数据驱动电路130的输出时序。
57.显示装置100还可以包括电力管理集成电路，其向例如显示面板110、栅极驱动电路120和数据驱动电路130供应各种电压或电流或者控制要进行供应的各种电压或电流。
58.每个子像素sp可以定位在栅极线gl和数据线dl的交叠区域中并且占据该交叠区域，并且包括发光元件的至少一个电路元件可以设置在其中。
59.例如，如果显示装置100是有机发光显示装置，则可以在多个子像素sp中设置有机发光二极管(oled)和几个电路元件。每个子像素sp可以通过由几个电路元件控制被供应给设置在子像素sp中的oled的电流来显示与图像数据对应的亮度。
60.在一些情况下，可以在每个子像素sp中设置发光二极管(led)或微型发光二极管(μled)。
61.图2是示出根据本公开内容的实施方式的显示装置100中包括的子像素sp的示例电路结构的视图。
62.参照图2，可以在子像素sp中设置发光元件ed和用于驱动发光元件ed的驱动晶体管drt。除了发光元件ed和驱动晶体管drt以外，可以在子像素sp中设置至少一个电路元件。
63.作为示例，如图2所示，还可以在子像素sp中设置开关晶体管swt、感测晶体管sent和存储电容器cstg。
64.尽管图2示出了在子像素sp中除了发光元件ed以外还设置了三个薄膜晶体管和一个电容器的3t1c结构作为示例，但是本公开内容的实施方式不限于此。此外，尽管在图2示出的示例中，所有的薄膜晶体管都是n型的，但是在一些情况下，设置在子像素sp中的薄膜晶体管可以是p型的。
65.开关晶体管swt可以电连接在数据线dl与第一节点n1之间。数据电压vdata可以通过数据线dl供应给子像素sp。第一节点n1可以是驱动晶体管drt的栅极节点。
66.开关晶体管swt可以由被供应给栅极线gl的扫描信号控制。开关晶体管swt可以控制通过数据线dl供应的数据电压vdata到驱动晶体管drt的栅极节点的施加。
67.驱动晶体管drt可以电连接在驱动电压线dvl与发光元件ed之间。第一驱动电压evdd可以通过驱动电压线dvl供应给驱动晶体管drt的第三节点n3。第一驱动电压evdd可以是高电位驱动电压。第三节点n3可以是驱动晶体管drt的漏极节点或源极节点。
68.驱动晶体管drt可以由施加至第一节点n1的电压控制。驱动晶体管drt可以控制被供应给发光元件ed的驱动电流。
69.感测晶体管sent可以电连接在参考电压线rvl与第二节点n2之间。参考电压vref可以通过参考电压线rvl供应给第二节点n2。第二节点n2可以是驱动晶体管drt的源极节点或漏极节点。
70.感测晶体管sent可以由被供应给栅极线gl的扫描信号控制。控制感测晶体管sent
的栅极线gl可以与控制开关晶体管swt的栅极线gl相同或不同。感测晶体管sent可以控制以将参考电压vref施加至第二节点n2。在一些情况下，感测晶体管sent可以控制以通过参考电压线rvl感测第二节点n2的电压。
71.存储电容器cstg可以电连接在第一节点n1与第二节点n2之间。存储电容器cstg可以将施加至第一节点n1的数据电压vdata保持一个帧。
72.发光元件ed可以电连接在第二节点n2与被供应第二驱动电压evss的线之间。第二驱动电压evss可以是低电位驱动电压。
73.发光元件ed可以包括与第二节点n2电连接的第一电极层e1、与被供应第二驱动电压evss的线电连接的第二电极层e2以及设置在第一电极层e1与第二电极层e2之间的发光层el。
74.发光元件ed可以根据通过驱动晶体管drt供应的驱动电流来显示亮度。
75.因此，为了使子像素sp根据图像数据显示亮度，对驱动晶体管drt和发光元件ed的准确控制是有益的。然而，随着驱动时间随显示面板110的寿命而累积，驱动晶体管drt或发光元件ed的特性值可能由于劣化而改变。
76.例如，驱动晶体管drt的阈值电压或迁移率可能改变。发光元件ed的阈值电压也可能改变。
77.由于驱动晶体管drt或发光元件ed的特性值的变化，在子像素sp之间可能出现特性值的偏差。子像素sp之间的特性值的偏差可能影响通过显示面板110显示的图像的质量(例如，均匀性)。
78.本公开内容的实施方式提供一种用于防止由于设置在子像素sp中的电路元件的劣化而导致的显示质量劣化的方法。
79.在本公开内容中，子像素sp的特性值的变化量可以表示子像素sp的劣化量。子像素sp的劣化量可以表示设置在子像素sp中的驱动晶体管drt和发光元件ed中的至少一个的特性值的变化量。如上面所提到的，特征值可以包括阈值电压、迁移率、或者驱动晶体管drt或发光元件ed的其他类似特征值中的一个或更多个。
80.图3是示出根据本公开内容的实施方式的用于补偿显示装置100中包括的子像素sp的劣化的示例方法的视图。
81.参照图3，显示装置100可以存储补偿表，该补偿表包括关于与子像素sp的劣化程度对应的应力值vstr与根据应力值vstr的补偿值vcomp之间的关系的信息。
82.作为示例，补偿表可以如图3的曲线图中那样表示应力值vstr与补偿值vcomp之间的关系，并且可以以查找表的形式存储在显示装置100中。
83.显示装置100可以基于与存储在补偿表中的应力值vstr与补偿值vcomp之间的关系相关的信息来补偿设置在显示面板110中的子像素sp的劣化。
84.如果显示驱动开始，则显示装置100可以根据显示驱动累积子像素sp的应力值vstr。显示装置100可以在补偿表中识别与累积的应力值vstr对应的补偿值vcomp，并且使用识别出的补偿值vcomp对劣化的子像素sp执行补偿。
85.作为示例，根据执行补偿的时间，如果子像素sp的应力值vstr是vstr_a，则显示装置100可以使用作为与vstr_a对应的补偿值vcomp的vcomp_a执行补偿，而如果子像素sp的应力值vstr是vstr_b，则使用作为与vstr_b对应的补偿值vcomp的vcomp_b执行补偿。
86.显示装置100可以根据要补偿的子像素sp来识别应力值vstr，并且可以使用与应力值vstr对应的补偿值vcomp来对子像素sp的劣化执行补偿。换言之，可以对具有不同劣化程度的子像素sp执行适当的补偿。
87.当显示装置100被驱动时，每个子像素sp的应力值vstr被累积，并且使用基于补偿表和累积的应力值vstr确定的补偿值vcomp来执行补偿，使得可以在显示装置100被驱动时实时执行对子像素sp的劣化的补偿。
88.因此，可以通过根据显示装置100的驱动补偿子像素sp之间的劣化偏差或子像素sp的劣化来防止由于显示装置100的劣化而导致的显示质量劣化。
89.根据本公开内容的实施方式，显示装置100可以使用在显示面板110的非有源区域na中设置的虚拟子像素sp_dmy来生成或更新补偿表。因此，可以根据显示面板110执行自适应的实时补偿，同时增强对子像素sp劣化的补偿准确度。
90.图4是示出根据本公开内容的实施方式的显示装置100中包括的发光子像素sp_emt和虚拟子像素sp_dmy的示例的视图。
91.参照图4，可以在显示面板110的有源区域aa中设置多个发光子像素sp_emt。与上述子像素sp一样，发光子像素sp_emt可以是包括发光元件ed和驱动晶体管drt的3t1c电路结构中的子像素sp。
92.可以在显示面板110的非有源区域na中设置至少一个虚拟子像素sp_dmy。
93.虚拟子像素sp_dmy可以设置在非有源区域na中，并且可以设置在有源区域aa的上侧、下侧、左侧和右侧中的至少一侧上。
94.虚拟子像素sp_dmy可以包括除了发光元件ed以外与发光子像素sp_emt的电路元件相同的电路元件。因此，虚拟子像素sp_dmy可以包括栅极线gl、数据线dl、开关晶体管swt、感测晶体管sent和存储电容器cstg。
95.虚拟子像素sp_dmy可以包括与在发光子像素sp_emt中包括的驱动晶体管drt对应的建模晶体管mot。
96.虚拟子像素sp_dmy可以包括发光子像素sp_emt中包括的第一电极层e1、发光层el和第二电极层e2之中除了发光层el以外的第一电极层e1和第二电极层e2。在虚拟子像素sp_dmy中包括的第一电极层e1和第二电极层e2可以彼此电连接。在一个或更多个实施方式中，第一电极层e1与第二电极层e2在虚拟子像素sp_dmy中例如以它们之间没有介入的发光层el的方式相接触。
97.由于发光层el没有设置在虚拟子像素sp_dmy中，因此即使当数据电压vdata被供应给虚拟子像素sp_dmy时，虚拟子像素sp_dmy也可能不发光。由于在虚拟子像素sp_dmy中包括的建模晶体管mot通过相同的工艺与在发光子像素sp_emt中包括的驱动晶体管drt设置在同一基板上，因此建模晶体管mot可以具有与驱动晶体管drt的特性类似的特性。
98.因此，可以使用虚拟子像素sp_dmy中包括的建模晶体管mot来预测发光子像素sp_emt中包括的驱动晶体管drt的劣化趋势。
99.显示装置100可以基于使用虚拟子像素sp_dmy中包括的建模晶体管mot预测的劣化趋势，根据驱动晶体管drt的应力值vstr改变指示补偿值vcomp的补偿表。
100.显示装置100可以使用改变的补偿表来补偿发光子像素sp_emt的劣化，从而增强劣化补偿的准确度并且实时补偿发光子像素sp_emt的劣化。
101.例如，在显示驱动时段期间，驱动数据电压vdata_drv可以被供应给设置在有源区域aa中的发光子像素sp_emt。发光子像素sp_emt的应力值vstr可以根据驱动数据电压vdata_drv累积。
102.在显示驱动时段期间，虚拟数据电压vdata_dmy可以被供应给设置在非有源区域na中的虚拟子像素sp_dmy。
103.虚拟数据电压vdata_dmy可以是用于加速设置在虚拟子像素sp_dmy中的建模晶体管mot的劣化的电压。例如，虚拟数据电压vdata_dmy可以高于驱动数据电压vdata_drv。
104.显示装置100可以在劣化程度感测时段期间检测虚拟子像素sp_dmy中包括的建模晶体管mot的劣化程度。换言之，显示装置100不检测发光子像素sp_emt中包括的驱动晶体管drt的劣化程度，但可以检测已经比驱动晶体管drt更劣化的建模晶体管mot的劣化程度.
105.可以基于被供应给虚拟子像素sp_dmy的虚拟数据电压vdata_dmy来累积虚拟子像素sp_dmy的应力值vstr。通过检测虚拟子像素sp_dmy的劣化程度，可以计算虚拟子像素sp_dmy的补偿值vcomp。
106.因此，显示装置100可以使用虚拟子像素sp_dmy的应力值vstr和计算的补偿值vcomp来生成补偿表或改变预先存储的补偿表。
107.显示装置100可以基于使用虚拟子像素sp_dmy获得的补偿表来补偿发光子像素sp_emt中包括的驱动晶体管drt的劣化。
108.因此，显示装置100可以在实时补偿发光子像素sp_emt的劣化的同时增强劣化补偿的准确度并根据显示面板110执行自适应补偿。
109.图5至图7是示出根据本公开内容的实施方式的用于驱动显示装置100中包括的发光子像素sp_emt和虚拟子像素sp_dmy的方法的具体示例的视图。
110.图5是示出根据本公开内容的实施方式的用于在显示装置100的显示驱动时段期间驱动发光子像素sp_emt的示例方法的视图。图6是示出根据本公开内容的实施方式的用于在显示装置100的显示驱动时段期间驱动虚拟子像素sp_dmy的示例方法的视图。
111.参照图5和图6，在显示驱动时段的第一时段p11中，可以向发光子像素sp_emt供应导通电平第一扫描信号scan1，使得可以使开关晶体管swt导通。此外，在显示驱动时段的第一时段p11中，导通电平第一扫描信号scan1可以被供应给虚拟子像素sp_dmy。
112.显示驱动时段的第一时段p11可以被称为“初始化时段”。
113.在显示驱动时段的第二时段p12中，保持导通电平第一扫描信号scan1。在显示驱动时段的第二时段p12中，可以向发光子像素sp_emt供应导通电平第二扫描信号scan2。可以使控制向发光子像素sp_emt供应参考电压vref的第一开关sw1导通。在一些情况下，第一开关sw1可以在第一时段p11中导通并在第二时段p12中保持导通状态。
114.由于发光子像素sp_emt中包括的开关晶体管swt和感测晶体管sent导通，因此驱动数据电压vdata_drv和参考电压vref可以被供应给发光子像素sp_emt。
115.由于虚拟子像素sp_dmy中包括的开关晶体管swt和感测晶体管sent以与发光子像素sp_emt相同或类似的方式被驱动，因此虚拟数据电压vdata_dmy和参考电压vref可以被供应给虚拟子像素sp_dmy。
116.显示驱动时段的第二时段p12可以被称为“编程时段”。
117.在显示驱动时段的第三时段p13中，可以向发光子像素sp_emt和虚拟子像素sp_
dmy供应截止电平第一扫描信号scan1和截止电平第二扫描信号scan2。可以使第一开关sw1截止。可以停止供应数据电压vdata和参考电压vref。
118.发光子像素sp_emt中包括的驱动晶体管drt可以在显示驱动时段的第三时段p13中将根据驱动数据电压vdata_drv的驱动电流供应给发光元件ed。发光子像素sp_emt中包括的发光元件ed可以根据驱动数据电压vdata_drv表现亮度。
119.显示驱动时段的第三时段p13可以被称为“发光时段”。
120.虚拟子像素sp_dmy中包括的建模晶体管mot可以在显示驱动时段的第三时段p13中根据虚拟数据电压vdata输出驱动电流。由于虚拟子像素sp_dmy不包括发光元件ed，因此虚拟子像素sp_dmy不发光，并且建模晶体管mot可能劣化。
121.因此，当设置在有源区域aa中的发光子像素sp_emt被驱动时，可以通过在显示驱动时段期间驱动设置在非有源区域na中的虚拟子像素sp_dmy来使建模晶体管mot劣化。
122.可以通过加速建模晶体管mot的劣化超过驱动晶体管drt的劣化来使用建模晶体管mot生成或更新驱动晶体管drt的补偿表。
123.被供应给发光子像素sp_emt的驱动数据电压vdata_drv可以包括在第一电压范围r1中。被供应给虚拟子像素sp_dmy的虚拟数据电压vdata_dmy可以包括在大于第一电压范围r1的第二电压范围r2中。
124.例如，第二电压范围r2的上限可以大于第一电压范围r1的上限。第二电压范围r2的下限可以等于或大于第一电压范围r1的下限。
125.可以通过供应比用于驱动发光子像素sp_emt的驱动数据电压vdata_drv高的虚拟数据电压vdata_dmy来加速虚拟子像素sp_dmy中包括的建模晶体管mot的劣化。
126.虚拟数据电压vdata_dmy是包括在第二电压范围r2中的固定电压，但是在一些情况下，虚拟数据电压vdata_dmy可以是可变电压。
127.作为示例，当显示装置100的驱动时间等于或大于预设时间或所选时间时，虚拟数据电压vdata_dmy可以大于显示装置100的驱动时间小于预设时间或所选时间时的虚拟数据电压vdata_dmy。换言之，如果指示虚拟子像素sp_dmy中包括的建模晶体管mot的劣化程度的应力值vstr变为预设值或所选值或更大，则虚拟数据电压vdata_dmy可能增大。
128.可以通过根据虚拟子像素sp_dmy中包括的建模晶体管mot的劣化程度改变虚拟数据电压vdata_dmy来有效地加速建模晶体管mot的劣化。
129.显示装置100可以通过感测比驱动晶体管drt进一步劣化的建模晶体管mot的劣化程度来使用建模晶体管mot生成或更新补偿表。
130.图7是示出根据本公开内容的实施方式的用于在显示装置100的劣化程度感测时段期间驱动虚拟子像素sp_dmy的示例方法的视图。
131.参照图7，在劣化程度感测时段的第一时段p21中，可以向虚拟子像素sp_dmy供应导通电平第一扫描信号scan1。在劣化程度感测时段的第二时段p22中，可以向虚拟子像素sp_dmy供应导通电平第二扫描信号scan2，使得可以使第一开关sw1导通。
132.感测数据电压vdata_sen可以被供应给作为虚拟子像素sp_dmy中包括的建模晶体管mot的栅极节点的第一节点n1。参考电压vref可以被施加至作为建模晶体管mot的源极节点的第二节点n2。
133.在劣化程度感测时段的第三时段p23中，可以向虚拟子像素sp_dmy供应截止电平
第一扫描信号scan1和截止电平第二扫描信号scan2。可以使第一开关sw1截止。
134.因此，建模晶体管mot的第一节点n1和第二节点n2可以浮置。耦接至第一节点n1的第二节点n2的电压可以根据第一节点n1的电压而增大。
135.此后，如果第二节点n2的电压饱和，则可以使第二开关sw2导通，使得可以检测到第二节点n2的电压。可以使用第二节点n2的饱和电压和感测数据电压vdata_sen来检测建模晶体管mot的阈值电压，例如建模晶体管mot的劣化程度。
136.建模晶体管mot的劣化程度的检测可以例如使用数据驱动电路130中包括的模数转换器(adc)来执行，但不限于此。
137.因此，可以在劣化程度感测时段期间检测虚拟子像素sp_dmy中包括的建模晶体管mot的劣化程度。可以通过检测比需要劣化补偿的驱动晶体管drt进一步劣化的建模晶体管mot的劣化程度来生成或更新用于补偿驱动晶体管drt的劣化的补偿表。
138.在劣化程度感测时段期间可以不驱动发光子像素sp_emt。
139.作为示例，在劣化程度感测时段期间，既不能向发光子像素sp_emt供应扫描信号也不能供应数据电压vdata。在一个或更多个实施方式中，在劣化程度感测时段期间不向发光子像素sp_emt供应扫描信号或数据电压vdata可以是或包括：供应处于所选电压电平比如0伏处的扫描信号和/或数据电压vdata，或者通过例如打开的开关来去耦合扫描信号和/或数据电压vdata。
140.劣化程度感测时段是与显示驱动时段分开的时段并且可以是在显示装置100开启之后或显示装置100关闭之后的预定时段或所选时段。可替选地，在一些情况下，劣化程度感测时段可以是在显示驱动时段期间不供应数据电压vdata的空白时段的一部分。
141.感测数据电压vdata_sen可以具有被设置以感测建模晶体管mot的劣化程度的电平。感测数据电压vdata_sen可以是在包括驱动数据电压vdata_drv的第一电压范围r1和包括虚拟数据电压vdata_dmy的第二电压范围r2中的至少一个中包括的电压。
142.换言之，虚拟数据电压vdata_dmy可以被设置成高于驱动数据电压vdata_drv以加速建模晶体管mot的劣化，并且感测数据电压vdata_sen可以被设置为用于感测建模晶体管mot的劣化程度的适当电平。
143.为了防止在加速建模晶体管mot的劣化超过驱动晶体管drt的劣化的同时建模晶体管mot的劣化程度与驱动晶体管drt的劣化程度之间的差异过度增大，可以基于驱动数据电压vdata_drv的分布来设置包括虚拟数据电压vdata_dmy的第二电压范围r2。
144.图8a和图8b是示出根据本公开内容的实施方式的被供应给显示装置中包括的发光子像素sp_emt的驱动数据电压vdata_drv的范围和被供应给显示装置中包括的虚拟子像素sp_dmy的虚拟数据电压vdata_dmy的范围的示例的视图。
145.参照图8a，显示装置100可以计算在显示驱动时段期间被供应给设置在整个或部分有源区域aa中的发光子像素sp_emt的驱动数据电压vdata_drv的分布。
146.可以基于所计算的驱动数据电压vdata_drv的分布来确定包括驱动数据电压vdata_drv的第一电压范围r1。
147.包括虚拟数据电压vdata_dmy的第二电压范围r2可以是将偏移量δoffset添加到第一电压范围r1的确定上限值的范围。换言之，第二电压范围r2的上限可以大于第一电压范围r1的上限。第二电压范围r2的下限可以基本上等于或略高于第一电压范围r1的上限。
148.可以通过在对应于偏移量δoffset的范围内将虚拟数据电压vdata_dmy设置为大于驱动数据电压vdata_drv的值来防止虚拟子像素sp_dmy与发光子像素sp_emt之间的劣化程度差异的过度增大。
149.作为另一示例，参照图8b，显示装置100可以计算在显示驱动时段期间被供应给设置在整个或部分有源区域aa中的发光子像素sp_emt的驱动数据电压vdata_drv的分布。
150.包括虚拟数据电压vdata_dmy的第二电压范围r2的下限可以是与驱动数据电压vdata_drv的分布中的顶部x％(例如，5％)对应的电压。第二电压范围r2的上限值可以是将预设的或所选的偏移量δoffset添加到确定第二电压范围r2的下限值的值。
151.因此，可以在最小化或减小虚拟数据电压vdata_dmy与驱动数据电压vdata_drv之间的差异的同时加速由虚拟数据电压vdata_dmy驱动的建模晶体管mot的劣化超过驱动晶体管drt。
152.因此，根据本公开内容的实施方式，显示装置100可以加速虚拟子像素sp_dmy中包括的建模晶体管mot的劣化并且检测建模晶体管mot的劣化程度。
153.还可以通过基于使用建模晶体管mot获得的信息生成或更新用于补偿发光子像素sp_emt中包括的驱动晶体管drt的劣化的补偿表来增强使用补偿表的实时补偿的准确性。
154.虚拟子像素sp_dmy的驱动和感测以及补偿表的生成或更新可以由显示装置100中包括的数据驱动电路130和控制器140来执行。
155.图9是示出根据本公开内容的实施方式的显示装置100中包括的控制器140的示例配置的视图。在一个或更多个实施方式中，控制器140包括控制电路140并且可以称为控制电路140。
156.参照图9，控制器140可以包括从外部接收图像数据信号并向数据驱动电路130输出驱动数据信号的数据信号输出单元141。在一个或更多个实施方式中，数据信号输出单元141包括数据信号输出电路141并且可以称为数据信号输出电路141。
157.控制器140可以包括根据图像数据信号识别补偿值vcomp并将补偿值vcomp发送至数据信号输出单元141的补偿单元142。在一个或更多个实施方式中，补偿单元142包括补偿电路142并且可以称为补偿电路142。
158.控制器140可以包括接收驱动数据信号并根据驱动数据信号累积应力值vstr的累积单元143，数据信号输出单元141基于图像数据信号和补偿值vcomp输出该驱动数据信号。在一个或更多个实施方式中，累积单元143包括累积电路143并且可以称为累积电路143。
159.控制器140可以包括驱动对虚拟子像素sp_dmy的劣化程度的感测并从数据驱动电路130接收劣化程度感测数据的感测驱动单元144。在一个或更多个实施方式中，感测驱动单元144包括感测驱动电路144并且可以称为感测驱动电路144。
160.控制器140可以包括基于虚拟子像素sp_dmy的累积应力值vstr和由感测驱动单元144接收的劣化程度感测数据来生成或更新补偿表的劣化模型处理单元145。在一个或更多个实施方式中，劣化模型处理单元145包括劣化模型处理电路145并且可以称为劣化模型处理电路145。
161.数据信号输出单元141、补偿单元142、累积单元143、感测驱动单元144和劣化模型处理单元145可以被提供为单独的逻辑，或者其中的两个或更多个可以被集成为一个逻辑。可替选地，上述组件可以统称为单个控制单元，或者每个组件可以包括多个逻辑。
162.控制器140可以包括存储器146，其存储设置在显示面板110中的子像素sp的应力值vstr、根据应力值vstr的补偿值vcomp以及表示应力值vstr与补偿值vcomp之间的关系的补偿表。
163.存储器146可以根据情况设置在控制器140内部或控制器140外部。
164.如果控制器140的数据信号输出单元141输出驱动数据信号，则累积单元143累积子像素sp的应力值vstr。因此，存储在存储器146中的应力值vstr会增大。存储在存储器146中的应力值vstr可以包括发光子像素sp_emt的应力值vstr和虚拟子像素sp_dmy的应力值vstr。
165.从数据信号输出单元141输出至数据驱动电路130的驱动数据信号可以包括指示被供应给发光子像素sp_emt的驱动数据电压vdata_drv和被供应给虚拟子像素sp_dmy的虚拟数据电压vdata_dmy的信息。
166.因此，发光子像素sp_emt的应力值vstr和虚拟子像素sp_dmy的应力值vstr二者都可以基于驱动数据信号而增大。
167.此外，虚拟子像素sp_dmy的应力值vstr的增大速率可以大于发光子像素sp_emt的应力值vstr的增大速率。
168.图10是示出根据本公开内容的实施方式的显示装置100中包括的发光子像素sp_emt的应力值vstr和虚拟子像素sp_dmy的应力值vstr随时间变化的示例的视图。
169.参照图10，随着显示装置100的驱动时间增加，发光子像素sp_emt的第一应力值vstr1会增大。虚拟子像素sp_dmy的第二应力值vstr2也会增大。
170.由于比被供应给发光子像素sp_emt的驱动数据电压vdata_drv高的虚拟数据电压vdata_dmy被供应给虚拟子像素sp_dmy以加速虚拟子像素sp_dmy的劣化，因此虚拟子像素sp_dmy的第二应力值vstr2的增大速率可以大于发光子像素sp_emt的第一应力值vstr1的增大速率。
171.控制器140的感测驱动单元144可以在劣化程度感测时段期间控制数据驱动电路130，从而接收虚拟子像素sp_dmy的劣化程度感测数据。
172.控制器140的劣化模型处理单元145可以使用存储在存储器146中的虚拟子像素sp_dmy的第二应力值vstr2和通过感测驱动单元144获得的劣化程度感测数据来生成或更新补偿表。
173.例如，劣化模型处理单元145可以使用劣化程度感测数据来计算虚拟子像素sp_dmy中包括的建模晶体管mot的劣化程度。劣化模型处理单元145可以基于计算的劣化程度来计算补偿值vcomp。
174.由于虚拟子像素sp_dmy中包括的建模晶体管mot的第二应力值vstr2被存储在存储器146中，因此可以使用存储的第二应力值vstr2和计算的补偿值vcomp来生成或更新补偿表。
175.可以基于第一应力值vstr1和生成或更新的补偿表来执行对发光子像素sp_emt的劣化的补偿。
176.换言之，可以基于从虚拟子像素sp_dmy感测到的劣化程度感测数据和根据虚拟子像素sp_dmy的劣化加速的第二应力值vstr2来生成或更新补偿表。由于进行劣化补偿的是发光子像素sp_emt，因此可以基于补偿表和第一应力值vstr1执行劣化补偿。
177.存储在存储器146中的补偿表可以由劣化模型处理单元145更新，其中补偿表存储在存储器146中。可替选地，要存储在存储器146中的补偿表可以由劣化模型处理单元145生成，其中没有补偿表存储在存储器146中。
178.由于虚拟子像素sp_dmy的劣化比发光子像素sp_emt的劣化更早进行，因此可以生成用于补偿发光子像素sp_emt的劣化的补偿表并且使用在预定时段或所选时段期间驱动显示装置100时已完成的关于虚拟子像素sp_dmy的劣化的信息来补偿发光子像素sp_emt。
179.图11是示出根据本公开内容的实施方式的用于由显示装置100中包括的控制器140更新补偿表的示例方法的视图。
180.参照图11，在控制器140使用虚拟子像素sp_dmy获得补偿表之前，可以基于存储在存储器146中的初始补偿表lut_int来执行劣化补偿。
181.当显示装置100被驱动时，子像素sp和虚拟子像素sp_dmy可能以不同的速率劣化。如果检测到进一步劣化的虚拟子像素sp_dmy的劣化程度，则可以基于虚拟子像素sp_dmy的劣化程度感测数据和虚拟子像素sp_dmy的应力值vstr获得改变后的补偿表lut_upd。
182.因此，先前存储的初始补偿表lut_int可以被更新为改变后的补偿表lut_upd。
183.控制器140可以基于改变后的补偿表lut_upd对发光子像素sp_emt执行实时劣化补偿。
184.可以通过基于改变后的补偿表lut_upd对驱动晶体管drt执行劣化补偿来增强实时劣化补偿的准确性，该改变后的补偿表lut_upd是经由加速建模晶体管mot的劣化获得的，该建模晶体管mot具有与发光子像素sp_emt中包括的驱动晶体管drt相同或类似的特性。
185.图12是示出根据本公开内容的实施方式的显示装置100中包括的数据驱动电路130的示例配置的视图。
186.参照图12，数据驱动电路130可以包括驱动数据电压供应单元131、虚拟数据电压供应单元132和感测单元133。
187.在显示驱动时段期间，驱动数据电压供应单元131可以向设置在有源区域aa中的多个发光子像素sp_emt供应驱动数据电压vdata_drv。
188.在显示驱动时段期间，虚拟数据电压供应单元132可以向设置在非有源区域na中的至少一个虚拟子像素sp_dmy供应大于驱动数据电压vdata_drv的虚拟数据电压vdata_dmy。在劣化程度感测时段期间，虚拟数据电压供应单元132可以向虚拟子像素sp_dmy供应感测数据电压vdata_sen。
189.在劣化程度感测时段期间，感测单元133可以感测虚拟子像素sp_dmy中包括的建模晶体管mot的劣化程度。
190.驱动数据电压供应单元131、虚拟数据电压供应单元132和感测单元133可以由从控制器140接收的一个或更多个信号控制。
191.驱动数据电压供应单元131、虚拟数据电压供应单元132和感测单元133可以全部包括在一个数据驱动电路130中或者可以包括在不同的数据驱动电路130中。
192.例如，数据驱动电路130可以包括包括驱动数据电压供应单元131的第一数据驱动电路和包括虚拟数据电压供应单元132和感测单元133的第二数据驱动电路。换言之，用于驱动发光子像素sp_emt的配置和用于驱动虚拟子像素sp_dmy的配置可以集成或分开设置。
193.在一些情况下，感测单元133可以包括在数据驱动电路130中，或者在其他情况下，感测单元133可以位于数据驱动电路130外部。
194.根据本公开内容的上述实施方式，当控制器140通过应用补偿值vcomp来驱动发光子像素sp_emt时——补偿值vcomp是根据补偿表和根据输出至数据驱动电路130的驱动数据信号累积的应力值vstr，可以实时补偿发光子像素sp_emt的劣化。
195.还可以通过使虚拟子像素sp_dmy比发光子像素sp_emt的劣化更快地劣化并且感测被加速劣化的虚拟子像素sp_dmy的劣化程度来更精确地预测发光子像素sp_emt的劣化趋势。
196.因此，通过经由虚拟子像素sp_dmy的劣化程度的检测和劣化加速周期性地更新用于补偿发光子像素sp_emt的劣化的补偿表，可以在在显示器被驱动时实时地补偿发光子像素sp_emt的劣化的同时增强劣化补偿的准确性。
197.上述描述已经被提出以使本领域技术人员能够做出和使用本公开内容的技术思想，并且已经在特定应用及其要求的上下文中提供。对所描述的实施方式的各种修改、添加和替换对于本领域技术人员来说将是显而易见的，并且在不脱离本公开内容的精神和范围的情况下，本文定义的一般原理可以应用于其他实施方式和应用。以上描述和附图仅出于说明的目的提供了本公开内容的技术思想的示例。也就是说，所公开的实施方式旨在说明本公开内容的技术思想的范围。因此，本公开内容的范围不限于所示的实施方式，而是与与权利要求一致的最宽范围相一致。本公开内容的保护范围应基于所附权利要求进行解释，并且在其等同范围内的所有技术思想应理解为包括在本公开内容的范围内。
198.发明构思
199.本发明提供了以下发明构思：
200.1.一种显示装置，包括：
201.多个发光子像素，所述多个发光子像素设置在显示面板的有源区域中，所述多个发光子像素中的每个发光子像素包括发光元件；
202.至少一个虚拟子像素，所述至少一个虚拟子像素设置在所述显示面板的非有源区域中，所述至少一个虚拟子像素中的每个虚拟子像素包括建模晶体管；
203.数据驱动电路，所述数据驱动电路被配置成向所述至少一个虚拟子像素和所述多个发光子像素中的至少一个供应数据电压；以及
204.控制器，所述控制器控制所述数据驱动电路，
205.其中，所述数据驱动电路在操作中在显示驱动时段期间向所述多个发光子像素中的至少一个供应驱动数据电压，并且在所述显示驱动时段期间向所述至少一个虚拟子像素供应大于所述驱动数据电压的虚拟数据电压，并且
206.所述数据驱动电路在操作中在不同于所述显示驱动时段的感测时段期间感测接收所述虚拟数据电压的虚拟子像素中包括的建模晶体管的劣化程度。
207.2.根据发明构思1所述的显示装置，其中，所述驱动数据电压包括在第一电压范围内，并且所述虚拟数据电压包括在第二电压范围内，并且
208.其中，所述第二电压范围的上限大于所述第一电压范围的上限。
209.3.根据发明构思2所述的显示装置，其中，所述第二电压范围的下限不小于所述第一电压范围的上限。
210.4.根据发明构思1所述的显示装置，其中，所述数据驱动电路在所述感测时段期间不向所述多个发光子像素供应所述驱动数据电压，而在所述感测时段期间向所述至少一个虚拟子像素供应感测数据电压。
211.5.根据发明构思1所述的显示装置，其中，每个子像素包括驱动晶体管，并且当所述数据驱动电路感测到所述建模晶体管的劣化程度时，所述控制器生成或更新包括与所述驱动晶体管的应力值对应的补偿值的补偿表。
212.6.根据发明构思1所述的显示装置，其中，所述控制器当所述数据驱动电路供应所述驱动数据电压时使第一应力值增大，并且当从所述数据驱动电路接收到根据感测劣化程度的劣化程度感测数据时使第二应力值增大，并且
213.其中，所述第二应力值的增大速率大于所述第一应力值的增大速率。
214.7.根据发明构思6所述的显示装置，其中，所述控制器基于所述第二应力值和所述劣化程度感测数据来生成或更新包括与所述驱动晶体管的应力值对应的补偿值的补偿表，并且基于所述补偿表和所述第一应力值来提供补偿数据。
215.8.根据发明构思6所述的显示装置，其中，当所述第二应力值不小于所选值时被供应给所述至少一个虚拟子像素的虚拟数据电压大于当所述第二应力值小于所述所选值时被供应给所述至少一个虚拟子像素的虚拟数据电压。
216.9.根据发明构思1所述的显示装置，其中，当所述显示面板的驱动时间不小于所选值时被供应给所述至少一个虚拟子像素的虚拟数据电压大于当所述驱动时间小于所述所选值时被供应给所述至少一个虚拟子像素的虚拟数据电压。
217.10.根据发明构思1所述的显示装置，其中，所述发光元件包括第一电极层、第二电极层以及在所述第一电极层与所述第二电极层之间的发光层，并且
218.其中，所述至少一个虚拟子像素包括所述第一电极层和电连接至所述第一电极层的所述第二电极层，并且所述虚拟子像素中的所述第一电极层和所述第二电极层彼此电连接。
219.11.根据发明构思1所述的显示装置，其中，所述数据驱动电路包括：
220.第一数据驱动电路，所述第一数据驱动电路被配置成向所述多个发光子像素供应所述驱动数据电压；以及
221.第二数据驱动电路，所述第二数据驱动电路被配置成向所述至少一个虚拟子像素供应所述虚拟数据电压并且感测所述至少一个虚拟子像素中包括的建模晶体管的劣化程度。
222.12.一种数据驱动电路，包括：
223.驱动数据电压供应单元，所述驱动数据电压供应单元被配置成在显示驱动时段期间向设置在有源区域中的多个发光子像素供应驱动数据电压；
224.虚拟数据电压供应单元，所述虚拟数据电压供应单元被配置成在所述显示驱动时段期间向设置在非有源区域中的至少一个虚拟子像素供应大于所述驱动数据电压的虚拟数据电压；以及
225.感测单元，所述感测单元被配置成在与所述显示驱动时段分开的感测时段期间感测所述至少一个虚拟子像素中包括的建模晶体管的劣化程度。
226.13.根据发明构思12所述的数据驱动电路，其中，所述驱动数据电压供应单元在所
述感测时段期间不向所述多个发光子像素供应所述驱动数据电压，并且所述虚拟数据电压供应单元在所述感测时段期间向所述至少一个虚拟子像素供应感测数据电压。
227.14.根据发明构思13所述的数据驱动电路，其中，所述感测数据电压包括在包括所述驱动数据电压的第一电压范围和包括所述虚拟数据电压的第二电压范围中的至少一个中。
228.15.根据发明构思12所述的数据驱动电路，其中，当所述建模晶体管的劣化程度不小于所选值时供应的虚拟数据电压大于当所述建模晶体管的劣化程度小于所述所选值时供应的虚拟数据电压。
229.16.一种控制器，包括：
230.控制单元，所述控制单元接收图像数据信号，向数据驱动电路输出驱动数据信号，并且从所述数据驱动电路接收劣化程度感测数据；以及
231.存储器，所述存储器存储补偿表，所述补偿表包括：
232.第一应力值，其中，所述第一应力值根据所述驱动数据信号的输出而增大；
233.第二应力值，其中，所述第二应力值当所述劣化程度感测数据被接收到时增大；以及
234.与所述第一应力值对应的补偿值，
235.其中，当所述控制单元接收到所述劣化程度感测数据时，所述补偿表被改变。
236.17.根据发明构思16所述的控制器，其中，当所述控制单元接收到第一劣化程度感测数据时，所述补偿表被改变；以及当所述控制单元在与接收到所述第一劣化程度感测数据的时段不同的时段内接收到第二劣化程度感测数据时，所述补偿表被改变，并且
237.所述补偿表在接收到所述第一劣化程度感测数据的时段与接收到所述第二劣化程度感测数据的时段之间保持恒定值。
238.18.根据发明构思16所述的控制器，其中，所述补偿表基于所述劣化程度感测数据和所述第二应力值而改变，并且其中，所述驱动数据信号基于所述图像数据信号以及所述补偿表中的与所述第一应力值对应的补偿值来确定。
239.19.根据发明构思16所述的控制器，其中，所述第二应力值的增大速率大于所述第一应力值的增大速率。
240.20.根据发明构思16所述的控制器，其中，所述数据驱动电路是根据发明构思12至15中的任一项所述的数据驱动电路。
241.21.一种显示装置，包括：
242.根据发明构思12至15中的任一项所述的数据驱动电路；
243.根据发明构思16至19中的任一项所述的控制器；
244.所述多个发光子像素；以及
245.所述至少一个虚拟子像素。