一种内嵌温感功能的显示屏及其调控方法与流程

1.本发明属于液晶显示技术领域，具体涉及一种内嵌温感功能的显示屏及其调控方法。


背景技术：

2.目前，市场上的液晶显示屏均是tft屏，即采用薄膜晶体管阵列技术。基于tft的温度特性，随着温度的升高，tft中的载流子的迁移率是下降的，因此随着温度的升高，vtft(tft的源漏电压)是减小的，在不同温度环境下产生不同的泄漏电流，而在外部施加同样电压的情况下，将造成漏泄电流的增大，待机功耗增大，同时还会使液晶驱动电压增大，导致液晶显示效果变差，同时增加功耗。
3.相反的，随着温度降低，vtft是增大的，这样就会导致驱动电压下降，液晶显示效果变差，画面会出现泛白，甚至开不了机的现象。
4.为解决上述问题，需要保证液晶驱动电压稳定，因此，需要调整tft的输入电压，进而需要测量显示屏的温度，并根据tft温度特性以及当前温度调整tft的输入电压，从而保证tft输出的驱动电压保持稳定，保证显示效果。


技术实现要素：

5.本发明需要解决的技术问题是提供一种内嵌温感功能的显示屏及其调控方法，可以通过检测显示屏温度来调整驱动ic的输出，从而保证tft输出的驱动电压保持稳定，保证显示屏的显示效果。
6.为解决上述问题，本发明所采取的技术方案是：
7.一种内嵌温感功能的显示屏，所述显示屏包括lcd面板，所述lcd面板自上至下的堆叠结构为上偏光片、cf基板、tft阵列基板以及下偏光片，所述tft阵列基板由显示区域和非显示区域组成，在非显示区域设有用于检测温度的温感tft。
8.进一步的，所述温感tft与tft阵列基板显示区的显示驱动tft具有相同的结构和材料，并且是在同一工艺制程下制作完成。
9.优选的，所述温感tft数量为2个以上。
10.进一步的，所述温感tft的栅极、源极和漏极分别并联在一起，即全部温感tft的栅极并接，全部温感tft的源极并接，全部温感tft的漏极并接。
11.进一步的，所述tft阵列基板的下部为单层区，单层区是非显示区域的一部分，在单层区设置驱动ic以及fpc绑定引脚，所述温感tft的栅极、源极和漏极分别通过走线引至fpc绑定引脚。
12.进一步的，所述tft阵列基板的下部为单层区，单层区是非显示区域的一部分，在单层区设置驱动ic以及fpc绑定引脚，所述温感tft的栅极、源极和漏极分别通过走线引至驱动ic的输入引脚。
13.进一步的，所述驱动ic内置电压调节模块，所述电压调节模块的控制信号来自外
部输入信号，所述外部输入信号是温感tft的泄漏电流信号。
14.一种内嵌温感功能的显示屏的调控方法，所述调控方法是利用温感tft泄漏电流与温度的正比例关系，温感tft的泄漏电流直接输入驱动ic，进而调控驱动ic使其输出驱动电压保持稳定，或者温感tft的泄漏电流经计算换算成温度，温度输入驱动ic，进而调控驱动ic使其输出驱动电压保持稳定，所述温感tft制作在显示屏的单层区，并且温感tft与tft阵列基板显示区的显示驱动tft具有相同的结构和材料，并且在同一工艺制程下制作完成。
15.进一步的，温感tft的泄漏电流经计算换算成温度的公式是：tt＝(it/i0)^(2/3)*(t0+273)-273，其中，i0是温度t0时温感tft的泄漏电流，it是温度tt时温感tft的泄漏电流。
16.进一步的，所述i0是温度t0时n个温感tft的泄漏电流，所述it是温度tt时n个温感tft的泄漏电流，n是大于1的自然数。
17.采用上述技术方案所产生的有益效果在于：
18.本发明通过在tft阵列基板上设置温感tft，并利用温感tft的温度特性，将温感tft的泄漏电流引入驱动ic或者换算成温度后引入驱动ic，使驱动ic的输出电压保持稳定，实现对显示屏显示效果的调节，使显示屏在低温或者高温环境下显示效果与常温一致。
附图说明
19.图1是本发明温感tft并联电路图；
20.图2是本发明显示屏调控流程图。
具体实施方式
21.为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明具体实施例及相应的附图对本发明技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
22.本发明是一种具有内嵌温感功能的显示屏，以及该显示屏的调控方法，该显示屏的调控方法基于内嵌的温感功能。本发明的显示屏中内嵌了具有测温功能的温感tft，利用温感tft的温度特性(温度与泄漏电流呈正比例关系)，测算显示屏的当前温度，利用温度调控驱动ic的输出电压，进而控制显示屏的显示效果。
23.实施例1
24.对于本发明，其所述显示屏至少包括lcd面板，所述lcd面板的基本结构为自上至下依次堆叠的上偏光片、cf基板、tft阵列基板以及下偏光片，其中，所述tft阵列基板由显示区域和非显示区域组成，在非显示区域设有用于检测温度的温感tft。
25.作为本发明的优选实施方式，所述温感tft与tft阵列基板显示区的显示驱动tft具有相同的结构和材料，并且是在同一工艺制程下制作完成。
26.由于温感tft的泄漏较小，为了便于测量并保证准确度，所述温感tft数量为2个以上。如图1所示，本发明采用n个温感tft，所述温感tft的栅极、源极和漏极分别并联在一起，即全部温感tft的栅极并接，全部温感tft的源极并接，全部温感tft的漏极并接，具体参见图1。
27.作为本发明的优选实施方式，本发明所述tft阵列基板的下部为单层区，单层区是非显示区域的一部分，在单层区设置驱动ic以及fpc绑定引脚，所述温感tft的栅极、源极和漏极分别通过走线引至fpc绑定引脚。温感tft通过fpc连接温度检测电路，并由mcu计算出当前的温度，然后将温度数据再通过fpc送入驱动ic，通过驱动ic来调节输出电压(显示区tft的驱动电压)，进而调节显示屏的显示效果，调节时只要保持驱动ic输出电压稳定即可。
28.基于上述显示屏结构，本发明提供一种内嵌温感功能的显示屏的调控方法，所述调控方法是利用温感tft泄漏电流与温度的正比例关系，将温感tft的泄漏电流经计算换算成温度，温度输入驱动ic，进而调控驱动ic使其输出驱动电压保持稳定。本发明显示屏调控方法的流程图如图2所示。
29.本发明调控方法中，温感tft泄漏电流与温度呈正比例关系：
30.即(tt+273)/(t0+273)＝(it/i0)^(2/3)，
31.由此可计算出泄漏电流it：it＝((tt+273)/(t0+273))^(3/2)*i0，
32.温感tft的泄漏电流经计算换算成温度的公式是：tt＝(it/i0)^(2/3)*(t0+273)-273，其中，i0是温度t0时温感tft的泄漏电流，it是温度tt时温感tft的泄漏电流。
33.作为本发明的优选实施方式，所述i0是温度t0时n个温感tft的泄漏电流，所述it是温度tt时n个温感tft的泄漏电流。即所测电流是n个温感tft并联后的泄漏电流，n是大于1的自然数。
34.对于本发明，mcu计算出当前的温度后，还可以进行判断比较，如果温度超过正常使用温度，可以发出告警信息，告警信息可以是声音信号，可以是显示信号，可以两者兼具。
35.实施例2
36.本实施例与实施例1的不同之处在于：本实施例所述的tft阵列基板的下部为单层区，单层区是非显示区域的一部分，在单层区设置驱动ic以及fpc绑定引脚，所述温感tft的栅极、源极和漏极分别通过走线引至驱动ic的输入引脚。
37.所述驱动ic内置电压调节模块，所述电压调节模块的控制信号来自外部输入信号，所述外部输入信号即是温感tft的泄漏电流信号。温感tft的泄漏电流信号直接进入驱动ic，由驱动ic内置的电压调节模块将泄漏电流转换成电压，作为电压调节模块的调控信号，参与电压调节模块的调节工作，从而调控驱动ic使其输出驱动电压保持稳定，进而调节显示屏显示效果。
38.基于上述显示屏结构的的调控方法，与实施例1也不同，本实施例所述调控方法是利用温感tft泄漏电流与温度的正比例关系，温感tft的泄漏电流直接输入驱动ic，进而调控驱动ic使其输出驱动电压保持稳定。
39.本实例控制方法泄漏电流直接进入驱动ic，减少了电路和换算，效能更好。
40.对于本发明，mcu计算出当前的温度后，可以将其转换成电压信号，输入驱动ic，而不是输入温度信号，电压信号进入驱动ic的电压调节模块，参与驱动ic输出电压的控制。